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DCDC变换器的设计方案
DC-DC变换器的设计方案一种模块化高效DC-DC变换器的开发与研制设计方案一、设计任务：设计一个将220VDC升高到600VDC 的DC-DC变换器。
在电阻负载下，要求如下：1、输入电压U=220VDC，输出电压u=600VDC。
2、输出额定电流|;:=2.5A，最大输出电流Iomax=3Ao3、当输入山在小范围内变化时，电压调整率SV W2%（在匕=2.5A时）。
4、当|<在小范围你变化时，负载调整率SI W5%（在||=220VDC时）。
5、要求该变换器的在满载时的效率n±90%o6、输出噪声纹波电压峰-峰值U t）pp<1V（在Ui=220VDC,u=600VDC,［（=2・5A条件下）。
7、要求该变换器具有过流保护功能，动作电流设定在3A o8、设计相关均流电路，实现多个模块之间的并联输出。
二、设计方案分析1、DC-DC升压变换器的整体设计方案主电路图1DC-DC变换器整体电路图如图1升压式DC-DC变换器整体电路所示，该DC/DC电压变换器由主电路、采样电路、控制电路、驱动电路组成；开关电源的主电路单元、样电路单元采、控制电路单元、驱动电路单元组成闭环控制系统，是相对输出电压的自动调整。
控制电路单元以SG3525为核心，精确控制驱动电路，改变驱动电路的驱动信号，达到稳压的目的。
2、DC-DC升压变换器主电路的工作原理DC-DC功率变换器的种类很多。
按照输入/输出电路是否隔离来分，可分为非隔离型和隔离型两大类。
非隔离型的DC-DC变换器又可分为DC600V降压式、升压式、极性反转式等几种；隔离型的DC-DC 变换器又可分为单端正激式、单端反激式、双端半桥、双端全桥等几种。
下面主要讨论非隔离型升压式DC-DC 变换器的工作原理。
图2(a )DC-DC变换器主电路图2(b )DC-DC 变换器主电路图2(a )是升压式DC-DC 变换器的主电路，它主要由开关变换电路、高频变压电路、整流电路、输出滤波电路四大部分组成；图1(b )是用matlab 模拟主电路 DC220V出的升压式DC-DC变换器的主电路图。
二极管和三极管--原理
二极管图三极管工作(gōngzuò)原理三极管是电流放大器件，有三个极，分别(fēnbié)叫做集电极C，基极B，发射极E。
分成NPN和PNP两种。
我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。
一、电流(diànliú)放大下面的分析仅对于NPN型硅三极管。
如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib；把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic。
这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。
三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制（假设电源能够(nénggòu)提供给集电极足够大的电流的话），并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化(biànhuà)被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数（β一般远大于1，例如几十，几百）。
如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib 的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。
如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。
我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。
二、偏置电路三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。
这有几个原因。
首先是由于三极管BE结的非线性（相当于一个二极管），基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生（对于硅管，常取0.7V）。
当基极与发射极之间的电压小于0.7V时，基极电流就可以认为是0。
但实际中要放大的信号往往远比 0.7V要小，如果不加偏置的话，这么小的信号就不足以引起基极电流的改变（因为小于0.7V时，基极电流都是0）。
如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流（叫做偏置电流，上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的，所以它被叫做基极偏置电阻），那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时，小信号就会导致基极电流的变化，而基极电流的变化，就会被放大并在集电极上输出。
MBR10200CT-MBR20100CT ASEMI高压肖特基二极管规格
MBR10200CT ASEMI高压肖特基二极管
肖特基二极管MBR10200CT参数规格：
肖特基二极管MBR10200CT电流：10A；
肖特基二极管MBR10200CT电压：200V；
肖特基二极管MBR10200CT管装：50/管；盒装：1000PCS/盒。
肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
MBR10200CT ITO-220AB肖特基二极管PDF资料
MBR10200CT肖特基类型：高结温芯片，品牌：ASEMI，
应用市场：电源，小家电，LED电源，各式充电器，开关电源，LED显示屏等。
MBR10200CT肖特基相关参数如下：
MBR10200CT电压Vrrm:200V
MBR10200CT电流If平均：10A
MBR10200CT正向电压Vf最大：0.87V
MBR10200CT电流，Ifs最大：150A
MBR10200CT工作温度范围：-40°C to+150°C
MBR10200CT封装形式：TO-220/TO-220F/ITO-220
MBR10200CT反向恢复电流，Irrm:10UA
肖特基系列型号：
MBR1040CT,MBR1045CT,MBR1060CT,MBR1060FCT, MBR10100CT,MBR10100FCT,MBR10150FCT,MBR10150CT, MBR10200FCT,MBR10200CT
肖特基二极管封装：TO-251,TO-252,TO-263,
TO-220,TO-247,TO-3P。
MBR分区表详解
MBR分区表详解主引导记录主引导记录（Master Boot Record，缩写：MBR），⼜叫做主引导扇区，是计算机开机后访问硬盘时所必须要读取的⾸个扇区，它在硬盘上的三维地址为（柱⾯，磁头，扇区）＝（0，0，1）。
在深⼊讨论主引导扇区内部结构的时候，有时也将其开头的446字节内容特指为“主引导记录”（MBR），其后是4个16字节的“磁盘分区表”（DPT），以及2字节的结束标志（55AA）。
因此，在使⽤“主引导记录”（MBR）这个术语的时候，需要根据具体情况判断其到底是指整个主引导扇区，还是主引导扇区的前446字节。
主引导扇区记录着硬盘本⾝的相关信息以及硬盘各个分区的⼤⼩及位置信息，是数据信息的重要⼊⼝。
如果它受到破坏，硬盘上的基本数据结构信息将会丢失，需要⽤繁琐的⽅式试探性的重建数据结构信息后才可能重新访问原先的数据。
主引导扇区内的信息可以通过任何⼀种基于某种操作系统的分区⼯具软件写⼊，但和某种操作系统没有特定的关系，即只要创建了有效的主引导记录就可以引导任意⼀种操作系统（操作系统是创建在⾼级格式化的硬盘分区之上，是和⼀定的⽂件系统相联系的）。
对于硬盘⽽⾔，⼀个扇区可能的字节数为128×2n（n=0,1,2,3）。
⼤多情况下，取n=2，即⼀个扇区（sector）的⼤⼩为512字节。
⽬录主引导记录 (1)主引导记录的组成 (2)启动代码 (2)硬盘分区表 (2)结束标志字 (3)主引导扇区的读取流程 (4)主引导记录与硬盘分区 (4)MBR分区表与GPT分区表的关系 (5)注释 (5)主引导记录的组成启动代码主引导记录最开头是第⼀阶段引导代码。
其中的硬盘引导程序的主要作⽤是检查分区表是否正确并且在系统硬件完成⾃检以后将控制权交给硬盘上的引导程序（如GNU GRUB）。
它不依赖任何操作系统，⽽且启动代码也是可以改变的，从⽽能够实现多系统引导。
硬盘分区表硬盘分区表占据主引导扇区的64个字节（偏移01BEH--偏移01FDH），可以对四个分区的信息进⾏描述，其中每个分区的信息占据16个字节。
(重点)二极管的种类及应用
检波二极管的应用电路
• 1．收音机检波电路 • 作用：将465kHz中频调幅信号还原为音频信号
• 2．来复式收音机中的检波电路 • 其中VD1和VD2组成倍压检波电路，C3为高频滤波电容器。检波后得 到的低频信号再加到VT1的输出端，再作一次低频放大，然后送给耳 机。
变容二极管
• 变容二极管的作用：又称压控变容器，是根据所提供的电压变化而改 变结电容的半导体，工作在反向偏压状态。 • 变容二极管的主要参数：零偏结电容、零偏压优值、反向击穿电压、 中心反向偏压、标称电容、电容变化范围（以皮法为单位）以及截止 频率等。 • 变容二级管的应用：在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。 有专用于谐振电路调谐的电调变容二极管、适用于参放的参放变容二 极管以及用于固体功率源中倍频、移相的功率阶跃变容二极管等，用 于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。 变容二极管的封装：中小功率的变容二极管采用玻封、塑封或表面封 装，而功率较大的变容二极管多采用金封。
点接触锗二极管－1N60P,1N34A（检波二极管） • 点接触锗二极管（DO-7玻璃封 装） 1N60P（2-1K60）VR：40V，Cj： 1pF； 1N60（1K60）VR：40V，Cj： 1pF； 1N34A（1K34A）VR：40V，Cj： 1pF。 主要用于：计算器，收音机，电视 机等检波电路。
不同直径的发光二极管
光敏二极管 CL-5M3B 5mm
肖特基二极管
• 应用场合：SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用 作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段） 用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD • 与普通二极管的区别：SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形 成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导 体结原理制作的。
mbr分区表格式
mbr分区表格式MBR（Master Boot Record，主引导记录）是一种用于硬盘的分区表格式，它记录了硬盘上所有分区的相关信息。
在本文中，我们将详细介绍MBR分区表格式的结构和作用。
一、MBR分区表概述MBR分区表是一种用于BIOS系统的分区表格式，它位于硬盘的第一个扇区，并占据了硬盘的前512字节。
MBR分区表主要记录了硬盘上的主引导码和分区表项信息。
它最多可以记录4个主分区，或者3个主分区和1个扩展分区。
二、MBR分区表结构MBR分区表的结构如下所示：1. 主引导码（446字节）：MBR的前446个字节是主引导码，它包含了一个小程序，能够在系统启动时被BIOS加载并执行，从而引导操作系统的安装和启动。
2. 分区表项（64字节）：MBR的接下来的64个字节被分为4个分区表项，每个表项占据16个字节。
每个分区表项记录了一个分区的信息，包括分区的起始扇区、分区的大小和分区的活动状态（即该分区是否可以被引导）。
3. MBR签名（2字节）：MBR的最后两个字节用于存储MBR的签名，一般为0x55AA。
当BIOS加载MBR时，会检查签名是否正确，以确定MBR的有效性。
三、MBR分区表的作用MBR分区表的作用主要有以下几个方面：1. 引导操作系统：MBR中的主引导码能够启动操作系统的安装和启动过程。
当计算机开机时，BIOS会加载MBR的主引导码，进而引导操作系统的加载和运行。
2. 确定分区的位置和大小：MBR中的分区表项记录了每个分区的起始扇区和分区大小。
操作系统通过读取MBR分区表，可以了解硬盘上每个分区的位置和大小信息，从而正确访问和管理分区中的数据。
3. 标识活动分区：MBR中的分区表项中的"活动"标志位用于标识哪个分区可以被引导。
当计算机启动时，BIOS会加载活动分区的引导程序，并从该分区中启动操作系统。
四、MBR分区表的局限性尽管MBR分区表在过去几十年间被广泛使用，但它也存在一些局限性：1. 分区数限制：MBR分区表最多支持记录4个主分区，或者3个主分区和1个扩展分区。
硬盘MBR详细介绍--解释为什么最多有3个主分区
硬盘MBR详细介绍--解释为什么最多有3个主分区硬盘是现在计算机上最常用的存储器之一。
我们都知道，计算机之所以神奇，是因为它具有高速分析处理数据的能力。
而这些数据都以文件的形式存储在硬盘里。
不过，计算机可不像人那么聪明。
在读取相应的文件时，你必须要给出相应的规则。
这就是分区概念。
分区从实质上说就是对硬盘的一种格式化。
当我们创建分区时，就已经设置好了硬盘的各项物理参数，指定了硬盘主引导记录（即Master Boot Record，一般简称为MBR）和引导记录备份的存放位置。
而对于文件系统以及其他操作系统管理硬盘所需要的信息则是通过以后的高级格式化，即 Format命令来实现。
面、磁道和扇区硬盘分区后，将会被划分为面（Side）、磁道（Track）和扇区（Sector）。
需要注意的是，这些只是个虚拟的概念，并不是真正在硬盘上划轨道。
先从面说起，硬盘一般是由一片或几片圆形薄膜叠加而成。
我们所说，每个圆形薄膜都有两个“面”，这两个面都是用来存储数据的。
按照面的多少，依次称为0 面、1面、2面……由于每个面都专有一个读写磁头，也常用0头(head)、1头……称之。
按照硬盘容量和规格的不同，硬盘面数(或头数)也不一定相同，少的只有2面，多的可达数十面。
各面上磁道号相同的磁道合起来，称为一个柱面(Cylinder)。
上面我们提到了磁道的概念。
那么究竟何为磁道呢？由于磁盘是旋转的，则连续写入的数据是排列在一个圆周上的。
我们称这样的圆周为一个磁道。
如果读写磁头沿着圆形薄膜的半径方向移动一段距离，以后写入的数据又排列在另外一个磁道上。
根据硬盘规格的不同，磁道数可以从几百到数千不等；一个磁道上可以容纳数KB 的数据，而主机读写时往往并不需要一次读写那么多，于是，磁道又被划分成若干段，每段称为一个扇区。
一个扇区一般存放512字节的数据。
扇区也需要编号，同一磁道中的扇区，分别称为1扇区，2扇区……计算机对硬盘的读写，处于效率的考虑，是以扇区为基本单位的。
肖特基二极管简介
BTA54C BTA54SDO41SCHOTTKY：取第一个字母“S”，SMD：Surface Mounted Devices的缩写，意为：表面贴装器件，取第一个字母“S”，上面两个词组各取第一个字母、即为SS，同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。
不同的是，普通二极管的工作是利用半导体PN结的单向导电特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体接触产生的势垒而起到单向导电作用，它在开关没有时存储电荷和移动效应。
所以，肖特基二极管的开关速度非常快，反向恢复时间t rr很短(小于几十ns)；同时，其正向压降V F较小，尤其适用于高速开关电路和低压大电流输出电路，具有较高的整流效率和可靠性。
这是肖特基二极管的两大优点，但肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压V R较低，二是反向漏电流I R较大。
肖特基的最高电压是200V，也就是说，肖特基的极限电压是200V。
超过200V电压的也必定是模块。
电流越大，电压越低。
与可控硅元件不一样。
电流与电压成反比（模块除外）。
10A、20A、30A规格的有做到200V电压。
电流最小的肖特基是BAT42（0.2A)；BAT54、BAT54A、BAT54C（0.3A）；电流最大的肖特基是440A，如：440CMQ030、444CNQ045；超过440A的必定是模块。
关于肖特基MBR系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？因为最早是摩托罗拉产品型号M：是以最早MOTOROLA的命名，取MB：Bridge 桥；Barrier：势垒R：Rectifier，整流器“MBR”意为整流器件例如：MBR10200CTM：MOTOROLA 缩写MB：Barrier缩写BR：Rectifier 缩写R10：电流10A200：电压200VC：表示TO-220AB封装，常指半塑封。
T：表示管装MBR1045CT，其中的“C”：表示TO-220封装；MBR6045PT，其中的“P”：表示TO-3P封装元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现，例如：MBRD10100CT：第四位的D，表示贴片DPAK封装,即TO-252MBRB10100CT：第四位的B，表示贴片D2PAK封装，即TO-263MBRF10100CT：第四位的F，表示TO-220F全塑封MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。
关于肖特基MBR系列
关于肖特基MBR系列：为什么要取名为“MBR”？M：是以最早MOTOROLA的命名，取MB：Bridge 桥，整流桥R：Rectifier，整流器SCHOTTKY：肖特基SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....、1、肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
2、肖特基二极管的结构肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N 外延层（砷材料）、N型硅基片、N阴极层及阴极金属等构成。
在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。
当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。
采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。
它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。
肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式。
采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有A~19种管脚引出方式。
3、常用的肖特基二极管常用的有引线式肖特基二极管有1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200等型号。
常用的表面封装肖特基二极管，SCHOTTKY取第一个字母“S”，片式表面贴片SMD取第一个字母“S”，即为SS，如：SS12、SS14....电流最小的肖特基是BAT42（0.2A)；BAT54、BAT54A、BAT54C（0.3A）；电流最大的肖特基是440A，如：440CMQ030、444CNQ045；超过440A的必定是模块。
常用肖特基二极管、型号的命名、字母含义
SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
例如：MBR10200CT
M：MOTOROLA
缩写 M
B：Barrier1
缩写 B
R：Rectifier
缩写 R
10：电流 10A
200：电压 200V
C：表示 TO-220AB 封装，常指半塑封。
T：表示管装
MBR1045CT，其中的“C”：表示 TO-220 封装；MBR6045PT，其中的“P”：表示 TO-3P 封装
MBR30150CT，30A，150V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；
MBR30200CT，30A，200V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；
MBR3045PT， 30A， 45V，TO-247、TO-3P；
MBR3060PT， 30A， 60V，TO-247、TO-3P；
MBR30100PT，30A，100V，TO-247、TO-3P；
MBR1045CT、MBR10100CT：TO-220AB（三脚半塑封），10A
M
BMBR1535CT、MBR1545CT：TO-220AB（三脚），15A RFMBR2045CT、MBR20200CT：TO-220AB（三脚），20A 1MBR2535CT、MBR2545CT：TO-220AB（三脚），25A 0MBR3045CT、MBR3060CT：TO-220AB（三脚），30A
MBR40150PT，40A，150V，TO-247、TO-3P；
MBR40200PT，40A，200V，TO-247、TO-3P；
MBR6045PT， 60A， 45V，TO-247、TO-3P；
MBR6060PT， 60A， 60V，TO-247、TO-3P；
硬盘MBR和GPT分区详解
硬盘MBR和GPT分区详解目前磁盘分区有两种形式：GPT分区和MBR分区。
MBR相比而言比较常见，大多数磁盘都是采用这种分区形式。
MBR分区和GPT分区的区别在于：MBR最多只支持4个主分区，GPT能够支持128个主分区。
然而GPT分区形式在重装系统需要主板的EFI支持，所以导致出现上面的这种情况。
因此解决的办法就是将分区形式转换为MBR分区形式。
但是在转换之前必须要做好数据备份，将磁盘里重要的东西全部拷出来，因为只有整个磁盘全部为空时，才能够进行转换。
传统的分区方案(称为MBR分区方案)是将分区信息保存到磁盘的第一个扇区(MBR 扇区)中的64个字节中，每个分区项占用16个字节，这16个字节中存有活动状态标志、文件系统标识、起止柱面号、磁头号、扇区号、隐含扇区数目(4个字节)、分区总扇区数目(4个字节)等内容。
由于MBR扇区只有64个字节用于分区表，所以只能记录4个分区的信息。
这就是硬盘主分区数目不能超过4个的原因。
后来为了支持更多的分区，引入了扩展分区及逻辑分区的概念。
但每个分区项仍用16个字节存储。
GPT磁盘是指使用GUID分区表的磁盘，是源自EFI标准的一种较新的磁盘分区表结构的标准。
与普遍使用的主引导记录(MBR)分区方案相比，GPT提供了更加灵活的磁盘分区机制。
MBR的全称是Master Boot Record（主引导记录），MBR早在1983年IBM PC DOS 2.0中就已经提出。
之所以叫“主引导记录”，是因为它是存在于驱动器开始部分的一个特殊的启动扇区。
这个扇区包含了已安装的操作系统的启动加载器和驱动器的逻辑分区信息。
主引导扇区是硬盘的第一扇区。
它由三个部分组成，主引导记录MBR、硬盘分区表DPT和硬盘有效标志。
在总共512字节的主引导扇区里MBR占446个字节，偏移地址0000H--0088H），它负责从活动分区中装载，并运行系统引导程序；第二部分是Partition table区（DPT分区表），占64个字节；第三部分是Magic number，占2个字节。
肖特基二极管型号大全
20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 3 3 5 5 5 5 5 5 5 8 8 8 8 8 8 8 10
45 45 45 45 60 60 60 60 60 100 100 150 150 200 200 45 60 100 150 200 45 60 45 45 60 60 100 150 200 45 45 60 60 100 150 200 45
V F(V) I F(mA)
5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 8000 8000 8000 8000 10000 10000 10000 10000 10000 10000 10000 15000 15000 15000 15000 15000 15000 15000 20000 Type 0.54 0.53 0.69 0.62 0.77 0.8 0.84 0.8 0.85 0.86 0.59 0.55 0.66 0.7 0.58 0.57 0.73 0.67 0.79 0.83 0.88 0.61 0.59 0.75 0.7 0.81 0.84 0.89 0.52 Max 0.6 0.6 0.8 0.7 0.85 0.85 0.88 0.87 0.92 0.9 0.65 0.60 0.70 0.75 0.65 0.65 0.8 0.75 0.85 0.9 0.95 0.7 0.65 0.85 0.8 0.88 0.92 1 0.60 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4
3.00 3.00 3.00 3.00 3.00 3.00 3.00 3.00 3.00 3.00 3.00 3.00 3.00 3.00 3.00 3.00 3.00 3.00 3.00 3.00 2.00 2.00 2.00 2.00 3.00 3.00 2.00 2.00 2.00 2.00 2.00 2.00 2.00 2.0型表
关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释
关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释肖特基二极管的命名：肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode缩写成SR），也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode缩写成SBD）的简称。
肖特基：Schottky整流：RectifierSR：即为肖特基整流二极管Schottky Rectifier Diode：肖特基整二极管，简称：SR，比如：SR107，SR10100CT......肖特基：Schottky势垒：BarrierSB：即为肖特基势垒二极管肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管，简称：SB，比如：SB107，SB1045CT......Schottky Barrier Diode：也有简写为：SBD来命名产品型号前缀的。
但SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
关于肖特基MBR系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？因为最早是世界著名半导体公司－摩托罗拉半导体命名的产品型号M：是以最早MOTOROLA的命名，取MB：Bridge 桥；Barrier：势垒R：Rectifier，整流器 “MBR”意为整流器件SCHOTTKY：肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
例如：MBR10200CTM：MOTOROLA 缩写MB：Barrier缩写BR：Rectifier 缩写R10：电流10A200：电压200VC：表示TO-220AB封装，常指半塑封。
mbr分区表不能装win10
MBR分区表不能装Win10引言MBR（Master Boot Record）分区表是一种旧的分区表格式，用于将硬盘分成多个逻辑部分。
然而，自从Windows 7之后，微软开始支持使用GPT（GUID Partition Table）分区表来替代MBR分区表。
而在安装Windows 10时，如果你的硬盘采用了MBR分区表，可能会出现无法安装的情况。
本文将介绍为什么MBR分区表不能装Win10以及如何解决这个问题。
MBR分区表的限制MBR分区表的最大限制是2TB的硬盘大小，以及最多4个主分区的限制。
这在现代硬件中已经显得有些不够用了。
而且，MBR分区表使用BIOS引导方式，不支持UEFI（Unified Extensible Firmware Interface），这也是一些新的硬件设备无法使用MBR分区表的原因。
因此，在安装Windows 10时，如果你的硬盘采用了MBR分区表，可能会遇到问题。
MBR分区表引导方式与Windows 10要求的不兼容Windows 10要求使用UEFI引导方式来引导系统，并且使用GPT分区表。
UEFI是一种新的固件接口，取代了传统的BIOS引导方式。
使用UEFI引导方式可以带来更好的安全性、更快的启动速度以及更大的硬盘支持。
而Windows 10的安装程序在启动时会检测硬件是否支持UEFI，并且要求使用GPT分区表。
解决方案：将MBR分区表转为GPT分区表如果你的电脑采用了MBR分区表并且想要安装Windows 10，你可以通过将MBR分区表转换为GPT分区表来解决问题。
转换分区表的过程会擦除硬盘上的所有数据，请确保已经备份重要数据。
以下是使用Windows 10安装程序来转换分区表的步骤：1.准备安装媒介：将Windows 10安装文件制作成启动U盘或者光盘，并确保可以从该媒介启动电脑。
2.启动安装程序：将制作好的安装媒介插入电脑，重启电脑并从该媒介启动。
在启动过程中按照提示选择语言、时区等设置。
给win10分区用MBR还是GPT？详解MBR还是GPT的区别－系统城
给win10分区用MBR还是GPT？详解MBR还是GPT的区别－系统城大家给win10系统分区常见的一般都是MBR和GPT这两种模式，初学者对MBR和GPT都不熟悉，不清楚这两种模式谁好一点？其实，GPT意为GUID分区表，这是一个正逐渐取代MBR的新标准，它由UEFI辅住而形成的，GPT在今后的发展就会越来越占优势，MBR也会逐渐被GPT取代，想进一步了解的小伙伴一起往下看。
win10分区表MBR与GPT介绍:一般都是MBR分区的，只有不超过1T硬盘空间MBR和GPT的详细区别基于UEFI平台的主板才支持GPT分区引导启动。
如果只有一块120G的SSD固态硬盘，选择MBR分区表就可以。
MBR分区：MBR的意思是“主引导记录”，它有自己的启动器，也就是启动代码，一旦启动代码被破坏，系统就没法启动，只有通过修复才能启动系统。
最大支持2TB容量，在容量方面存在着极大的瓶颈，那么GPT在今后的发展就会越来越占优势，MBR也会逐渐被GPT取代。
GPT分区：GPT意为GUID分区表，这是一个正逐渐取代MBR的新标准，它由UEFI辅住而形成的，这样就有了UEFI用于取代老旧的BIOS，而GPT则取代老旧的MBR。
这个标准没有MBR的那些限制。
磁盘驱动器容量可以大得多，大到操作系统和文件系统都没法支持。
它同时还支持几乎无限个分区数量，限制只在于操作系统，Windows支持最多128个GPT分区。
通过UEFI，所有的64位的win0，win8，win7和Vista，以及所对应的服务器都能从GPT启动MBR分区表传统的分区方案(称为MBR分区方案)是将分区信息保存到磁盘的第一个扇区(MBR扇区)中的64个字节中，每个分区项占用16个字节，这16个字节中存有活动状态标志、文件系统标识、起止柱面号、磁头号、扇区号、隐含扇区数目(4个字节)、分区总扇区数目(4个字节)等内容。
由于MBR扇区只有64个字节用于分区表，所以只能记录4个分区的信息。
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MBR1060, MBR1080,MBR1090, MBR10100MBR1060 and MBR10100 are Preferred Devices SWITCHMODE tPower RectifiersThis series of SWITCHMODE power rectifiers uses the Schottky Barrier principle with a platinum barrier metal. These state−of−the−art devices have the following features:Features•Guard−Ring for Stress Protection•Low Forward V oltage•175°C Operating Junction Temperature•Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in•Low Power Loss/High Efficiency•High Surge Capacity•Low Stored Charge Majority Carrier Conduction•Pb−Free Packages are Available*Mechanical Characteristics•Case: Epoxy, Molded•Weight: 1.9 Grams (Approximately)•Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal Leads are Readily Solderable•Lead Temperature for Soldering Purposes:260°C Max. for 10 Seconds*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.Preferred devices are recommended choices for future use and best overall value.MAXIMUM RATINGSvalues (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and reliability may be affected.1.The heat generated must be less than the thermal conductivity from Junction−to−Ambient: dP D/dT J < 1/R q JA.THERMAL CHARACTERISTICSELECTRICAL CHARACTERISTICS2.Pulse Test: Pulse Width = 300 m s, Duty Cycle ≤2.0%.Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Typical Reverse CurrentFigure 3. Current Derating, Case Figure 4. Current Derating, AmbientFigure 5. Forward Power Dissipationv F , INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)205010V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)110T C , CASE TEMPERATURE (°C)7.03.04.00T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)20108.06.03.00402.04.0I F(AV), AVERAGE CURRENT (AMPS)104.03.02.01.00 3.0i F , I N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T (A M P S )I I F (A V ), A V E R A G E F O R W A R D C U R R E N T (A M P S )5.03.01201301401506080160P 5.0106.07.01.00.5, A V E R A G E F O R W A R D C U R R E N T (A M P S )F (A V ) 1.07.08.09.05.06.06.05.08.0109.09.07.05.04.0100120140, A V E R A G E P O W E R D I S S I P A T I O N (W A T T S )F (A V )1601.02.0 1.02.01802009.08.0PACKAGE DIMENSIONSTO−220PLASTIC CASE 221B−04ISSUE DQDIM MIN MAX MIN MAX MILLIMETERSINCHES A 0.5950.62015.1115.75B 0.3800.4059.6510.29C 0.1600.190 4.06 4.82D 0.0250.0350.640.89F 0.1420.147 3.61 3.73G 0.1900.210 4.83 5.33H 0.1100.130 2.79 3.30J 0.0180.0250.460.64K 0.5000.56212.7014.27L 0.0450.060 1.14 1.52Q 0.1000.120 2.54 3.04R 0.0800.110 2.04 2.79S 0.0450.055 1.14 1.39T 0.2350.255 5.97 6.48U0.0000.0500.000 1.27NOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.2.CONTROLLING DIMENSION: INCH.ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further noticeto any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.“Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates,and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.PUBLICATION ORDERING INFORMATIONSWITCHMODE is a trademark of Semiconductor Components Industries, LLC.。