光电隔离技术
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单片机原理与应用
光电隔离技术
在驱动大电流用电器或有较强干扰的设备时，常使用 光电隔离技术，以切断单片机与受控对象之间的电气联 系。目前常用的光电耦合器有晶体管输出型和晶闸管输 出型。
1.1 晶体管输出型光电耦合器 1.2 晶闸管输出型光电耦合器
1.1 晶体管输出型光电耦合器
晶体管输出型光电耦合器如图7.36所示，由发光二极管和
1.2 晶闸管输出型光电耦合器
晶闸管输出型光电耦合器由发光二极管和光敏晶闸管构成。 由于光敏晶闸管有单向和双向之分，因此在构成光电耦合器的输 入端有一定的电流流入时，晶闸管通导。
晶闸管输出型光电耦合器的内部结构以及构成输出电路的联 接如图7.37所示。其中4N40是常用的单向输出型光电耦合器。 当输入端有15~30mA电流时，输出晶闸管通导。输出端额定电 压为400V，额定电流为300mA，输入输出隔离电压为 1500~7500V。
光电晶体管构成。当电流流过发光二极管时，二极管发光，照
射晶体管的基极，于是晶体管的cb之间和ce之间有电流流过，
该电流与ce之间的电压Vce关系甚小，主要由光照决定，即由
发光二极管控制。
输入
+5V 输出
图7.36 晶体管输出光电耦合器
光电晶体管集电极电流Ic与发光二极管电流If 之比称为光电耦合器的电流传输比。目前，常用 的晶体管输出光电耦合器有4N25、4N33、 TIL110等，其中4N33是一种达林顿管输出型光 电耦合器。4N25与TIL110的电流传输比相近， ≥20%；4N33的电流传输比≥500%。
+5V
R1 1
91Ω
51
+5V
R1 1
EA
180Ω
P1.7
2
7407
4N40
MOC3041 过零检 测电路
图7.37 晶闸管输出光电耦合电路
×
6
100Ω ～220V
5
0.1μF
4 R2
10K
6 大功率 晶闸管 及负载
4
单片机原理与应用
光电隔离技术
在驱动大电流用电器或有较强干扰的设备时，常使用 光电隔离技术，以切断单片机与受控对象之间的电气联 系。目前常用的光电耦合器有晶体管输出型和晶闸管输 出型。
1.1 晶体管输出型光电耦合器 1.2 晶闸管输出型光电耦合器
1.1 晶体管输出型光电耦合器
晶体管输出型光电耦合器如图7.36所示，由发光二极管和
1.2 晶闸管输出型光电耦合器
晶闸管输出型光电耦合器由发光二极管和光敏晶闸管构成。 由于光敏晶闸管有单向和双向之分，因此在构成光电耦合器的输 入端有一定的电流流入时，晶闸管通导。
晶闸管输出型光电耦合器的内部结构以及构成输出电路的联 接如图7.37所示。其中4N40是常用的单向输出型光电耦合器。 当输入端有15~30mA电流时，输出晶闸管通导。输出端额定电 压为400V，额定电流为300mA，输入输出隔离电压为 1500~7500V。
光电晶体管构成。当电流流过发光二极管时，二极管发光，照
射晶体管的基极，于是晶体管的cb之间和ce之间有电流流过，
该电流与ce之间的电压Vce关系甚小，主要由光照决定，即由
发光二极管控制。
输入
+5V 输出
图7.36 晶体管输出光电耦合器
光电晶体管集电极电流Ic与发光二极管电流If 之比称为光电耦合器的电流传输比。目前，常用 的晶体管输出光电耦合器有4N25、4N33、 TIL110等，其中4N33是一种达林顿管输出型光 电耦合器。4N25与TIL110的电流传输比相近， ≥20%；4N33的电流传输比≥500%。
+5V
R1 1
91Ω
51
+5V
R1 1
EA
180Ω
P1.7
2
7407
4N40
MOC3041 过零检 测电路
图7.37 晶闸管输出光电耦合电路
×
6
100Ω ～220V
5
0.1μF
4 R2
10K
6 大功率 晶闸管 及负载
4
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