一种用于系统级封装的TSV有源转接板制备方法[发明专利]

专利名称：一种用于系统级封装的TSV有源转接板制备方法专利类型：发明专利
发明人：朱宝,陈琳,孙清清,张卫
申请号：CN202010626920.X
申请日：20200701
公开号：CN111883479A
公开日：
20201103
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种用于系统级封装的TSV有源转接板制备方法。

采用离子注入工艺向单晶硅衬底中注入低能离子至较浅深度并进行高温退火在硅衬底内部形成一层氧化物，从而氧化物将硅衬底分为上方的顶层硅和下方的体硅；接着进行快速热退火消除顶层硅内部损伤，并采用分子束外延方法生长一定厚度的单晶硅；紧接着采用抛光的方法去除一部分表面具有起伏的顶层硅，并继续采用分子束外延的方法生长所需厚度的单晶硅；然后形成贯穿所述基底的硅通孔，湿法腐蚀去除所述硅化合物，使顶层硅与体硅分离，以顶层硅为基底制作有源转接板。

本发明能够充分利用硅材料，节约成本。

同时，能够获得缺陷较少，且表面平坦的单晶硅。

申请人：复旦大学,上海集成电路制造创新中心有限公司
地址：200433 上海市杨浦区邯郸路220号
国籍：CN
代理机构：北京得信知识产权代理有限公司
代理人：孟海娟
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