Ce:YIG磁光薄膜磁光效应机理研究

Ce：YIG磁光薄膜磁光效应机理研究
梅延玲;胡华安;贺长建
【期刊名称】《湖南师范大学自然科学学报》
【年(卷),期】2003(026)004
【摘要】在对Ce:YIG的电子结构计算的基础上,得出了Ce3+的掺入,Ce3+的5d、4f电子以及Fe3+3 d电子之间形成了自旋-轨道劈裂较大的杂化轨道,同时存在
Fe3+(3d)→Ce3+(4f)的电子跃迁,它们对磁光效应有重要的贡献,是1.5 eV和2.1 eV两个跃迁中心的来源,在1.0～3.2 eV范围内,分别对不同的掺Ce量的光吸收谱及磁光优值进行了计算,结果与实验符合较好.
【总页数】5页(P42-46)
【作者】梅延玲;胡华安;贺长建
【作者单位】湖北民族学院电子工程与应用物理系,中国,恩施,445000;军事经济学
院军用物资系,中国,武汉,430035;江汉大学卫生技术学院,中国,武汉,430016
【正文语种】中文
【中图分类】O441.2
【相关文献】
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5.Ce∶YIG磁光薄膜法拉第旋转谱的理论计算 [J], 胡华安;何华辉;梅延玲;高雁军因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。