大功率LED芯片知识
LED芯片原理分类基础知识大全
LED芯片原理分类基础知识大全LED（Light Emitting Diode）即发光二极管，是一种基于半导体材料的电子元件。
它能够直接将电能转换为可见光，具有体积小、功耗低、寿命长等优点，在各个领域有着广泛的应用。
1. 衬底选择：芯片的衬底通常使用蓝宝石（sapphire）或硅（silicon）材料，其中蓝宝石衬底适用于制造蓝光LED，而硅衬底适用于制造红光、绿光LED。
2.外延生长：将所需材料的薄片逐渐沉积在衬底上，使其逐渐增厚，形成外延层。
3.晶圆切割：将外延层切割成晶圆形状，并进行光洁处理。
4.研磨和腐蚀：通过机械或化学方法对晶圆进行研磨或腐蚀，使其得到一定的光学反射效果。
5.P型和N型制备：在晶圆上制备P型和N型区域，分别通过掺杂方法将其中一侧的材料掺入组别的杂质。
6.金属电极制备：在P型和N型区域上刻蚀金属电极，通过金属电极可以引出电流。
7.芯片测试：对制备完成的LED芯片进行测试，包括亮度、波长、电流和电压等参数的测试。
根据不同的工艺和材料选择，LED芯片的类型可分为以下几种：1.普通LED芯片：制造工艺简单，成本低，适用于一般照明和显示等领域。
2.高亮度LED芯片：通过优化结构和材料，提高亮度和发光效率，适用于显示屏、信号灯等需要高亮度的应用。
3.SMDLED芯片：表面安装技术（SMD）制造的LED芯片，便于焊接和组装，广泛应用于背光源、室内照明等领域。
4.COBLED芯片：芯片上多个小颗粒进行集成，具有高亮度、高可靠性等优点，适用于大功率照明等领域。
5.RGBLED芯片：集成了红、绿、蓝三种颜色的LED芯片，通过不同颜色的组合可以实现多彩的显示效果。
6.UVLED芯片：发射紫外线光的LED芯片，用于紫外线固化、水质检测、杀菌消毒等领域。
总的来说，LED芯片的原理分类涉及到材料选择、制备工艺和应用领域等多个方面，通过不同的工艺和材料选择，可以实现不同功能和性能的LED芯片。
随着科技的进步和人们对绿色环保的追求，LED芯片的研发和应用将会得到更广泛的推广。
LED芯片原理知识大全一览
LED芯片原理知识大全一览
LED是一种发光二极管。
发光二极管（LED）是一种无源器件，可将电能转换成光能，也可以将光能转换成电能。
LED原理非常简单，它只需将正向电流通过LED元件即可发光。
LED用于非常宽泛的应用场合，比如照明、节能灯具、显示屏、可视报警器、电子仪器和安全系统等，可用作显示器具，也可用作发光源或信号源。
LED芯片的基本原理是在半导体材料中有n极和p极，这两种型号的半导体经过内置元件处理后形成微小的发光单元，并将电能转换成光能，即产生发光现象。
能发出多种颜色的半导体结构有所不同，能发出的颜色也不一样。
LED芯片的结构由三层组成：基板、发光元件和连接层。
基板由绝缘和金属组成，它的作用是将LED封装到电路板，并连接到外部电路。
发光元件是LED的核心，它通常由硅片、金属膜、连接装置、外壳和陶瓷基板组成，发光元件中最重要的是芯片，它将电流转换成可见光，而且它的发光效果取决于它的封装及其布局；连接层由铜线组织而成，其作用是将上述的基板和发光元件连接到外部电路板。
电子元件中的LED芯片是机器可以识别的有用芯片，它可以维护、控制电子设备的运行，具有良好的可靠性和可信度。
LED基础知识培训-外延、芯片_图文(精)
LED基础知识培训-外延、芯片王立 2009-3-16 Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation内容提要 1 2 3 4 LED器件基础知识 LED器件基础知识 LED材料生长 LED材料生长 LED芯片制造芯片制造高效率LED芯片设计芯片设计高效率 Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi CorporationLED器件基础知识 1、半导体发光的概念发光是物体内部以某种方式吸收的能量转化为光辐射的过程。
发光是一种非平衡辐射。
区分各种非平衡辐射的宏观光学参量是辐射期间—去掉激发后辐射还可延续的时间。
发光的辐射期间在10-11秒以上。
Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi CorporationLED器件基础知识半导体发光的不同形态粉末发光。
薄膜发光。
结型发光。
通常所说的半导体发光是指结型发光——器件的核心在于p-n结。
半导体照明技术是结型电致发光和粉末光致发光的结合。
Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi CorporationLED器件基础知识 2、半导体发光的研究历史 1907 ! Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi Corporation Lattice Power (Jiangxi CorporationLED器件基础知识 1923, O.W. Lossev of Russia reported electroluminescent light emission in silicon carbide crystals. 1937, F. Destriau of France reported (field-excited electroluminescence of zinc sulfide powders. 1939 – 1944 World War II 1951 – Solid State Lighting potential resurfaced when a team of researchers led by Kurt Lehovec started to investigate the electroluminescent potential of silicon carbide. 1962 – Nick Holonyak Jr, working at General Electric, gave the first practical demonstration of LEDs. 1968 – HP Labs develops the first commercially available light-emitting diode. GE, Bell Labs make the same claim. LEDs were first invented in England, Korea and China as well, depending upon who you talk to. …… 1994 –高亮度蓝光LED实现产业化，半导体照明成为可能。
LED芯片知识
LED 収展叱
不第一种斱法比较，它效率较低而产生较多热(因为 StokesShift前者较大)，但好处是光谱癿特性较佳，产生癿光 比较好看。而由亍紫外光癿LED功率较高，所以其效率虽比较 第一种斱法低，出来癿亮度却相若。 最新一种制造白光LED癿斱法没再用上磷光体。新癿做法 是在硒化锌(ZnSe)基板上生长硒化锌癿磊晶局。通申时其活跃 地带会収出蓝光而基板会収黄光，混合起来便是白色光。
LED癿封装
LED癿封装癿仸务 ：是将外引线连接到LED芯片癿申枀上，同时 保护好LED芯片，幵丏起到提高光叏出效率癿作用.兲键工序有装 架、压焊、封装. 2.LED封装形式 ：LED封装形式可以说是五花八门,主要根据丌同 癿应用场合采用相应癿外形尺寸,散热对策和出光效果.LED按封装 形式分类有Lamp-LED、TOP-LED、Side-LED、SMD-LED、 High-Power-LED等. 3.LED封装工艺流秳 1.芯片梱验 镜梱：杅料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill）芯片尺寸 及申枀大小是否符合工艺要求申枀图案是否完整. 2.扩片 由亍LED芯片在划片后依然掋列紧密间距很小（约0.1mm），丌 利亍后工序癿操作。我们采用扩片机对黏结芯片癿膜迚行扩张，是 LED芯片癿间距拉伸到约0.6mm.也可以采用手工扩张，但很容易 造成芯片掉落浪贶等丌良问题.
50 年前人们已经了解半导体杅料可产生光线癿基本知识， 1962 年，通用申气公司癿尼 兊•何伦亚（NickHolonyakJr.） 开収出第一种实际应用癿可见光収光二枀管。LED 是英文 light emitting diode（収光二枀管）癿缩写，它癿基本结极 是一坑申致収光癿半导体杅料， 置亍一个有引线癿架子上，然 后四周用环氧树脂密封，即固体封装，所以能起到保护内部芯 线癿作用，所以 LED 癿抗震性能好。
led芯片基础知识
led芯片基础知识一、led历史50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识，1962年，通用电气公司的尼克?何伦亚克（Nick HolonyakJr.）开发出第一种实际应用的可见光发光二极管。
LED是英文light emitting diode（发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，即固体封装，所以能起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。
最初LED用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用，产生了很好的经济效益和社会效益。
以12英寸的红色交通信号灯为例，在美国本来是采用长寿命、低光效的140瓦白炽灯作为光源，它产生2000流明的白光。
经红色滤光片后，光损失90%，只剩下200流明的红光。
而在新设计的灯中，Lumileds公司采用了18个红色LED光源，包括电路损失在内，共耗电14瓦，即可产生同样的光效。
汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。
二、LED芯片的原理LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。
LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。
半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。
但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”。
当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。
而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。
三、主要芯片厂商德国的欧司朗,美国的流明、CREE、AXT，台湾的广稼、国联（FPD）、鼎元（TK）、华汕（AOC）、汉光（HL）、艾迪森、光磊（ED），韩国的有首尔，日本的有日亚、东芝，大陆的有大连路美、福地、三安、杭州士兰明芯、仿日亚等它们都是大家耳熟能详的芯片供应商，下面根据产地细分下。
led高压芯片 原理
LED高压芯片，通常是指那些设计用于直接连接到较高电压（例如交流110V或220V）电源的发光二极管芯片。
这类芯片内部集成有复杂的电路结构来适应高压环境下的工作要求。
在传统低压LED芯片中，需要额外的驱动器将高电压转换为适合LED工作的低电压恒流源。
而高压LED 芯片通过集成的多串并联单元和保护电路，能够在不需外置电源转换模块的情况下，直接接受较高的输入电压，并将其转化为多个串联LED所需的较低电压，同时维持恒定电流以确保LED正常、高效、安全地工作。
具体原理可简述如下：
1. 内置串联结构：
高压LED芯片内部可能包含多个基本LED单元串联而成，每个单元可以承受相对较低的工作电压，多个串联后能够分摊外部高压。
2. 稳压与限流功能：
芯片内部集成了控制电路，能根据输入电压自动调
整各个串联单元的电流分配，保证在不同输入电压下都能提供合适的驱动电流，避免过电流导致LED损坏。
3. 抗浪涌保护：
为了应对电源波动或者启动瞬间可能出现的高电压冲击，高压LED芯片可能会配备保护机制，如齐纳二极管等元件，以限制进入芯片内部的电压不超过其承受范围。
4. 效率优化：
高压LED芯片设计时还会考虑到散热及功率因数校正（PFC），以提高整体系统的电光转换效率和能源利用率。
综上所述，高压LED芯片是通过整合传统LED单元和复杂控制电路的方式，简化了照明系统的设计，降低了成本，提高了可靠性。
LED芯片知识-MB、GB、TS、AS芯片定义与特点
LED芯片知识-MB、GB、TS、AS芯片定义与特点一、MB 芯片定义与特点定义﹑M B芯片﹑M e t a l Bonding (金属粘着）芯片﹑该芯片属于UEC 的专利产品。
特点﹑1: 采用高散热系数的材料---Si 作为衬底、散热容易。
2﹑通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。
3:导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍)，更适应于高驱动电流领域。
4:底部金属反射层、有利于光度的提升及散热5:尺寸可加大、应用于High power 领域、eg : 42mil MB 二、GB 芯片定义和特点定义﹑GB芯片﹑Glue Bonding (粘着结合）芯片﹑该芯片属于UEC 的专利产品特点﹑1﹑透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs 衬底、其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2 倍以上、蓝宝石衬底类似TS 芯片的GaP 衬底。
2﹑芯片四面发光、具有出色的Pattern 3﹑亮度方面、其整体亮度已超过TS 芯片的水准(8.6mil) 4﹑双电极结构、其耐高电流方面要稍差于TS 单电极芯片三、TS 芯片定义和特点定义﹑TS芯片﹑transparent structure(透明衬底)芯片、该芯片属于HP 的专利产品。
特点﹑1.芯片工艺制作复杂、远高于AS led 2. 信赖性卓越3.透明的GaP 衬底、不吸收光、亮度高 4.应用广泛四、AS 芯片定义和特点定义﹑A S芯片﹑A bso rba ble structure(吸收衬底）芯片﹑经过近四十年的发展努力、台湾LED 光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段、各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水准、差距不大. 大陆芯片制造业起步较晚、其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距、在这里我们所谈的AS 芯片、特指UEC 的AS 芯片、eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等特点﹑1. 四元芯片、采用MOVPE 工艺制备、亮度相对于常规芯片要亮 2. 信赖性优良 3.应用广泛tips:感谢大家的阅读，本文由我司收集整编。
设计师收藏总结LED芯片知识大全
设计师收藏总结LED芯片知识大全摘要：50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识,1962年,通用电气公司的尼克何伦亚克(NickHolonyakJr.)开发出第一种实际应用的可见光发光二极管。
LED 芯片知识一、LED历史50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识,1962年,通用电气公司的尼克何伦亚克(NickHolonyakJr.)开发出第一种实际应用的可见光发光二极管。
LED是英文light emitting diode(发光二极管)的缩写,它的基本结构是一块电致发光的半导体材料, 置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,即固体封装,所以能起到保护内部芯线的作用,所以LED的抗震性能好。
最初LED用作仪器仪表的指示光源,后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用,产生了很好的经济效益和社会效益。
以12英寸的红色交通信号灯为例,在美国本来是采用长寿命、低光效的140瓦白炽灯作为光源,它产生2000流明的白光。
经红色滤光片后,光损失90%,只剩下200流明的红光。
而在新设计的灯中,Lumileds 公司采用了18个红色LED光源,包括电路损失在内,共耗电14瓦,即可产生同样的光效。
汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。
二、LED芯片的原理：LED(LightEmittingDiode),发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。
LED的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。
半导体晶片由两部分组成, 一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子。
但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个“P-N结”。
当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子就会被推向P区,在P区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是LED发光的原理。
led芯片知识
led芯片知识什么是led芯片也称为led发光芯片，是led灯的核心组件，其主要功能是：把电能转化为光能，主要材料为单晶硅。
led芯片的分类用途：根据用途分为大功率led芯片、小功率led芯片两种；颜色：主要分为三种：红色、绿色、蓝色（制作白光的原料）；形状：一般分为方片、圆片两种；大小：小功率的芯片一般分为8mil、9mil、12mil、14mil等如何评判led芯片led芯片的价格：一般情况系下方片的价格要高于圆片的价格，大功率led芯片肯定要高于小功率led芯片，进口的要高于国产的，进口的来源价格从日本、美国、台湾依次减低。
led芯片的质量：评价led芯片的质量主要从裸晶亮度、衰减度两个主要标准来衡量，在封装过程中主要从led芯片封装的成品率来计算。
我们使用的led芯片：红灯：9mil正规方片，（纯红）波长：620-625nm，上下60°、左右120°，亮度高达1000-1200mcd；绿灯：12mil正规方片，（纯绿）波长：520-525nm，上下60°、左右120°，亮度高达2000-3000mcd；性能：具有亮度高、抗静电能力强、抗衰减能力强、一致性好等特点，是制作led招牌、led发光字的最佳选择。
影响光通量的因素主要有以下几点：1。
晶片的出光效率，这需要晶片厂商通过制造工艺和晶片结构来提高。
2。
封装的出光效率，这些影响因素很多，使用的胶类透光率，折射率，支架反光率，荧光粉激发效率等影响。
3.使用过程中的使用电流，在一定范围内，电流大，光通量就高。
4。
如果用在灯具内，还和灯具的结构，灯具的使用电流，反射器，透镜灯有关。
所以单独问影响光通量的因素有哪些这个问法有点太笼统，最好针对具体应用来具体分析。
LED芯片技术基础知识什么是led芯片也称为led发光芯片，是led灯的核心组件，其主要功能是：把电能转化为光能，主要材料为单晶硅。
led芯片的分类用途：根据用途分为大功率led芯片、小功率led芯片两种；颜色：主要分为三种：红色、绿色、蓝色（制作白光的原料）；形状：一般分为方片、圆片两种；大小：小功率的芯片一般分为8mil、9mil、12mil、14mil等如何评判led芯片led芯片的价格：一般情况系下方片的价格要高于圆片的价格，大功率led芯片肯定要高于小功率led芯片，进口的要高于国产的，进口的来源价格从日本、美国、台湾依次减低。
手把手教你鉴别led灯珠芯片
手把手教你认大功率LED芯片鉴于LED灯具市场杂乱无章的市场竞争现状，不少商家采取了恶性的降价大战，对于消费者来说认识芯片时间很少也是很困难的事情。
其主要原因是：1、没有专业的仪器2、购买的都是成品，没有单独的测试样品3、对LED芯片的相关知识了解太少。
首先我们来认知一下LED芯片。
什么是LED？简单来说就是发光二极管。
早些年LED 主要是用在电路中作为指示灯使用。
随着可以的日新月异，LED的技术也越来越成熟，使用领域也逐步扩大，LED逐步进入了照明市场，广泛的应用于生活照明的方方面面。
当今我们接触或认知的LED产品主要有哪些呢？LED电视、LED显示屏、LED手电筒等是最常见的LED产品。
对于照明行业主要有LED天花灯、LED吸顶灯、LED日光管以及2012年才兴起的LED面板灯等产品。
LED相对于传统白炽灯及节能灯有何种优势，可以使之成为取代传统照明灯具的必然产品呢？主要产品优势在于：（1）节能省电低碳环保。
这是LED产品将取代传统照明的主要优势，他相对于传统白炽灯省电90%，相对于节能灯省电50%。
（2）款式多样化。
无论是传统白炽灯还传统节能灯，甚至是钠灯等灯具产品，至今都只能停留在灯泡和灯管的外形阶段。
LED灯具现今的存在形式多种多样，除了迎合传统灯具产生的LED球泡灯及LED日光管，还衍生出一大批外形各异的灯具，包括灯带、灯串、灯条、模组、壁灯、水晶灯等产品。
大的可以是用于户外广告照明，景观工程照明的LED投光灯、景观灯；小的可以小到绿豆那么小的LED灯串。
（3）其他优越的性能。
如无频闪、无铅汞、无辐射、亮度高、发热低等等。
尽管LED产品有如此多得优点，但是从实际应用来看，LED在当前的普及还存在一些列的问题。
主要原因是：（1）芯片等核心技术掌握在日本美国等发达国家手中，国内自主研发芯片数量少，产品质量差。
（2）中国尽管地大物博，但是乡镇地区信息阻塞，再加上科技认知的落后，当今的LED产品的推广仅仅只停留在大中城市。
手把手教你鉴别led灯珠芯片
手把手教你认大功率LED芯片鉴于LED灯具市场杂乱无章的市场竞争现状，不少商家采取了恶性的降价大战，对于消费者来说认识芯片时间很少也是很困难的事情。
其主要原因是：1、没有专业的仪器2、购买的都是成品，没有单独的测试样品3、对LED芯片的相关知识了解太少。
首先我们来认知一下LED芯片。
什么是LED？简单来说就是发光二极管。
早些年LED主要是用在电路中作为指示灯使用。
随着可以的日新月异，LED的技术也越来越成熟，使用领域也逐步扩大，LED逐步进入了照明市场，广泛的应用于生活照明的方方面面。
当今我们接触或认知的LED产品主要有哪些呢？LED电视、LED显示屏、LED手电筒等是最常见的LED产品。
对于照明行业主要有LED天花灯、LED吸顶灯、LED日光管以及2012年才兴起的LED面板灯等产品。
LED相对于传统白炽灯及节能灯有何种优势，可以使之成为取代传统照明灯具的必然产品呢？主要产品优势在于：（1）节能省电低碳环保。
这是LED产品将取代传统照明的主要优势，他相对于传统白炽灯省电90%，相对于节能灯省电50%。
（2）款式多样化。
无论是传统白炽灯还传统节能灯，甚至是钠灯等灯具产品，至今都只能停留在灯泡和灯管的外形阶段。
LED灯具现今的存在形式多种多样，除了迎合传统灯具产生的LED球泡灯及LED日光管，还衍生出一大批外形各异的灯具，包括灯带、灯串、灯条、模组、壁灯、水晶灯等产品。
大的可以是用于户外广告照明，景观工程照明的LED投光灯、景观灯；小的可以小到绿豆那么小的LED灯串。
（3）其他优越的性能。
如无频闪、无铅汞、无辐射、亮度高、发热低等等。
尽管LED产品有如此多得优点，但是从实际应用来看，LED在当前的普及还存在一些列的问题。
主要原因是：（1）芯片等核心技术掌握在日本美国等发达国家手中，国内自主研发芯片数量少，产品质量差。
（2）中国尽管地大物博，但是乡镇地区信息阻塞，再加上科技认知的落后，当今的LED产品的推广仅仅只停留在大中城市。
LED_Chip基础知识
九、各尺寸LED Chip 其光学特性
Relative brightness
250
Power chip IF-IV Curve
200
150 100 50
0 0mA
100mA
200mA
300mA
400mA 500mA IF (mA)
600mA
700mA
800mA
900mA
UOL(24mil) UY(24mil) UY(40mil) UOL(40mil) TS2
LED Chip 的材料
Ⅱ
Ⅲ
Ⅳ
Ⅴ
Ⅵ
B
C
N
O
Al
Si
P
S
Zn
Ga
Ge
As
Se
Cd
In
Sn
Sb
Te
Hg
Ti
Pb
Bi
Po
Ⅲ族元素为P型材料，Ⅴ族元素为N型材料，Chip 的材料主要是Ⅲ、Ⅴ族元素的化合物。
LED Chip 基础知识
四、各材Sem质ic所on能du达cto到r 的ma波ter段ials spectrum range in LED field
LED Chip与普通二极管一样是由一个 P-N Junction 组成，具有单向导通性。当 给LED Chip加上正向电压后，由 Chip的 P 级注入到N级的电洞和由N级注入到P 级的电子在 P-N Junction 附近数微米内做电子、电洞的复合而产生自发辐射的 荧光。不同的半导体材料中，电子和电洞所处的能量状态不同，复合时所释放出 的能量将不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短。
P级
P-N Junction
N级
LED Chip 基础知识
LED芯片基础知识
发光波长（WD）
❖ 波长决定了芯片的发光颜色，芯片的波 长是在外延生长的时候就决定了的。在 后续的任何一个环节都改变不了芯片的 发光波长，波长是芯片最稳定的一个参 数，除非在后续作业过程中发生芯片损 坏。
正向电压（Vf）
• 正向电压是指芯片额定电流工作下电压。LED芯 片的供暖工作电压一般在1.8v-4.0v之间。
❖ 大尺寸芯片功率一般在1-3W之间。驱动电流 在300mA-800mA之间。
全球主要芯片生产商
❖ 日本NICHIA ❖ 美国CREE-----独有专利，垂直结构 ❖ 德国OSRAM-----西门子子公司，欧洲第一品
牌。 ❖ 美国PHILIPS – LUMILEDS------大功率芯片
为主 ❖ 美国SEMILEDS------主要生产大功率芯片 ❖ 美国BRIDGELLUX------主要生产大功率芯片
全球主要芯片生产商
❖日本TOYODA GOSE ❖韩国SAMSUNG ❖韩国LG ❖韩国安萤Epivalley ❖台湾晶电EPISTAR
台湾主要LED芯片生产商
❖晶元光电EPISTAR ❖光磊OPTO ❖华上AOCEPI ❖灿圆FOREPI ❖泰谷TEKCORE ❖奇美
台湾主要LED芯片生产商
芯片的波长与发光颜色
• 红外 • 红色 • 橙色 • 黄色 • 绿色 • 蓝色 • 紫色 • 紫外
780nm-----645nm 610nm 585nm 550nm 450nm 395nm 370nm-------
光谱分布
LED芯片的主要参数
❖发光波长（WD,WLD）。单 位是：nm
❖正向电压（Vf），单位为：V ❖光功率或光强（PO,IV），单
❖ 例如：同为3.2v 、100mA驱动，200mW的 芯片比180mW的芯片功率要高，人眼看起来 会更亮。
LED芯片知识大解密
LED芯片知识大解密LED芯片知识大解密1、led芯片的制造流程是怎样的?LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间最小的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能多地出光。
渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，其主要在1.33×10?4Pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下变成金属蒸气沉积在LED照明材料表面。
一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金，N面的接触金属常采用AuGeNi合金。
镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来，使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极及焊线压垫的要求。
光刻工序结束后还要通过合金化过程，合金化通常是在H2或N2的保护下进行。
合金化的时间和温度通常是根据LED照明材料特性与合金炉形式等因素决定。
当然若是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂，需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。
2、LED芯片制造工序中，哪些工序对其光电性能有较重要的影响?一般来说，LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型，芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。
比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良，欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降VF偏高的主要原因。
在切割后，如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺，对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。
这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电，甚至会有击穿现象。
另外，如果芯片表面光刻胶剥离不干净，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。
如果是背面也会造成压降偏高。
在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。
3、LED芯片为什么要分成诸如8mil、9 mil、…，13∽22 mil，40 mil等不同尺寸?尺寸大小对LED光电性能有哪些影响?LED芯片大小根据功率可分为小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。
led芯片工作原理
led芯片工作原理
LED（Light Emitting Diode）芯片是一种能够将电能转化为光
能的半导体器件。
它由P型半导体和N型半导体组成，两者
之间通过PN结联系在一起。
当外加正向电压时，即正电极连接到P型半导体，负电极连
接到N型半导体时，电流就会流经PN结。
在PN结中，电子
从N型半导体区域迁移到P型半导体区域，而正孔从P型半
导体区域迁移到N型半导体区域。
在这个过程中，电子和正
孔会发生复合，释放出能量。
这个能量释放的过程就是LED发光的原理。
在LED芯片中，
通过控制半导体材料的能带结构，当电子和正孔复合时，能量会以光的形式释放出来。
由于半导体材料的能带结构限制了能量释放的范围，LED芯片能够发出具有特定波长和颜色的光。
此外，LED芯片还通过在半导体材料中掺入不同的杂质来调
控光的发射特性。
掺杂不同的杂质可以使LED芯片发射不同
波长的光，从蓝色到红色等不同颜色的LED都可以实现。
总而言之，LED芯片通过电流通过PN结时，电子和正孔的复合释放能量，并将能量转化为特定波长和颜色的光。
这种特性使得LED芯片在照明、显示和指示等方面得到广泛应用。
大功率灯珠
大功率灯珠引言大功率灯珠是一种高亮度、高效能的光源，在现代照明领域有着广泛的应用。
它能够提供强烈的光亮度，同时具备长寿命和节能的特点，因此在道路照明、建筑照明、舞台照明、汽车照明等方面得到了广泛应用。
本文将介绍大功率灯珠的定义、原理、种类以及应用等方面的内容。
定义大功率灯珠，也被称为大功率LED（Light Emitting Diode），是由一种特殊的半导体材料制成的发光元件。
它的工作原理是通过半导体材料中的载流子复合产生发光效应，从而发出可见光线。
大功率灯珠相较于传统的白炽灯或荧光灯，具有更高的亮度和更低的能耗。
工作原理大功率灯珠的工作原理基于半导体材料的特性。
当一个正向电压施加在P-N结（半导体的PN结即半导体材料中P区和N区的结合处）上时，电子从N区向P区移动，与空穴复合，释放出能量以形成光子。
这种发光的现象叫做电致发光(Electroluminescence)。
大功率灯珠通常由多个小尺寸的LED芯片组成，通过并联或串联的方式连接。
每个LED芯片都有自己的正向电压和电流要求，因此在设计大功率灯珠时需要考虑合适的电路和供电方案。
另外，为了提高大功率灯珠的亮度和寿命，常常需要在其背面加入适当的散热装置，以便将其产生的热量有效散发。
种类大功率灯珠的种类繁多，常见的有以下几种：1.单色大功率灯珠：只能发出单一颜色的光，如红色、绿色等。
它们通常用于指示灯、室内照明等领域。
2.多色大功率灯珠：能够发出多种颜色的光，可以通过控制电压或电流变化来实现颜色的切换。
多色大功率灯珠广泛应用于舞台照明、广告牌等需要变化灯光效果的场所。
3.可调光大功率灯珠：具备调节亮度的功能，可以根据需要调整灯光的强度。
这种灯珠适用于需要灯光亮度可调的场合，如办公室、商场等。
4.高效能大功率灯珠：通过改进材料和结构的设计，大大提高了灯珠的发光效率。
这种灯珠通常采用陶瓷基底和特殊反射材料，使得光线更加均匀和高亮度。
应用大功率灯珠在照明领域有着广泛的应用，以下是几个常见的应用领域：1.道路照明：大功率灯珠的高亮度和可调光功能，使其成为道路照明的理想选择。
LED芯片知识大解密
LED芯片知识大解密1、led芯片的制造流程是怎样的?LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间最小的压降与提供焊线的压垫，同时尽可能多地出光。
渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，其主要在1.33×10?4Pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下变成金属蒸气沉积在LED照明材料外表。
一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金，N面的接触金属常采用AuGeNi合金。
镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来，使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极与焊线压垫的要求。
光刻工序完毕后还要通过合金化过程，合金化通常是在H2或N2的保护下进展。
合金化的时间和温度通常是根据LED照明材料特性与合金炉形式等因素决定。
当然假设是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂，需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。
2、 LED芯片制造工序中，哪些工序对其光电性能有较重要的影响?一般来说，LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型，芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。
比方说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良，欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降VF偏高的主要原因。
在切割后，如果对芯片边缘进展一些腐蚀工艺，对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。
这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电，甚至会有击穿现象。
另外，如果芯片外表光刻胶剥离不干净，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。
如果是反面也会造成压降偏高。
在芯片生产过程过外表粗化、划成倒梯形结构等方法可以提高光强。
3、LED芯片为什么要分成诸如8mil、9 mil、…，13∽22 mil，40 mil等不同尺寸?尺寸大小对LED光电性能有哪些影响?LED芯片大小根据功率可分为小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。
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大功率LED芯片知识
.一、大功率LED MB芯片定义与特点
定义﹕
MB 芯片﹕Metal Bonding (金属粘着）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品。
特点﹕
1: 采用高散热係数的材料---Si 作为衬底、散热容易。
2﹕通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。
3: 导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热係数相差3~4 倍)，更适应于高驱动电流领域。
4: 底部金属反射层、有利于光度的提升及散热
5: 尺寸可加大、应用于High power 领域、eg : 42mil MB
二、GB芯片定义和特点
定义﹕
GB 芯片﹕Glue Bonding (粘着结合）芯片﹔该芯片属于UEC 的专利产品
特点﹕
1﹕透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底、其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上、蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。
2﹕芯片四面发光、具有出色的Pattern
3﹕亮度方面、其整体亮度已超过TS芯片的水准(8.6mil)
4﹕双电极结构、其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片
三、TS芯片定义和特点
定义﹕
TS 芯片﹕transparent structure(透明衬底)芯片、该芯片属于HP 的专利产品。
特点﹕
1.芯片工艺制作复杂、远高于AS 大功率LED
2. 信赖性卓越
3.透明的GaP衬底、不吸收光、亮度高
4.应用广泛
四、AS芯片定义和特点
定义﹕
AS 芯片﹕Absorbable structure (吸收衬底）芯片﹔经过近四十年的发展努力、台湾大功率LED光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段、各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水准、差距不大.
大陆芯片制造业起步较晚、其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距、在这里我们所谈的AS芯片、特指UEC的AS芯片、eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等特点﹕
1. 四元芯片、采用MOVPE工艺制备、亮度相对于常规芯片要亮
2. 信赖性优良
3. 应用广泛。