LED芯片基本知识培训
合集下载
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
DI Water : De-Ionized Water 去离子水 VA:Vaccum GN2:普通氮气
PN2:高纯氮气
基础知识
常用特种气体
Cl2:氯气
BCl3:三氯化硼 CF4:四氟化碳
He:氦气
Ar:氩气 SiH4:硅烷
N2O:硝气
SF6:六氟化硫 O2:氧气
基础知识
常用化学溶液
HCl :盐酸
点分区(点测、分选)
目检区(外观挑拣)
清洗间
主要设备
清洗槽
旋干机
光刻间
主要设备
匀胶机
曝光机
镀膜间
主要设备
PECVD
ICP
镀膜间
主要设备
镀膜机
退火炉管
磨抛间
主要设备
研磨机
抛光机
划片区
主要设备
激光划片机
裂片机
点、分区
主要设备
点测机
分类机
目检区
主要设备
体视显微镜
吸笔
基础知识
芯片标签常用语
1mm 毫米=1000um 1um 微米=1000nm 微米 (晶片厚度470um) 纳米
1mil 密耳=0.0254mm 毫米=25.4um 微米(描述单颗芯片尺寸规格) 1Å = 10-10m = 10-8cm (埃)(描述薄膜厚度)
基础知识
常用厂务简称
PCW: Process Cooling Water CDA : Compressed Dry Air 工艺冷却水 干燥压缩空气
H2SO4 :硫酸
HNO3 :硝酸 HF :氢氟酸
HF和NH4F :缓冲氧化层刻蚀(BOE)
王水 :HNO3 :HCl =1:3 IPA :异丙醇,通用的清洗剂
ACE:丙酮,通用的清洗剂
试
包装、出货
芯片
主要设备: 光刻、蒸镀、劈裂、分选 产出:芯片 下游,将芯片封装成各种终极产品
封装
主要设备:固晶、焊线机等
产出:灯具
LED芯片
外观图
LED芯片
3D结构图
LED芯片生产工艺介绍
清洗
光刻
刻蚀
镀膜
分选
点测
划、裂
磨、抛
芯片生产车间介绍
化学间(清洗、湿法腐蚀) 前段 光刻间(匀胶、曝光、显影) 薄膜间(薄膜沉积、刻蚀) 磨抛间(上蜡、研磨、抛光) 后段 划片区(激光划片、裂片)
基础知识
一些常用单位:
Class: 反映洁净室清洁度的单位(级),其含义为1立方英尺(ft3) 内有 多少 0.5mm 以上的灰尘颗粒 1class = 1立方英尺(ft3) 内有不多于1个0.5μm以上的灰尘颗粒,相当于 一个棒球场内有一个棒球 1inch英寸=25.4mm毫米(晶片直径为2英寸)
新纳晶芯片基本知识介绍
新纳晶光电有限公司
芯片部
Biblioteka Baidu
2012-04-03
温馨提示
请将手机关机或者调到震动状态;
如你需要接听电话请到教室外面;
请字迹工整的填写签到表和效果调查; 请自觉做好记录,考试时请保持培训室安静;
目录
LED简介
LED产业结构 LED芯片 芯片工艺简介 基础知识
什么是LED
Light Emitting Diodes 发光二极管
LED发光原理图
发光二极管
LED具有哪些优点
发光效率高,节省能源
绿色环保
寿命长 固体光源、体积小、重量轻、方向性好 响应速度快,并可以耐各种恶劣条件 低电压、小电流
LED的应用
LED行业的发展前景
LED的产业结构
上游,在衬底上外延生长LED结构
外延
原料:采用蓝宝石衬底、 MO源、氨气等 主要设备: MOCVD 产出:外延片 中游,在外延片上制作电极
Po --------光功率 单位 mW(毫瓦) IV --------发光强度 单位 mcd(坎德拉) VF--------电压 单位 V(伏) WLD--------主波长 单位(nm) AVG--------平均值 MAX--------最大值 MIN---------最小值 STD-------标准偏差