电子工艺设计-第一部分(2017)

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标准名称编号标准化标准技术制图图样画法制图GB/T 17451-1998产品标准化大纲编制指南GJB/Z 114A-2005标准化评审GJB/Z 113-98新产品工艺标准化综合要求编写指南GJB/Z 106-98企业标准体系管理标准和工作标准体系GB/T 15498-2003企业标准体系要求GB/T 15496-2003企业标准体系评价与改进 GB/T 19273-2003军用标准文献分类法GJB/T 832-2005标准化工作导则第一部分：标准的结构和编写规则GB/T 1.1-2000综合标准化工作导则工业产品综合标准化一般要求GB/T 12366.2-90综合标准化工作导则原则与方法GB/T 12366.1-90标准化工作指南第二部分：采用国际标准的规则GB/T 20000.2－2001标准编写规则第三部分：信息分类编码GB/T 20001.3-2001标准编写规则第四部分：化学分析方法GB/T 20001.4-2001标准体系表编写原则和要求GB/T 13016-91标准化和有关领域的通用术语第一部分：通用术语GB/T 3935.1-1996消费品使用说明总则GB 5296.1-1997电磁干扰和电磁兼容性术语GJB 72A-2002标准化工作指南第三部分：引用文件GB/T 20000.3-2003标准化工作指南第四部分：标准中涉及安全的内容GB/T 20000.4-2003环境检测分析方法标准制订技术导则HJ/T 168-2004GJB 0.1-2001军用标准文件编制工作导则第一部分：军用标准和指导性技军用标准文件编制工作导则第二部分：军用规范编写规定GJB 0.2－2001军用标准文件编制工作导则第三部分：出版印刷规定GJB 0.3－2001说明书的编制构成内容和表示方法GB/T 19678-2005/IEC 62079:2001气体和超净标准、环保标准中国环境保护标准汇编水质分析方法中国环境保护标准汇编废气废水废渣分析方法中国环境保护标准汇编大气质量分析方法气体中微量水分的测定电解法GB 5832.1-86气体中微量水分的测定露点法GB 5832.2-86气体中微量氧的测定电化学法GB 6285-86氢气GB/T 3634-1995氮GB/T 3864-1996洁净厂房设计规范GB 50073-2001纯氢、高纯氢和超纯氢GB/T 7445-1995洁净室检测规范GB/T16292-1996电子级气体中颗粒和痕量杂质测定方法SJ2798~2807-87电子工业用气体GB/T 14600~14604-93电子工业用气体氮GB/T 16944-1997大气污染物综合排放标准GB16297-1996微电子标准微电子器件试验方法和程序GJB 548B-2005半导体分立器件总规范GJB 33A-97半导体分立器件型号命名方法GB/T249-89半导体集成电路总规范GJB 597A－96混合集成电路通用规范GJB 2438A-2002半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T 10741-2000半导体分立器件包装规范GJB 3164-98电子产品防静电放电控制手册GJB/Z 105-98防静电包装手册GJB/Z 86-97印制板总规范GB/T 16261-1996集成电路A/D和 D/A转换器测试方法的基本原理SJ50597/37-95半导体集成电路JSC145152型CMOS并行输入锁相环4频率合成器膜集成电路和混合集成电路外形尺寸GB/T 15138-94计量校准及管理标准测量不确定度的表示及评定GJB 3756-99检测和校准实验室能力的通用要求GB/T 15481-2000测量管理体系测量过程和测量设备的要求GB/T 19022-2003测量设备的质量保证要求计量确认体系GJB 2712-96测试实验室和校准实验室通用要求GJB 2725A－2001测量设备的质量保证要求第一部分测量设备的计量确认体系GB/T 19022.1-1994测量设备的质量保证第二部分：测量过程控制指南GB/T 19022.2-2000抽样标准计数抽样检验程序及表GJB 179A-96周期检验计数抽样程序及表GB/T 2829-2002GB/T 2828.1-2003计数抽样检验程序第一部分：按接收质量限（AQL)检索的逐军用电子元件失效率抽样方案和程序GJB 2649-96产品质量监督计数抽样程序及抽样表GB/T 14162-93光电类标准半导体光电模块总规范SJ 20642-97固体激光器总规范SJ 20027-92空间用单晶硅太阳能电池总规范GJB 1431-92固体激光器总规范GB/T 15490-1995红外探测器总规范GJB 1206-91红外探测器参数测试方法GB/T13584－92红外探测器外形尺寸系列GB/T13583-92半导体激光二极管空白详细规范GB/T 15649-1995半导体激光二极管总规范GJB3519-99固体激光器通用规范GJB 5849-2006大功率半导体激光二极管阵列通用规范SJ 20957-2006固体激光器测试方法GJB 5441-2005固体激光二极管测试方法SJ 2749-87太阳电池光谱响应测试方法GB 11009-89航天用标准太阳电池GB 6492-86航天用太阳电池标定的一般规定GB 6496-86航天用太阳电池电性能测试方法GB 6494-86太阳敏感电池通用规范GJB 2932-97太阳能电池温度系数测试方法SJ/T 10459-93太阳电池组件参数测试方法GB/T 14009-92光伏器件第1部分：光伏电流－电压特性的测量GB/T 6495.1-1996光伏器件第2部分：标准太阳电池的要求GB/T 6495.2-1996GB/T 6495.3-1996光伏器件第3部分：地面用光伏器件的测量原理及标准光谱辐半导体光电组件总规范SJ 20786-2000 PIN、APD光电探测器总规范SJ 20644-97PIN、APD光电探测器通用规范GJB 5022-2003军用激光器辐射传输测试方法GJB 894A－99PIN、雪崩光电二极管测试方法SJ 2354.1-83激光产品的安全第1部分：设备分类、要求和用户指南GB 7247.1-2001纤维光学试验方法GJB 915A-97纤维光学转接器第1部分：总规范GB/T 18308.1-2001GB/T 18310.4-2001纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第2－4部分纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第3－2部分GB/T 18311.2-2001GB/T 18311.3-2001纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第3－3部分GB/T 18311.6-2001纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第3－6部分GB/T 18310.18-2001纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第2－18部热敏电阻总规范GJB 601A-98光纤总规范GJB 1427A-99光纤光缆连接器第1部分：总规范GB/T 12507.1-2000光纤光缆连接器第2部分：F-SMA型光缆连接器分规范.0地面用晶体硅光伏组件设计鉴定和定型GB/T 9535-1998激光辐射功率测试方法GB/T 13863-92激光辐射功率稳定度测试方法GB/T 13864-92红外探测器试验方法GJB 1788-93超辐射发光二极管组件测试方法SJ 20785-2000红外发射二极管总规发GJB 3930-2000半导体光电器件GR1325J型长波长发光二极管组件详细规范SJ 20642/7-2000激光辐射发散角测试方法GB/T 13740-92激光辐射光束直径测试方法GB/T 13741-92晶体硅光伏器件的I-V实测特性的温度和辐照度修正方法GB/T 6495.4-1996发光二极管固体显示器总规范GJB 2146-94固体激光器主要参数测试方法GB/T 15175-94军用激光测距仪通用规范SJ 20793－2000质量控制管理标准产品质量保证大纲要求GJB 1406A-2005产品质量标志和可追溯性要求GJB 726A-2004不合格控制指南SJ/T 10466.15-94军用电气和电子元器件的标志GJB 2118-94武器装备研制项目管理GJB 2993-97军工批次管理的质量控制要求GJB 1330-91合同中质量保证要求GJB 2102-94航天产品质量问题归零实施指南QJ 3183-2003军工产品的批次管理的质量控制要求GJB 1330-91关键件和重要件的质量控制GJB 909-2005产品质量评审GJB 907-90故障报告、分析和纠正措施系统GJB 841-90质量管理和质量保证军用标准GJB/Z 9000~9004-96电子行业质量管理和质量体系要素标准SJ/T 10466.1~10466.13-93质量管理和质量体系要素第4部分：质量改进指南GB/T 19004.1-1994航天产品设计文件管理制度QJ 1714.1~1714.8A-99QJ 1714.9A-99QJ 1714.10A~1714.12A-99电子元器件选用管理要求GJB 3404-98纠正措施指南SJ/T 10466.16-94产品包装、装卸、运输、贮存的质量管理要求GJB 1443-92质量经济性管理指南GB/Z 19024-2000电子元器件设计文件编制示例SJ/T 10718-1996质量成本管理指南GJB/Z4-88质量管理术语GJB 1405-92质量管理技术状态管理指南GB/T 19017-1997质量管理体系要求GJB 9001A-2001质量管理体系标准GB/T 19000-2000GB/T 19001-2000GB/T 19004-2000质量改进指南SJ/T 10466.19-1995系统安全性通用大纲GJB 900-90技术状态管理GJB 3206-98设计文件管理制度第1－3部分SJ/T 207.1-3-1999设计文件管理制度第4部分：设计文件的编号SJ/T 207.4-1999设计文件管理制度第5部分：设计文件的更改SJ/T 207.5-1999成套技术资料质量管理要求GJB 906-90设计评审GJB 1310A-2004设计质量控制指南SJ/T 10466.14-94外购器材的质量管理GJB 939-90人员培训和资格评定指南SJ/T 10466.21-1995包装储运图示标志GB 191-2000可靠性增长试验GJB 1407-92工艺设计评审指南SJ/T 10466.17-94厂际质量保证体系工作指南GJB/Z2-88不合格品管理GJB 571-88工艺评审GJB 1269A-2000工艺管理常用图形符号SJ/T 10462-93工序质量控制要求GJB 467-88工业产品保证文件GB/T 14436-93工艺文件标准汇编SJ/T 10375~10377-1993SJ/T 10531-1994SJ/T 10631-1995军工产品定型程序和要求GJB 1362-92军工产品质量管理要求与评定导则GJB/Z16-91接地、搭接和屏蔽设计的实施GJB 1210-91国防计量通用术语GJB 2715-96工艺文件完整性与工艺文件格式JB/T 9165.1~9165.4-1998武器装备研制项目管理GJB 2116-94装备维修性通用大纲GJB 368A-94特性分类GJB 190-86理化试验质量控制规范GJB 466-88器材供应单位质量保证能力评定GJB 1404-92装备可靠性维修性参数选择和指标确定要求总则GJB 1909－96金属镀覆和化学覆盖工艺质量控制要求GJB 480A-95焊接质量控制要求GJB 481-88故障树分析指南GJB/Z 768A-98故障模式、影响及危害性分析程序GJB 1391-92可靠性模型的建立和可靠性预计GJB 912-90装备综合保障通用要求GJB 3872-99装备质量与可靠性信息管理要求GJB 1686-93维修性试验与评定GJB 2072－94电子元器件统计过程控制体系GJB 3014-97电子元器件产品出厂平均质量水平评定方法GJB 2823-97电子工业用工艺装备分类编号SJ/T 10672-1995半导体分立器件结构相似性应用指南SJ 20756-1999电子元器件质量保证大纲GJB 546A-96中国国防科学技术报告编写规则GJB 567A-97大型试验质量管理要求GJB 1452A-2004维修性分配与预计手册GJB/Z 57－94电路容差分析指南GJB/Z 89-97熔模铸造工艺质量控制GJB 905-90技术文件使用与归档管理规定QJ 1089A~1092A-98产品质量信息管理指南SJ/T 10466.18-1995工艺文件格式的填写SJ/T 10375-93电子文件归档与管理规范GB/T 18894-2002质量手册编制指南GB/T 19023-1996多余物控制要求GJB 5296-2004军工产品售后技术服务GJB/Z 3-88装备可靠性工作通用要求GJB 450A-2004装备保障性分析GJB 1371-92电子设备可靠性预计手册GJB/Z 299B-98装备测试性大纲GJB 2547-95试验方法标准微电子器件试验方法标准－美国国防部标准（上、下）电子及电气元件试验方法GJB 360A-96半导体分立器件试验方法GJB 128A-97电子产品环境应力筛选方法GJB 1032-90无损检测质量控制规范磁粉检验GJB 593.3-88元器件破坏性物理分析管理要求QJ 3179-2003电子产品制造与应用系统防静电检测通用规范SJ/T 10694-2006防静电工作区技术要求GJB 3007-97电子元器件制造防静电技术要求SJ/T 10630-1995半导体器件辐射加固试验方法中子辐照试验GJB 762.1-89半导体器件辐射加固试验方法γ总剂量辐照试验GJB 762.2-89半导体器件辐射加固试验方法γ瞬时辐照辐照试验GJB 762.3-89军用电子元器件破坏性物理分析方法GJB 4027-2000军用设备环境试验方法GJB 150.3-86半导体材料标准目录基础标准一、我国半导体材料标准1.基础标准锗晶体缺陷图谱GB/T 8756-1988掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程GB/T 13389-1992半导体材料术语GB/T 14264-1993半导体材料牌号表示方法GB/T 14844-1993晶片通用网络规范GB/T 16595-1996确定晶片坐标系规范GB/T 16596-1996硅材料原生缺陷图谱（原GBn 266-87）YS/T 209-1994 2.产品标准工业硅技术条件GB/T 2881-1991锗单晶GB/T 5238-1995高纯镓GB/T 101 18-1988高纯二氧化锗GB/T 1 1069-1989还原锗锭GB/T 1 1070-1989区熔锗锭GB/T 1 1071-1989锑化铟多晶、单晶及切割片GB/T 1 1072-1989液封直拉法砷化镓单晶及切割片GB/T 1 1093-1989水平法砷化镓单晶及切割片GB/T 1 1094-1989硅单晶GB/T 12962-1996硅多晶GB/T 12963-1996硅单晶抛光片GB/T 12964-2003硅单晶切割片和研磨片GB/T 12965-1996硅外延片GB/T 14139-1993锗单晶片GB/T 15713-1995高纯四氯化锗YS/T 13-1991硅片包装YS/T 28-1992高纯砷YS/T 43-1992高纯铟（原GB 8003-87）YS/T 264-1994霍尔器件和甘氏器件用砷化镓液相外延片（原GB 1 Ys/T 290-1994锗富集物（原zB H 31003-87）YS/T 300-1994 3.方法标准非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1550-1997硅、锗单晶电阻率测定　直流两探针法GB/T 1551-1995硅、锗单晶电阻率测定　直排四探针法GB/T 1552-1995硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 1553-1997硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T 1554-1995半导体单晶晶向测定方法GB/T 1555-1997硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T 1557-1989硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T 1558-1997硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法GB/T 4058-1995硅多晶气氛区熔磷检验方法GB/T 4059-1983硅多晶真空区熔基硼检验方法GB/T 4060-1983硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法GB/T 4061-1983半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法GB/T 4298-1984非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T 4326-1984锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法GB/T 5252-1985半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流GB/T 6616-1995硅片电阻率测定扩展电阻探针法GB/T 6617-1995硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 6618-1995硅片弯曲度测试方法GB/T 6619-1995　硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T 6620-1995硅抛光片表面平整度测试方法GB/T 6621-1995硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T 6624-1995砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法GB/T 8757-1988砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法GB/T 8758-1988砷化镓单晶位错密度的测量方法GB/T 8760-1988砷化镓外延层载流子浓度电容一电压测量方法GB/T 11068-1989硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T 11073-1989电子材料晶片参考面长度测量方法GB/T 13387-1992硅片参考面结晶学取向x射线测量方法GB/T 13388-1992硅片直径测量方法光学投影法GB/T 14140.1-1993硅片直径测量方法千分尺法GB/T 14140.2-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直GB/T 1414l-1993硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法GB/T 14142-1993 300-900&m硅片间隙氧含量红外吸收测量方法GB/T 14143-1993硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法GB/T 14144-1993硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法GB/T 14145-1993硅外延层载流子浓度测定汞探针电容一电压法GB/T 14146-1993重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方GB/T 14847-1993工业硅化学分析方法　1，10一二氮杂菲分光光度法GB/T 14849.1-1993工业硅化学分析方法　铬天青-S分光光度法测定铝量GB/T 14849.2-1993工业硅化学分析方法　钙量的测定GB/T 14849.3-1993硅片抗弯强度测试方法GB/T 15615-1995硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法GB/T 17169-1997非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测GB/T 17170-1997砷化镓单晶AB微缺陷检验方法GB/T 18032-2000半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法GB/T 19199-2003异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法YS/T 14-1991硅外延层和扩散层厚度的测定磨角染色法YS/T 15-1991硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法YS/T 23-1992外延钉缺陷的检验方法YS/T 24-1992硅抛光表面清洗方法YS/T 25-1992硅片边缘轮廓检验方法YS/T 26-1992晶片表面上微粒沾污测量和计数的方法YS/T 27-1992高纯砷化学分析方法孔雀绿分光光度法测定锑量YS/T 34.1-1992高纯砷化学分析方法化学光谱法测定钴、锌、银、YS/T 34.2-1992高纯砷化学分析方法极谱法测定硒量YS/T 34.3-1992高纯砷化学分析方法极谱法测定硫量YS/T 34.4-1992高纯二氧化锗化学分析方法硫氰酸汞分光光度法测YS/T 37.1-1992高纯二氧化锗化学分析方法钼蓝分光光度法测定硅YS/T 37.2－1992高纯二氧化锗化学分析方法石墨炉原子吸收光谱法YS/T 37.3－1992高纯二氧化锗化学分析方法化学光谱法测定铁、镁、YS/T 37.4-1992高纯镓化学分析方法钼蓝分光光度法测定硅量YS/T 38.1-1992高纯镓化学分析方法化学光谱法测定锰、镁、铬和YS/T 38.2-1992高纯镓化学分析方法化学光谱法测定铅、镍、锡和YS/T 38.3-1992高纯铟中铝、镉、铜、镁、铅、锌量的测定（化学YS/T 230.1-1994高纯铟中铁量的测定（化学光谱法）（原GB 2594YS/T 230.2-1994高纯铟中砷量的测定（二乙氨基二硫代甲酸银（A YS/T 230.3-1994高纯铟中硅量的测定（硅钼蓝吸光光度法）（原G YS/T 230.4-1994高纯铟中硫量的测定（氢碘酸、次磷酸钠谱法）（YS/T 230.5-1994高纯铟中鉈量的测定（罗丹明B吸光光度法）（原YS/T 230.6-1994高纯铟中锡量的测定（苯芴铜－溴代十六烷基三甲YS/T 230.7-1994 SEMI 标准硅单晶抛光片规范SEMI M1-0302直径2inch硅单晶抛光片规格SEMI M1.1-89（重订本0299）直径3inch硅单晶抛光片规格SEMI M1.2-89（重订本0299）直径100mm硅单晶抛光片规格（厚度525μm）SEMI M1.5-89（重订本0699）直径100mm硅单晶抛光片规格（厚度625μm）SEMI M1.6-89（重订本0699）直径125mm硅单晶抛光片规格SEMI M1.7-89（重订本0699）直径150mm硅单晶抛光片规格SEMI M1.8-0669直径200mm硅单晶抛光片规格(切口)SEMI M1.9-0669直径200mm硅单晶抛光片规格(参考面)SEMI M1.10-0669直径100mm无副参考面硅单晶抛光片规格（厚度525μm）SEMI M1.11-90（重订本0299直径100mm无副参考面硅单晶抛光片规格　SEMI M1.12-90（重订本0299）直径150mm无副参考面硅单晶抛光片规格（厚度625μm）SEMI M1.13-0699直径350mm和400mm硅单晶抛光片指南SEMI M1.14-96直径300mm硅单晶抛光片规格(切口)SEMI M1.15-0302分立器件用硅外延片规范SEMI M2.0997蓝宝石单晶抛光衬底规范SEMI M3.12962inch蓝宝石衬底标准SEMI M3.2－913inch蓝宝石衬底标准SEMI M3.4－91100mm蓝宝石衬底标准SEMI M3.5－923inch回收蓝宝石衬底标准SEMI M3.6－88125mm蓝宝石衬底标准SEMI M3.6－88150mm蓝宝石衬底标准SEMI M3.8－91蓝宝石衬底上硅单晶（SOS）外延片规范SEMI M4－1296太阳能光电池用硅片规范SEMI M6－1000硅单晶抛光试验片规范SEMI M8－0301砷化镓单晶抛光片规范SEMI M9－0999电子器件用直径50.8mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.1－96电子器件用直径76.2mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.2－96 光电子用直径2inch砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.3－89光电子用直径3inch砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.4－89电子器件用直径100mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.5－96直径125mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.6－95直径150mm砷化镓单晶圆形抛光片（切口）规范SEMI M9.7－0200 鉴别砷化镓晶片上观察到的结构和特征的标准术语SEMI M10－1296集成电路用硅外延片规范SEMI M11－0301晶片正面系列字母数字标志规范SEMI M12－0998 硅片字母数字标志规范SEMI M13－0998半绝缘砷化镓单晶离子注入与激活工艺规范SEMI M14－89半绝缘砷化镓抛光片缺陷限度表SEMI M15－0298多晶硅规范SEMI M16－1296块状多晶硅标准SEMI M16.1－89晶片通用网格规范SEMI M17－0998硅片订货单格式SEMI M18－0302体砷化镓单晶衬底电学特性规范SEMI M19－91建立晶片坐标系的规范SEMI M20－0998地址分配到笛卡尔坐标系的矩形单元规范SEMI M21－0998介电绝缘（DI）晶片规范SEMI M22－1296磷化铟单晶抛光片规范SEMI M23－0302直径50mm磷化铟单晶圆形抛光片标准SEMI M23.1－06003inch(76.2mm)磷化铟单晶圆形抛光片标准SEMI M23.2－1000矩形磷化铟单晶抛光片标准SEMI M23.3－0600电子和光电子器件用100mm圆形磷化铟单晶抛光片规SEMI M23.4－0999电子和光电子器件用100mm圆形磷化铟单晶抛光片规SEMI M23.5－1000优质单晶抛光片规范SEMI M24－1101根据聚苯乙烯乳胶球直径校准光点缺陷硅片检验系统SEMI M25－95运输晶片用的片盒和花篮再使用指南SEMI M26－96确定测试仪器的精度与公差比（P/T）的规程SEMI M27－96开发中的直径300mm硅单晶抛光片规范SEMI M28－0997（1000撤回）直径300mm晶片传递盒规范SEMI M29－1296用傅立叶变换红外吸收光谱测量砷化镓中代位碳原子SEMI M30－0997用于300mm晶片传送和发货的正面打开的发货片盒暂SEMI M31－0999统计规范指南SEMI M32－0998用全反射X射线荧光光谱（TXRF）测定硅片表面残留SEMI M33－0998制定SIMOX硅片技术规范指南SEMI M34－0299开发自动检查方法测量硅片表面特征规范的指南SEMI M35－0299低位错密度砷化镓晶片腐蚀坑密度（EPD）的测试方SEMI M36－0699低位错密度磷化铟晶片中腐蚀坑密度（EPD）的测试SEMI M37－0699硅抛光回收片规范SEMI M38－1101半绝缘砷化镓单晶材料的电阻率、霍尔系数盒霍尔迁SEMI M39－0999关于硅片平坦表面的表面粗糙度的测量指南SEMI M40－0200功率器件、集成电路用绝缘体上硅（SOI）晶片的规SEMI M41－1101化合物半导体外延片规范SEMI M42－1000关于编制硅片纳米形貌报告的指南SEMI M43－0301硅中间隙氧的转换因子指南SEMI M44－0301 300mm晶片发货系统临时标准SEMI M45－0301用EVC剖面分布测量外延层结构中载流子浓度的测试SEMI M46－1101 CMOS LSI电路用绝缘体上硅（SOI）晶片规范SEMI M47－0302评价无图形硅衬底上薄膜的化学机械抛光工艺的指南SEMI M48－1101 用于130nm级工艺硅片几何尺寸测量设备的指南SEMI M49－1101 采用覆盖法确定表面扫描检查系统的捕获率和虚假计SEMI M50－1101 化合物半导体外延片规范SEMI M42－1000硅片背面条型代码标志规范SEMI T1－95带有二维矩阵代码符号的晶片标志规范SEMI T2－0298 晶片盒标签规范SEMI T3－0302 150mm和200mm晶片箱标志尺寸规范SEMI T4－0301 砷化镓圆形晶片字母数字刻码规范SEMI T5－96带二维矩阵代码符号的双面抛光晶片背面标志规范SEMI T7－030262079:200110466.13-93 714.12A-99165.4-1998（重订本0299）（重订本0299）（重订本0699）（重订本0699）（重订本0699）（重订本0299）90（重订本0299）撤回）。

机械产品三维模型设计职业技能等级标准(2021年版)

机械产品三维模型设计职业技能等级标准（2021年1.0版）广州中望龙腾软件股份有限公司制定2021年4月发布目次前言﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍1 1范围﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍2 2规范性引用文件﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍2 3术语和定义﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍3 4适用院校专业﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍4 5面向职业岗位（群）﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍4 6职业技能要求﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍5参考文献﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍19前言本标准按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

本标准起草单位：广州中望龙腾软件股份有限公司、机械工业教育发展中心、内蒙古北方重工业集团有限公司、宝山钢铁股份有限公司、湖南云箭集团有限公司、武钢资源集团有限公司、昌河飞机工业（集团）有限责任公司、上海船用曲轴有限公司、中国煤炭科工集团有限公司、清华大学、浙江大学、华中科技大学、天津职业技术师范大学、重庆电子工程职业学院、陕西国防工业职业技术学院、无锡职业技术学院、常州机电职业技术学院、九江职业技术学院、安徽机电职业技术学院、山东职业学院、嘉兴职业技术学院、济南职业学院、甘肃机电职业技术学院、惠州城市职业学院、北京电子科技职业学院、湖南工业职业技术学院、河北机电职业技术学院、深圳职业技术学院、金华职业技术学院、辽宁机电职业技术学院、烟台职业学院、新疆应用职业技术学院、嘉兴教育学院、武汉市东西湖职业技术学校、青岛西海岸新区职业中等专业学校、重庆龙门浩职业中学、湖南省工业贸易学校、烟台船舶工业学校。

本标准主要起草人：张红旗、郑丽梅、雍俊海、张青雷、徐春林、王建荣、钟健、黄卫、王霆、郭文星、庞继伟、王平嶂、吴承格、杨宜宁、刘世平、王波群、石晨迪、洪建明、张友能、黄永华、吴明清、杨开怀、范梅梅、承善、徐凯、吴暐、王姗珊、李强、王强、陆浩刚、张建永、李俊涛、吴军。

第一部分分布式光伏电站设计技术标准2017版

y北控清洁能频电力有限公旬BBJING ENTERPRISES CLEAN ENERGY ELECTRIC POWER LIMITED 光伏发电站设计技术协议（第一部分）工程编号：XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX分布式光伏发电项目设计技术协议月年2017.目录1 工程概况及范围1.1项目名称 (3)XXXXXXXXXXXXXXXXXXX?式光伏发电项目 (3)1.2工程概况 (3)1.2.1工程简介 31.2.2建设方案 31.2.4特殊事项 31.3主要设计内容 (4)1.3.1光伏电场地勘、管线探查测绘、整体规划、初步设计、施工图及竣工图 41.3.2技经类文件编制： (4)1.3.3技术服务： (5)1.3.4其它工作： (5)1.4主要设计范围 (5)2设计依据及设计原则 (6)2.1主要设计依据 (6)2.2主要设计原则 (6)2.2.1初步设计原则 (6)2.2.3施工图设计原则 (6)3测绘、设计要求 (7)3.2测绘工作标准及技术要求 (7)3.1.1基本要求 (7)3.1.2适用规范、规程、标准 (7)3.1.3勘察报告要求 (12)3.1.4勘察报告主要内容 (12)3.2设计工作技术要求（设计任务书） (13)3.2.1设计工作范围、标准及技术要求 (13)3.2.2设计工作设计阶段 (14)16..................... 项目总体设计思想及要求 3.2.33.2.4技术服务 (16)4 设计参考技术资料 (17)5 进度及其他要求 (17)5.1规划设计图纸进度要求 (17)5.2分部分项 (18)5.3需要进行评审的图纸 (18)19 ................................................... 图纸出版要求 5.4 1 工程概况及范围1.1项目名称XXXXXXXXXXXXXXXXXXX 分布式光伏发电项目1.2工程概况1.2.1工程简介本项目建设地点位于XXXXXXXXXXX 。

微电子毕业论文选题

微电子毕业论文选题微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。

微电子学主要掌握大规模集成电路及新型半导体器件的设计、制造及测试所必需的基本理论和方法，具有电路分析、工艺分析、器件性能分析和版图设计等的基本能力。

接下来是学术堂收集整理的微电子毕业论文选题，欢迎大家阅读。

微电子毕业论文选题一：[1]陈俊，王学毅，谭琦，杜金生，吴建。

键合SOI材料应力的控制技术[J]. 微纳电子技术，2017,（05）：304-310.[2]白琼，张斌珍，段俊萍，黄成远，王颖。

基于新型谐振柱的高频波导滤波器的设计[J]. 微纳电子技术，2017,（05）：324-328+363.[3]肖咸盛，杨拥军，卞玉民，张旭辉。

一种汽车碰撞试验用低阻尼宽频响加速度传感器[J]. 微纳电子技术，2017,（05）：329-335+341.[4]马世童。

当前集成电路的发展现状及未来趋势[J]. 通讯世界，2017,（07）：300.[5]黄诗浩，孙钦钦，谢文明，汪涵聪，林抒毅，陈炳煌。

不同直径张应变锗材料对光谱和晶体质量的影响[J]. 半导体技术，2017,（04）：305-309.[6]刘坤，曼苏乐。

应用于微电网的新型潮流控制器[J]. 电气自动化，2017,（02）：60-62.[7]许吉强，卢闻州，吴雷，沈锦飞，惠晶。

低压微电网逆变器并离网平滑切换控制[J]. 科学技术与工程，2017,（09）：36-43.[8]刘旭，姜克强。

限流接闪器在高层建筑中的应用[J]. 建筑电气，2017,（03）：18-21.[9]莫大康。

中国半导体业需要多元化推动力[N]. 中国电子报，2017-03-24（008）。

[10]Mary. 我国在3D NAND存储器研发领域取得标志性进展[J]. 今日电子，2017,（03）：25-26.[11]刘民哲，王泰升，李和福，刘震宇，陈佐龙，鱼卫星。

静电场辅助的微压印光刻技术[J]. 光学精密工程，2017,（03）：663-671.[12]李展征。

GJB9001C-2017标准及内审员培训考试题答案合计五套

GJB9001C-2017标准及内审员培训考试题答案06一、判断题(每题2分，共20分，对的打“√”，错的打“×”）1.识别相关方是理解组织环境过程的组成部分。

( √)2.外部供方的绩效可考虑作为管理评审的输入。

( ×)3.选择、评价外部供方时，应确保有效地识别并控制风险。

(√)4.组织应确定对所有外部提供的过程、产品和服务实施控制。

(×)5.最高管理者应确保质量管理体系要求融入组织的业务过程。

(√)6.组织应要求外部供方对其直接和次级外部供方采取适当的控制。

(√)7.组织应邀请顾客参加其关注的外部供方评价和选择。

(√)8.在采购软件时，要求并监督外部供方按照软件工程化要求实施控制。

( ×)9.采购新设计和开发的产品，应对采购项目和外部供方进行充分论证，并按规定审批。

(√)10.在技术协议或合同中，明确外部供方提供产品的功能和性能要求、质量保证要求和保障要求。

(√)二、单项选择题（每题2分，共40分）1.外部提供的过程、产品和服务不包括（ D ）A .供方B. 外包方C .合作伙伴D .顾客2.组织应确保在与外部供方沟通之前所确定的要求是（ C ）A.正确和充分的B.正确和适宜的C. 充分和适宜的D. 完整和充分的3.提供给外部供方的技术协议或合同中，应明确外部供方提供产品的（ D ）A.功能要求、性能要求和质量保证要求B.质量保证要求和保障要求C .规格要求和型号要求、功能要求和性能要求D .功能要求和性能要求、质量保证要求和保障要求4.在下列情况下，组织不需要对外部提供的过程、产品和服务实施的控制（ D ）A. 外部供方的过程、产品和服务将构成组织自身的产品和服务的一部分；B. 外部供方代表组织直接将产品和服务提供给顾客;C. 组织决定由外部供方提供过程或过程的一部分;D. 顾客委托外部供方提供的过程、产品和服务。

5.GJB9001C-2017标准适用于承担军队装备及配套产品（A ）任务的组织A. 论证、研制、生产、试验、维修和服务B. 科研、试制、生产、试验、维修和服务C. 论证、研究、试制、试验、保障和服务D. 论证、研制、生产、试验、测试和服务6.以下哪项活动不属于设计和开发策划的内容（C ）A. 顾客和使用者参与设计和开发过程的需求B. 对后续产品和服务提供的要求C. 法律法规要求D. 顾客和其他有关相关方期望设计和开发过程的控制水平7.以下哪个方面不能表明最高管理者证实其以顾客为关注焦点的领导作用和承诺（A ）A.满足法律法规要求；B.确定和应对风险和机遇，这些风险和机遇可能影响产品和服务合格以及增强顾客满意能力；C.始终致力于增强顾客满意；D. 建立并实施定期征求顾客对产品和服务质量及其改进方面意见的制度。

电子工艺实习内容简介

电子工艺实习内容简介电子工艺是电子信息工程专业的一门重要课程，旨在培养学生掌握电子元器件加工与组装技术，了解电子工艺过程与工艺要求，提高实践动手能力和工艺设计能力。

电子工艺实习作为该课程的一部分，为学生提供了实际操作和技能培养的机会，旨在让学生从理论到实践的过程中更加全面地掌握电子工艺相关知识和技能。

一、实习准备在电子工艺实习开始之前，学生需要做好相关准备。

首先，了解和熟悉电子工艺实习指南和安全操作规程，确保安全使用设备和材料。

其次，学生应该了解实习项目的要求和目标，准备好所需的工具和材料，并保持实验台面整洁有序。

二、实习内容1. 电子元器件识别与分类在实习的第一部分，学生将学习识别和分类不同类型的电子元器件。

通过观察和分析元器件的外观特征、引脚结构和标识代码，学生将学习如何辨别电阻器、电容器、二极管、三极管等常用元器件，并将它们进行分类整理。

2. 电子元器件加工与焊接在本节实习中，学生将学习电子元器件的加工与焊接技术。

首先，学生将学习如何使用裁剪工具和开孔工具对电子元器件进行尺寸调整和加工。

然后，学生将学习焊接技术，使用焊锡和焊接设备进行电子元器件的连接和固定。

3. 电子电路板的制作与组装在这一实习项目中，学生将学习如何制作和组装电子电路板。

他们将学习使用电路板设计软件进行电路布局和连接设计，然后通过传统的化学蚀刻或CNC设备制作电路板。

接下来，学生将学习如何安装和连接元器件到电路板上，并进行测试和调试。

4. 电子产品的调试与维修在这一实习项目中，学生将学习电子产品的调试与维修技术。

他们将学习如何使用测试仪器和设备对电子产品进行故障排查和定位，并学习如何修复或更换损坏的电子元器件。

通过这一实习项目，学生将提高其实际问题解决能力和工艺技术水平。

三、实习总结与心得在电子工艺实习结束后，学生将完成实习总结与心得。

他们应该对整个实习过程进行回顾与总结，包括实习过程中遇到的困难和挑战，通过实习掌握的知识和技能，以及对电子工艺的深入理解与感悟等。

01005规格MLCC切割质量影响因素

电子工艺技术Electronics Process Technology1102021年3月第42卷第2期摘　要：随着５Ｇ时代的到来和智能手机的普及，市场对０１００５规格的超小型多层陶瓷电容器的需求急速增长。

由于尺寸超小，切割工艺是０１００５规格ＭＬＣＣ的生产中在一大技术难点。

为了获得良好的切割质量，研究了瓷坯中黏合剂含量、切割刀片及感温胶片这几个主要影响因素。

结果发现，选取合适的黏合剂含量，可以减少粘片情况，并且防止切面粗糙、切偏和分层等不良现象；选用刀刃厚度为０．０５￣０．０８　ｍｍ的刀片切割０１００５型芯片，可以有效提高切割精度，防止粘片；选用具有合适的剥离强度和胶粘层厚度的感温胶片来固定电容巴块，也是提高切割质量的关键因素。

关键词：０１００５；多层陶瓷电容器；切割；黏合剂；切割刀片中图分类号：ＴＮ６０５　文献标识码：Ａ　文章编号：１００１－３４７４（２０２１）０２－０１１０－０４Abstract: With the advent of 5G Era and the popularity of smart phone, the market demands for 01005 size ultra small MLCC has grown rapidly. Due to the ultra small size, cutting is a major technical difﬁ culty in the production of 01005 MLCC. In order to acquire good cutting quality, several major factors of adhesive content in green ceramic, cutting blade and temperature sensitive ﬁ lm are studied. The results show that appropriate adhesive content can reduce self-adhesion of MLCC and avoid defects such as coarse cutting section, deviation and delamination. Using blades with 0.05~0.08 mm thick edge for cutting can effectively improve cutting precision and avoid self-adhesion. And using temperature sensitive adhesive films with proper adhesive strength and adhesive layer thickness to fasten ceramic green body is a key factor of improving cutting quality.Keywords: 01005; multi-layer ceramic capacitor; cutting; adhesive; cutting blade Document Code: A Article ID: 1001-3474 (2021) 02-0110-0401005规格MLCC切割质量影响因素Influence Factors of Cutting Quality of 01005 MLCC刘伟峰LIU Weifeng（广东风华高新科技股份有限公司新型电子元器件关键材料与工艺国家重点实验室，　广东　肇庆　５２６０２０）( State Key Laboratory of Advanced Materials and Electronic Components, Fenghua AdvancedTechnology Co., Ltd., Zhaoqing 526020, China )随着5G时代的到来和智能手机的普及，电子设备不断向小型化、高频化、多功能化的方向发展，市场对01005规格（长0.4±0.02 mm，宽0.2±0.02 mm，厚0.2±0.02 mm）超小型多层陶瓷电容器（MLCC）的需求急速增长。

《机械加工工艺手册》（软件版）

《机械加工工艺手册》（软件版）
佚名
【期刊名称】《CAD/CAM与制造业信息化》
【年(卷),期】2006()1
【摘要】本手册是数字化手册系列之一，是国家“十五”电子出版物规划项目。

本手册内容分为两部分：第一部分（上篇）是数据查询，提供在工艺设计过程中可能需要查询的工艺数据资料，包括机械加工工艺规程的制定、
【总页数】1页(P28-28)
【关键词】《机械加工工艺手册》;软件;工艺设计过程;加工工艺规程;数据查询;电子出版物;数据资料;数字化
【正文语种】中文
【中图分类】TP31;TH16
【相关文献】
1.《机械加工工艺手册》软件版的设计与实现 [J], 陈桦;顾振国
2.机械加工残留应力对淬火变形的影响及补救——评《实用机械加工工艺手册第4版》 [J], 刘红伟
3.机械工业出版社《机械加工工艺师手册》（第2版）出版 [J],
4.百余名专家耗时3年,机械工业出版社力作《机械加工工艺手册》(第2版)在京举行首发式 [J],
5.高水平工艺制造精品，现代化工艺打造强国——《机械加工工艺手册》（第2版）隆重推出 [J],
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电路板虚焊的主要成因及解决办法

632023年4月上第07期总第403期工艺设计改造及检测检修China Science & Technology Overview1.电路板虚焊的定义虚焊是指焊料与器件的引脚和焊盘之间没有形成金属化物层（IMC），只是简单地依附在焊接件表面所形成的缺陷。

IMC 的厚度直接决定了焊接的质量[1]。

一般认为，当IMC 厚度在1.5um ～3.5um 时，焊点具有良好的强度和电气连接的性能。

当IMC 厚度小于0.5um 时，由于IMC 太薄，几乎没有强度，当IMC 厚度大于4um 时，由于IMC 太厚，连接处会失去弹性，极易使焊点产生开裂。

润湿也是虚焊的一个判断依据，润湿角是指焊料与母材之间的界面和焊料融化后焊料表面切线之间的夹角θ[2]。

当30°<θ<45°时，焊点的机械强度最好。

55°<θ<90°时，焊接的强度降低，液态钎料和集体金属表面之间缺乏润湿亲和力，潜伏着虚焊的危险性。

当θ>90°时，表示不润湿，会产生虚焊。

2.电路板虚焊的检测方法虚焊的表现形式有很多，比如使焊点成为有接触电阻的连接状态；比如连接时通时不通；比如有的焊点开始时尚好，但在电路工作长时间后，受温度、湿度、振动等环境条件的影响，接触表面逐渐被氧化，接触变得不完全，导致电路工作不正常。

因为表现形式的多样性，虚焊的检测方法也呈现多样性，具体有如下几种。

（1）直接观察法：采用目视或者3D 数字显微镜对同侧焊点进行观察，如果有部分焊脚翘起，说明该处焊点状态异常，可能发生了虚焊。

直接观察法是最广泛使用的一种非破坏性检查方法，对部分表面焊接缺陷检测效率较高，比较依赖操作者的工作经验，费时、费力，容易误检、漏检，无法检出焊点内部隐藏的缺陷。

如图1所示。

（2）晃动法：在外观检查中发现有可疑现象时，可用手、牙签等工具对焊接部位进行轻轻拨动，感觉元件有松动迹象，可判断有虚焊。

数字媒体艺术设计-毕业设计要求2017

数字媒体艺术设计-毕业设计要求2017数字媒体艺术设计（电艺）专业：(一)广告策划与设计：选择一种品牌或产品，以服务为内容进行其自身、环境、受众、竞争品牌等方面的市场调查分析，确定其品牌形象内容及广告定位、广告策略和媒介策略，进行以广告创意表现为主的视觉传播设计。

设计内容及具体要求：1、选题操作性要强，有明确的诉求和品牌概念。

撰写广告设计策划书，要求策划书具备系统性、全面性。

有特殊要求的学生必须经过指导教师同意（如概念策划）2、创作作品形式为以下两种：A、产品宣传系列广告或企业形象宣传系列广告媒体设计。

要具有组合媒体形态，符合所宣传品牌形象的特点和要求，具有较好的展示效果(主题画面应体现于实际媒体之上，或以展示等空间形式表现主题)。

媒介形式如：报纸杂志广告、招贴、网络广告、户外广告、实物展示等，根据传播策略及诉求需要自定。

创作作品数量为不少于3张，B、宣传样本设计产品宣传或企业形象宣传均可；不少于20P；开本自定，但不得小于A4；3、图形设计必须原创，若为图像效果，必须自行拍摄，禁止网络下载；4、提交喷绘或印刷成品或电子文件刻录光盘（存储为JPG或TIFF格式，150像素，CMYK模式）；（二）画册设计A、主题概念画册设计，从观念、文本、图像、文字及制作手段都必须有独创性，不能大量使用现成资料。

选题观念独特，经过指导教师同意，可以独立作为毕业设计选题。

B、以系列画册为题材进行书籍整体设计，包括环衬、内页、正文版式、扉页、目录页、封面、护封等，要求整体结构合理和风格统一。

设计内容及具体要求：1、自选类别, 依不同选题采取合适的装帧装潢方式，创意要符合画册主题，提倡创新的书籍形式与装帧工艺，设计精装书籍一套或一个系列（三本以上）。

2、画册必须有封面、扉页、目录、版权页齐全，每本画册正文部分至少二十页并带有页码（其他页可用白页替代）。

3、实物制作完毕后，将每本画册的封面设计、立体展示效果及实物从不同角度和摆放方法拍摄的照片排版制成展板2张，附简短书籍的创意思路与装帧形式的设计说明。

第一部分工程教育专业认证培训知识

北方大学电子信息工程专业本科生教育教学培养方案（２017年制定）一、专业名称:电子信息工程二、专业代码：０8０6０3三、学制:四年四、学位授予：工学学士五、培养目标作为北京市属高校首批一流专业，本专业培养具有较高文化素养、敬业精神和社会责任感，掌握电子技术和信息系统的基础知识,能从事各类电子设备和信息系统的研究、开发、设计、制造和应用,具有创新精神和创造能力的，致力于服务首都和京津冀地区的一流应用型工程技术人才。

在毕业后5年左右的时间，具有电路与系统、信号与信息处理领域工程师的技术能力,可获得工程师技术资格。

目标1：系统掌握电子技术与信息系统的基础理论和专业知识，并能够用于解决复杂的电路与系统、信号与信息处理工程问题.目标2:能够运用本专业基础理论和专业知识针对复杂的电路与系统、信号与信息处理工程问题进行识别、表达和分析，设计和实现满足特定需求的解决方案。

目标3:初步具备针对复杂的电路与系统、信号与信息处理工程问题进行研究的能力，包括工具选择、实验设计、数据分析与解释、信息综合，以及形成合理有效结论的能力，具有一定创新精神和创造能力。

目标５：具有良好的沟通表达能力,具有团队协作精神和服务意识,具有一定的协调、管理和领导能力,具有国际化视野和一定的国际交流和合作能力。

目标5：具有良好的沟通表达能力，具有团队协作精神和服务意识，具有一定的协调、管理和领导能力,具有国际化视野和国际交流和合作能力。

目标6:具有较强的自主学习和终身学习意识，与时俱进，拓展自己的知识领域和适应的能力。

六、专业特色及毕业要求1。

专业特色本专业２０17年被评为北京市属高校一流专业，20０9年被评为国家级特色专业建设点,20０8年被评为北京市特色专业,20０４年被评为“北京市品牌专业”。

具有一级学科硕士点“信息与通信工程"和“电子科学与技术"、专业学位硕士点“电子与通信工程”.是一个电子和信息工程方面的较宽口径专业，学生主要学习电子信息系统方面的专业理论知识与电子与信息工程实践实训知识,具备设计、开发、应用电子信息系统的基本能力。

(精品)第一部分柔性制造系统

另一种统计指出，汽车的平均生命周期在1970 年时为12年，1980年缩为4年，而1990年仅为 1.5年。再以机电产品为例，产品的生命周期超过10年的在60年代约占32％，到了80年代降为15％，而市场寿命在5年以下者则由38％增长到65％～70％。
在激烈的市场竞争中，人们也认识到缩短从订货到交货的周期是赢得竞争的主要手段。而30年代到50年代建立的单品种生产自动化生产线，它有固定的生产节拍，而且设计复杂，投资巨大。当产品的生命周期结束而必须生产其它品种时，对原有的制造系统的改造难度相当大，改造周期相当长，改造费用也相当昂贵。所以，这种刚性自动化生产线是无法满足不同顾客对产品的不同要求，也无法在激烈的市场竞争中占据优势。
1998年美国国家研究委员会NRC把制造定义为， “创造、开发、支持和提供产品与服务所要求的过程与组织实体。”
1999年美国麻省理工学院MIT定义现代制造包括：产品的设计与开发、产品规划、销售与售后服务，以及实现这些功能／职能所应用的技术、流程／过程和人与技术结合的途径。
2002年美国生产与库存控制学会APICS定义制造为：包括设计、物料选择、规划、生产、质量保证、管理和对离散顾客与耐用货物营销的一系列相互关联的活动和运作作业。同时，现代制造的概念已经突破可触摸的产品货物生产范畴，同不可触摸的软件生产、服务和应用高新技术与知识附加价值(顾客价值)的活动与流程融合在一起。
20世纪70年代到21世纪初的从大量生产到丰田/ 精益生产模式的第三次战略性转变。
丰田汽车集团缔造的丰田生产方式（TPS, Toyota Production System）可以说是世界制造史上的一大奇迹。以丰田生产方式和经营管理方法为标志的日本制造业在“生产方式”、 “组织能力”、“管理方法”上的领先，改变了21 世纪全球制造业的存在形式和秩序。丰田生产方式是一种区别于福特式大量生产的新型制造模式，经过长期的创新、连续的改进／改善，形成了以简化产品设计与制造、零浪费、零缺陷、零故障、零库存、准时制 JIT(just-in-time)和自治化生产组织为主要特征的新一代制造模式。

电子产品设计及制作课程标准(原教学大纲)

目录2017级信息技术公共课课程标准错误!未定义书签。

《办公应用》（课程编码XXXX）课程标准1《大学语文》(课程编码XXXX)课程标准错误!未定义书签。

2017级软件技术专业课程标准错误!未定义书签。

《SQL Server数据库技术》(课程编码XXXX)课程标准错误!未定义书签。

注意：目录格式按照上面格式，课程编码各系部提供。

《电子产品设计及制作》课程代码: （系部查询）课程名称：电子产品设计及制作课程类型: （理论+实践）课总学时：64学时理论学时：48学时实训学时：16学时学分：4学分适用对象: 2017级智能化楼宇专业、2017级交通专业先修课程：无第一部分前言一、课程性质及地位1、课程性质电子产品设计及制作是楼宇及交通专业的主要技术基础课。

它建立在电路基础、模拟电子技术、数字电子技术等课程的基础之上，本课程的任务是使学生学会使用Protel软件绘制电路原理图以及印制板电路图，为以后的学习和专业工作打下坚实的基础。

2、课程定位《电子产品设计及制作》对学生毕业后从事电子电路辅助设计岗位起着重要支撑作用。

本课程设计通过设计智能电子产品实物方式，采取项目教学的方法培养学生电子线路的组装调试能力、软件编程能力、智能电子产品设计及应用能力和创新能力，本课程及前修课程《电子技术》、《传感器及自动检测》和《电子产品制作实训》相衔接，共同培养学生将理论知识融到实际项目开发系统中的综合应用能力；及后继课程《毕业设计》、《顶岗实习》相衔接，共同培养学生对实际项目的综合设计、开发及应用能力。

为以后就业从事生产和科研工作提供较强的动手技能。

二、课程基本理念是一门集电子技术及设计理论为一休的综合性的交叉学科，它综合运用这两个学科的概念和方法，形成了自己独立的体系。

学习计算机网络基本原理课程之前，应很好地掌握计算机系统结构、计算机原理、计算机软硬件知识及通信所需的相关技术。

以解决显性知识及默会知识、必备知识及拓展知识、理论知识及实践知识融会贯通为目的，充分体现教学做一体化的行动导向教学模式，从而模拟真实工作过程，实施项目引导、任务驱动。

FMEA讲义～电子版

潜在失效模式及后果分析(FMEA)的理解与实施第一部分～～～～～～～～～～～～～～～～基本原理什么是FMEAFMEA是糸统的分析方法FMEA分析的方法第二部分～～～～～～～～～～～设计FMEA（D-FMEA）D-FMEA的基本要求D-FMEA报告的栏目解释D-FMEA的实施第三部分～～～～～～～～～～～过程FMEA（P-FMEA）P-FMEA的基本要求P-FMEA报告的栏目解释P-FMEA的实施潜在失效模式及后果分析（FMEA）的理解与实施～～～基本概念潜在失效模式及后果分析（FMEA）的理解与实施第一部分基本原理一、什么是FMEA●FMEA的定义：在设计阶段/更改设计阶段，对产品/零件/制造过程进行分析，找出潜在失效模式，分析其可能的后果，评估其风险，预先采取措施，减少失效模式的严重程度，降低发生的概率，有效提高可靠性，确保顾客满意的系统化活动。

●实施FMEA的时机：◆开发新产品、实施新技术、开发新过程时应用；◆对现有产品/过程实施更改；◆现有产品/过程应用于新的环境、场所时；●实施FMEA的目的：◆寻找产品及加工过程中的潜在失效及其后果；◆确定消除或减少潜在失效发生的措施；◆将全部分析过程文件化，以供评审；●FMEA是事前行为◆通过FMEA确定的措施为预防措施；◆各类失效模式均为“潜在”，即可能会发生；实施◆潜在失效模式是凭经验和对以往事故的评估获得； ●FMEA 是为各类设计/更改设计做准备的活动◆FMEA 是对“设计策划”环节的补充活动；◆在设计策划过程中，通过FMEA 明确如何使顾客满意； ●FMEA 是集休分析的产物 ●FMEA 的分类◆D-FMEA(设计FMEA)：在产品设计过程中使用，分析对像为：总成/分总成/零件；◆P-FMEA(过程FMEA)：在工艺设计过程中使用，分析对像为加工工序及各物流过程；二、FMEA 是系统的分析方法三、FMEA分析的基本方法●基本方法：运用失效链，连问为什么。

集成无源器件和硅转接板集成方案设计

集成无源器件和硅转接板集成方案设计刘宇;罗乐【摘要】集成无源器件(IPD)和穿硅通孔(TSV)技术是目前封装发展的一大趋势.为了实现高性能集成无源器件和硅转接板集成的目的,本文采取了设计两套不同的集成方案,对比研究的方法.方案结合了深槽电容,液态金属填充等先进技术,从集成方式、通孔制作、通孔填充、IPD类型等多方面进行对比,全面的研究IPD和TSV的集成方案.%Integrated passive device(IPD) and through silicon via(TSV) technology are the current trends in the field of packaging development.In order to achieve high performance IPD and Si interposer integration, we designed two different integrated solutions to contrast one method with the other. The solutions, combined with Deep trench capacitor, the liquid metal via-filling method and other advanced technology, is based on an integrated approach, through-hole production, through-hole filling, IPD, and many other types of contrast, in order to research IPD and TSV integration schemes more systematically.【期刊名称】《电子设计工程》【年(卷),期】2017(025)004【总页数】4页(P95-98)【关键词】封装;集成无源器件;穿硅通孔;硅转接板【作者】刘宇;罗乐【作者单位】上海微系统与信息技术研究所,上海 200050;上海微系统与信息技术研究所,上海 200050【正文语种】中文【中图分类】TN402无源器件是智能消费电子等手持设备的重要组成部分，但也是占据较大空间的设备，在某些情况下占据70%以上的可用的电路板空间[1]。

基于汽车无线充电系统的PCB设计与布局浅析

基于汽车无线充电系统的PCB设计与布局浅析摘要：PCB设计与布局是确保汽车无线充电系统可靠性和工作性能的关键。

随着电动汽车的普及，汽车无线充电技术的重要性也日益凸显。

在这样的背景下，优秀的PCB设计和布局策略不仅可以提高汽车无线充电系统的效率和性能，还可以增强整个系统的稳定性和可靠性。

因此，我们需要继续深入探索汽车无线充电系统中PCB设计与布局的最新技术和最佳实践，以推动汽车科技领域的进一步发展。

关键词：无线充电；汽车市场；PCB设计与布局；引言：随着电动汽车的普及，电动汽车充电技术取得了重大发展。

传统的有线充电存在安全问题，也无法满足用户的需求，因此有线充电的不足之处呼唤大家寻找更好的解决方案。

基于此，汽车无线充电技术应运而生。

汽车无线充电技术是一种基于电磁感应原理，将电力无线传输到车辆内部的充电技术。

而在汽车无线充电系统中，PCB设计和布局则是影响系统稳定性和充电效率的重要因素。

因此，本文旨在探讨如何优化汽车无线充电系统的PCB设计和布局以提高其性能和稳定性。

一：无线充电汽车市场：随着环保和节能意识的不断提高，电动汽车市场得到了快速发展，同时无线充电技术也被广泛应用于汽车行业。

无线充电技术可以为电动汽车提供更为便捷、高效和安全的充电方式，消除了有线充电带来的诸多不便。

因此，无线充电汽车市场前景非常广阔。

目前，全球关于无线充电汽车市场的研究显示，在未来数年内，这个市场将保持响应速度的增长趋势。

据IHS Markit公司发布的报告显示，到2020年，全球电动汽车保有量将超过1000万辆。

此外，越来越多的汽车制造商和科技公司也在开发和推广无线充电汽车技术，如特斯拉、欧菲光和通用等。

在这种情况下，无线充电汽车市场将会得到不断的发展和壮大，广泛应用于商用车辆、公共汽车、物流车辆等领域。

在未来的几年里，无线充电技术将逐渐成为电动汽车充电的主流技术之一，带来更加便利、高效和环保的出行方式。

总之，无线充电技术在汽车行业中的应用将会越来越广泛，无线充电汽车市场前景十分广阔。

一种具有高增益和超带宽的全差分跨导运算放大器

0中国集成电路设计♦China lntegrated Circult一种具有高增益和超带宽的全差分跨导运算放大器罗杨贵1,曾以成1,邓欢2,唐金波21.湘潭大学物理与光电工程学院；2.湖南毂梁微电子有限公司摘要：基于GSMC0.18um CM OS工艺，设计了一种应用于12位ADC的全差分运算放大器。

为了提高增益,在套筒式共源共栅结构上运用了增益提高技术。

为了提高输入跨导，采用隔离效果更好的深N阱CMOS作为输入端，从而提升增益带宽。

为了降低功耗，利用单端放大器作为辅助运放。

整体电路结构简单优化。

仿真结果表明，运算放大器直流开环增益大于100dB，单位增益带宽大于800M H z,相位裕度大于70毅,完全满足目标ADC的性能要求，是一种新型且质量较高的运放，也可应用于其它场合。

关键词：增益提高；套筒式共源共栅；高增益带宽;深N阱中图分类号:TN432文献标识码:AA Fully Differential Transconductance Operational Amplifierwith high Gain and ultra GBWLUO Yang-gui,ZENG YirCheng1,DENG Huan2,TANG Jn-bo21.SchoolofPhysicsand Opibe]ectronics,X iangtan University;2.H unan Greai-Leo M icroe]ectronicsCO.LTDAbstract:Based on theGM SC0.18um CM OS process,a fuUy differentialoperationalam plifierlbr12-bitADC is designed.In orderto increase the gain,a gain-enhancing technique is used on the te]escopic cascode structure.In order to increase input transconductance,the deep N-W elltansistorwith better isolation function was used as the input,thereby to enhance the gain bandwidth.In order to reduce power consumption,a single-ended amplifier is used as an auxiliary operational amplifier.The overall circuit structure is simple and optimized.The simulation results show that the operational amplifier DC open-loop gain is greater than100dB,the unity gain bandwidth is greater than800MHz, and the phase margin is greater than70毅,which fully meets the performance requirements of ADC.It is a new and high-quality operational amplifier that can also be applied to other applications.Keywords:Gain enhancement;Telescopic cascode;High gain bandwidth;Deep N_well0引言模数转换器作为连接模拟信号与数字信号的桥梁，越来越显示出其重要性。