SM7025 datasheet

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封装形式
SOP8
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以上公式合并,可得到:
I D = G ID • (
从上式可以看出,IFB 电流大,ID 的电流就小;IFB 电流小,ID 的电流就大。当 IFB 的电流大于(0.23V / R2) 时,芯片会关闭 PWM,同时芯片会自动进入突发模式。
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SM7025AC/DC PWM 功率开关 TOISIWV1.0
管脚图
SOP8
输出功率表
输入电压 最大电流 SOP8 12V 18V 85Vac~265Vac 150mA 150mA 180Vac~265Vac 200 mA 200 mA
注:芯片 5、6、7、8 脚为芯片散热脚,PCB Layout 过程中注意增加散热措施。
12V 典型示意电路图
4 DRAIN
2 HVDD
-3-
SM7025AC/DC PWM 功率开关 TOISIWV1.0
功能表述
R1 22Ω/2W
IN4007 L1 1mH
GND 8 GND 7 GND 6
GND
GND 5
D3 BYV26C
90~264Vac
+ RV 10D471 C1 4.7uF/400V + C2 4.7uF/400V
C4 470uF/25V C3 + 1uF/50V
+
+
1 EN
3 NC
+
N +12V
应用领域
电磁炉、电饭煲、电压力锅等 小家电产品电源
18V 典型示意电路图
L
GND 8 GND 7 GND 6 GND 5
T1
ACIN N +
SM 7025
4 DRAIN 2 HVDD 1 EN 3 NC
U1
Vin +
Vout GND +
+
-1-
+
SM7025
+18V +
GND L
GND 8 GND 7 GND 6 GND 5
概述
SM7025 是采用电流模式 PWM 控制方式的功率开关芯片,集成高压 启动电路和高压功率管,为低成本开关电源系统提供高性价比的解决方 案。 芯片应用于 BUCK 系统方案,支持 12V/18V 输出电压,很方便的应用 于小家电产品领域。并提供了过温、过流、过压、欠压等完善的保护功 能,保证了系统的可靠性。
热阻参数
符号 RthJA 说明 热阻(1) 范围 单位
45
℃/W
注(1) :芯片要焊接在有 200mm2 铜箔散热的 PCB 板,铜箔厚度 35um,铜箔连接到所有的 GND 脚。
电气工作参数
(除非特殊说明,下列条件均为 TA=25℃ 符号 BVDS IDSS RDS(on) HVDDON HVDDOFF HVDDHYS IDD2 IDDCH FOSC △Fosc tOVT 说明 漏源击穿电压 DRAIN 端关断态漏电流 源漏端导通电阻 HVDD 开启电压 HVDD 关闭电压 HVDD 迟滞阈值电压 HVDD 工作电流 芯片充电电流 芯片振荡频率 抖频范围 过温保护温度 HVDD=11V VDS=100V; HVDD=5V ID=0.2A 条件 最小 VDD=13V; ID=1mA 730 范围 典型 22 11.5 8 3.5 0.5 -500 60 4 150 最大 0.1 V mA Ohm V V V mA uA KHz % ℃ 单位
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+
SM7025
L2 560uH
+12V D2 FR107
SM7025AC/DC PWM 功率开关 TOISIWV1.0
HVDD
H V D D ON
H V D D OFF
欠压保护
t
VOUT
t

控制部分
D R A IN ID
HVDD
PW M c o n tro l
Ifb 采 样 电 流 检 测 电 路 IFB R1
SM7025AC/DC PWM 功率开关 TOISIWV1.0
SM7025
特点
拓扑结构支持:低成本 BUCK、 BUCK-BOOST 等方案 采用 700V 单芯片集成工艺 85Vac~265Vac 宽电压输入 待机功耗小于 120mW@220Vac 集成高压启动电路 集成高压功率开关 60KHz 固定开关频率 内置抖频技术,提升 EMC 性能 电流模式 PWM 控制方式 内置过温、过流、过压、欠压 等保护功能 内置软启动 内 置 智 能 软驱 动 技 术( 提 高 EMC 性能) 封装形式:SOP8
+18V +
SM7025
4 DRAIN 2 HVDD 3 NC 1 EN
D6 BYV26C
C5 100uF/25V +5V + C6 104 GND
C2 1uF/50V +
D5 UF4007
BOM 清单:
C1 C2 C3 C4 4.7uF/400V 1uF/50V 220uF/25V 100uF/25V C5 C6 R1 T1 100uF/25V 104 22R EE10 D1-D4 D5 D6 IN4007 UF4007 BYV26C D7 U1 U2 UF4007 SM7025 78L05
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SM7025AC/DC PWM 功率开关 TOISIWV1.0
极限参数
极限参数(TA= 25℃) 符号 VDS(max) VDS(ST) HVDD Ivdd VESD TJ TSTG 说明 芯片 DRAIN 脚最高耐压 芯片启动时,DRAIN 脚最高耐压 芯片电源电压 嵌位电流 ESD 电压 结温 存储温度 范围 -0.3~730 -0.3~730 -0.3~20 10 2000 -40~150 -55~150 单位 V V V mA V ℃ ℃
4 DRAIN
2 HVDD
EN
3 NC
1
R2 10Ω

电路图说明 上图为典型的 BUCK-BOOST 电路,其中 C1、C2、L1 组成π型滤波,有益于改善 EMI 特性,R1 电阻为浪涌 抑制元件,D1 为整流二极管,构成半波整流电路。 输出部分 L2 为储能电感, D2 为 HVDD 供电二极管, D3 为续流二极管, 在芯片关断期间提供输出电流通路:
变压器参数:
1 N1 4 N2 7
8 进线 5
1
4 底视图
5
变压器绕制方法
N2(5 7) Φ0.19*1*64T N1(1 4) Φ0.19*1*140T
制作说明: 1. 骨架EE10(4+4) PC40磁芯 2. 电感量Lp(1 4)=1.0mH,漏感为Lp的5%以下
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SM7025AC/DC PWM 功率开关 TOISIWV1.0
VOUT HVDD 0.7V (0.7V 为二极管 D2 的导通压降)
HVDD 电压 当开关电源启动后,C2 电容上的电压会通过芯片内部的高压启动 MOS 管向芯片 HVDD 电容 C3 充电,当 C4 电容电压达到 11.5V,内部高压启动 MOS 管关闭,同时 PWM 开启,系统开始工作。 当 C4 电容电压下降到 9V 以下,关闭 PWM 信号,同时芯片将会产生复位信号,使系统重新启动。这就是 欠压保护。
+
0 .2 3 V
IS
R2
GND
通过高压 MOS 的电流 ID 分成两个部分, 其中一部分为 IS, 这部分电流为芯片采样电流。 IS 与 ID 成比例关系:
I D = G ID • I S
通过上图可知: ( I S I FB ) R 2 0.23V ,由此可以得到:-
IS =
0.23V -I R2 FB 0.23V - IFB ) R2
+5V
GND
SM7025AC/DC PWM 功率开关 TOISIWV1.0
管脚示意图
1 EP8
2 HVDD 3 NC 4 DRAIN
GND 7 GND 6 GND 5
管脚说明
名称 EN HVDD DRAIN NC GND 管脚序列 1 2 4 3 5.6.7.8 管脚说明 EN 和 HVDD 短接:系统输出 12V EN 悬空,单独接 HVDD:系统输出 18V 内置高压 MOS 管的 DRAIN,同时芯片启动时,也做芯片的 启动脚 悬空脚 芯片地,同时也是内置高压 MOS 管 SOURCE 端口
典型应用方案
电磁炉电源应用方案 原理图:
R1 22 Ω L
GND 8 GND 7 GND 6 GND 5
ACIN N
D1-D4 IN4007 + C1 4.7uF/400V U1 D7 UF4007
T1 C3 220uF/25V U2 78L05 Vin C4 100uF/25V + Vout GND
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