电介质物理 天津大学微电子考研资料

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天津大学813半导体物理或电介质物理考研大纲2018年与2019年对比一览表

天津大学813半导体物理或电介质物理考研大纲2018年与2019年对比一览表

天津大学813半导体物理或电介质物理考研大纲2018年与2019年对比一览表
天津大学813半导体物理或电介质物理2019年考研大纲已经公布,但是考研的同学都清楚何如利用吗?考研大纲是目标院校唯一官方指定的硕士研究生入学考试命题的唯一依据,是规定研究生入学考试相应科目的考试范围、考试要求、考试形式、试卷结构等权威指导性文件。

考研大纲作为唯一官方的政策指导性文件在专业课备考中的作用是不言而喻的。

然而,各大高校的考试大纲均在9月中旬左右才公布,对参照前一年的考研大纲已经复习大半年的莘莘学子来说可谓姗姗来迟。

借此,我们天津考研网特别推出考研大纲的对比、变化情况的系列专题,及时反映相关的考研动态,以此来消除学子们的复习误区;使学子们尽早捕捉到官方的细微变化。

为考研之路保驾护航!
以上是天津大学813半导体物理或电介质物理2018年与2019年考研大纲的对比情况,从对比文件可以看出,天津大学813半导体物理或电介质物理的考研大纲没有发生变化。

所以,报考该校的研友们可以安心的按照已定的专业进行有计划的复习备考。

天津大学813半导体物理或电介质物理考研资料请到天津考研网官网咨询查看。

天津大学微电子半导体物理考研大纲

天津大学微电子半导体物理考研大纲

天津大学硕士生入学考试业务课程大纲按一级学科设置自命题考试科目二级学科名称:微电子学与固体电子学课程编号:813初试考试科目名称:半导体物理与电介质物理本考试课程由两部分组成,请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。

第一部分:半导体物理考试大纲(参加半导体物理考试的考生参考):一、考试的总体要求本课程为本专业主干专业基础课,要求考生掌握半导体物理的基本概念、p-n结、MOS 结构、异质结、各种半导体效应(光、磁、热、压阻等)基本原理和应用。

二、考试的内容及比例:(一)考试内容要点:第一部分:(70%)1、半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级;2、热平衡状态下半导体载流子的统计分布,本征半导体和杂质半导体的载流子浓度,简并半导体和重掺杂效应;3、半导体的导电性:载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系,体内负微分电导;4、非平衡载流子:非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级,爱因斯坦关系,一维稳定扩散,光激发载流子衰减;5、p-n结、MOS结构:平衡与非平衡p-n结特点及其能带图,p-n结理想和非理想I-V特性,p-n结电容概念与击穿机制,p-n结隧道效应、肖特基势垒二极管;6、MOS结构表面电场效应,理想与实际MOS结构C-V特性,MOS系统的性质(固定电荷、可动离子、界面态对C-V特性的影响),表面电场对p-n结特性的影响;第二部分:(30%)7、半导体异质结:异质结概念及理想突变反型异质结能带图,异质p-n结注入特性(高注入比与超注入概念),半导体应变异质结概念;8、半导体光学性质:半导体光吸收,半导体光电探测器, 半导体太阳电池,半导体发光概念与应用,半导体激光与应用;9、半导体霍尔效应、半导体压阻效应、半导体热电效应及其应用,非晶态半导体概念;(二)比例:考试内容前6个问题占70%,后3个问题占30%,计算与推导题基本覆盖在2至6个问题中。

天津大学微电子学与固体电子学考研真题及答案解析-真题解析视频

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天津大学微电子学与固体电子学考研真题及答案解析-真题解析视频天津大学微电子学与固体电子学专业考研真题是所有准备报考该专业的同学们都应该搜集到的最权威的备考资料之一。

在天津大学微电子学与固体电子学专业课复习中,所需要获得的考研资料和信息包括考研大纲、辅导笔记以及最重要的天津大学微电子学与固体电子学专业考研真题和历年的考研真题解析。

而且,是必须要有已经考上该专业的研究生整理的答案解析,没有完整的答案解析的话,其实真题的作用并没有完全发挥出来。

如果你都搜集全了的话就可以尽快开始认真的复习了,毕竟考研备考的时间有限,我们要将复习的效率最大化,把历年的真题读薄,什么意思呢?就是仔细研究历年天津大学微电子学与固体电子学专业考研真题,这样可以帮助我们更快更好的掌握出题点和命题思路,并根据这些重点有的放矢的进行复习。

同学们从网上找到的历年真题要么就是年份不全,要么就只有题,没有答案,凭借考生个人的能力很难搜集齐全报考学校的历年真题和解析,更别提能够找到考试的重难点范围了。

鉴于此,天津考研网为备考天津大学微电子学与固体电子学专业的同学们推出了《天津大学813半导体物理考研全套复习资料【真题笔记-学长版】》(以初试选择813半导体物理与电介质物理作为考试科目为准,选择其他考试科目的同学与此类似)。

它是由天津考研网组织多名一线大学老师及过去几年在天津大学研究生初试中专业课取得高分的考生共同编写及整理的。

这套资料不仅包含了天津大学微电子学与固体电子学专业考研历年真题及解析、本校学生本科阶段的讲义、期末试卷,还有高分考上的研究生整理出来的考研重难点。

可以说,这对每一位准备报考天津大学微电子学与固体电子学专业的学生来说,都是非常重要的,而且也是非常必要的。

它可以帮助考生在考研复习中理清做题思路,明确出题方向及复习重点,节省宝贵的复习备考时间,不必在厚厚的参考教材中找不到方向了,跟着已经考上的学长学姐的脚步走,少走弯路,轻轻松松地提高分数。

天津大学微电子学与固体电子学专业考研资料

天津大学微电子学与固体电子学专业考研资料

天津大学微电子学与固体电子学专业考研资料天津大学微电子学与固体电子学专业在全国排名第13。

水平等级A,并且分数线并不高。

微电子产业是现代电子信息产业的核心与基石,是支撑社会经济发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。

我国的微电子产业发展极为迅猛,亟需培养一大批高素质人才。

天津大学是国家集成电路人才培养基地。

据统计,日后就业方向大多数汉王科技股份有限公司、杭州士兰微电子股份有限公司、华润上华科技有限公司、华为技术有限公司、天津国芯科技有限公司、威盛电子(中国)有限公司、中国电子科技集团公司第13研究所或者出国等。

天津大学微电子学与固体电子学专业是一级电子科学与技术学下的二级学科。

微电子学与固体电子学专业是电子科学与技术的重要学科方向。

本专业以培养集成电路设计理论与技术研究和应用的高级人才为目标,以工业应用为背景。

因此,通信、电子、控制、计算机、电气工程等专业等专业的本科毕业生均可报考。

本专业配备有集成电路设计实验室、集成电路测试实验室、工作实验室、研究生专业实验室等,提供了各种与本专业培养方向有关的实验技术与手段。

本专业的硕士研究生在学习期间,需要学习现代电路理论、现在电子技术、半导体器件物理基础及工艺、集成电路设计基本理论、集成电路验证的理论与方法、SOC设计方法等专业课程。

同时还必须选修有关通信、控制、电气工程、生物医学工程或计算机工程等专业的相关课程。

天津考研网分析天津大学微电子学与固体电子学考研参考书目与考试科目,详情如下:815信号与系统《信号与线性系统分析(第四版)》,吴大正主编,高等教育出版社。

一、研究方向及硕士指导教师:本专业下设两个培养方向:1、固体电子技术方向:主要研究方向有:(1)功能材料与元器件;(2)敏感材料与器件;(3)薄膜理论与技术;硕士指导教师:吴霞宛方向(1)谢道华方向(1)吴顺华方向(1)刘仲娥方向(1)吴裕功方向(1)李玲霞方向(1)张之圣方向(2)(3)胡明方向(2)(3)包兴方向(1)(2)祖光裕方向(1)(2)吕玉芳方向(1)(2)2、微电子技术方向:主要研究方向有:(4)半导体新型器件与集成电路;(5)集成传感器与微电子机械系统;(6)超大规模集成电路设计;(7)纳米硅技术研究及应用(特聘教授研究方向)。

2017天津大学各院系专业考研复习资料汇总_研途宝考研

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天大2017考研复习也慢慢步入正轨,而市面上很多关于天大考研各专业复习资料参差不齐,考研备考的成果则是我们选择了使用什么样的复习资料,选对了复习资料无疑能让我们的备考工作事半功倍,因此,研途宝思博天大考研网整理了天津大学各院系专业的考研资料,给大家考研专业课真题资料的选择提供参考。

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对于考研辅导班,人云亦云。

但复习进度慢、基础比较低的同学,选择报考辅导班是非常有必要的。

目前,针对天津大学最实效的四大考研辅导班主要有:
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天津大学考研参考书和报录比专业之【微电子学与固体电子学】

天津大学考研参考书和报录比专业之【微电子学与固体电子学】

天津大学考研参考书和报录比专业之【微电子学与固体电子学】有的是同学在准备初期会担心的复试的考试内容,其实大可不必,在初试过后再准备复试完全来得及,同学们当前要做的就是把握好初试这一关,但是在选择专业的时候可以了解一下复试的情况,也好心里有个底,不至于一点情况也不了解。

接下来为大家说一下微电子学与固体电子学专业的具体情况。

天津大学微电子学与固体电子学专业考研时考试科目是思想政治理论,英语一,数学一,专业课是信号与系统或半导体物理或电路或物理化学(任选一门)。

天津考研网为报考天津大学微电子学与固体电子学专业的同学们整理了一些专业课复习资料以及学长学姐们的复习经验,希望能对大家的复习有所帮助。

下面天津考研网就为考研小伙伴们详细说说专业课的复习。

一、历年报录比天津考研网为大家整理了近年来天津大学微电子学与固体电子学的报录比,从实际的报录比信息中可以得出:报考微电子学与固体电子学专业的人数还是比较稳定的,人数招的也是比较多的,但是与此同时报名的人数也是不少,大概是1比4点多的比例,在此基础上同学们可以根据其他专业的报考人数进行一个对比,最后根据自身的情况加以选择专业,也可询问学长学姐这方面的情况。

二、考研复习参考书天津考研网为小伙伴们整理了高分被录取的微电子学与固体电子学专业的学长学姐们用的考研复习参考书和指定书目供大家参考:政治:《红宝书》《肖秀荣1000题》《风中劲草》《20天20题》《肖秀荣知识点精讲》《肖秀荣八套卷,四套卷》英语:《词汇书》《黄皮书阅读基础150篇》《历年试题卷》《作文书》数学:李永乐,张宇系列专业课:信号与系统或半导体物理或电路参考资料:信号与系统:《信号与线性系统分析(第四版)》,吴大正主编,高等教育出版社。

半导体物理:半导体物理学,(第七版),刘恩科、朱秉升、罗晋生编著,电子工业出版社。

半导体物理与器件,(第四版),赵毅强、姚素英等译,电子工业出版社。

晶体管原理与设计,陈星弼张庆中等,电子工业出版社。

天津大学微电子学与固体电子学考研复习辅导资料及导师分数线信息

天津大学微电子学与固体电子学考研复习辅导资料及导师分数线信息

天津大学微电子学与固体电子学考研复习辅导资料及导师分数线信息天津大学微电子学与固体电子学考研科目包括政治、外语、数学一以及电路、半导体物理或电介质物理、信号与系统、物理化学。

主要研究方向有四个,每个方向不同考试科目也不同,考生备考时需分清。

专业代码、名称及研究方向考试科目备注080903微电子学与固体电子学①101思想政治理论②201英语一或202俄语或203日语③301数学一④811电路①101思想政治理论②201英语一或202俄语或203日语③301数学一④813半导体物理或电介质物理①101思想政治理论②201英语一或202俄语或203日语③301数学一④815信号与系统①101思想政治理论②201英语一或202俄语或203日语③301数学一④839物理化学天津大学微电子学与固体电子学近两年考研录取信息院(系、所) 专业 报考人数 录取人数电子信息与工程学院(2012年)微电子学与固体电子学184 53电子信息与工程微电子学与固体193 52学院(2013年)电子学天津大学微电子学与固体电子学2012年报考人数为184人,录取人数为53人,2013年报考人数为193人,录取人数为52人。

由真题可以发现,现在考点涉及的广度和深度不断扩宽和加深。

由天津考研网签约的天津大学在读本硕博团队搜集整理了天津大学电子信息与工程学院微电子学与固体电子学考研全套复习资料,帮助考生梳理知识点并构建知识框架。

真题解析部分将真题按照知识点划分,条理清晰的呈现在同学们眼前。

然后根据各个考点的近几年真题解析,让同学对热点、难点了然于胸。

只有做到了对真题规律和趋势的把握,8—10月底的提高复习才能有的放矢、事半功倍!天津大学电子信息与工程学院微电子学与固体电子学考研导师信息刘开华纵向课题经费课题名称情境感知服务位置信息获取机理与算法 2009-01-01--2011-12-31 负责人:刘开华科技计划:国家基金委拨款单位:国家基金委合同经费:32课题名称智能航空铅封技术研究 2010-01-01--2012-12-31 负责人:刘开华科技计划:天津市科技支撑计划重点项目拨款单位:天津市科学技术委员会合同经费:50 横向课题经费课题名称基于相位法的RFID定位技术 2013-01-01--2013-12-31 负责人:刘开华科技计划: 拨款单位:中兴通信有限公司合同经费:16课题名称基于ADoc芯片组的产品开发 2008-09-01--2009-08-31 负责人:刘开华科技计划: 拨款单位:THOMSON宽带研发(北京)有限公司合同经费:6.3 期刊、会议论文Tan, Lingling; Bai, Yu; Teng, Jianfu; Liu, Kaihua; Meng, Wenqing Trans-Impedance Filter Synthesis Based on Nodal Admittance Matrix Expansion CIRCUITS SYSTEMS AND SIGNAL PROCESSINGnullTan, Lingling; Liu, Kaihua; Bai, Yu; Teng, Jianfu Construction of CDBA and CDTA behavioral models and the applications in symbolic circuits analysis ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSINGnullMa Yongtao,Zhou Liuji,Liu Kaihua A Subcarrier-Pair Based Resource Allocation Scheme Using SensorsnullMa Yongtao,Zhou Liuji,Liu Kaihua, Wang Jinlong Iterative Phase Reconstruction and Weighted IEEE sensorsnull罗蓬,刘开华,闫格基于FrFT能量重心谱校正的LFM信号参数估计信号处理null 潘勇, 刘开华,等 A novel printed microstrip antenna with frequency reconfigurable characteristics for Bluetooth/WLAN/WiMAX applications Microwave and Optical Technology Lettersnull阎格,刘开华,吕西午基于分数阶Fourier变换的新型时频滤波器设计哈尔滨工业大学学报nullLin Zhu, Kaihua Liu, Zhang Qijun, Yongtao Ma and Bo Peng An enhanced analyticalNeuro-Space Mapping method for large-signal microwave device modeling null 罗蓬,刘开华,于洁潇,马永涛一种相干宽带线性调频信号的波达方向估计新方法通信学报nullLin Zhu, Yongtao Ma, Qijun Zhang and Kaihua Liu An enhanced Neuro-Space Mapping method for nonlinear device modeling nullYue Cui, Kaihua Liu, Junfeng Wang Direction-of-arrival estimation for coherent GPS signals based on oblique projection Signal ProcessingnullLV Xi-wu, LIU Kai-hua, et al. Efficient solution of additional base stations in time-of-arrival positioning systems Electronics Lettersnull省部级以上获奖刘开华;等数字电视接收系统、软件技术的研发与应用”天津市科技进步奖三等奖 2011-04-29李华;刘开华;等数字视频压缩与码流测试技术的研发及应用天津市科技进步奖二等奖 2009-04-29知识产权刘开华, 于洁潇高速公路上车辆的车速和相对位置实时测量系统及方法刘开华;潘勇;于洁潇;陈征一种基于无联网的车载自动实时监控远程终端刘开华,黄翔东,于洁潇,王兆华,闫格基于相位差测距的RFID无线定位方法王安国纵向课题经费课题名称基带处理与天线协同 2007-07-16--2011-11-16 负责人:王安国科技计划:国家科技部拨款单位:财政部合同经费:157.41课题名称无线网络多源稀疏协作编码研究 2011-01-01--2013-12-31 负责人:韩昌彩科技计划:国家基金委拨款单位:国家基金委合同经费:20横向课题经费课题名称具有波束多选择性的多频段可重构天线研究 2013-01-01--2014-12-31 负责人:王安国科技计划: 拨款单位:东南大学毫米波国家重点实验室合同经费:5 课题名称双方向图算法在室内定位中的应用 2012-01-01--2012-12-31 负责人:冷文科技计划: 拨款单位:中兴通讯股份有限公司合同经费:14.5期刊、会议论文马宁王安国姬雨初石和平Cooperative Space Shift Keying for Multiple-Relay Network IEEE Communications Lettersnull裴静王安国高顺,冷文Miniaturized Triple-Band Antenna With a Defected Ground Plane for WLAN/WiMAX Applications IEEE Antennas and Wireless Propagation Lettersnull 赵国煌王安国冷文陈彬陈华Wideband internal antenna with coupled feeding for 4G mobile phone Microwave and Optical Technology Lettersnull陈彬王安国赵国煌Design of a novel ultrawideband antenna with dual band-notchedcharacteristics Microwave and Optical technology lettersnull蔡晓涛王安国马宁冷文 A Novel Planar Parasitic Array Antenna with Reconfigurable Azimuth pattern IEEE Antennas and Wireless Propagation Lettersnull马宁王安国聂仲尔曲倩倩姬雨初Adaptive Mapping Generalized Space Shift Keying Modulation China Communicationsnull王安国蔡晓涛冷文带寄生贴片的圆盘形方向图可重构天线设计电波科学学报null 王安国陈彬冷文赵国煌一种小型化五频段可重构蝶形天线的设计电波科学学报null蔡晓涛王安国马宁冷文 Novel radiation pattern reconfigurable antenna with six beam choices The Journal of China Universities of Posts and Telecommunicationsnull 曲倩倩王安国聂仲尔郑剑锋 Block Mapping Spatial Modulation Scheme for MIMO Systems The Journal of China Universities of Posts and Telecommunicationsnull 王安国刘楠兰航方向图可重构宽带准八木天线的设计天津大学学报null李锵纵向课题经费课题名称基于稀疏核支持向量机的音乐自动分类系统关键技术研究2009-06-01--2010-06-01 负责人:李锵科技计划: 拨款单位:天津大学建筑设计研究院合同经费:3课题名称jg预研项目 2010-03-01--2010-12-01 负责人:李锵科技计划: 拨款单位:渤海石油运输有限责任公司合同经费:3课题名称超声波热治疗中非侵入式温度成像与弹性成像关键技术研究2015-01-01--2018-12-31 负责人:李锵科技计划:国家自然科学基金项目拨款单位: 国家自然科学基金委员会合同经费:85课题名称高等学校学科创新引智计划综合管理平台的设计与开发2010-04-01--2012-04-01 负责人:李锵科技计划: 拨款单位:苏州国芯科技有限公司合同经费:3横向课题经费课题名称微粒捕集器数据采集系统开发 2008-01-01--2008-06-01 负责人:李锵科技计划: 拨款单位:润英联新加坡私人有限公司合同经费:22.5课题名称电子系统可靠性增长建模与仿真 2006-12-01--2008-01-01 负责人:李锵科技计划: 拨款单位:中国人民解放军海军航空工程学院合同经费:5期刊、会议论文李锵,滕建辅,赵全明,李士心Wavelet domain Wiener filter and its application in signal denoising null张立毅,李锵,刘婷,滕建辅The research of the adaptive blind equalizer's steady residual error null徐星,李锵,关欣Chinese folk instruments classification via statistical features and sparse-based representation null张立毅,李锵,刘婷,滕建辅Study of improved constant modulus blind equalization algorithm null张立毅,孙云山,李锵,滕建辅Study on the fuzzy neural network classifier blind equalization algorithm null郭继昌,滕建辅,李锵Research of the gyro signal de-noising method based on stationary wavelets transform null肖志涛,于明,李锵,国澄明Symmetry phase congruency: Feature detector consistent with human visual system characteristics nullCai wei,李锵,关欣 Automatic singer identification based on auditory features. null 李锵,滕建辅,王昕,张雅绮,郭继昌Research of gyro signal de-noising with stationary wavelets transform null郭继昌,滕建辅,李锵,张雅绮The de-noising of gyro signals by bi-orthogonal wavelet transform nullLiu Tianlong,李锵,关欣Double boundary periodic extension DNA coding sequence detection algorithm combining base content null关欣,滕建辅,李锵,苏育挺Blind acoustic source separation combining time-delayed autocorrelation and 4TH-order cumulants null张立毅,李锵,滕建辅Kurtosis-driven variable step size blind equalization algorithm with constant module nullQin Lu,李锵,关欣Pitch Extraction for Musical Signals with Modified AMDF nullZhang Xueying,李锵,关欣 The Improved AMDF Gene Exon Prediction null李锵,Jian Dong,Ming-Guo Wang,滕建辅 Analysis and simulation of antenna protocol optimization for ad hoc networks nullFeng Yanyan,李锵,关欣Entropy of Teager Energy in Wavelet-domain Algorithm Applied in Note Onset Detection nullBao Hu, Li ShangSheng, 李锵,滕建辅Research on the technology of RFSS in large-scale universal missile ATE null张立毅,Haiqing Cheng,李锵,滕建辅 A research of forward neural network blind equalization algorithm based on momentum term null张立毅,李锵,滕建辅 A New Adaptive Variable Step-size Blind Equalization Algorithm Based on Forward Neural Network nullYutao Ma,李锵,Chao Li,Kun Li,滕建辅Design of active transimpedance band-pass filters with different Q values International Journal of Electronicsnull夏静静,李锵,刘浩澧,Wen-shiang Chen,Po-Hsiang Tsui An Approach for the Visualization of Temperature Distribution in Tissues According to Changes in Ultrasonic Backscattered Computational and Mathematical Methods in Medicinenull耿晓楠,李锵,崔博翔,王荞茵,刘浩澧超声温度影像与弹性成像监控组织射频消融南方医科大学学报null谭玲玲, 李锵, 李瑞杰, 滕建辅 Design of transimpedance low-pass filters InternationalJournal of Electronicsnull李锵,李秋颖,关欣基于听觉图像的音乐流派自动分类天津大学学报(自然科学与工程技术版)nullChong Zhou, Wei Pang, 李锵, Hongyu Yu, Xiaotang Hu, HaoZhang, Extracting the Electromechanical Coupling Constant of Piezoelectric Thin Film by the High-Tone Bulk Acoustic Resonator IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Controlnull 朱琳, 李锵, 刘开华基于ADS的声表面波单端对谐振器建模压电与声光null董丽梦, 李锵, 关欣基于稀疏表示分类器的音乐和弦识别系统研究计算机工程与应用null关欣,李锵,田洪伟基于差分全相位MFCC的音符起点自动检测计算机工程null 关欣,李锵,郭继昌,滕建辅二、四阶组合时延统计量多乐器盲分离计算机工程与应用null杨甲沛, 李锵, 刘郑, 袁晓琳基于自适应学习速率的改进型BP算法研究计算机工程与应用null李锵, 张法朝, 张瑞峰System design of DPF data recorder and data analysis null李锵, 袁晓琳, 杨甲沛Application of ant colony algorithm in the optimization of the time environmental conversion factor of the reliability models null张立毅,白煜,李锵,滕建辅复数系统中五二阶归一化积累盲均衡算法的研究通信学报null郭继昌,关欣,李锵,刘志杨红外图像预处理系统中模拟视频输出时序设计电子技术应用null关欣,滕建辅,李锵,苏育挺,Wang Shu-Yan Blind source separation combiningtime-delayed second and fourth order statistics 天津大学学报(自然科学与工程技术版)null 张立毅,李锵,滕建辅复数系统中三、二阶归一化累积量盲均衡算法的研究计算机工程与应用null张立毅,李锵,滕建辅经典盲均衡算法中稳态剩余误差的分析天津大学学报null 滕建辅,董健,李锵,关欣Design of maximally flat FIR filters based on explicit formulas combined with optimization 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2004-11-30(李锵,郭继昌), 无线通信与网络, 电子工业出版社 2004-06-30本文内容摘自《天津大学814通信原理考研红宝书》,更多考研资料可登陆网站下载!。

天津大学普通物理考研笔记复试真题考研真题考研经验

天津大学普通物理考研笔记复试真题考研真题考研经验

天津大学普通物理考研笔记复试真题考研真题考研经验考研是许多本科毕业生继续深造的重要途径之一。

对于物理专业的考生而言,天津大学是一个备受关注的研究生院校。

本文将通过分享天津大学普通物理考研笔记、复试真题以及考研经验,帮助广大考生更好地准备物理专业的考研。

一、天津大学普通物理考研笔记1. 公共课考点天津大学的普通物理考研公共课考点相对较全面,主要包括力学、电磁学、热学、光学、量子力学等内容。

在备考中,考生需要重点关注这些领域的基本概念和理论知识,并进行系统的复习和总结。

同时,还需要掌握一些基本的数学和计算方法,以应对计算题和解题思路。

2. 专业课考点天津大学普通物理考研专业课考点主要包括量子力学、统计物理学、固体物理学和核物理学等内容。

对于这些专业课考点,考生需要深入学习和理解相关的基本概念、理论模型和计算方法。

在备考过程中,可以参考相关教材、课堂笔记和习题集,加深对知识的理解和记忆。

二、天津大学普通物理考研复试真题天津大学的普通物理考研复试主要包括复试笔试和面试两个环节。

以下是一些过去几年天津大学物理专业的考研复试真题,供考生参考:1. 复试笔试(1) 简答题:请解释光的多普勒效应。

(2) 计算题:已知一个质点从某一高度自由下落,其自由落体运动方程为h = 1/2gt^2,其中h为高度,g为重力加速度,t为时间。

请计算该质点从高度h1自由下落到高度h2所需的时间。

2. 复试面试(1) 个人学术经历:请简要介绍你的本科学习情况、科研经历和发表论文等学术背景。

(2) 科研能力:你在本科期间是否参与过科研项目?请介绍你参与的科研项目,以及你在项目中承担的角色和取得的成果。

三、考研经验分享1. 提前规划考研是一项长期的备考过程,因此提前规划是十分重要的。

考生可以根据自己的实际情况,制定合理的备考计划,明确每个阶段的目标和任务。

2. 多维备考考研不仅仅是死记硬背知识点,更重要的是理解和应用。

在备考过程中,要注重理论与实践的结合,多做习题和真题,提高解题能力。

天津大学考研参考书目

天津大学考研参考书目
生物化学(第三版,上下册)
王镜岩,朱圣庚等
高教出版社
2003
生物化学》(普通高等教育"十一五"规划教材)
董晓燕
高教出版社
2009
828
制药工艺学
制药工艺学讲义
元英进
制药工艺学(普通高等教育“十一五”国家级规划教材)
元英进
化学工业出版社
2007
化学制药工艺学
赵临襄
中国医药科技大学出版社
718
有机化学
有机化学(第四版)
建筑设计资料集(第二版)
中国建筑工业出版社编辑出版
现行建筑设计规范大全
中国建筑工业出版社编辑出版
342
建筑学基础
中国建筑史
中国建筑工业出版社
中国古代建筑史
刘敦桢
中国建筑工业出版社
华夏意匠
李允鉌
中国建筑工业出版社
外国建筑史(十九世纪末以前)
中国建筑工业出版社
外国近现代建筑史
中国建筑工业出版社
城市规划原理
叶继元
电子工业出版社
2003
842
经济法学与商法学
经济法(第三版)
面向21世纪法学教材系列教材
北京大学出版社、高等教育出版社
1999
商法(第三版)
面向21世纪法学教材系列教材
北京大学出版社、高等教育出版社
2002修订版
714
生物化学基础
生物化学(上下册)(第三版)
王镜岩
高等教育出版社
普通生物化学(第三版)
2005
245
二外俄语
俄语速修课本
徐友擎等
高等教育出版社
1991
833
应用经济学

电介质物理天津大学微电子考研资料

电介质物理天津大学微电子考研资料

极性分子转向极化率
ε ε
−1 +2
=
1
3ε 0N (αe+源自µ2 03kT
)
饱和现象:这种现象出现在分于电场Ei很
强的情况下。在“饱和”状态下,即使增大 Ei,由于极性分子已全部沿电场方向定向, 故偶极矩在电场方向保持为一常数,而不会
有多大改变
转向极化由于受到分子热运动的无序化作用,电 场的有序作用以及极性分子间的长程作用,使得这种 极化的建立需要较长的时间,约为10-6—10-2秒。 甚至更长。
• 6. 当离子晶体受到电场作用时,总的介电常 数是由两部分极化,即_______与______贡 献的。
• 气体;液体;液体;非极性液体;稀释溶液
• 电子位移极化;离子位移极化
• 根据克劳修斯方程的表达式,简述提高 介质介电常数的主要途径。(10分)
• 提高介电常数的途径主要有:(1)提 高N值,即提高电介质的密度或选用密 度较大的电介质材料;(2)选取由分 子极化率大的质粒所组成的电介质; (3)选取或研制介质内部具有大的有 效电场的介质材料。
③选取或研制介质内部具有大的有效电场Ei的介质材料。 金红石(TiO2)和钙钛矿型离子晶体具有高的介电常数值, 就是因为它们的组成质粒Ti4+和O2-具有高的极化率α, 同时还具有大的内电场Ei。
五、有效电场的计算 •洛仑兹模型
式中: E 为外加宏观电场强度; E1 为球外连续介质在球心O点产生的电场强度; E2为球内除被考察分子以外的其它分子的偶极矩
•在恒定电场中,任何电介质都要发生电子位移极 化,而不管其物质组成如何。
离子极化率:
正负离子对的固有谐振频率用实验方法求取K值
根据离子间相互作用能量推求K值

天津市考研物理复习资料电磁学常用公式速查

天津市考研物理复习资料电磁学常用公式速查

天津市考研物理复习资料电磁学常用公式速查电磁学是物理学中的重要分支,研究电荷与电荷之间的相互作用以及电场和磁场的性质。

在考研物理中,电磁学的内容占据了相当大的比重。

为了帮助考生更好地复习电磁学知识,以下是一些常用的电磁学公式速查表。

一、电场公式1.库仑定律:$F = \dfrac{1}{4\pi\epsilon_0}\dfrac{q_1q_2}{r^2}$其中,$F$表示电荷间的作用力,$q_1$和$q_2$分别表示两个电荷的大小,$r$表示两个电荷之间的距离。

2.电场强度:$E = \dfrac{F}{q}$其中,$E$表示电场强度,$F$表示电荷所受的力,$q$表示电荷的量。

3.电势能:$U = \dfrac{1}{4\pi\epsilon_0}\dfrac{q_1q_2}{r}$其中,$U$表示电势能,$q_1$和$q_2$表示两个电荷的大小,$r$表示两个电荷之间的距离。

4.电势差:$\Delta V = \dfrac{W}{q}$其中,$\Delta V$表示电势差,$W$表示电场力对电荷所做的功,$q$表示电荷的量。

二、磁场公式1.洛伦兹力:$F = q(\mathbf{v}\times\mathbf{B})$其中,$F$表示洛伦兹力,$q$表示电荷的量,$\mathbf{v}$表示电荷的速度,$\mathbf{B}$表示磁场的磁感应强度。

2.洛伦兹力在磁场中做功:$W =q(\mathbf{v}\times\mathbf{B})\cdot\Delta\mathbf{l}$其中,$W$表示洛伦兹力在磁场中所做的功,$q$表示电荷的量,$\mathbf{v}$表示电荷的速度,$\mathbf{B}$表示磁场的磁感应强度,$\Delta\mathbf{l}$表示电荷在磁场中的位移。

3.磁感应强度与磁场的关系:$\mathbf{B} = \mu_0\mu_r\mathbf{H}$其中,$\mathbf{B}$表示磁感应强度,$\mu_0$表示真空中的磁导率,$\mu_r$表示磁性材料的相对磁导率,$\mathbf{H}$表示磁场强度。

天津大学微电子学与固体电子学考研辅导及参考真题【2020考研】

天津大学微电子学与固体电子学考研辅导及参考真题【2020考研】

天津大学微电子学与固体电子学考研辅导及参考真题天津大学微电子学与固体电子学考研的初试科目是:①101 思想政治理论;②201 英语一或 202 俄语或 203 日语;③301 数学一;④813 半导体物理或电介质物理。

政治是最先开始的,一轮中,重点学习马克思主义基本原理和中国特色社会主义理论体系概论,因为这两门课比较难,马原的原理需要理解,毛中特的一些了理论理解起来难度也比较大,马原重点理解唯物论、辩证法、认识论,以及政治经济学中一些基本的概念;毛中特重点了解前八章,形成系统的知识框架。

二轮复习,要把考研政治的这五本书都系统地复习一遍。

并配合行相关的习题,我推荐肖秀荣的《1000题》。

三轮复习中,按照新大纲的要求把政治课学习一遍,特别注意新增考点,新增考点一般都是当年出题的重点,开始做的真题。

英语的复习主要重在基础,保证自己每天复习前一天的单词,具体数量有自己的记忆力决定,但一定要养成习惯,反复看,反复记忆,知道这个单词印在脑海里。

其次是英语阅读,长难句就是一个坑,要熟悉掌握句子的结构,一定要每天练一套卷子的阅读,其实阅读也是有解题规律的,自己发现不了就可以选择看一些视频或看个课程,不一定能提高多少,但是对后边的训练有着莫大的帮助。

数学,需要培养全面的思维能力,课时这能力需要在思考、独立思考课本、习题中慢慢培养和提升。

数学不止要看懂课本中的例题,后边的习题也要进行练习。

数学最忌讳眼高手低,这样会忽略很多细节,例如证明题,就需要严谨的证明过程,缺一不可。

一轮复习完后,就可以买一本资料进行刷题强化了,辅导书讲究“进的来,出的去”,即既要掌握辅导书的内容,也要做的5-20套模拟题,这样,数学考个高分还是可以的。

813半导体物理或电介质物理考研参考书有:1.《半导体物理学》,第七版 刘恩科,朱秉升、罗晋生编著,电子工业出版社;2.《半导体物理与器件》(第四版),赵毅强、姚素英等译,电子工业出版社;3.《晶体管原理与设计》,陈星弼 张庆中等 电子工业出版社;4.《电介质物理导论》,李翰如,成都科技大学出版社;5.《电介质物理基础》,孙目珍,华南理工大学出版社;6.《电介质物理》,张良莹、姚熹,西安交通大学出版社 考研备考不及高考备考,没有人去督促你,在专业课一轮复习的中,由于不清楚重难点及常考点,做笔记查不到就和抄书差不多,浪费了本多的时间,这里推荐天津考研网主编的复习资料《天津大学813半导体物理考研复习全套资料【真题笔记-学长版】》,资料中的核心原创可以很准确的抓住重点,对复习有很大的辅导作用。

天津市考研物理学复习资料电磁学重要公式推导与题型训练

天津市考研物理学复习资料电磁学重要公式推导与题型训练

天津市考研物理学复习资料电磁学重要公式推导与题型训练天津市考研物理学复习资料:电磁学重要公式推导与题型训练导语:物理学是考研复习中的一门重要科目,其中电磁学作为物理学的重要组成部分,是考生们需要重点复习和掌握的内容之一。

本篇文章将为大家提供天津市考研物理学复习资料:电磁学重要公式的推导与题型训练,希望对考生们有所帮助。

一、电磁学重要公式推导1. 库仑定律(电场与电荷之间的力关系)库仑定律可以用如下公式表示:\[ F = k\frac{{q_{1}q_{2}}}{{r^{2}}} \]其中,F为电荷之间的力,q1和q2分别为两个电荷的电量,r为两个电荷之间的距离。

k为库仑常数,由电介质的性质决定。

2. 安培环路定理(电流与磁场之间的力关系)安培环路定理可以用如下公式表示:\[ B = \mu_{0} \left( \frac{{I}}{2r}\right) \]其中,B为电流所产生的磁场强度,I为电流的大小,r为距离电流的位置。

3. 麦克斯韦方程组(电磁场的变化规律)麦克斯韦方程组由四个方程组成,分别是:(1)高斯定律:\[ \int \int \int \nabla \cdot E dV = \frac{1}{\varepsilon_{0}} \int \int \int \rho dV \](2)法拉第电磁感应定律:\[ \oint E \cdot dl = - \frac{d}{dt}\int \int B \cdot dA \](3)法拉第电磁感应定律的积分形式:\[ \int \int B \cdot dA = \mu_{0} \int \int \int J \cdot dV \](4)安培环路定律的积分形式:\[ \oint B \cdot dl = \mu_{0} \int \int \int J \cdot dA \]其中,E为电场强度,B为磁感应强度,ρ为电荷密度,J为电流密度,ε0为真空中的介电常数,μ0为真空中的磁导率。

天津市考研物理学复习资料力学与电磁学重点公式及题型解析

天津市考研物理学复习资料力学与电磁学重点公式及题型解析

天津市考研物理学复习资料力学与电磁学重点公式及题型解析一、力学重点公式力学是物理学的基础,是考研物理学中必不可少的一部分。

下面是天津市考研物理学中力学部分的重点公式。

1. 加速度公式:a = (v - u) / t这是物体在匀变速直线运动中的加速度公式,其中a表示加速度,v表示末速度,u表示初速度,t表示时间。

2. 动能公式:E = 1/2 mv²这是动能公式,其中E表示物体的动能,m表示物体的质量,v表示物体的速度。

3. 动量公式:p = mv这是物体的动量公式,其中p表示物体的动量,m表示物体的质量,v表示物体的速度。

4. 牛顿第二定律:F = ma这是牛顿第二定律,其中F表示力的大小,m表示物体的质量,a表示物体的加速度。

5. 万有引力定律:F = G (m₁m₂ / r²)这是描述物体间引力的公式,其中F表示引力的大小,G表示万有引力常量,m₁和m₂表示两个物体的质量,r表示两个物体之间的距离。

以上是天津市考研物理学力学部分的重点公式。

在复习过程中,应该熟练掌握并灵活运用这些公式。

二、力学题型解析力学题目通常包括直线运动、牛顿定律、动量和能量守恒等方面的内容。

下面我们来对这些题型进行解析。

1. 直线运动题型直线运动题目是力学中最基础的题型。

在此类题目中,通常给出物体的初速度、加速度和时间等已知条件,要求求解物体的位移、末速度或者加速度等未知量。

解题时应根据题目所给条件,运用加速度公式或其他相关公式进行计算。

2. 牛顿定律题型牛顿定律是力学中最重要的定律之一。

在此类题目中,通常给出物体的质量、受力情况和加速度等已知条件,要求求解物体所受的合力、摩擦力或者已知受力下的加速度等未知量。

解题时应根据牛顿定律和相应的公式进行计算。

3. 动量题型动量守恒是力学中的重要概念。

在此类题目中,通常给出物体的质量、速度和碰撞情况等已知条件,要求求解碰撞后物体的速度、质量或动量等未知量。

解题时应根据动量守恒定律和碰撞公式进行计算。

天津市考研物理学复习资料力学与电磁学重点知识点解析

天津市考研物理学复习资料力学与电磁学重点知识点解析

天津市考研物理学复习资料力学与电磁学重点知识点解析一、力学重点知识点解析力学作为物理学的一个重要分支,是考研物理学的核心内容之一。

下面,将针对天津市考研物理学的力学知识点进行详细解析。

1. 牛顿力学牛顿力学是力学的基础理论,主要包括质点力学和刚体力学两大部分。

其中,质点力学研究单个质点在空间中的运动规律,刚体力学研究刚体的平动和转动规律。

2. 动力学动力学是力学的核心内容之一,主要研究物体在受力作用下的运动规律。

其中,运动学研究物体的速度和加速度,力学研究物体受力作用下的位移、速度和加速度之间的关系。

3. 力的合成和分解力的合成是指多个力对一个物体产生的合力,合力的大小和方向可以通过力的矢量相加得到。

力的分解是指一个力可以分解为垂直于某一方向的两个力,称之为分力,分力的大小可以通过力的三角法得到。

4. 静力学静力学是研究物体处于静止状态下的力学规律。

主要包括力的平衡、力矩和杠杆原理等内容。

力的平衡是指物体所受的合力和合力矩均为零,物体处于静止状态。

力矩是力对物体产生转动效应的量度,可以通过力矩的定义和计算公式进行计算。

二、电磁学重点知识点解析电磁学作为物理学的重要分支之一,也是考研物理学的重点内容。

下面,将针对天津市考研物理学的电磁学知识点进行详细解析。

1. 静电学静电学是研究静止电荷和电场的学科。

主要包括库仑定律、电场的产生和性质、高斯定律、电势和电介质等内容。

库仑定律描述了电荷之间的相互作用力,电场是电荷周围的物理量,通过电场的定义和计算公式可以计算电场的强度。

2. 恒定磁场与电磁感应恒定磁场是指磁场的强度和方向在空间和时间上保持不变。

主要包括洛伦兹力和磁感应定律等内容。

洛伦兹力是电荷在磁场中受到的力,磁感应定律描述了磁感应强度与电流强度和磁场强度之间的关系。

3. 电磁感应和交变电流电磁感应是指磁场的变化引起电场的产生,电场的变化引起磁场的产生。

主要包括法拉第电磁感应定律和自感定律等内容。

法拉第电磁感应定律描述了磁场变化所感应的电动势和电流强度之间的关系。

天津市考研电子科学与技术复习资料半导体物理与电子器件知识点

天津市考研电子科学与技术复习资料半导体物理与电子器件知识点

天津市考研电子科学与技术复习资料半导体物理与电子器件知识点天津市考研电子科学与技术复习资料:半导体物理与电子器件知识点一、半导体物理基础知识半导体物理是电子科学与技术的核心领域之一,它研究的核心对象是半导体材料及其中的电子行为。

在考研电子科学与技术复习中,掌握半导体物理基础知识是非常重要的。

下面将介绍一些常见的半导体物理知识点。

1. 半导体材料的基本特性半导体材料是介于导体与绝缘体之间的一类物质,具有一些独特的特性。

首先是温度特性,半导体材料的电导率和电子迁移率与温度呈反比关系。

其次是掺杂特性,掺杂是指在半导体晶格中加入少量的杂质,通过掺杂可以调节半导体的导电性能。

还有光电效应特性、禁带宽度特性等。

2. 能带理论能带理论是研究固体材料中电子结构的基本理论,通过能带结构可以解释材料的导电性和光电特性。

半导体材料的能带结构决定了其导电行为。

一般来说,能带分为价带和导带,能带之间的能量差称为禁带宽度。

3. PN 结与二极管PN 结是半导体器件中最基础也是最重要的一种结构,由P型半导体和N型半导体结合而成。

当PN 结正向偏置时,电流可以流过,形成二极管的导通态;当PN 结反向偏置时,电流几乎无法通过,形成二极管的截止态。

二极管具有整流和稳压等特性,广泛应用于电子器件中。

二、半导体器件知识点除了掌握半导体物理的基础知识外,熟悉常见的半导体器件也是进行考研电子科学与技术复习的必备知识。

下面将介绍一些常见的半导体器件知识点。

1. 晶体管晶体管是一种基于半导体材料的三端器件,根据不同的控制方式可以分为BJT(双极型晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)两大类。

晶体管具有放大电流和开关电路的功能,是现代电子技术领域中最重要的器件之一。

2. MOS管MOS管是一种基于金属-氧化物-半导体结构的器件,广泛应用于数字电路和模拟电路中。

MOS管根据不同的工作模式可以分为增强型MOS(NMOS)和耗尽型MOS(PMOS)。

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二、0εr, ε0为真空介电常数, εr为电介质的相对介电常数
ε0=1/36π×109≈8.85×10-12法拉/米; ※介电常数ε是综合反映电介质极化行为的宏观 物理量。 ※电介质在电场作用下的极化能力愈强,其介电 常数ε值则愈大. ※在相同尺寸的电极系统中,用ε大的电介质组 成电容器的电容量亦愈大。
第一章
小结
一、复习静电学公式:1。库仑定律 2。电场强度 3。电势 4。高斯定理 无介质时的高斯定理: 有介质的高斯定理:
1 ∫ E • dS = Q0
∫ D • dS = Q
s
s
ε
0
穿过任一闭合曲面的D的通量, 在数值上等 于闭合曲面内包围的自由电荷数。
无限大均匀带电平面的电场
两个平行极板的电场 极板外:E=0 极板间: E=σ0/ε0
空间电荷极化
刚加上电场时,两层介质中的电场强度是按照介 电常数分布的,成反比
稳态(stable state)时:
※两层介质中的电场强度是按照电导率分布的,成反比。 ※电导率小的介质层内的电场强度将大于电导率大的介质 层内的电场强度

1.介质极化后表面出现______,形成了所谓 ________,方向与外电场 _______,从___的 束缚电荷指向_____的束缚电荷。 束缚电荷;退极化电场;相反;负电荷;正 电荷。
实际作用在分子上的电场,并不就是平均宏观电场E, 有效分子电场或称局部电场(local electric field),Ei。
每单位电场强度的分子偶极矩,称为 极化率(polarizability)
克劳修斯方程
①提高N值,即提高电介质的密度或选用密度较大 的电介质材料 ②选取由分子极化率α大的质粒所组成的电介质



2._________是综合反映电介质极化行 为的宏观物理量。电介质在电场作用 下的___________愈强,其介电常数则 _______。制备大容量、小体积的电容 器要求电介质满足_______、 _________。 介电常数;极化能力;越大;介电常 数高;厚度小
• •
• •
3.极化率的物理含义是___________的 _______________。 4.在洛仑兹模型中,莫索缔假设认为 对__________、___________以及 _______来说, E2=0。 每单位电场强度;分子偶极矩 气体介质、非极性液体、具有立方点 阵结构的离子晶体
µ ε −1 1 = ) N (α e + ε + 2 3ε 0 3kT
2 0
3. 离子晶体介质
六、 极性液体介质的有效电场
翁萨格模型概说
空腔电场、反作用电场
成功地解决了极性液体介质极化电场 的计算问题
七、各种极化形式的极化率
电子极化率:αe =4πε0r3 •电子极化的建立时间极短,约10-14~10-15秒, 这就决定了电子极化几乎是瞬时完成的,不产生 能量损耗,同时电子极化率αe与温度是无关的, 因为温度变化不会影响原子或离子的半径。 •在恒定电场中,任何电介质都要发生电子位移极 化,而不管其物质组成如何。
热离子极化(离子松驰极化)
特点:与其他极化的区别
建立时间较长,也属于慢极化类型。因此,在电场频 率较快的情况下,极化会有滞后现象发生,从这个意 义讲,热离子极化常被称之为松弛极化 离子松弛极化建立的时间约为10-2—10-6秒,当电场 频率为无线电频率(例如f=109赫)时,这种极化就来不及建 立。介电常数随频率的升高而减小。随温度的变化,ε可 能出现峰值
离子极化率:
正负离子对的固有谐振频率用实验方法求取K值
根据离子间相互作用能量推求K值
离子位移极化建立所需时间与离子晶格振动的周期具有相同 的数量级,为10-12~10-13秒,比电子位移极化的速度慢2~3 个数量级,但同电子位移极化一样,同属于快极化,在极化过程 中不伴随有能量的损耗。
极性分子转向极化率
•三、极化过程
•四、介质极化的强弱描述
偶极矩定义为: 方向规定为由负电荷指向正电荷
极化强度: 每单位体积的偶极矩
平行板电容器电荷面密度
五、四种最基本的极化单元模型
(a)电子位移极化 (b)离子位移极化 (c)转向极化 (d)空间电荷极化 不管在实际上发生何种极化,其结果都 可归结为介质中偶极子的形成
E2=0
低气压的气体介质、非极性液体介质 具有立方点阵结构的离子晶体
克劳修斯一莫索缔方程
该方程将表征极化特性的宏观参数—介电常 数ε与微观参数—分子极化率α联系了起来,同时 提供了计算介电性能参数的方法。
克—莫方程的具体应用: 1. 非极性介质
介电常数的温度系数
2. 极性气体介质及极性液体在非极性液体中的稀释溶液
• 根据克劳修斯方程的表达式,简述提高 介质介电常数的主要途径。(10分) • 提高介电常数的途径主要有:(1)提 高N值,即提高电介质的密度或选用密 度较大的电介质材料;(2)选取由分 子极化率大的质粒所组成的电介质; (3)选取或研制介质内部具有大的有 效电场的介质材料。
µ ε −1 1 = ) N (α e + ε + 2 3ε 0 3kT
2 0
饱和现象:这种现象出现在分于电场Ei很
强的情况下。在“饱和”状态下,即使增大 Ei,由于极性分子已全部沿电场方向定向, 故偶极矩在电场方向保持为一常数,而不会 有多大改变
转向极化由于受到分子热运动的无序化作用,电 场的有序作用以及极性分子间的长程作用,使得这种 极化的建立需要较长的时间,约为10-6—10-2秒。 甚至更长。 属于慢极化形式,极化过程伴随有能量的损耗。


• •
5.克—莫方程适用于极性____,不适用于极 性_____,但对极性_____在_____中的 ______却是适用的。 6. 当离子晶体受到电场作用时,总的介电常 数是由两部分极化,即_______与______贡 献的。 气体;液体;液体;非极性液体;稀释溶液 电子位移极化;离子位移极化
③选取或研制介质内部具有大的有效电场Ei的介质材料。 金红石(TiO2)和钙钛矿型离子晶体具有高的介电常数值, 就是因为它们的组成质粒Ti4+和O2-具有高的极化率α, 同时还具有大的内电场Ei。
五、有效电场的计算 •洛仑兹模型
式中: E 为外加宏观电场强度; E1 为球外连续介质在球心O点产生的电场强度; E2为球内除被考察分子以外的其它分子的偶极矩 在球心O点产生的电场强度。
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