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KBPC2506中文资料

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RATING AND CHARACTERISTIC CURVES KBPC2500/BR250 SERIES
PEAK FORWARD SURGE CURRENT, AMPERES
FIG 1 : MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE CURRENT PER ELEMENT
30
25 Resistive or
Inductive
20
Load
10
20 40 60 80 100 120 140 CASE TEMPERATURE °C
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT, AMPERES
FIG 3 : TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS PER ELEMENT
(see Fig 3) VF
1.2
V
Maximum Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage per Elemen
IR
10.0
µA
1.0
mA
RMS Isolation Voltage from Case to Terminals
500 TJ = 125°C
100
10
1.0
0.1 TJ = 25°C
.01 0
20 40 60 80 100 120 140
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE
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VRRM
50
100
200
400
600

整流桥堆的分类和型号大全

整流桥堆的分类和型号大全作者：东方的太阳桥式整流器按其工作电压不同、工作电流不同以及封装形式的不同分为很多种。

桥式整流器品种多，性能优良，整流效率高，稳定性好，最大整流电流从0.5A到50A，最高反向峰值电压从50V到1000V。

整流桥堆按其封装形式分类：贴片系列、板桥系列、圆桥系列、扁桥系列、方桥系列。

1.贴片系列：MB2S、MB4S、MB6S、MB8S、MB10S。

DB101S、DB102S、DB103S、DB104S、DB105S、DB106S、DB107S。

DB151S、DB152S、DB153S、DB154S、DB155S、DB156S、DB157S。

2.板桥系列：DB101、DB102、DB103、DB104、DB105、DB106、DB107。

DB151、DB152、DB153、DB154、DB155、DB156、DB157。

3.圆桥系列：W005、W01、W02、W04、W06、W08、W10. 2W005、2W01、2W02、2W04、2W06、2W08、2W10。

4.扁桥2A：RS201、RS202、RS203、RS204、RS205、RS206、RS207。

KBP2005、KBP201、KBP202、KBP204、KBP206、KBP208、KBP210。

扁桥GBP2A：GBP2005、GBP201、GBP202、GBP204、GBP206、GBP208、GBP210。

扁桥KBL4A：KBL4005、KBL401、KBL402、KBL404、KBL406、KBL408、KBL410。

扁桥GBL4A：GBL4005、GBL401、GBL402、GBL404、GBL406、GBL408、GBL410。

扁桥GBJ系列（4A-35A）GBJ4005、GBJ401、GBJ402、GBJ404、GBJ406、GBJ408、GBJ410。

GBJ6005、GBJ601、GBJ602、GBJ604、GBJ606、GBJ608、GBJ610。

KBPC1016P中文资料

KBPC10P SERIES10A SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIERRecognized Mechanical Data Case: Molded Plastic with Heatsink, Available in Both Low Profile and Standard Case! Terminals: Plated Faston Lugs or Wire Leads,Add “W” Suffix to Indicate Wire Leads ! Polarity: As Marked on Case! Mounting: Through Hole with #10 Screw ! Mounting Torque: 23 cm-kg (20 in-lbs) Max.! Weight: 21 grams (KBPC-P); 18 grams (KBPC-PW)! Marking: Type Number!Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4Maximum Ratings and Electrical Characteristics @T A =25°C unless otherwise specifiedSingle Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.KBPC10CharacteristicSymbol 00P 01P 02P 04P 06P 08P 10P12P14P16PUnitPeak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V RRM V RWM V R 501002004006008001000120014001600V RMS Reverse VoltageV R(RMS)35701402804205607008409801120V Average Rectified Output Current @T A = 50°C I O 10A Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method)I FSM 200A Forward Voltage per leg @I F = 5.0A V FM 1.1V Peak Reverse Current @T C = 25°C At Rated DC Blocking Voltage @T C = 125°C I RM 10500µA I 2t Rating for Fusing (t < 8.3ms)I 2t 166A 2s Typical Junction Capacitance (Note 1)C j 200pF Typical Thermal Resistance per leg (Note 2)R JC 3.0°C/W RMS Isolation Voltage from Case to Leads V ISO 2500V Operating and Storage Temperature RangeT j , T STG-65 to +150°CNote: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.2. Thermal resistance junction to case, mounted on heatsink.WTEKBPC-P Low Profile / Standard KBPC-PWLow Profile / Standard Dim Min Max Min Max A 28.4028.7028.4028.70B 7.50 / 10.978.50 / 11.237.50 / 10.978.50 / 11.23C 15.7016.7017.1019.10D 17.5018.5010.9011.90E 22.50 / 22.8623.50 / 25.4030.50—G Hole for #10 screw, 5.08Ø Nominal H6.35 Typical 0.97Ø 1.07ØAll Dimension in mmKBPC-PKBPC-PW0.010.11.0101000.40.81.01.6 1.80.60.21.2 1.4I ,I N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T (A )F V ,INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)Fig.2Typical Forward Characteristics (per element)F100200300400110100I ,P E A K F W D .S U R G E C U R R E N T (A )F S M NUMBER OF CYCLES AT 60Hz Fig.3Max Non-Repetitive Surge Current1010010000.11.010100C ,C A P A C I T A N C E (p F )j V ,REVERSE VOLTAGE (V)Fig.4Typical JunctionCapacitance (per element)R0.11.01010040206080100120140I ,I N S T A N T A N E O U S R E V E R S E C U R R E N T ( A )R PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)Fig.5Typical Reverse Characteristics (perelement)51015200255075100125150I ,A V E R A G E F O R W A R D C U R R E N T (A )F T ,AMBIENT TEMPERATURE ( C)Fig.1Forward.Current Derating Curve AMARKING INFORMATIONKBPC10xxPWManufacturer’s= Device Number= 00, 01, 02, 04, 06, 08, 10, 12, 14 or 16= As Marked on BodyORDERING INFORMATIONProduct No.Package TypeShipping QuantityKBPC1000P Square Bridge 50 Units/Box KBPC1000PW Square Bridge 50 Units/Box KBPC1001P Square Bridge 50 Units/Box KBPC1001PW Square Bridge 50 Units/Box KBPC1002P Square Bridge 50 Units/Box KBPC1002PW Square Bridge 50 Units/Box KBPC1004P Square Bridge 50 Units/Box KBPC1004PW Square Bridge 50 Units/Box KBPC1006P Square Bridge 50 Units/Box KBPC1006PW Square Bridge 50 Units/Box KBPC1008P Square Bridge 50 Units/Box KBPC1008PW Square Bridge 50 Units/Box KBPC1010P Square Bridge 50 Units/Box KBPC1010PW Square Bridge 50 Units/Box KBPC1012P Square Bridge 50 Units/Box KBPC1012PW Square Bridge 50 Units/Box KBPC1014P Square Bridge 50 Units/Box KBPC1014PW Square Bridge 50 Units/Box KBPC1016P Square Bridge 50 Units/Box KBPC1016PWSquare Bridge50 Units/Box1. Shipping quantity given is for minimum packing quantity only. For minimum order quantity, please consult the Sales Department.2.To order Lead Free version (with Lead Free finish), add “-LF” suffix to part number above. For example, KBPC1000P-LF.Won-Top Electronics Co., Ltd (WTE) has checked all information carefully and believes it to be correct and accurate. However, WTE cannot assume any responsibility for inaccuracies. Furthermore, this information does not give the purchaser of semiconductor devices any license under patent rights to manufacturer. WTE reserves the right to change any or all information herein without further notice.WARNING : DO NOT USE IN LIFE SUPPORT EQUIPMENT. WTE power semiconductor products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without the express written approval.We power your everyday.Won-Top Electronics Co., Ltd.No. 44 Yu Kang North 3rd Road, Chine Chen Dist., Kaohsiung, Taiwan Phone: 886-7-822-5408 or 886-7-822-5410Fax: 886-7-822-5417Email: sales@Internet: 。

KBPC2502-MB252中文资料

CHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD.１KBPC25005/MB2505 THRU KBPC2510/MB2510SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIERVOLTAGE ：50-1000V CURRENT ：25.0AFEATURES·Metal case for Maximum Heat Dissipation ·Surge overload ratings-400 Amperes ·Low forward voltage dropMECHANICAL DATA·Case : Metal shell with plastic encapsulation ·Epoxy : UL 94V-0 rate flame retardant·Terminals : Plated .25”(6.35mm) Faston lugs, Solderable per MIL-STD-202E, Method 208 guaranteed·Polarity : As marked·Mounting: Thru hole for 8# screw ·Weight : 30 gramsMAXIMUM RATINGS AND ELECTRONICAL CHARACTERISTICSRatings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.KBPC 25005 KBPC 2501 KBPC 2502 KBPC 2504 KBPC 2506 KBPC 2508 KBPC 2510SYMBOL MB2505 MB251 MB252 MB254 MB256 MB258 MB2510unitsMaximum Recurrent Peak Reverse Voltage V RRM 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum RMS Bridge Input Voltage V RMS 35 70 140 280 420 560 700V Maximum DC Blocking VoltageV DC 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum Average Forward rectified Output Current at T C =55°CI o 25.0 A Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rate load (JEDEC method)I FSM 400 A Maximum Forward Voltage Drop per element at 12.5A DCV F 1.1 V @ T A=25°C10 Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltageper element@ T A =100°C I R 500 µA I 2t Rating for Fusing (t<8.3ms)I 2t 374 A 2S Typical Junction Capacitance (Note 1) C J 300 pFTypical Thermal Resistance (Note 2)R θJA2.5°C/WNotes: 1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts2.T hermal Resistance from Junction to Ambient and from junction to lead mounted on P.B.C. with 0.47×0.47”(12×12mm) copper padsPDF 文件使用 "pdfFactory Pro" 试用版本创建元器件交易网。

KBPC6010中文资料

KBPC600 – KBPC6106.0A BRIDGE RECTIFIERSingle Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.For capacitive load, derate current by 20%.CharacteristicSymbol KBPC 600KPBC 601KBPC 602KBPC 604KBPC 606KBPC 608KBPC 610UnitPeak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V RRMV RWM V R 501002004006008001000V RMS Reverse VoltageV R(RMS)3570140280420560700V Average Rectified Output Current (Note 1) @T C = 50°C I O 6.0A Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method)I FSM 125A Forward Voltage (per element) @I F = 3.0A V FM 1.1V Peak Reverse Current @T C = 25°C At Rated DC Blocking Voltage @T C = 100°C I R 101.0µA mA I 2t Rating for Fusing (t<8.3ms) (Note 2)I 2t 64A 2s Typical Junction Capacitance (Note 3)C j 55pF Typical Thermal Resistance (Note 4)R JC 12.5K/W Operating and Storage Temperature RangeT j , T STG-65 to +125°CNote: 1. Mounted on metal chassis.2. Non-repetitive, for t > 1ms and < 8.3ms.3. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of4.0V D.C.4. Thermal resistance junction to case per element.W T EWER SEMICONDUCTORS0.010.11.0101000.60.81.01.21.41.61.82.0I ,I N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T (A )F V ,INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)Fig.2Typical Forward Characteristics , per elementF 0255075100125110100I ,P E A K F W D S U R G E C U R R E N T (A )F S M NUMBER OF CYCLES AT 60Hz Fig.3Peak Forward SurgeCurrent0246810050100150I ,A V G F W D O U T P U T C U R R E N T (A )(A V )T ,CASE TEMPERATURE (C)Fig.1Forward Current Derating CurveC °0.010.11.01020406080100120140PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)Fig.4Typical Reverse CharacteristicsI ,I N S T A N T A N E O U S R E V E R S E C U R R E N T (µA )RORDERING INFORMATIONProduct No.Package TypeShipping QuantityKBPC600Square Bridge 200 Units/Box KBPC601Square Bridge 200 Units/Box KBPC602Square Bridge 200 Units/Box KBPC604Square Bridge 200 Units/Box KBPC606Square Bridge 200 Units/Box KBPC608Square Bridge 200 Units/Box KBPC610Square Bridge200 Units/BoxShipping quantity given is for minimum packing quantity only. For minimum orderquantity, please consult the Sales Department.Won-Top Electronics Co., Ltd (WTE) has checked all information carefully and believes it to be correct and accurate. However, WTE cannot assume any responsibility for inaccuracies. Furthermore, this information does not give the purchaser of semiconductor devices any license under patent rights to manufacturer. WTE reserves the right to change any or all information herein without further notice.WARNING : DO NOT USE IN LIFE SUPPORT EQUIPMENT. WTE power semiconductor products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without the express written approval.We power your everyday.Won-Top Electronics Co., Ltd.No. 44 Yu Kang North 3rd Road, Chine Chen Dist., Kaohsiung, Taiwan Phone: 886-7-822-5408 or 886-7-822-5410Fax: 886-7-822-5417Email: sales@Internet: 。

可控硅整流器

可控硅整流器
——台兴智能电源制作
可控硅整流器:是一种以晶闸管(电力电子功率器件)为基础，以智能数字控制电路为核心的电源功率控制电器。具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等诸多优点。
台兴可控硅整流器特点：
1、科学的冷却方式。冷却方式分为自冷户外式、风冷、水冷、油浸水冷等可按工艺要求选择。 2、多重保护措施。三相集成触发控制板采用日本技术，具有多重保护措施，是一切新颖高效抗干扰强冲触发电路，性能非常先进；设备设有过电压、欠压、过电流、水压降低、元件温度过高、缺相等保护环节及相应故障报警的功能。 3、设计新颖，外形美观。产品柜体可采用电脑标准化设计，箱体整体密封设计，结构上采取了防盐雾酸化的措施，局部采取塑料件结构，既防腐又美观，同时又基本上克服了大电流磁场涡流发热的影响，而且设备的损耗小，效率高。
4、远程控制。可实现远控箱远程控制和中安集中控制，根据用户的要求采用PLC可编程控制器实现继电操作、保护工艺过程的自动化。 5、功能多样化。具有自动计时功能，可以更好的实现列镀层厚度、硬度、耐磨性等质量上的控制，可根据用户的工艺要求增加不同的功能；具有软启功能，止启动时的瞬间电流对整流器造成损伤，及避免工件烧焦。
台兴可控硅整流器详细参数：
输出直流电流：100A-80000A 输出直流电压：0-12V、18V、24V—500V
谢谢欣赏！

常用晶体管参数大全查询

常用晶体管参数大全查询晶体管是一种最常见的电子器件，用于控制电流和放大信号。

它有许多参数需要掌握，这些参数对于选购和设计电路非常重要。

以下是一些常用晶体管参数的详细说明。

1.三极管类型（NPN/PNP）：晶体管有两种常见的类型分别为NPN和PNP。

NPN晶体管中，发射极和基极之间的电子流是由发射极到集电极的，而PNP晶体管中是由集电极到发射极的。

2.最大击穿电压（BVCEO/BVCBO）：指晶体管的最大集电极-发射极或集电极-发射极间可以承受的电压。

超过这个电压时，晶体管可能会发生击穿而损坏。

3.最大连续电流（IC）：指晶体管可以承受的最大电流。

超过这个电流值，晶体管可能会被加热过热而损坏。

4.最大功耗（PD）：指晶体管可以承受的最大功率，计算方法为PD=VCE×IC。

超过这个功率值，晶体管可能会被过热而损坏。

5.DC增益（hFE）：也称放大倍数，它表示晶体管的放大能力。

hFE的值越高，晶体管放大能力越强。

6.基极电流（IB）：晶体管的输入电流。

通过改变基极电流，可以控制晶体管的输出电流。

7. 饱和电压（VCEsat）：晶体管处于饱和状态时，发射极-集电极间的电压。

饱和电压越低，晶体管的开关速度越快。

8. 输入电容（Cib/Cie）：晶体管输入端的电容。

输入电容越小，晶体管对输入信号的响应越快。

9. 输出电容（Cob/Coe）：晶体管输出端的电容。

输出电容越小，晶体管的输出速度越快。

10.射极电阻（Re）：晶体管的射极电阻。

射极电阻越小，晶体管的集电极电流更容易流过。

11. 震荡频率（ft）：晶体管的最高工作频率。

这是指晶体管可以正常工作的最高频率。

12.噪声系数（NF）：噪声系数是指晶体管引入电路的噪声水平。

噪声系数越小，晶体管的噪声性能越好。

以上是一些常用的晶体管参数的详细说明，了解这些参数可以帮助我们在选购和设计电路时作出正确的决策。

可控硅参数说明及中英文对照表p

A/ms
dVCOM/dt
Critical rate of change of commutating voltage
临界转换电压上升率
切换电压上升率dVCOM/dt。驱动高电抗性的负载时，负载电压和电流的波形间通常发生实质性的相位移动。当负载电流过零时双向可控硅发生切换，由于相位差电压并不为零。这时双向可控硅须立即阻断该电压。产生的切换电压上升率（dVCOM/dt）若超过允许值，会迫使双向可控硅回复导通状态，因为载流子没有充分的时间自结上撤出。
V
VGD
Non-triggering gate voltage
门极不触发电压
-
V
VFGM
Peak Forward Gate Voltage
门极正向峰值电压
-
V
VRGM
Peak Reverse Gate Voltage
门极反向峰值电压
-
V
IFGM
Peak Forward Gate Current
门极正向峰值电流
mA
ID
Off-state leakage current
断态漏电流
-
mA
VGT
Triggering gate voltage
门极触发电压
—可以选择Vgt 25度时max值的β倍。β为门极触发电压—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常选择时β取1~1.2倍即可。
A
IGM
Forward Peak Gate Current
门极峰值电流
-
A
I2T
Circuit Fusing Consideration
周期电流平方时间积

钽电容参数介绍及使用技巧

钽电容（Tantalum Capacitors）钽电容全称是钽电解电容，也属于电解电容的一种，使用金属钽做介质，由于钽电容内部没有电解液，很适合在高温下工作。

钽电容由于采用颗粒很细的钽粉，且钽的介电常数很高，所以在单位体积内钽电容的容量可以做到比较大。

钽电容的特点是温度范围宽、耐高温、寿命长、误差小、高稳定性,最高的容量体积比。

当然，还有高成本和过于复杂的生产技术。

在优点突出的前提下,钽电容器也具有要命的弱点,耐纹波性能与其它电容器相比较差,不能承受过高的反向电压。

钽电容器仍然具有最高的可靠性.这是它一至在军用及仪器行业里使用成为首选的根本原因。

从成本及性价比的角度看，在实际使用中，钽电容主要应用于1UF-220UF情况下的中小电源滤波作用。

目前全球钽电容的生产厂家主要有AVX、KEMET、NEC、VISHAY、NICHICON、三星、三洋等等。

美国品牌的钽电容如AVX/KEMET外观都是黄色，其它一些品牌外观都是黑色。

钽电容内部结构图：钽电容内部等效电路：钽电容MARK标识：钽电容主要参数：1、容值范围：钽电容的容值参数范围一般在0.47UF-680UF，不同厂家根据工艺能力，稍微有区别。

一般情况下钽电容使用参数范围在1UF-220UF左右。

从下面图表可以看出，钽电容在超过100K以上频率时，电容参数急剧减小。

所以，钽电容一般情况下只适合低频情况下中大电流滤波。

2、额定电压：一般钽电容的额定电压范围在4V-50V，考虑到125度环境需要做降额使用，参考下表。

在常规-55°C to + 125°C环境下，额定电压需要降额到2/3左右使用。

具体降额可以用下列公式计算：Vmax=( 1-(T-85)/125)×VRVmax是最大工作电压T 是要求的工作温度VR是额定电压值得注意的是上述公式只适用于高阻抗的放电电路。

同时,上述公式并没有考虑交流分量和浪涌的影响，因此当使用温度较高时,必须使用更大的降额电压才能稳定可靠地工作。

稳压二极管型号对照表

稳压⼆极管型号对照表稳压⼆极管型号对照表作者: 晨昏 | 浏览数(51) | 评论数(0) | 10-21 21:39 稳压⼆极管型号对照表200W、230W、300W、350W、420W等各功率电脑电源上的整流部分散热⽚上的快恢复、肖特基⼆极管.型号如:1.快恢复⼆极管:F12C20 F16C20C U20C20C U20D20C2.肖特基⼆极管:S10C40C S16C40C S20C40C S30D40C S40D45C S40D60C3.光藕BPC817C ,IN5408、FR107/FR104/KBP206等不同种类⼆极管如何选⽤1．检波⼆极管的选⽤检波⼆极管⼀般可选⽤点接触型锗⼆极管，例如2AP系列等。

选⽤时，应根据电路的具体要求来选择⼯作频率⾼、反向电流⼩、正向电流⾜够⼤的检波⼆极管。

2．整流⼆极管的选⽤整流⼆极管⼀般为平⾯型硅⼆极管，⽤于各种电源整流电路中。

选⽤整流⼆极管时，主要应考虑其最⼤整流电流、最⼤反向⼯作电流、截⽌频率及反向恢复时间等参数。

普通串联稳压电源电路中使⽤的整流⼆极管，对截⽌频率的反向恢复时间要求不⾼，只要根据电路的要求选择最⼤整流电流和最⼤反向⼯作电流符合要求的整流⼆极管即可。

例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。

开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使⽤的整流⼆极管，应选⽤⼯作频率较⾼、反向恢复时间较短的整流⼆极管（例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或选择快恢复⼆极管。

3．稳压⼆极管的选⽤稳压⼆极管⼀般⽤在稳压电源中作为基准电压源或⽤在过电压保护电路中作为保护⼆极管。

选⽤的稳压⼆极管，应满⾜应⽤电路中主要参数的要求。

稳压⼆极管的稳定电压值应与应⽤电路的基准电压值相同，稳压⼆极管的最⼤稳定电流应⾼于应⽤电路的最⼤负载电流50%左右。

4、开关⼆极管的选⽤开关⼆极管主要应⽤于收录机、电视机、影碟机等家⽤电器及电⼦设备有开关电路、检波电路、⾼频脉冲整流电路等。

KBPC3506中文资料

14 453
Absolute Maximum Ratings
Tj = 25_C Parameter Repetitive peak reverse voltage g =Working peak reverse voltage DC Blocking lt =DC Bl ki voltage Test Conditions Type KBPC35005/W KBPC3501/W KBPC3502/W KBPC3504/W KBPC3506/W KBPC3508/W KBPC3510/W Symbol VRRM =VRWM V =VR Value 50 100 200 400 600 800 1000 400 35 –65...+150 Unit V V V V V V V A A °C
0
25
50
75
100
125
150
15747
Tamb – Ambient Temperature ( °C )
Figure 1. Max. Average Forward Current vs. Ambient Temperature
100
Figure 3. Max. Peak Forward Surge Current vs. Number of Cycles
Peak forward surge current Average forward current TC=55°C Junction and storage temperature range
IFSM IFAV Tj=Tstg
Electrical Characteristics
Tj = 25_C Parameter Forward voltage Reverse current I2t Rating for fusing Diode capacitance Thermal resistance junction to case Test Conditions IF=17.5A TC=25°C TC=125°C VR=4V, f=1MHz Type Symbol Min VF IR IR I2t CD RthJC Typ Max 1.2 10 1.0 664 Unit V mA mA A2s pF K/W

整流桥KBPC5010，ASEMI参数规格书资料库

整流桥KBPC5010，ASEMI参数规格书资料库
编辑⼈：MM
深圳市强元芯电⼦有限公司，专注电源领域12年！
KBPC-4单相整流⽅桥详细参数规格：
⽚类型：台湾波峰GPP芯⽚
品牌：ASEMI
最⼤正向整流电流Io：50A
最⼤反向耐压PRV：1000V
正向压降VFM：1.05V
正向峰值电流：450A
⼯作温度范围：-55～+150
最⼤反向电流：10.0A
封装形式：KBPC-4
应⽤领域：开关电源，电视机等⼩功率电器
KBPC-4单相整流⽅桥相关型号：KBPC5006，KBPC5010W，KBPC5010
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kbpc2510工作原理

kbpc2510工作原理
KBPC2510是一种全桥整流电路，用于将交流电转换为直流电。

其工作原理如下：
1. 输入电源：将交流电源通过正负两个输入端口输入到
KBPC2510的两个AC端口上。

2. 整流：KBPC2510内部有四个二极管组成的全桥整流电路。

在正半周期，D1和D3导通，D2和D4截止；在负半周期，
D2和D4导通，D1和D3截止。

通过这种方式，交流电被整
流成为一个方向上的脉动直流电。

3. 滤波：由于整流后的直流电还存在脉动成分，因此需要进行滤波以减小脉动。

通常在KBPC2510的输入端口与输出端口
之间加入一个电容滤波器，通过电容的充放电作用，将脉动电平平滑为较为稳定的直流电。

4. 输出：滤波后的直流电从KBPC2510的正负输出端口输出，可用于驱动其他电路或供电给负载。

总结起来，KBPC2510的工作原理是通过全桥整流电路将输入
的交流电转换为一个方向上的脉动直流电，然后通过滤波电路将其滤波为较为稳定的直流电，最终从输出端口输出。

可控硅参数说明及中英文对照表

mA
ID
Off-state leakage current
断态漏电流
-
mA
VGT
Triggering gate voltage
门极触发电压
—可以选择Vgt 25度时max值的β倍;β为门极触发电压—结温特性系数,查数据手册可得,取特性曲线中最低工作温度时的系数;若对器件工作环境温度无特殊需要,通常选择时β取1~1.2倍即可;
A
VTM
Peak on-state voltage drop
通态峰值电压
指器件通过规定正向峰值电流IFM整流管或通态峰值电流ITM晶闸管时的峰值电压也称峰值压降该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力;
V
IDRM
Maximum forward or reverse leakage current
通态流上升率
当双向可控硅或闸流管在门极电流触发下导通,门极临近处立即导通,然后迅速扩展至整个有效面积;这迟后的时间有一个极限,即负载电流上升率的许可值;过高的dIT/dt可能导致局部烧毁,并使T1-T2 短路;假如过程中限制dIT/dt到一较低的值,双向可控硅可能可以幸存;因此,假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出或导通时的dIT/dt有可能被超出,可在负载上串联一个几μH的不饱和空心电感;
℃
Tstg
Storage Temperature Range
贮存温度
-
℃
TL
Max.Lead Temperature for Soldering Purposes
引脚承受焊锡极限温度
-
℃
Rthj-mb
Thermal Resistance Junction tomounting base