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结构化学-Ch6-复习习题-杨媛

结构化学-Ch6-复习习题-杨媛
g 2g
5Es 0
3.分裂能(△o 或10Dq)(P186): 金属原子或离子的5个d轨道在球形场作用 下分裂成2个高能级eg轨道和3个低能级t2g 轨道,高能的d轨道与低能的d轨道的能量 之差即是分裂能。
Eeg=6Dq(或0.6Δ0) Et2g=-4Dq(或-0.4Δ0)
eg
6 q D
CFSE1-CFSE2=4Dq-(24Dq-2P)=-20Dq+2P
=2(-Δ0+P )<0 (Δ0 > P) ∴Co3+采用t2g6 的排布方式,低自旋,没有未 配对电子,反磁性。
P203-8. 试判断下列两组配位化合物顺磁性大小的次序: (1) A. [Co(NH3)6]3+ B. [Co(NH3)6]2+ C. [Co(NO2)6]3D. [Co(CN)6]4 A. NH3为中场配体,Co3+(d6)为强场离子,总体上 [Co(NH3)6]3+属强场配合物,d电子处于低自旋,组态为 t2g6eg0,没有未配对电子。 B. NH3为中场配体,Co2+(d7)为弱场离子,总体上 [Co(NH3)6]2+属弱场配合物,d电子处于高自旋,组态为 t2g5eg2,有3个未配对电子。 C.NO2-属于强场配体, [Co(NO2)6]3- 属强场配合物,d电 子处于低自旋,组态为t2g6eg0,没有未配对电子。 D. CN-属于强场配体, [Co(CN)6]4-属强场配合物,d电 子处于低自旋,组态为t2g6eg1,有1个未配对电子。 ∴顺磁性大小:B>D>A=C
P202-7. 已知[Co(NH3)6]2+的Δ0 < P,而[Co(NH3)6]3+的 Δ0 > P ,试解释此区别的原因,并用稳定化能推算出 二者的d电子构型和磁性。 解:Co3+比Co2+价态高,ΔCo3+ > ΔCo2+ 电子成对能不变,所以出现题目中出现情况。 [Co(NH3)6]2+中 Co2+的d7有两种排布方式: ①t2g5eg2 ② t2g6eg1 ①CFSE=-[5(-4Dq)+26Dq]=8Dq ②CFSE=-[6(-4Dq)+16Dq+3P-2P]=18Dq-P

工程热力学-ch6 实际气体方程

工程热力学-ch6 实际气体方程
第一节
理想气体状态方程用于实际气体 的偏差
第6章 实际气体的性质与热力学一般关系式
理想气体状态方程用于实际气体的偏差:
对于理想气体:
pv RgT
pv 1 RgT
第6章 实际气体的性质与热力学一般关系式
理想气体状态方程用于实际气体的偏差:
对于理想气体:
pv RgT
pv 1 RgT
但是对实际气体的实验结 果却不是一条值为1的水平线, 尤其是在高压下,误差更大。
◆ 1981年侯虞均完善M-H方程(把M-H方程扩 展到液相,M-H81);
◆ 。。。。。。。。。。。。。。。
因此十分需要研究能用于真实气体的普遍化方法。为 了开辟普遍化计算,下面讨论用于真实气体的 P/V/T性质的普遍化计算的对比状态原理。
第6章 实际气体的性质与热力学一般关系式
第三节 对应态原理与通用压缩因子图
展开,将范德瓦尔方程按Vm的降幂排列:
pVm3 (bp RT )Vm2 aVm ab 0
随着p、T不同,方 程Vm的解有三种可
能: 一实根,两虚根
CO2的等温 线
定温压缩
三个等实根
三个不等实根
虚线
第6章 实际气体的性质与热力学一般关系式
附:CO2等温过程实验
1869年,英国物理学家Andrews用CO2做了 等温过程实验,得出不同温度下p-v关系曲线(如 图)。
第6章 实际气体的性质与热力学一般关系式
维里方程(1901年)
维里一词来源于拉丁文virial,即"力".维里方 程是Kammerlingh-Onnes于20世纪 初作为纯经验方程提出的
Z
pv RgT
1
B v
C v2

ch6常用低压电器

ch6常用低压电器

第6 章常用低压电器与控制电路6.1 常用低压电器6.2 三相异步电动机的正、反转控制电路6.3 三相异步电动机降压起动电路*6.4 行程开关和限位控制电路*6.5 时间继电器和延时控制电路*6.6 单相电动机的控制*6.7 可编程序控制器及其应用基础6.1 常用低压电器是指交流1 200 V、直流1 500 V 以下用来控制与保护用电设备的电器。

6.1.1 闸刀开关闸刀开关是一种手动电器。

主要用作电源的隔离开关或电源开关使用。

39单刀符号单刀开关三刀开关三刀开关符号做电源开关使用时,电动机的容量不能大于7.5 kW。

其额定电流应大于电动机额定电流的3 倍。

6.1.2 铁壳开关与闸刀开关不同是熔断器和刀片与刀座等安装在薄钢板制成的防护外壳内。

速断弹簧用来加快刀片与刀座分断速度,减少电弧。

铁壳开关外壳上还装有机械联锁装置。

可用在电力排灌、电热器等装置中。

6.1.3 组合开关(转换开关)手柄动触点静触点组合开关外形内部结构手柄沿顺时针或逆时针转动,带动动触点与静触点接通或断开。

符号6.1.4 按钮静触片静触片静触片静触片动触片内部结构用手按下按钮帽时,动触片向下移动,上面的动断触点先断开,下面的动合触点后闭合。

当松开按钮帽时,在复位弹簧作用下,动触点复位。

这种按钮称为复合按钮。

符号6.1.5 熔断器熔断器是一种短路保护电器。

当过大的短路电流流过易熔合金制成的熔体时,熔体迅速熔断,达到保护电路及电气设备的目的。

插入式熔断器螺旋式熔断器管式熔断器填料式熔断器6.1.6 交流接触器是一种自动控制电器,属于电磁式开关。

1. 结构是由电磁铁和触头组两部分组成。

接触器原理示意图电磁铁部分有静铁心动铁心吸引线圈反力弹簧静铁心、动铁心、吸引线圈、反力弹簧触头部分有静触点、动触点、辅助触点。

静触点动触点辅助触点“主触点”、主触点说明:1. 主触点通常为3 对动合触点,它的接触面积较大,允许流过的电流较大;2. 主触头上都设有灭弧装置。

经济数学CH6差分方程

经济数学CH6差分方程
差分方程
yt+1=2yt-yt2
1 y2
首先计算均衡点: y1
y=2y-y2 y*=0,y*=1。
0 y0 y1 1
2 yt
令yt+1=0,可以得到 在横轴上的截距:
0和2。
系统在y*=0点是不稳定的; 在y*=1点是稳定的。
2019/11/13
6
稳定性总结
一阶差分方程:yt+1=f(yt) 均衡值为y*。
2019/11/13
13
练习
求解一阶线性差分方程:
yt+1-5yt=1,y0=7/4 余函数:yc=A·5t 特别积分:yp=-1/4 通解为:yt=A·5t -1/4 初始条件:t=0时,y0=7/4,代入得到:A=2。 答案: yt=2×5t -1/4
2019/11/13
b的绝对值小于1,y收敛。 10
一般方法
1、常系数和常数项的一阶线性差分方程:
yt+1+ayt=c 其中,a和c是两个常数。
方程的通解由两部分的和构成:特别积分yp(它是方程的一 个任意解),余函数yc(它是齐次方程yt+1+ayt=0的通解)。
解的含义:特别积分表示系统的瞬时均衡值,余函数表示时 间路径与均衡的偏离。
原方程,可以得到 均衡值:y*=2。
例2:yt+1-2yt=-1
yt+1
2
yt+1=0.5yt+1
y2
y1
y0 y1 2
yt
稳定的稳态
变化过程:
给定一个初始值y0,运动开始。在第1期得到y1,通过45°线 可以在横轴上得到y1。由此可以得到第2时期的y2。

CH6 高频功率放大器

CH6  高频功率放大器

尖顶余弦脉冲的分解系数还可以根据的数值查表求出各分解系数的值。 尖顶余弦脉冲的分解系数还可以根据的数值查表求出各分解系数的值。 还可以根据的数值查表求出各分解系数的值
αn (θc ) =
Icmn 2 sinnθc cosθc − ncosnθc sinθc = ⋅ iCmax π n(n2 −1)(1− cosθc )
3)波形图分析vCE i 波形图分析
i
c
C
A
v BEmax= −VBB+Vbm
动态特性曲线、 动态特性曲线、工作路
iCmax
Icm
−θC θC
E E
B wt
截距
Icm cosθc
VCES
V0
VCC
vCE
v CE = VCC − vc
•Q
−θC
≈ VCC − I cm1 ( Z P ) w cos wt = VCC − Vcm cos wt
v
0
iC = g cr vCE
截止区 vCE
gc (vBE − VBZ ) iC = 0
vBE > VBZ vBE < VBZ
选取vBE为参变量是因为晶体管的输入电 压是正弦或是余弦, 压是正弦或是余弦,由于管子输入特性 的 非线性,所得的输入电流i 非线性,所得的输入电流 B就不是正弦或 余弦了,为了避免输入特性的非线性, 余弦了,为了避免输入特性的非线性,常 作参量测出输出特性。 以vBE作参量测出输出特性。 cxl1688@ 《高频电路》 第6章 高频电路》 章
1)波形图分析iC )波形图分析
截止区
ic
饱和区 过压区
ic
放大区 欠压区
iCmax
Icm

Ch6 利率决定理论_货币银行学

Ch6 利率决定理论_货币银行学

I I (r )

古典利率理论:储蓄供给和投资需求决定了利率水平
iff : when r r * has S (r ) I (r ) r * is equilibrium interestrate
S S (r ) Md Ms Bd Bs S (r ) Bd I I (r ) I S I (r ) Bs Bd Bs I (r ) Bd
6.5 流动性偏好理论和利率
流动性偏好理论关注货币供给对利率的影响 6.5.1 流动性需求: • 货币需求:M/p=f(Y, i)
6.5.2 均衡利率:货币 需求和供给相等时的 利率
6.5 流动性偏好理论和利率
6.5 流动性偏好理论和利率
LP 理论是分析投资者行为和政府政策对经济和金融影响的一个 工具,它描述了中央银行如何影响短期利率
• 名义利率是以实际支付的货币数量计算的利率水平。 • 实际利率是即使不存在通货膨胀和风险的情况下借入者被 要求支付的利率水平。实际利率是纯粹的放弃一段时间货 币使用权所需的回报,由于时间具有价值,长期的资金出 让所得到的回报应高于短期资金出让所得到的回报。长期 利率也应高于短期利率。
6.3 古典利率决定理论
6.1 利率在经济中的作用 1. 利率是决定储蓄 向投资转化规模 的关键因素 2. 利率影响了储蓄 和信贷资源的分 配 3. 影响货币需求和 供给的主要因素 4. 一个重要的确定 其他金融工具的 价格的基准 (benchmark) 5. 一个重要的货币 政策工具或指标
6.2 利率的概念
• 利息是资金借入者向借出者支付的对后者一段 时间内出借一定数量资金的补偿。补偿的比率 就是利率

一些批评:
– 关于公众如何形成预期的模型不可信。 – 零交易成本假设不现实。 – 决策信息过于简单,难以认为基于这些信息的 决策是理性的行为。

工程制图-ch6 标准件与常用件

工程制图-ch6 标准件与常用件
6.1 螺纹画法及标注
6.2 螺纹紧固件
6.3 键联接
6.4 销联接
6.5 齿轮
6.6 滚动轴承(自学)
6.7 弹簧(自学)
本章小结
结束放映
6.1 螺纹画法及标注
一、螺纹的形成、结构和要素 ⒈ 螺纹的形成
导程
A1 ●
螺旋线
A●
一个与轴线 共面的平面图形 (三角形、梯形 等),绕圆柱面 作螺旋运动,则 得到一圆柱螺旋 体 ——螺纹。
★螺纹终止线用粗实线表示。
★不论是内螺纹还是外螺纹,其剖视图或断 面图上的剖面线都必须画到粗实线。
★当需要表示螺纹收尾时,螺尾部分的牙底 线与轴线成30°。
⒈ 外螺纹画法
大径线画粗实线
倒角圆不画
小径线画细实线 且画到倒角内 螺纹终止线
小径≈0.85d 画粗实线
小径圆约画3/4圈
外螺纹剖视画法:
A
A-A
螺距=导程
导程 螺距
单线螺纹:P=Ph 多线螺纹:P=Ph/n⑸ 螺纹的旋向 Nhomakorabea左旋
右旋(常用)
注意:只有上述各要素完全相同的内、外 螺纹才能旋合在一起。
常用的几种螺纹的特征代号及用途
特征 螺 纹 种 类 代号
外形图
用途
普 通 粗牙

M
接 螺 纹 细牙

纹 管螺纹 G
是最常用的联接螺纹
用于细小的精密或薄壁零件
例4: M20-5g6g
含义:公称直径为20,右旋单线粗牙普通外螺纹。 中径公差带代号为5g,顶径公差带代号为6g。
3. 螺纹标注含义
例5: 特Tr36×6-8e 含义:公称直径为36,螺距为6的右旋单线的梯形

单通道热控表h6系列说明书

单通道热控表h6系列说明书

单通道热控表h6系列说明书
1、CH6数字显示仪表说明。

CH6数字显示仪表误差小于0.5%F.S,并具备调校、数字滤波功能。

CH6数字显示仪表输入信号类型:输入,通过设定选择;适用于电压、电流、热电阻、热电偶温度信号。

CH6数字显示仪表外形尺寸:160×80(横/竖),96×96,
96×48(横/竖),72×72,48×48。

④CH6数字显示仪表工作电源:220VAC±10%,功耗小于7VA (CH6/C型尺寸可定做24VDC工作电源)。

CH6数字显示仪表基本配置:
单显示、2点报警,外供24V。

可选配变送输出功能。

CH6数字显示仪表品牌标识contronix数字显示仪表,contronix数字显示仪表CH6数字显示仪表型号规格。

2、CH6/C-HRTA1B1V0说明。

①误差小于0.5%F.S,并具备调校、数字滤波功能。

②输入信号类型:输入,通过设定选择;适用于电压、电流、热电阻、热电偶信号。

③外形尺寸:160×80(横/竖),96×96,96×48(横/竖),72×72,48×48。

电源:220VAC±10%,功耗小于7VA(注:0~10VDC输入,订货时需说明)。

基本配置:单显示、2点报警,外供24V扩展功能。

变送输出(有变送输出时无外供24V)。

ch6数显表说明书

ch6数显表说明书

CH6数显仪说明书前言感谢您选用我公司的产品,我们相信这种数显表会达到您预期的使用目的。

在本说明书内,关于CH6数显仪系列方面的内容,将尽可能为您作明确而又详尽的说明。

为保证您的设备有效和可靠地安全运行,使用前请详细阅读和理解相关说明书,尤其是有关安全规范的章节,请务必按照本说明书关于安全操作的指引去做,并制定出本单位的安全操作规程。

如果因为违反本说明书的指引或本单位的操作规程而发生的设备或人身等安全事故,应由违章者负责。

但本公司将始终如一地愿意为用户提供完善的售后服务。

请妥善保存本说明书以便随时查阅。

本说明书的有关产品的技术参数、产品结构图样和表格是本公司独有的技术资料,不许复印,更不得向外扩散。

否则作侵权处理。

本公司有权追究违反者的侵权责任。

未经本公司同意而对本机进行结构性更改,或使用非本公司生产的不合格零配件而造成机器的损坏,本公司将考虑终止或有条件地对其实行保修或提供优惠的用户服务。

CH6系列数显仪使用说明 ver:09.111、概述CH6系列数显仪与各类模拟量输出的传感器、变送器配合,完成温度、压力、液位、成分等物理量的测量、变换、显示和控制.S,并具备调校、数字滤波功能误差小于0.5%F适用于标准电压、电流、热电阻、热电偶等信号类型2点报警输出,上限报警或下限报警方式可选择。

报警灵敏度独立设定变送输出(选装),能将测量、变换后的显示值以标准电流、电压形式输出供其它设3、技术规格3、技术规格电源:85V AC~265V AC,120VDC~380VDC,功耗小于6W12VDC~36VDC,功耗小于6W★注:直流供电电源应留有一定功率余量,请按每台24VDC/0.5A, 12VDC/2A配置电源。

并注意电源线长度和线径。

工作环境:0℃~50℃,湿度低于90%R.H,不结露。

显示范围:-1999~9999,小数点位置可设定输入信号类型:万能输入,可通过参数设定选择注:0~10VDC输入订货时注明或用户自行更改,拆开仪表机壳,将仪表主板(输入信号端子所在电路板)背面(元器件的反面)SL1间的连线割断,然后修改输入信号选择参数即可。

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Huazhong University of Science and Technology华中科技大学 材料科学与工程学院 2013 年 年5月第 章 第六章 纳米技术与基板性能2一、覆铜板制造技术:Copper Clad Laminate (CCL) 产品开发途径: 产品开发途径 ① 对传统覆铜板进行改善 提高 对传统覆铜板进行改善、提高 ② 纳米新技术(结构 特性) 纳米新技术(结构、特性)31、CCL的种类一般CCL是用补强材料(玻璃布、玻璃毡、浸渍纤维纸等),浸 般 是用补强材料(玻璃布 玻璃毡 浸渍纤维纸等) 浸 以树脂胶粘剂,通过烘干、裁剪、叠合成坯料,然后覆上铜箔, 用钢板做模具,在热压机中经高温高压成型而制成的。

用钢板做模具 在热压机中经高温高压成型而制成的 纸基 (酚醛型 环氧型 聚酯型) (酚醛型、环氧型、聚酯型) 增强 材料玻璃布基 (环氧树脂:FR-4, FR-5, PI, BT, PPE) 复合材料基 (CEM, Composite epoxy material)42、对CCL树脂进行性能上的改进台湾工业研究院化工所:1997, “高分子树脂/粘土”纳米 复合材料聚合物分散技术;中国大陆:纳米级α-Al2O3与环氧树脂复合材料,粒径=27 nm, 1-5wt%, 提高环氧树脂的玻璃化转变温度。

1-5wt% 提高环氧树脂的玻璃化转变温度53、对CCL树脂中填充剂的改进64、对增强材料的改进溶胶 凝胶法 溶胶-凝胶法有机-无机纳米复合材料 有机 无机纳米复合材料7二、纳米复合物对PCB基材性能的提高 1、提高力学性能 1 提高力学性能纳米复合材料具有高比表面积、呈分散相的无机物存在, 纳米复合材料具有高比表面积 呈分散相的无机物存在 与高分子间有强烈的吸引力,使高分子复合材料比原高 分子材料在刚性性能上有提高; 纳米层状粘土材料添加高分子材料,效果显著; 提高刚性:抗拉强度、耐折曲性; 提高刚性 抗拉强度 耐折曲性 降低热膨胀系数,稳定尺寸。

8纳米颗粒化学活性高 纳米颗粒化学 性高随着粒子尺寸的减小,材料的表面积增大; 表面原子在整个材料中所占比例增大,粒子的表面 能和表面张力亦随之增加; 表面原子的活性比晶格内原子高,纳米粒子的表面 有许多悬空键,并且具有不饱和性,故极易与其它 原子相结合而稳定下来,因而具有很大的化学活性; 固体颗粒的比表面与粒径的关系: (ρ ) Sw = K/(ρ×D) Sw:比表面积,K:形状因子,ρ:密度, D:平均直径9用纳米材料的高力学性能制造陶瓷基板、环氧化基板 用纳米材料的高力学性能制造陶瓷基板 环氧化基板 等,比常规材料具有的强度、硬度、韧性以及其它综 合力学性能更好更优越; 纳米材料能改善环氧化树脂的力学性能,同时可加快 固化速度,降低固化温度,结合环保型CCL开发。

固化速度 降低固化温度 结合环保型CCL开发10聚米例1:纳米SiO/不饱和聚酯2共混法将纳米SiO,添加到不饱和聚酯中,添加到不饱和聚酯中2含量为3~5%时,当纳米SiO2其耐磨性提高1~2倍,拉伸强度提高1倍以上,冲击强度明显提高。

/聚酰亚胺体系例2:纳米SiO2纳米复合材料,如PI/SiO2其杨氏模量增加,其杨氏模量增加拉伸强度和断裂伸长在一定范围内有所增加,SiO2对材料起到既增强又增韧的效果,PI的热膨胀系数降低。

例3:纳米TiO2/环氧体系纳米TiO2经过表面处理后,可以实现对环氧树脂增强、增韧;当填充质量分数为3%时,材料的拉伸弹性模量较未填充时提高拉仲强度提高冲击强度提高广时提高了370%,拉仲强度提高了44%,冲击强度提高广878%,其他性能也有明显提高ڮ;另有文献报道,纳米TiO2填充的环氧树脂复合材料,当加10%粒径为32nm TiO时,其抗划痕能力较佳。

入粒径为的2时,其抗划痕能力较佳例4:粘土/环氧体系当纳米粘土含量为4%时,%时粘土/环氧复合材料的拉伸弹性模量提高4.5倍,玻璃化温度明显提高,T温度范围加宽。

温度范围加宽g2、降低PCB 基材的吸水率在电子元件的高温焊接过程中受到湿气侵入的封装材“爆米花”现象:z 在电子元件的高温焊接过程中,受到湿气侵入的封装材料常发生“爆米花”式的断裂(即不同的材料层间发生瞬时脱层断裂);z 在焊接前,湿气由高聚物的表面向内扩散,分布在高聚物封装材料中物封装材料中;z 在焊接时,环境温度高达250℃,高聚物封装材料开始脱水水蒸气进入粘接界面上的初始缺陷产生高内压脱水,水蒸气进入粘接界面上的初始缺陷,产生高内压,从而引起交界面的脱层,裂纹迅速扩展产生“爆米花”式的断裂,使电子元件彻底破坏。

吸水对PCB基材性能的影响:基材性能的影响费克定律:费克定律基材从干态到饱和吸湿,需经历液体分子向基材内部的渗透基材从干态到饱和吸湿需经历液体分子向基材内部的渗透和扩散的过程。

水分子由于热运动和基材内部微孔的吸附作用.逐渐进入基材,这是一个质量传递的过程。

R= 1-exp[-0.73(Dt/h2)0.75]R:相对吸水率t: 时间时间h: 基材厚度D:沿基材法线方向的质量扩散率, 与温度有关:沿基材法线方向的质量扩散率,与温度有关D= D exp[-C/Tp[)改善吸水率方法:方法一:偶联剂方法偶联剂采取适当的偶联剂对纤维表面进行化学处理,以改善纤维的表面状态和增加与树脂的界面结合;)n3偶联剂烷类最广泛通式(偶联剂:硅烷类(最广泛),通式:Y(CH SiX2n=0-3;X-可水解的基团;Y 一有机官能团,能与树脂反应;X:氯基、甲氧基、乙氧基、甲氧基乙氧基、乙酰氧基等,水],与无机物质结合,形成硅氧烷;解时生成硅醇[Si(OH)3Y:乙烯基、氨基、环氧基、甲基丙烯酰氧基、巯基或脲基,与树脂分子反应形成化学键而结合。

作用原理:9硅烷偶联剂有机官能团与聚合物形成的化学键;9硅脂基与玻璃纤维表面形成的化学键,将玻璃纤维表面与树脂连接起来,从而防止了水份渗入玻璃纤维与树脂的界面,改善了由树脂聚合物给玻璃纤维传递的压力,保持玻璃纤维的抗拉强度。

方法二:减少基材中的内部缺陷有针对性地适当调整配方,改进固化工艺,通过一定的温度、压力调节使固化完全,减少基材中的内部缺陷(如微裂纹和空隙),真空压机有助于改善基材的吸水性能。

方法三:避免“芯吸”在印制线路板的加工中,避免纤维端头裸露于基材四周而导致“芯吸现象”。

纳米复合材料降低基材的水机分析纳米复合材料降低基材的吸水机理分析由于聚合物运动单元的多重性及高聚物的蠕变性聚合物聚合物的渗透性:由于聚合物运动单元的多重性及高聚物的蠕变性,聚合物本质上是可渗透的;聚合物的渗透性取决于透过物的种类、聚合物的结构以及透过物与聚合物的相互作用;由于聚合物的结晶结构链段排列整齐、堆砌密度大,小分子渗透物难以渗入通过子渗透物难以渗入通过;小分子透过聚合物主要是通过非晶区、结晶缺陷部分而实现的,材料的微裂纹、针孔、缺陷均会导致渗透性的增加。

小分子透过聚合物过程:①小分子在聚合物表面的吸附;②小分子溶入聚合物基体;③小分子沿着一定浓度梯度扩散通过聚合物;④小分子从聚合物另一表面解吸而扩散。

影响小分子渗透聚合物的因素:(a) 表面缺陷:渗透系数决定于扩散系数和溶解系数,小分子在聚合物表面的吸附与聚合物的成分、结构以及表面状态有关,表面缺陷有利于小分子吸附;(b) 自由体积:小分子物质在聚合物基体中的扩散与聚合物的自由体积有很大关系自由体积大渗透性强有很大关系,自由体积大,渗透性强。

升高温度时,自由体积变大,渗透系数会增大;键合与非键合作用(c) 键合与非键合作用:小分子物质与大分子物质的键合与非键合作用影响小分子物质在大分子中的溶解与扩散。

高分子材料交联、链段刚性增加、相容剂加入,均会高分子材料交联链段刚性增加相容剂加入均会限制链的运动,材料难以溶胀,渗透性下降。

纳米复合材料降低渗透性的原理:纳米量级的微粒子,如蒙脱土一类充填物,能显著地降低基础材料的渗透性;蒙脱土主要成分:蒙脱石,是由两层Si—O四面体和一层Al-O八面体,组成的层状硅酸盐晶体;层内:含有阳离子,钠离子,镁离子,钙离子,其次钾离子,锂离子等;锂离子等原因:材料中充填了板状硅酸脂层阻碍了在材料扩散通道中散布分子的流动能力,由此提高材料的阻隔性;实例:聚酰胺一蒙脱土纳米复合材料对水汽具有很高的阻隔性。

使用2wt%蒙脱土形成的聚酰亚胺一蒙脱土纳米复合材料对于氧气、氦气和水汽的渗透性不足纯聚酰复合材料对于氧气氦气和水汽的渗透性不足纯聚酰亚胺的1/2。

3、纳米复合材料提高基材的耐热性提高耐热性传统途径:提高耐热性传统途径z提高封装材料(固化物)的交联度;提高封装材料(固化物)的交联度z在环氧树脂结构中导入萘环、蒽环等多环基。

在环氧树脂结构中导萘环蒽环等多环基日本开发具有萘骨架环氧树脂固化物纳米技术对基材耐热性的影响聚合物基PCB基板的“耐热性”:z树脂在一定温度下仍然能够保留其作为基体材料的机械强度,即耐温性;强度即耐温性z树脂在发生热老化时的温度范围,即所谓的耐热性。

PCB基板的“耐热性”分类:将聚合物进行加热时,一般会发生下面的物理和化学变化:物理变化:变形、软化、流动、熔融。

化学变化:分子链切断、交联、氧化、产生气体、重量变化。

根据变化的不同,基材的耐热性分类定义:①物理耐热性是以基材的实用性为着眼点进行定义;②化学耐热性是以基材的化学反应来进行定义。

化学耐热性是以基材的化学反应来进行定义PCB基材耐热性表征方法:基材耐热性表征方法①热变形温度缺乏明显的物理意义,不足以推断材料真正承受的高温及在高温下的性能。

对同类产品进行比较,但不能对不同②维卡软化点材料的耐热性给出较为确切的评价;③玻璃化温度能够反映出材料在较宽的温度范围内的全面信息,是目前表征基材耐热性的全面信息是目前表征基材耐热性的主要方法。

④差示扫描(DSC)和差热分析(DTA)⑤热重分析法(TGA)⑥高温力学性能试验⑦高温蠕变试验蠕变也称静态粘弹性,是指材料在小于屈服极限的同定外加应力作用下变形和时间的关系。

加应力作用下变形和时间的关系⑧热老化分析测定材料在热变形温度和热分解温度低得多,而又在稍高于实际使用温度下长期加热时材料的化学和物理性质稳定性的方法。

纳米复合材料提高耐热性机理:(a)界面迁移:纳米相材料热稳定的核心问题:如何控制晶粒长大;界面迁移为晶粒长大提供了基本条件;控制界面迁移会阻止晶粒长大,提高热稳定性;晶界迁移是“元过程”的叠加,一种晶体缺陷或一组原子从一个平衡状态,翻越势垒到达另一个平衡状态,构子从个平衡状态翻越势垒到达另个平衡状态构成了晶界运动的“元过程”;翻越势垒是一个热激活过程,若没有驱动力,正向和反向的概率是相同的,不产生宏观的晶界迁移。

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