65nm半导体工艺发展策略
半导体纳入十四五计划
半导体纳入十四五计划工作目标1.制定详细规划：明确“十四五”计划中半导体行业的发展方向，包括技术研发、产业链完善、人才培养等方面。
规划应具有前瞻性、指导性和可操作性，确保半导体产业健康快速发展。
–技术研发：重点支持集成电路设计、制造、封装测试等关键技术研发，推动产业向高端化、智能化发展。
鼓励企业加大投入，设立研发基金，联合高校和科研机构开展技术攻关。
–产业链完善：推动半导体材料、设备、设计、制造、封装测试等环节的协同发展，打造具有竞争力的完整产业链。
引导企业加强合作，实现产业链上下游资源整合，提高整体竞争力。
–人才培养：加强半导体相关专业人才的培养，提高人才质量。
加大对高校、科研院所的支持力度，鼓励产学研合作，为学生提供实践机会，培养具备创新能力和实际操作能力的人才。
2.加大政策扶持：出台一系列有针对性的政策措施，为半导体产业创造良好的发展环境。
包括税收优惠、资金支持、土地供应等方面，以降低企业成本，激励企业加大投入，推动产业发展。
–税收优惠：对半导体产业企业实施税收减免政策，降低企业税负，提高企业盈利能力。
对符合条件的半导体企业，实行研发费用加计扣除、高新技术企业减按15%的税率征收企业所得税等政策。
–资金支持：设立半导体产业发展基金，吸引社会资本、政府资金参与，为半导体企业提供资金支持。
鼓励银行、证券、保险等金融机构为半导体产业提供融资服务，拓宽企业融资渠道。
–土地供应：优先保障半导体产业项目的土地供应，对半导体产业项目给予土地价格优惠，降低企业用地成本。
3.强化国际合作：积极参与国际合作，引进国外先进技术和管理经验，提升我国半导体产业的国际竞争力。
–技术引进：鼓励企业与国际知名半导体企业开展技术合作，引进先进技术和设备，提高我国半导体产业的技术水平。
–人才培养：支持企业派员到国外知名半导体企业学习交流，培养具有国际视野的人才。
鼓励国际人才来我国半导体企业工作，提供便利条件和生活保障。
–市场拓展：鼓励半导体企业参加国际展会，提升品牌知名度，拓展国际市场。
半导体技术年度总结(3篇)
第1篇一、引言2023年，全球半导体行业经历了前所未有的挑战与机遇。
从技术突破到市场变革，从国际合作到竞争加剧，半导体技术领域呈现出多元化的发展趋势。
本文将对2023年半导体技术领域的重大事件、创新成果和市场动态进行总结，以期为广大读者提供一幅2023年半导体技术的全景图。
二、技术创新与突破1. 芯片制造工艺- 3nm工艺：台积电宣布成功生产3nm芯片，成为全球首个实现3nm工艺量产的半导体公司。
该工艺采用GAA（栅极全环绕）晶体管技术，大幅提升芯片性能和能效。
- 2nm工艺：三星宣布2025年量产2nm芯片，继续推动半导体工艺创新。
该工艺采用先进的后端供电网络技术和MBCFET架构，进一步提升性能和能效。
2. 芯片设计- Chiplet技术：Chiplet技术成为芯片设计领域的新宠，通过将芯片分割成多个小芯片（Chiplet），实现灵活的设计和快速迭代。
- AI芯片：随着人工智能技术的快速发展，AI芯片需求旺盛。
多家企业推出高性能AI芯片，如华为的昇腾系列、英伟达的A100等。
3. 新材料与器件- 第三代半导体：氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等第三代半导体材料在功率器件、射频器件等领域得到广泛应用。
- 新型存储器：新型存储器如存储类内存（ReRAM）、铁电存储器（FeRAM）等逐渐走向市场，有望替代传统的闪存和DRAM。
三、市场动态1. 全球半导体市场：2023年，全球半导体市场规模达到5143亿美元，同比增长9.8%。
其中，中国市场占比达到32.2%，成为全球最大的半导体市场。
2. 中国半导体产业：中国政府加大对半导体产业的扶持力度，推动产业快速发展。
2023年，中国半导体产业增加值达到1.1万亿元，同比增长12.4%。
3. 并购与投资：全球半导体行业并购活动频繁，如英特尔收购Mobileye、英伟达收购Arm等。
同时，多家半导体企业获得巨额投资，如高通、台积电等。
四、国际合作与竞争1. 国际合作：全球半导体产业合作日益紧密，如台积电与三星、英特尔与Arm等企业之间的合作。
65nm工艺以下注意事项
非常感谢高手的jiancongwoo的分享今天开这个话题，我会把需要注意的东西慢慢填上。
1. 后端工具的选择这个话题不帮任何一家EDA公司说话。
现在用得最多的PR工具应该是Encounter或者ICC，那么这两个工具在65nm以下的工艺上，哪家做得更好呢？Encounter，现在最新的版本是9.1.XXXICC应该是2010.03-SPXX在2008年以前，应该来说Encounter做得比ICC好，Routing的质量比ICC好，在2009年以后，应该来说ICC做得比Encounter好。
这里主要是指Placement，CTS，和Routing。
比如在40nm的Design中，ICC可以把线route得最短，Via的数目比Encounter做的要少。
在同样的Via 的数目时，ICC的Zroute用得DFM的Via比Encounter多，Jog的数目也少。
这就是说ICC的Zroute在做DFM的时候比NanoRoute 有优势。
Icc vs. Encounter也有缺点，在Routing上，同一个Design，在DRC问题非常严重的时候，Encounter 做Routing的时候会Route不出来，但是Icc能Routing出来，Routing出来的结果是爆多Short！！！！！Cadence的Encounter能否赶上来，就看Cadence的了。
做Floorplan，这个嘛，ICC就Out了，反正我可不喜欢用ICC来做Floorplan，用Encounter做Floorplan，不管是Block或者是Fullchip比ICC好用。
在利用Inhouse的Scripts来做设计的时候，这个时候Encounter完全胜出，因为Encounter的那些db命令比ＩＣＣ好用多了。
关于做优化，Encounter可以说是Out了。
ICC在Placement，CTS，或者Routing的优化上应该来说都比Encounter做得好，毕竟ICC看到的Timing与从Pt看到的Timing，差别不是很大。
全球半导体产业的发展趋势与展望
全球半导体产业的发展趋势与展望全球半导体产业的发展趋势与展望随着科技进步和全球经济发展，半导体产业逐渐成为了全球经济的重要组成部分。
半导体产业的发展对于人类社会的发展有着深远的影响，从而也受到国家和企业的高度重视。
本文将分析当前半导体行业的发展趋势以及未来的展望，以期为该行业的从业人员和读者提供参考。
一、发展趋势1.数字化转型的推动：当前，人工智能、大数据、智慧城市等新型数字技术正在飞速发展，在数字化转型的推动下，半导体行业也必须面对严峻的挑战。
在大数据和人工智能的需求下，半导体设计和生产都需要更加高效合理，从而使公司更加具有竞争力。
2.芯片智能化的发展：作为人工智能重要组成部分的电子芯片正在越来越智能化。
虽然目前人工智能的发展还在初级阶段，但半导体产业在这领域已经有了很大的投资和研究。
电子芯片的智能化是未来半导体产业发展的趋势。
3.全球化发展：由于国际间的贸易自由化和政策支持，半导体行业的全球化发展趋势将继续发展，未来将出现更加全球化的生产和供应链。
4. 5G时代的到来：5G技术的普及将极大地推动半导体产业增长。
在5G技术的引领下，半导体产业的发展方向将更加多样化、模块化和系统化。
5. 绿色半导体的应用：环保和可持续发展日益受到重视，半导体行业也不例外。
未来的绿色半导体的应用可能会为工业提供更加简洁、高效、环保的解决方案。
二、未来展望虽然半导体行业发展呈现出不少机遇，但同时也面临不少挑战。
未来的发展需要全球半导体产业持续创新、不断提高产业整体技术水平，同时还需要按照市场需求进行细分，以满足日益多样化的需求，将半导体生产从单一芯片扩展到系统级、平台级。
攻克核心领域研究难题，提高其核心技术的竞争力，是能够让我们在未来的竞争中占据优势的关键。
半导体产业的未来发展将面临全球化、专业化和多样化的新形势。
未来的半导体产业将不仅提供芯片，在工业、军事、医疗等领域也将提供各种差异化的解决方案。
半导体技术将延伸到各个领域，如人工智能、物联网以及汽车，对未来的经济增长和社会进步都将产生巨大的影响。
中国半导体行业的区域发展特色与差异化策略
中国半导体行业的区域发展特色与差异化策略随着科技的不断进步和中国经济的快速发展，中国半导体行业在过去几年中取得了长足的发展。
作为一个具有战略意义的产业，半导体产业对于国家的现代化进程和高技术产业的培育起着重要的支撑作用。
在中国的半导体业中，不同地区的发展具有明显的特色和差异化策略。
本文将探讨中国半导体行业的区域发展特色，并分析各个地区的差异化策略。
一、华东地区的半导体产业华东地区是中国半导体产业最重要的地区之一。
上海、江苏、浙江等地集聚了一大批知名的半导体企业和研发机构，形成了完整的产业链。
华东地区以其跨国公司、大型集团和高新技术企业为支撑，先进的制造技术和良好的产业基础，成为中国半导体产业的重要发展区域。
华东地区的产业特点主要体现在以下几个方面：1. 高度集聚化的产业布局：华东地区的半导体企业集中度高，形成了完整的产业生态系统。
这种高度的集聚化可以形成规模效应，提高生产力和竞争力。
2. 研发创新能力突出：华东地区的半导体研发机构众多，具备较为完善的研发平台和技术力量。
在技术创新和新产品研发方面具有较大的优势。
3. 创新创业氛围浓厚：华东地区的政策环境相对较好，支持企业的创新创业。
同时，该地区的人才资源较为丰富，为企业的发展提供了有力的支持。
二、华南地区的半导体产业华南地区是中国半导体产业的另一个重要发展区域。
广东、福建、台湾等地区具有一定的地理优势和产业基础，吸引了大量的半导体企业和投资。
华南地区的半导体产业发展特色主要表现在以下几个方面：1. 制造能力强大：华南地区拥有成熟的制造产业链，具备高水平的制造能力。
该地区的半导体制造企业在制程工艺和设备技术方面具备一定的优势。
2. 产业升级转型：华南地区的半导体产业正朝着高端制造和技术创新方向迈进。
该地区的企业积极引进国外技术、加大研发投入，推动半导体产业的升级和转型。
3. 培育集群效应：华南地区积极培育半导体产业集群，形成产业集聚效应。
通过协同创新、共同发展，可以提高整个区域的竞争力和影响力。
中国十四五半导体政策
中国十四五半导体政策在刚刚结束的第十三个五年计划期间，中国的半导体产业取得了显著的发展。
半导体作为现代社会的基础产业之一，在科技创新、国家安全以及经济发展等方面具有重要的战略地位。
针对当前国内外半导体形势，中国政府提出了十四五半导体政策，旨在加强自主创新，提高国内半导体产业的核心竞争力。
1. 政策背景中国的半导体产业起步较晚，长期依赖进口，其发展进程也受到了国际环境的限制。
然而，随着科技进步和全球竞争的加剧，中国政府意识到半导体自主创新的重要性，并将其作为国家战略进行推进。
2. 自主研发与创新中国政府将加大对半导体技术的研发投入，提高自主创新能力。
这包括加强国内科研机构与企业的合作，推动技术创新和研究开发，并支持培养和引进高层次的科技人才。
3. 加强产业链布局中国政府将加强对整个半导体产业链的布局，从原材料到设备制造、芯片设计和封装测试等环节，形成完整的产业链条。
此举不仅能够提高国内产业的竞争力，还能够降低生产成本，提高生产效率。
4. 提升产业核心竞争力中国政府将注重培育本土企业，提升其在半导体核心技术和市场份额上的竞争力。
鼓励企业加大自主创新的力度，推动从跟随者到领先者的转变。
同时，加强与国际科技巨头的合作，促进技术交流与合作。
5. 发展应用与推广中国政府将加强对半导体应用领域的支持与推广。
半导体广泛应用于电子消费品、通信设备、智能制造等领域，具有巨大的市场潜力。
政府将鼓励半导体技术在各行各业的应用，并促进半导体与其他领域的融合创新。
6. 加强国际合作与开放中国政府将积极主动参与国际半导体事务，并加强与其他国家的合作与交流。
借助国际合作的机会，中国可以学习先进技术和管理经验，提高自身的竞争力。
同时，中国将继续对外开放，吸引外资和技术引进，促进本土企业的发展。
7. 加强监管与规范中国政府将加强对半导体产业的监管与规范，保障市场的公平竞争和消费者权益。
建立健全的法律法规体系，维护行业的秩序和健康发展。
FPGA发展趋势
FPGA技术正处于高速发展时期，新型芯片的规模越来越大，成本也越来越低，低端的FPGA已逐步取代了传统的数字元件，高端的FPGA不断在争夺AS IC的市场份额。
本节从FPGA软、硬件来展望未来的FPGA设计技术，给读者留一个FPGA技术的宏观轮廓。
1 未来可编程器件的发展趋势先进的ASIC生产工艺已经被用于FPGA的生产，越来越丰富的处理器内核被嵌入到高端的FPGA芯片中，基于FPGA的开发成为一项系统级设计工程。
随着半导体制造工艺的不同提高，FPGA的集成度将不断提高，制造成本将不断降低，其作为替代ASIC来实现电子系统的前景将日趋光明。
workcodi (1)大容量、低电压、低功耗FPGA大容量FPGA是市场发展的焦点。
FPGA产业中的两大霸主：Altera和Xili nx在超大容量FPGA上展开了激烈的竞争。
2007年Altera推出了65nm工艺的S tratixIII系列芯片，其容量为67200个L E (Logic Element，逻辑单元)，Xilinx 推出的65nm工艺的VitexVI系列芯片，其容量为33792个Slices (一个Slices约等于2个L E)。
采用深亚微米(DSM)的半导体工艺后,器件在性能提高的同时，价格也在逐步降低。
由于便携式应用产品的发展，对FPGA的低电压、低功耗的要日益迫切。
因此，无论那个厂家、哪种类型的产品,都在瞄准这个方向而努力。
(2)系统级高密度FPGA随着生产规模的提高,产品应用成本的下降，FPGA的应用已经不是过去的仅仅适用于系统接口部件的现场集成，而是将它灵活地应用于系统级(包括其核心功能芯片)设计之中。
在这样的背景下，国际主要FPGA厂家在系统级高密度F PGA的技术发展上，主要强调了两个方面：FPGA的IP( Intellec2tual Property，知识产权)硬核和IP软核。
当前具有IP内核的系统级FPGA的开发主要体现在两个方面：一方面是FPGA厂商将IP硬核(指完成版图设计的功能单元模块)嵌入到FPGA器件中，另一方面是大力扩充优化的IP软核(指利用HDL语言设计并经过综合验证的功能单元模块)，用户可以直接利用这些预定义的、经过测试和验证的IP核资源,有效地完成复杂的片上系统设计。
半导体制造业2022年趋势分析
半导体制造业2022年趋势分析随着科技的飞速发展，半导体行业也在不断创新和进步。
2022年的半导体制造业将面临更多挑战和机遇，以下是对半导体制造业2022年趋势的分析。
一、5G技术的普及加速5G技术的到来将极大地推动了半导体制造业的发展，无论是手机、车载设备、智能家居还是工业设备，都会迎来更多的机遇。
2022年，随着5G网络的普及和应用的扩大，市场对于5G芯片和器件的需求将进一步增加。
因此，半导体行业必须做好技术研发和生产准备，以满足5G技术的快速普及。
二、人工智能与物联网的结合人工智能和物联网已经成为数字化时代最重要的两个技术趋势，而半导体是实现这两种技术的关键组成部分。
2022年，人工智能技术和物联网的结合将成为半导体行业的重要发展趋势。
半导体生产商可以通过增加芯片内部的计算能力和存储能力，为物联网设备提供更好的智能化解决方案。
三、芯片工艺的升级芯片工艺升级一直是半导体制造业的重要发展趋势。
2022年，芯片工艺将进一步提高，生产商会更注重高性价比和高可靠性，以满足消费者的需求。
半导体生产厂商将加大对先进制造工艺的投资，以实现制造成本的降低和量产效率的提高。
四、新型材料的应用除了芯片制造工艺的升级，新型材料也将成为未来半导体行业的发展趋势之一。
新型材料可以提高芯片的性能和功能，并且能够满足更高的环保标准。
随着芯片制造的进步，新型材料的使用和研发将成为半导体行业未来的重要发展方向。
五、智能制造的推进智能制造是未来半导体行业的又一重要发展趋势。
智能制造的核心在于自动化和数字化，会带来更高的生产效率和更低的生产成本。
半导体制造商将通过智能制造技术的应用，实现产品质量的提升和生产效率的提高。
总之，2022年的半导体制造业将面临更多挑战和机遇，半导体制造商必须不断创新和进步，以满足消费者和市场的需求。
随着科技的不断发展，半导体制造业还有很大的发展空间。
六、可持续性和环保主题近年来，环保和可持续性的议题在全球范围内愈加引起重视，半导体行业也不例外。
Intel65nm工艺实现及45nm工艺预览
Intel 65nm工艺实现与45nm工艺预览作者濮元恺 2006年8月一, 工艺的提升带来了什么那些说摩尔定律“脑死亡”的人应该清醒的了，虽然我自己也曾对摩尔定律的未来抱有很大的怀疑和迷茫，但Intel正用实际行动一次次证明自己。
high-k方面的突破，应变硅技术上升级，晶体管结构上的创新……一个个激动人心的技术，印证了Intel在半导体制造技术的足迹。
下面将结合最近收集到的材料，和大家一起了解Intel的65nm与未来的45nm工艺。
文中出现的技术词汇不单独注解，而是在原文里整体说明，希望本文能给硬件技术爱好者在晋级道路上提供一些帮助。
1, Intel的全盘计划这张图片就是Intel的CPU整体计划，它是一项粗略的计划。
P1262是我们熟悉的采用90nm制造的Pentium 4处理器，第一批产品在2003年末出厂，典型代表是Pentium 4 Prescott。
P1262延续了上一代Pentium 4的NetBrust（网络爆发）架构，在频率方面疯狂飙升，而且90nm工艺内有一些问题没有很好地解决。
P1262计划预期达到的频率是4.0GHz，实际最后一款产品止步于3.8 GHz。
P1264是我们正在经历的时代，周期同样是2年。
我们熟悉的产品是Core微架构的Conroe处理器，采用65nm工艺制造，功耗控制表现优秀，性能强大。
P1266是未来45nm工艺制造的处理器，它将从2007年持续到2009年，产品的名称和型号我们还不知。
然后由32nm工艺的P1268接替它继续实现摩尔定律。
P1264和P1266正是我们下面要说明的计划，因为它们使用了65nm与45nm工艺，这两款工艺的实现对Intel非常重要，Intel借助它们证实了自己在芯片制造界的领先地位，同时成功地延续着摩尔定律，也同时突破了很多技术壁垒。
2. 新工艺带来了什么a、更高的性能我们在这里说的65nm、45nm是指每一个晶体管的大小，晶体管越小，单个芯片能容纳的晶体管也越多，性能由此得到提升。
Moore定律内涵及其创新发展策略
邮电设计技术第１０期２００７年１０月１持续创新策略创新是发展之本，创新是可持续发展的灵魂。
创新包括技术创新、业务创新、应用创新、服务创新、内容创新、集成创新、销售创新、市场模式创新、合作策略创新等，各种各样围绕市场与产业有效且可持续发展的创新均在其中。
移动通信的更新换代即基于一步步适应市场需求的技术创新。
从模拟至数字、从ＴＤＭＡ至ＣＤＭＡ、从单载波到多载波。
对２．５Ｇ＋／３Ｇ＋／４Ｇ而言，多载波（ｘ）－ＯＦＤＭ（ｙ）、ＭＩＭＯ－ＳＴ（Ｆ）Ｃ及整套自适应智能处理软硬件技术本身便是长期持续创新的结晶，并需继续创新才能获得更大的成功。
２Ｍｏｏｒｅ定律及其基本内涵所谓摩尔（Ｍｏｏｒｅ）、迈特卡尔夫（Ｍｅｔｃａｌｆｅ）及马修斯（Ｍａｔｔｈｅｗｓ，亦称马太）三（Ｍ）定律，是２０世纪末期伴随市场经济发展总结出的在一定条件下反映技术层面、社会需求层面与人们心理行为层面等因素对电信市场发展规律影响的一种预测。
Ｍｏｏｒｅ定律的基本含义为半导体芯片上的晶体管数（密度）大约最多每两年翻一番。
２０世纪６０年代中至７０年代初，翻一番周期为１２个月，７０年代中期以后，随着芯片结构愈来愈复杂，此周期最长为２年，后经努力将此周期缩短为２１个月或更低，目前大都取其为１８个月。
戈登·摩尔（ＧｏｒｄｏｎＭｏｏｒｅ）为英特尔（Ｉｎｔｅｌ）公司的创始人之一。
现今，Ｍｏｏｒｅ定律已成为Ｉｎｔｅｌ发展奋斗的一种信仰。
２００４年，Ｉｎｔｅｌ已推出在直径为３００ｍｍ的晶圆片（晶圆片尺寸一般１０年翻一番）上能够刻出５亿个晶体管的芯片。
Ｍｅｔｃａｌｆｅ定律认为，一个网络的价值随其用户数的平方形式而增加，每一新用户的增加将给网上其他用户带来附加价值，体现了社会需求因素对网络价值注入的倍增效应。
Ｍｏｏｒｅ定律内涵及其创新发展策略摘要在分析讨论Ｍｏｏｒｅ定律内涵的基础上，进一步论述包括ＰＯＷＥＲ定律、ＨＰＣＤＰ等在内的Ｍｏｏｒｅ定律持续推进与进一步扩展的相关发展策略。
CPU的发展趋势
CPU的发展趋势1．技术发展趋势（1）工艺的影响。
在过去30多年的发展过程中，高性能微处理器基本上都是按照著名的摩尔定律在发展。
根据世界半导体行业共同制订的2003年国际半导体技术发展路线图及其2004年更新，未来15年集成电路仍将按摩尔定律持续高速发展。
预测到2010年，高性能CPU 芯片上可集成的晶体管数将超过20亿个（到2018年超过140亿个）[4]。
半导体技术的这些进步，为处理器的设计者提供了更多的资源（无论是晶体管的数量和种类）来实现更高性能的芯片，从而有可能在单个芯片上创造更复杂和更灵活的系统。
随着晶体管集成度的越来越高、频率和计算速度的越来越快，芯片的功耗问题、晶体管的封装、芯片的蚀刻等越来越难以处理。
这些因素使得摩尔定律本身的发展及其对处理器的影响发生了一些深刻的变化。
首先，根据上述的路线图，摩尔定律指出的发展趋势已经变缓，由原来的1.5年一代变为2-3年一代。
除了技术本身的难度增加以外，集成电路生产线更新换代的成本越来越昂贵，生产厂家需要更多的时间来收回生产线成本也是一个重要原因。
其次，处理器主频正在和摩尔定律分道扬镳。
摩尔定律本质上是晶体管的尺寸以及晶体管的翻转速度的变化的定律，但由于商业的原因，摩尔定律同时被赋予每1.5年主频提高一倍的含义[4，5，6]。
事实上过去每代微处理器主频是上代产品的两倍中，其中只有1.4倍来源于器件的按比例缩小，另外1.4倍来源于结构的优化，即流水级中逻辑门数目的减少。
但目前的高主频处理器中，指令流水线的划分已经很细，很难再细分。
例如，Pentium IV的20级流水线中有两级只进行数据的传输，没有进行任何有用的运算。
另外，集成度的提高意味着线宽变窄，信号在片内传输单位距离所需的延迟也相应增大，连线延迟而不是晶体管翻转速度将越来越主导处理器的主频。
功耗和散热问题也给进一步提高处理器主频设置了很大的障碍。
因此，摩尔定律将恢复其作为关于晶体管尺寸及其翻转速度的本来面目，摩尔定律中关于处理器主频部分将逐渐失效。
650nmVCSEL_下一代光通信的光源[1]
![650nmVCSEL_下一代光通信的光源[1]](https://img.taocdn.com/s3/m/fec583b165ce0508763213c7.png)
２１科技创新导报 Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｎｏｖａｔｉｏｎ Ｈｅｒａｌｄ在网络通讯迅猛发展的今天,光纤通信的地位已经越来越重要,而作为光纤通信中很重要的环节,光源的发展就显得更加引人注目。
光纤通信所需要的光源性质与其他应用稍有不同,这种光源需要在较短的波段范围具有极高的发光强度,并且发光截面积不能大于光纤中心的直径,同时还要能保证它能与光纤的数值孔径(numerical aperture,简称NA)相匹配,此外,光源在高频时的调制特性也十分重要。
目前,光纤通信所采用的光源大多是边发射发光二极管、面发射发光二极管、边发射半导体激光器以及面发射半导体激光器。
发光二极管的输出光源于自发辐射,其频宽在100～150nm 左右,发出的光极为分散,且在低温工作时输出功率只有0.1～3mW,所以传输速率较差。
相比之下,激光光源的光输出功率较高(约为3～100mW),发光谱宽一般小于10nm,因此其传输速率比发光二极管快很多。
至于面发射半导体激光器和边发射半导体激光器最大的不同,在于面发射半导体激光器的谐振腔方向平行于长晶轴方向,而边发射半导体激光器的谐振腔方向则垂直于长晶轴方向。
由于面发射半导体激光器的出光方向是在正面而非侧面,所以激光光束比较圆、发散角比较小,因此用在光纤耦合上容易对准,可以节省许多光纤对准的封装成本。
另一方面,面发射半导体激光器的封装方式和传统使用发光二极管作为光源的网路系统是完全兼容的,因此网路系统中的光源如果采用面发射半导体激光器来替换发光二极管,原有的整个装配线都无须再作更改,但是传输速率与距离却可以大幅提升。
面发射半导体激光器正面出光的优点,还可以应用在制造二维通信阵列上,尤其适合用于板对板的网路传输或二维光纤束的传输端,这是传统的边发射半导体激光器所无法做到的。
如果就制作工艺方面而言,边发射半导体激光器在晶片工艺完成之后,必须将晶片解理成条形,并且进行侧面的镀膜,此过程十分复杂并且很耗时;而面发射半导体激光器不是利用晶体自然解理面作为谐振腔的反射面,所以不需要进行镀膜或解理就可以进行元件测试,这样就可以节省大量的制造及测量时间。
电子工艺技术的现状和发展趋势
电子工艺技术的现状和发展趋势/html/technology/hotspot/20071211/647.html作者：贾忠中、樊融融/f/10819876.htmlppt课件电子组装技术在电子工程领域，我们经常会提到电子装联工艺、电子组装技术和电子封装工程三个概念，这三个概念基本都是指将电子元件转为产品的技术，由于涵盖的范围有所不同而有所区别。
电子装联工艺，在国内用的比较多，一般指将电子元件通过基板、背板、线缆进行互连的技术。
电子组装技术，指将半导体、电子元器件安装在基板上的技术，它包括SMT技术和微组装技术，如MCM、DCA。
而电子封装工程则是指将半导体、电子元器件所具有的电子的、物理的功能，转变为适用于机器或系统的形式，并使之为人类社会服务的科学与技术。
三者之间的区别见图1所示，从图我们可以看到电子封装工程包括了电子装联工艺、电子组装技术。
电子组装技术的发展趋势电子设备追求高性能、多功能，向轻薄短小方向发展永无止境，不断推动着电子封装技术和组装技术“高密度化、精细化”发展。
今后，电子组装技术将向着以下四个方面发展：1)精细化随着01005元件、高密度CSP封装的广泛使用，元件的安装间距将从目前的0.15mm向0.1mm发展，工艺上对焊膏的印刷精度、图形质量以及贴片精度提出了更高要求。
SMT从设备到工艺都将向着适应精细化组装的要求发展。
松下APC技术就是为适应0201、01005元件的贴装而开发的新技术。
2）微组装化元器件复合化和半导体封装的三维化和微小型化，驱动着板级系统安装设计的高密度化。
电子组装技术必须加快自身的技术进步，适应其发展。
将无源元件及IC 等全部埋置在基板内部的终极三维封装以及芯片堆叠封装（SDP）、多芯片封装（MCP）和堆叠芯片尺寸封装（SCSP）的大量应用，将迫使电子组装技术跨进微组装时代。
引线键合、CSP超声焊接、DCA、PoP(堆叠装配技术)等将进入板级组装工艺范围。
65nm工艺SRAM低能质子单粒子翻转错误率预估
电介质刻蚀面临材料和工艺的选择
电介质刻蚀面临材料和工艺的选择半导体加工中，在晶片表面形成光刻胶图形，然后通过刻蚀在衬底或者衬底上面的薄膜层中选择性地除去相关材料就可以将电路图形转移到光刻胶下面的材料层上。
这一工艺过程要求非常精确。
但是，各种因素例如不断缩小的线宽、材料毒性以及不断变大的晶片尺寸等都会使实际过程困难得多。
Applied Materials公司电介质刻蚀部总经理Brian Shieh说：“前段（FEOL）和后段（BEOL）电介质刻蚀的要求各不相同，因此要求反应器基本功能具有很大的弹性，对于不同的要求都能够表现出很好的性能。
”Dow Chemical公司新技术部总监Michael Mills说：“从目前和近期的发展来看，电介质刻蚀设备还不会出现很大问题。
”“目前的研究重点是双嵌入式工艺、低k材料和高纵宽比接触孔的刻蚀。
"Hitachi High Technologies America公司高级工艺经理Jason Ghormley说：“氧化硅刻蚀要求能够精确控制各向异性刻蚀过程，尽量减少侧壁钝化层，同时保证整体结构比较完美。
这是氧化硅刻蚀的一个普遍问题，因为其工艺控制与化学反应相关。
对于氧化硅刻蚀来说，在反应器中使用含硅材料是非常有用的，因为它能控制氟原子和含碳自由基的比例，有助于在垂直方向的刻蚀反应和控制侧壁钝化层之间取得平衡。
”后段和前段面临的问题Shieh认为双嵌入式工艺是很复杂的应用，因为它涉及到各种各样的材料以及相应的整合问题，例如光刻胶或BARC对微通孔（via）的部分或全部填充、多层掩膜版的使用、硬掩膜层或金属掩膜层的使用等。
他说：“我们需要的是一整套解决方案，不管用户的要求是什么，它都能很好地达到要求。
方法之一是使刻蚀具有很宽的工艺窗口，能够提供经过优化的最佳工艺条件和很好的工艺控制能力，满足下一代材料和技术的要求。
这些新功能可以同时解决前段（FEOL）和后段（BEOL）面临的各种问题。
当然，对于FEOL和BEOL来说，也许还需要做一些很小的调整，但是其基本功能应该是一样的。
Axcelis推出65nm工艺大剂量离子注入机
Axcelis推出65nm工艺大剂量离子注入机
熊述远
【期刊名称】《半导体信息》
【年(卷),期】2006(000)004
【摘要】Axcelis技术公司推出可用于大流量注入及亚65nm器件制造的Optima HD离子注入机。
这种新型低能大剂量离子注入系统可提供200eV至80keV能量，采用高级点束技术进行注入，可确保晶圆上所有点从相同角度都能看到同一光束；该系统还使用Axcelis专有RadiusScan技术，产量高，剂量覆盖范围广，可满足传统及新型高剂量离子注入的要求。
【总页数】1页(P27-27)
【作者】熊述远
【作者单位】
【正文语种】中文
【中图分类】TN305
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芯 片 应变 低 ｋ绝缘
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● 用 户 可选 的 内核 电 压 ● 可 设 置 功耗 技 术
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高 性 能 模 式
・ 低功 耗 模 式
● Ｑｕｒ ｓＩ 件 中 内置 的 Ｐ ｗ ｒｌ 功 耗 ａｔ 软 ｕＩ ｏ ｅＰａ ｙ分 析 和优化 工 具 耗也会增加。
尽 管 不 同 应 用有 不 同 的功 耗 要 求 ， 功 耗 低 在 成 本 、复 杂 度 和可 靠 性 上 有 明显 的 优势 ，因
本 文研 究 Ａｌ ｒ 在 ６ ｎ 工 艺 上 的 工 程 策 略 ，介 绍 公 司 如何 此 ，降 低功 耗 对 任 何 硬 件 平 台总 是 有 好 处 的 。 ｔａ ５ｍ ｅ 为 客 户 降 低 生 产 和 计 划 风 险 ， 同时从 根 本 上提 高 密度 、 并 性 除 了６ ｎ 艺 对 功 耗 特性 的要 求之 外 ， ５ ｍ工 当今 的
显 示 了 这 些 漏 电 流 源（ 色表 示 ） 怎 样 随 着 逻 蓝 是
６ｎ ５ ｍ半导体工艺发展策略
Ａｔｒ ｌ ａ亚太区市场行销总监 Ｌ ｕ ｅ ｎ ｅ ｏ ｉＬｕ ｇ ｅ 摘要
辑 门 尺 寸（ 色 表 示 ） 降 而 增 加 的 。 样 的 ， 绿 的下 同 如 果 不 采取 特 殊 的功 耗 优化 措施 ，由于 开 关 晶 体 管 密 度 的增 加 以及 开 关频 率 的增 加 ， 态 功 动
能 ，及 降 低 成 本和 功 耗 。
设 计 趋 势（ 如 ，提 高 系统 外 形 的 紧凑 度 以 及 例 便携性） ，也 大 大 增 加 了 Ｐ Ｄ对 功 耗 的 敏 感 程 Ｌ 度 。在 某 些 “ 围 受限 ” 的 应用 中 ，墙 插 电源 范 是 主要 供 电 电 源 ，系统 外 形 非 常 小 ，而且 非 常
电 容 ，从而 直 接 降 低 了动 态功 耗 。
用户可选的 内核电压
用 户可 选 的 内核 电 压使 客 户 能够 选择 不 同 等 级 的 功 耗 和 性 能 。 选 择 最 低 的 支 持 内 核 电 压 ，平 均 降 低 ３％ 的 动 态 功 耗 。如 果 性能 没 有 ０ 达 到 要 求 ，用 户 可 以 选择 更高 的 电 压 ，然 后使
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加 ， ５ ｍ工 艺 的 功 耗 将 成 为关 键 问 题 。 电流 ６ｎ 漏
是 导 致静 态功 耗 增 加 的 主 要 原 因 ， 电流 包括 漏 ６ｎ ５ ｍ工 艺 上 更 薄 的栅 极 氧 化 层 隧 道 电流 ， 以及 亚 阈值 泄 漏 等（ 道 和 漏 极 至 源 极 电流 ） 图 １ 沟 。
术 来 降 低漏 电流 。三次 氧 化 提 高 了晶 体 管 电压 阂值 ， 是 会 降 低 晶体 管 的 性 能 ， 此 ， ｔ ａ 但 因 Ａｌｒ ｅ 巧 妙 的 采 用 了这 种 晶体 管 技 术 来 降 低功 耗 ，同
时 为用 户 设 计 提 供 最 佳性 能 。Ａｌ ｒ 还 使 用 了 ｔａ ｅ
关键 词 ６ ｎ ；Ｆ ＧＡ；功 耗 ５ｍ Ｐ
迈 向 ６ ｎ 工 艺 体现 了 Ｍｏｒ 定 律 对 密 度 薄 ， 难采 用 气 流 、热 沉 以及 其 他散 热 管 理 方 ５ｍ ｏｅ 很 和 性 能 的 预 测 。例 如 ，与基 于 ９ ｎ 的 Ｓ ａｉ Ｉ 案 。 ０ｍ ｔ ｔ ｒ ｘＩ 便携 式 应 用 是 Ｆ ＧＡ相 对 较 新 的 应用 领域 ， Ｐ 器 件 相 比 ， 一 代 ６ ｎ 工 艺 Ｓｒｆ Ｐ Ａ系 列 在 这种 应用 中 ，电池 使 用 时 间对 静 态 和动 态功 下 ５ｍ ｔｉ Ｆ ６ ａｘ 在 性 能 上 高 出 ２ ％ ，将 进 一 步 巩 固 Ａ￣ ａ 密 耗 提 出 了新 的限 制 要 求 。 计 目标 的 变化 促 使 Ｏ ｌｒ 在 设 度上 的领 先地 位 ，并 扩 大 Ａｌ ｒ ｔ ａ的器 件 优 势 。 功 耗 成 为选 择 Ｐ Ｄ 的首 要 标 准 。 ｅ Ｌ ６ ｎ 工 艺 也 将 降低 Ａｔｒ Ｃ ｃ ｎ 系列 器 件 的 ５ｍ ｌ ａ ｙｌ ｅ ｅ ｏ 成本 ，与 竞 争 产 品相 比 ，具 有 更 大 的性 价 比优
功耗最佳硅工艺
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应变 硅 ，提 高 晶 体 管 中 的载 流 子 移 动 能 力 ，增
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Ａｌ ｒ使 用 低 ｋ ｔａ ｅ 绝缘 工 艺 来 隔 离 金 属层 ， 小 了 减
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用 不 同 的方 法 来 降 低 功耗 ，而不 会 破 坏 时 序要 器件 中没 有 使 用 的部 分 进 行 设置 ，使其 进入 低
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功耗明显增加 ，器件可能会消耗过高的功率。 可 能 的 控 制 好功 耗 和 性 能 ， 这 两 方面 达 到 均 在
如 果 不 采用 降 低 功 耗 的 方法 ，由于 静 态 功 耗 增 衡 。Ａ ｔ ａ ６ ｎ 低 功 耗 策略 包 括 ： ｌｒ的 ５ｍ ｅ