光电技术试题

光电技术自动成卷系统

单选题（10题，20分）；简答题（5题，40分）；综合题（1题，15分）；计算题（1题，10分）；设计题（1题，15分）

1、锁定放大器是基于

A. 自相关检测理论

B. 互相关检测理论

C. 直接探测量子限理论

D. 相干探测原理

2、下列哪一种应用系统为典型的相干探测应用实例

A. 照相机自动曝光

B. 飞行目标红外辐射探测

C. 激光陀螺测量转动角速度

D. 子弹射击钢板闪光测量

3、依据光电器件伏安特性，下列哪些器件不能视为恒流源

A. 光电二极管

B. 光电三极管

C. 光电倍增管

D.光电池

4、对于P型半导体来说，以下说法不正确的是

G

A. 空穴为多子，电子为少子

c

B. 能带图中费米能级靠近价带顶

C. 光照时内部不可能产生本征吸收

D. 弱光照时载流子寿命与热平衡时空穴浓度成反比

5、在飞轮转速和方向的光电测量系统中，若光源采用激光二极管，激光波长632nm输岀光调制频率为1kHz，探测器为CdSe光敏电阻，后接的检测电路为带通滤波放大器，其中心频率为1kHz，带宽为100Hz。这样，检测系统可以消除光敏电阻哪些噪声的影响？

n

A. 1/f 噪声，热噪声

n

B. 产生-复合噪声，热噪声

C. 产生-复合噪声，热噪声

D. 1/f 噪声，产生-复合噪声

6、在非相干探测系统中

A. 检测器能响应光波的波动性质，输出的电信号间接表征光波的振幅、频率和相位

r

B. 检测器只响应入射其上的平均光功率

o

C. 具有空间滤波能力

D. 具有光谱滤波能力

7、关于半导体对光的吸收，下列说法正确的是

A. 半导体非本征吸收时，产生电子-空穴对

B. 杂质半导体本材料不会发生本征吸收

C. 半导体对光的吸收与入射光波长有关

D. 非本征吸收时，吸收的能量全部转换为材料的热能

8、下列关于热电偶和热电堆的说法不正确的是

A. 热电堆的测量误差比热电偶小

c

B. 热电堆的测量分辨率比热电偶高

C. 热电堆的光电灵敏度比热电偶高

D. 两者均基于光热效应

9、下列哪一种探测器的积分灵敏度定标时，要用到色温

A. 热电偶

B. 碲镉汞红外探测器

C. PMT

D. 热释电探测器

10、克尔盒工作的基础是某些光学介质的

简答题（共5道，每题8分）

1、 光电探测器的物理效应主要有哪几类？每类有哪些典型效应？

2、 试说明热释电摄像管中的斩光器的作用。当斩光器的微电机岀现不转或转速变慢故障时，会发

生什么现象？

3、 要对光载波的偏振态进行调制，可用的方法有哪些？

4、 什么要对单元光电信号进行二值化处理

？单元光电信号二值化处理方法有几种 ？各有什么特点？

对序列光电信号进行二值化处理的意义有哪些

？

5、 举例说明对光载波进行外调制的几种方法。

综合题（共1道，15分）

由于背景温度辐射的干扰，光电技术在红外波段信号的探测受到了限制，

称为红外背景限。能够达

到该极限值的光子探测器称为背景限光子探测器 （Background Limited Photodetector ，简称BLIP ）。试用

黑体辐射的有关定律解释为什么存在红外背景限？

计算题（共1道，10 分）

求辐射亮度为L 的各向同性面积元在张角为a 的圆锥内所发射的辐射能通量。

2856K 的白炽灯标准光源

A.电光效应

B.磁光效应

C.声光效应

设计一个利用参考探测器测量硅光电池光谱响应特性的光电系统，利用该测量系统能够得到硅光电池的（相对）光谱响应特性曲线。

1. 应该选择什么类型的探测器作为参考（标准）探测器？为什么？（5分）

2. 除了白炽灯、参考（标准）探测器外，还需要哪些部件或者设备？（5分）

3. 画出测量系统示意图。（5分）

光电技术自动成卷系统

单选题（10题，20分）；简答题（5题，40分）；综合题（1题，15分）；计算题（1题，10分）；设计题（1题，15分）

选择题（共10道，每题2分）

1、PMT积分灵敏度定标时，要用到的标准光源为

A. PMT积分灵敏度定标时，要用到的标准光源为

B. PMT积分灵敏度定标时，要用到的标准光源为

◎

C. 色温2856K标准白炽灯

c

D. 890nm激光二极管

2、有关热电探测器，下面的说法哪项是不正确的

精品文档u A.有关热电探测器，下面的说法哪项是不正确的

丿 B.响应时间为毫秒级

巨］ C.器件吸收光子的能量，使其中的非传导电子变为传导电子

rr

— D.各种波长的辐射对于器件的响应都有贡献

3、哪种阵列可工作在常温下，不需制冷器，属于非制冷型IRFPA但其灵敏度要比制冷型低1个量级以上

—B.多晶硅热电堆阵列

C.Si-PD探测器阵列

4、在迈克尔逊干涉仪中，下列方法中那种方法不能实现相位变化

M A.改变测量光路几何长度

—C.改变输入光的光强

5、对于P型半导体来说，以下说法正确的是

A. 电子为多子

B. 空穴为少子

C. 在能带图中施主能级靠近于导带底

D. 在能带图中受主能级靠近于价带顶

6、PAL电视制式，哪组参数是不正确的: IRFPA

A.HgCdTe探测器阵列

D.lnSb探测器阵列

B.在测量光路中插入玻璃板

D.移动测量光路反射镜

A.场周期20 ms，帧频为25 Hz