CVD和PVD工艺比较

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VII. 最后一个比较因素是操作运行安全问题。PVD 是一种完全没有污染的工序，有人称它为“绿色工 程”。而CVD的反应气体、反应尾气都可能具有一 定的腐蚀性，可燃性及毒性，反应尾气中还可能有 粉末状以及碎片状的物质，因此对设备、环境、操 作人员都必须采取一定的措施加以防范。
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厚度上的区别正好可以弥补 PVD阶梯覆盖性能的不足
III. CVD镀层往往比各种PVD镀层略厚一些，前者厚 度在7.5μm左右，后者通常不到2.5μm厚。CVD镀层的 表面略比基体的表面粗糙些。相反，PVD镀膜如实地 反映材料的表面，不用研磨就具有很好的金属光泽， 这在装饰镀膜方面十分重要。
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IV. CVD反应发生在低真空的气态环境中，具有很 好的绕镀性，所以密封在CVD反应器中的所有工，所有的PVD技术由 于气压较低，绕镀性较差，因此工件背面和侧面的 镀制效果不理想。PVD的反应器必须减少装载密度 以避免形成阴影，而且装卡、固定比较复杂。在 PVD反应器中，通常工件要不停地转动，并且有时 还需要边转边往复运动。
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V. 在CVD工艺过程中，要严格控制工艺条件，否 则，系统中的反应气体或反应产物的腐蚀作用会使 基体脆化。
VI. 比较CVD和PVD这两种工艺的成本比较困难， 有人认为最初的设备投资PVD是CVD的3一4倍，而 PVD工艺的生产周期是CVD的1/10。在CVD的一个 操作循环中，可以对各式各样的工件进行处理，而 PVD就受到很大限制。综合比较可以看出，在两种 工艺都可用的范围内，采用PVD要比CVD代价高。
PVD和CVD两种工艺的对比
概述：同PVD工艺相比，CVD的最大优势就是
良好的阶梯覆盖性能，同时具有便于制备复合产物、 不需高真空和淀积速率高等优点。CVD技术在19世 纪 60 年 代 被 引 入 半 导 体 材 料 制 备 并 快 速 发 展 。 随 PECVD，HDPCVD和MOCVD等技术的出现，CVD 在集成电路制造中广泛应用于多晶硅、绝缘介质和 金属薄膜的制备。
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I. 工艺温度高低是CVD和PVD之间的主要区别。 温度对于高速钢镀膜具有重大意义。CVD法的工艺 温度超过了高速钢的回火温度，用CVD法镀制的高 速钢工件，必须进行镀膜后的真空热处理，以恢复硬 度。镀后热处理会产生不容许的变形。 II. CVD工艺对进人反应器工件的清洁要求比PVD 工艺低一些，因为工件表面的一些脏东西很容易在高 温下烧掉。此外，高温下得到的镀层结合强度要更好 些。