IR推出新型DirectFET HOSFET有效降低高达30%的导电损耗
合集下载
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
IR推出新型DirectFET HOSFET有效降低高达30%的导电
损耗
佚名
【期刊名称】《《电源技术应用》》
【年(卷),期】2005(29)11
【摘要】世界功率管理技术领袖国际整流器公司（IR）近日推出一款新型60V DirectFET功率MOSFET—IRF6648。
该器件的最大导通电阻为7．0m （VGS=10V），导电损耗可比同类解决方案减少30％。
【总页数】1页(PI0010)
【正文语种】中文
【中图分类】TN432
【相关文献】
1.IR推出新型逻辑电平驱动型HOSFET [J],
2.IR推出新型HOSFET [J],
3.IR推出最新型200V DirectFET MOSFET效率高达95％并可大幅节省占位空间[J],
4.IR为高达2MHz的直流—直流转换器推出DirectFET MOSFET [J],
5.IR推出用于DC／DC降压式转换器的30V DirectFET MOSFET [J],
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。