半导体元器件的测试方法

绝缘栅型场效应管
栅源阈值电压 Vgs(th)
参数定义：当漏极电流值增加到规定低值时的正向栅源电压。 测试原理：
原理说明： 1. 器件栅极和漏极短路，施加规定的漏极电流 Id。 2.测试器件栅-源电压 Vgs。
漏极电流 Id(on)
参数定义：在规定的栅源电压和漏源电压下的漏极电流。 测试原理：
原理说明： 1. 器件施加规定的栅源电压 Vgs, 漏源电压 Vds。 2.测试器件漏极电流 Id。
反向击穿电压 VR
参数定义：通过二极管的反向电流变到大于规定值时的电压。 测试原理：
原理说明： 1. 器件施加规定的反向电流 IR。 2. 测试器件反向电压 VR。
稳压管工作电压 VZ
参数定义：在规定的工作电流下稳压管的工作电压。 测试原理：
原理说明： 1. 器件施加规定的工作电流 IZ。 2. 测试器件的工作电压 VZ。
正向直流电压 VF
二极管
参数定义：规定的正向电流流过器件时，在器件两端产生的直流电压。 测试原理：
原理说明： 1. 器件正向施加规定的输入电流 IF。 2. 测试器件正向电压 VF。
反向漏电流 IR
参数定义：器件施加规定的反向电压时，流过二极管的反向电流。 测试原理：
原理说明： 1. 器件施加规定的反向电压 VR。 2. 测试器件反向电流 IR。
栅-源击穿电压 Vgs
参数定义：பைடு நூலகம்件在漏-源短路的条件下，测试栅-源间的击穿电压。 测试原理：
原理说明： 1.器件漏-源短路，施加规定的工作电流 Igs。 2.测试器件的击穿电压 BVgs。
漏-源击穿电压 BVds
参数定义：器件栅-源电压和漏极电流为规定值时，漏-源之间的电压。 测试原理：
原理说明： 1.器件施加规定的栅-源电压 Vgs ，漏极电流 Ids。 2.测试器件的漏-源击穿电压 BVds。
漏源通态电阻 Rds(on)
参数定义：在饱和条件下的直流电阻。 测试原理：
原理说明： 1. 器件施加规定的栅源电压 Vgs, 漏极电流 Id。 2.测试器件漏源电压 Vds,Rds(on) = Vds / Id。
漏源通态电压 Vds(on)
参数定义：在饱和条件下的直流电压。 测试原理：
原理说明： 1. 器件施加规定的栅源电压 Vgs, 漏极电流 Id。 2.测试器件漏源电压 Vds(on)。
集电极-基极击穿电压 BVcbo
参数定义：器件当发射极开路时，集电极-基极结的击穿电压。 测试原理：
原理说明： 1. 器件发射极开路。 2. 器件集电极-基极之间施加规定电流 Ic。 3. 测试器件集电极-基极之间的反向电压 BVcbo。
发射极-基极击穿电压 BVebo
参数定义：器件当集电极开路时，发射极-基极结的击穿电压。 测试原理：
稳压管动态电阻 rZ
参数定义：在规定的条件下，稳压二极管两端的电压微变量与通过的电流微变量之比。
测试原理：
原理说明： 1. 器件施加规定工作电流 IZ1 = IZ x（1 + 10%），测试器件工作电压 VZ1。 2. 器件施加规定工作电流 IZ2 = IZ x（1 - 10%），测试器件工作电压 VZ2。 3. 器件动态电阻 rZ = | VZ1 - VZ2 | / | IZ1 - IZ2 |。
可控硅
控制极触发电流 Igt
参数定义：使可控硅由断态进入通态所必须的最小控制极电流。 测试原理：
原理说明： 1.器件施加规定的正向电流 It。 2.控制极电流 Ig 由小到大扫描，同时测量正向电压 Vt，当 Vt < VT 时，Igt = Ig。
控制极触发电压 Vgt
参数定义：产生控制极触发电流所必须的最小控制极电压。 测试原理：
正向传输比 gfs
参数定义：在规定的静态漏-源电压和漏极电流下，漏极电流与栅-源电压差之比。 测试原理：
原理说明： 1.器件施加规定的漏-源电压 Vds, 和变化的漏极电流 Ids1=Ids(1+10%); Ids2=Ids(1-10%)。 2.测试器件栅-源电压 Vgs1, Vgs2 . gfs = |Id1-Ids2|/|Vgs1-Vgs2|。
集电极-发射极截止电流 Iceo
参数定义：器件当基极开路时，在规定的集电极-发射极电压下，流过集电极-发射极结的反向电 流。 测试原理：
原理说明： 1. 器件基极开路。 2. 器件集电极-发射极之间施加规定电压 Vce。 3. 测试器件流过发射极的反向电流 Iceo。
集电极-基极截止电流 Icbo
直流维持电流 Ih
参数定义：维持可控硅处于通态所需的最小主电流。 测试原理：
原理说明： 1.器件施加规定控制极电流 Ig。 2.器件正向电流 It 由大到小扫描，同时测量正向电压 Vt，当 Vt > VT 时，Ih = It。
适用于 P 控制极反向阻断三极闸流管。
原理说明： 1.器件施加规定的正向电流 It。 2.控制极电压 Vg 由小到大扫描，同时测量正向电压 Vt，当 Vt < VT 时，Vgt = Vg。
通态直流电压 Vt
参数定义：可控硅处于通态时的主电压。 测试原理：
原理说明： 1.器件施加规定的正向电流 It，和控制极电流 Ig。 2.测量正向电压 Vt。
参数定义：器件当发射极开路时，在规定的集电极-基极电压下，流过集电极-基极结的反向电流。 测试原理：
原理说明： 1. 器件发射极开路。 2. 器件集电极-基极之间施加规定电压 Vcb。 3. 测试器件流过基极的反向电流 Icbo。
发射极-基极截止电流 Iebo
参数定义：器件当集电极开路时，在规定的发射极-基极电压下，流过发射极-基极结的反向电流。 测试原理：
原理说明： 1. 器件集电极开路。 2. 器件发射极-基极之间施加规定电流 Ie。 3. 测试器件发射极-基极之间的反向电压 BVebo。
结型场效应管
通态电流 Idss
参数定义：栅-源电压为零时的漏极电流。 测试原理：
原理说明： 1. 器件栅-源极短路，漏-源极之间施加规定的电压 Vds。 2. 测试器件漏极电流 Idss。
三极管
集电极-发射极饱和电压 Vces
参数定义：器件在规定的基极电流和集电极电流下，集电极和发射极之间的剩余电压。 测试原理：
原理说明： 1. 器件基极施加规定的输入电流 Ib。 2. 器件集电极施加规定的输出电流 Ic。 3. 测试器件集电极电压 Vces。
基极-发射极饱和压降 Vbes
参数定义：晶体管工作于饱和区时，在规定的基极电流和集电极电流下，基极和发射极之间的电 压。 测试原理：
漏源击穿电压 BVdss
参数定义：器件在栅-源短路的条件下漏-源之间的击穿电压。 测试原理：
原理说明： 1.器件栅极和源极短路，施加规定的漏极电流 Id。 2.测试器件的漏-源击穿电压 BVdss。
零栅压漏极电流 Idss
参数定义：栅-源电压为零时的漏极电流。 测试原理：
原理说明： 1. 器件栅-源极短路，漏-源极之间施加规定的电压 Vds。 2. 测试器件漏极电流 Idss。
原理说明： 1. 器件基极施加规定的输入电流 Ib。 2. 器件集电极施加规定的输出电流 Ic。 3. 测试器件基极电压 Vbes。
放大倍数 HFE
参数定义：器件在输出电压保持不变时，直流输出电流与直流输入电流之比。 测试原理：
原理说明： 1. 器件集电极和发射极之间施加规定的输出电压 Vce。 2. 器件发射极恒定规定的输出电流 Ie ( Ie = Ic + Ib )。 3. 测试器件基极电流 Ib,hfe = Ic / Ib。
原理说明： 1. 器件集电极开路。 2. 器件发射极-基极之间施加规定电压 Veb。 3. 测试器件流过基极的反向电流 Iebo。
集电极-发射极击穿电压 BVceo
参数定义：器件当基极开路时，集电极-发射极结的击穿电压。 测试原理：
原理说明： 1. 器件基极开路。 2. 器件集电极-发射极之间施加规定电流 Ic。 3. 测试器件集电极-发射极之间的反向电压 BVceo。
跨导 gm
参数定义：在规定的漏-源电压下，漏极电流差与栅-源电压差之比。 测试原理：
原理说明： 1.器件施加规定的漏-源电压 Vds, 和漏极电流 Ids1 = Ids x (1 + 10%) 、Ids2 = Ids x (1-10%)。 2.测试器件栅-源电压 Vgs1、Vgs2, gm = |Ids1-Ids2| / |Vgs1-Vgs2|。
栅-源截止电流 Igss
参数定义：器件漏-源短路，栅极加反向偏压时流进栅极的电流。 测试原理：
原理说明： 1. 器件施加规定的栅-源电压 Vgs。 2.测试器件反向电流 Igss。
夹断电压 Vp
参数定义：当漏极电流值减小到规定低值时的反向栅源电压。 测试原理：
原理说明： 1. 器件施加规定的漏-源电压 Vds 和漏-源电流 Ids。 2.测试器件栅-源电压 Vgs。
正向栅源漏电流 Igssf
参数定义：器件漏-源短路，栅极加正向偏压时流进栅极的电流。 测试原理：
原理说明： 1. 器件漏极和源极短路，施加规定的栅-源电压 Vgs。 2.测试器件反向电流 Igssf。
反向栅源漏电流 Igssr
参数定义：器件漏-源短路，栅极加反向偏压时流进栅极的电流。 测试原理：
原理说明： 1. 器件漏极和源极短路，施加规定的栅-源电压 Vgs。 2.测试器件反向电流 Igssr。
开路断态电流 Ido
参数定义：控制极开路，可控硅处于断态时的主电流。 测试原理：
原理说明： 1.器件控制极开路，施加规定的正向电压 Vd。 2.测量器件主电流 Ido。
短路断态电流 Ids
参数定义：控制极短路，可控硅处于断态时的主电流。 测试原理：
原理说明： 1.器件控制极和负端短路，施加规定的正向电压 Vd。 2.测量器件主电流 Ids。