线切割机硅片收集槽
硅片加工各工序作用表
一、硅片生产主要制造流程如下：切片→倒角→磨片→磨检→CP→CVD→ML→最终洗净→终检→仓入二、硅片生产制造流程作业1.硅棒粘接：用粘接剂对硅棒和碳板进行粘接，以利于牢固的固定在切割机上和方位角的确定。
2.切片(Slice)：主要利用内圆切割机或线切割机进行切割，以获得达到其加工要求的厚度，X、Y方向角，曲翘度的薄硅片。
3.面方位测定：利用X射线光机对所加工出的硅片或线切割前要加工的硅棒测定其X、Y方位角，以保证所加工的硅片的X、Y方位角符合产品加工要求。
4.倒角前清洗：主要利用热碱溶液和超声波对已切成的硅片进行表面清洗，以去除硅片表面的粘接剂、有机物和硅粉等。
5.倒角(BV)：利用不同的砥石形状和粒度来加工出符合加工要求的倒角幅值、倒角角度等，以减少后续加工过程中可能产生的崩边、晶格缺陷、处延生长和涂胶工艺中所造成的表面层的厚度不均匀分布。
6.厚度分类：为后续的磨片加工工艺提供厚度相对均匀的硅片分类，防止磨片中的厚度不均匀所造成的碎片等。
7.磨片(Lapping):去除切片过程中所产生的切痕和表面损伤层，同时获得厚度均匀一致的硅片。
8.磨片清洗：去除磨片过程中硅片表面的研磨剂等。
9.磨片检查：钠光灯下检查由于前段工艺所造成的各类失效模式，如裂纹、划伤、倒角不良等。
10.ADE测量：测量硅片的厚度、曲翘度、TTV、TIR、FPD等。
11.激光刻字：按照客户要求对硅片进行刻字。
12.研磨最终清洗：去除硅片表面的有机物和颗粒。
13.扩大镜检查：查看倒角有无不良和其它不良模式。
14.CP前洗：去除硅片表面的有机物和颗粒。
15.CP(Chemical Polishing):采用HNO3+HF+CH3COOH溶液腐蚀去除31um厚度，可有效去除表面损伤层和提高表面光泽度。
16.CP后洗：用碱和酸分别去除有机物和金属离子。
17.CP检查：在荧光灯和聚光灯下检查表面有无缺陷和洗污，以及电阻率、PN判定和厚度的测量分类。
金刚线切割硅片工艺流程
金刚线切割硅片工艺流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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硅片多线切割机罗拉槽计算
硅片多线切割机罗拉槽计算硅片切割技术在光伏电池材料中具有重要的意义，切割技术长期成为光伏行业研究的热点。
硅片切割技术主要分为内圆切割和多线切割技术。
目前硅片切割技术多采用多线切割技术，相比以前的内圆切割，有切割效率高，成本低，材料损耗少的优点。
因此多线钢线硅片切割技术是未来切割技术的主流，目前硅片能够切出的最薄度在200um左右。
实际太阳能电池的最佳性能厚度是在60-100um.，之所以维持在200um左右是从太阳能电池的机械性考虑，硅片厚度减少不能适应一些电池工艺，如腐蚀，丝网印刷等，硅片厚度的减少带来了很大的电池制备技术难点。
硅片多线切割机罗拉槽计算方法分析：
公式：D=T+F+dw+DS
槽距=硅片厚度+游移量+钢线直径+金刚砂直径
理论切片数量=单晶有效长度/槽距。
单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片工艺流程
加工流程：单晶生长→切断→外径滚磨→平边或V型槽处理→切片倒角→研磨腐蚀--抛光→清洗→包装切断：目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。
切断的设备：内园切割机或外园切割机切断用主要进口材料：刀片外径磨削：由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。
外径滚磨的设备：磨床平边或V型槽处理：指方位及指定加工，用以单晶硅捧上的特定结晶方向平边或V型。
处理的设备：磨床及X－RAY绕射仪。
切片：指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片。
切片的设备：内园切割机或线切割机倒角：指将切割成的晶片税利边修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。
倒角的主要设备：倒角机研磨：指通过研磨能除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。
研磨的设备：研磨机（双面研磨）主要原料：研磨浆料（主要成份为氧化铝，铬砂，水），滑浮液。
腐蚀：指经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。
腐蚀的方式：（A）酸性腐蚀，是最普遍被采用的。
酸性腐蚀液由硝酸（HNO3），氢氟酸（HF），及一些缓冲酸（CH3COCH，H3PO4）组成。
（B）碱性腐蚀，碱性腐蚀液由KOH或NaOH加纯水组成。
抛光：指单晶硅片表面需要改善微缺陷，从而获得高平坦度晶片的抛光。
抛光的设备：多片式抛光机，单片式抛光机。
抛光的方式：粗抛：主要作用去除损伤层，一般去除量约在10－20um；精抛：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下主要原料：抛光液由具有SiO2的微细悬硅酸胶及NaOH（或KOH或NH4OH）组成，分为粗抛浆和精抛浆。
清洗：在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗，这里的清洗主要是抛光后的最终清洗。
光伏硅片多线切割机技术要求
光伏硅片多线切割机技术要求
以下是 8 条关于光伏硅片多线切割机技术要求：
1. 这机器的切割精度得超高才行啊！就好比射箭要射中靶心一样，不能有丝毫偏差。
你想啊，如果精度不够，那切出来的硅片不就不达标了吗？咱可不能要这样的！
2. 它的稳定性那必须杠杠的呀！就像一个可靠的老伙计，不能关键时刻掉链子。
要是机器不稳定，一会儿好一会儿坏，这不是让人抓狂嘛！
3. 切割速度可不能慢呀！就如同跑步比赛，谁不想快点到终点呢。
速度太慢，那得浪费多少时间和成本啊，这可不行！
4. 这机器的兼容性也得强吧！就像一个全能选手，啥样的材料都能应对。
要是兼容性不好，那好多工作都没法开展，多闹心！
5. 维护是不是得方便简单呀！不能像个娇贵的公主，动不动就出问题还难伺候。
好维护的机器才能让我们用得省心省力呀！
6. 噪音可别太大了呀！不然吵得人脑袋疼。
想想看，要是跟在工地上似的，谁受得了呀！咱得要个安静干活的环境。
7. 能耗要低低低呀！这可关乎着成本呢。
总不能像个电老虎似的，拼命耗电吧。
那我们的钱包可受不了啊！
8. 操作得简单易懂呀！不能搞得跟个复杂的谜题似的。
要是操作太复杂，谁有那么多精力去研究呀。
我觉得光伏硅片多线切割机就得满足这些技术要求，不然真的没法好好干活呀！。
一种硅片切割机硅片收集装置[实用新型专利]
![一种硅片切割机硅片收集装置[实用新型专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/52e002e3581b6bd97f19eaf0.png)
专利名称：一种硅片切割机硅片收集装置专利类型：实用新型专利
发明人：廖文丰
申请号：CN201620059924.3
申请日：20160121
公开号：CN205364259U
公开日：
20160706
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本实用新型涉及一种硅片切割机硅片收集装置，包括槽体，槽体内设有筛板，筛板底部设有使筛板左右运动的动力装置，筛板上部左右两侧设有防止硅片进入筛板左右运动空隙的斜板，槽体内设有回收清理槽。
本实用新型的优点体现在：通过本实用新型可将破碎的硅片及硅片碎末过滤筛掉，提高良品率，降低了工人的劳动强度，提高了工作效率。
申请人：浙江泰丰太阳能科技有限公司
地址：325000 浙江省温州市龙湾区海滨宁城西街
国籍：CN
代理机构：北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)
代理人：郭官厚
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硅晶片切割液回收方案
引言硅晶片的切割液在制造过程中是不可避免地会产生大量废液。
由于制造过程中使用的切割液含有一定的有害物质，直接排放会造成环境污染和资源浪费。
因此，开发一种高效的硅晶片切割液回收方案具有重要的意义。
本文将介绍一种可行的回收方案，旨在降低废液排放量，提高资源利用率。
方案概述本方案主要包括收集、处理和回收三个步骤。
首先，通过收集设备将废弃的切割液进行有效收集。
然后，通过处理设备对收集到的切割液进行处理、去除有害物质并恢复其原有的物理化学性质。
最后，经过回收处理后的切割液可以被再次使用。
收集步骤设备配置在生产线上，设置自动收集系统，包括收集槽、输送管道和储罐等设备。
收集槽位于硅晶片切割机下方，通过系统管道将废切割液输送至储罐。
废液收集在切割过程中，将产生的废切割液自动引流至收集槽，并确保全部液体被收集。
利用液位传感器监测切割液的液位，当液位达到设定阈值时，自动关闭入口阀门以避免溢出。
废液储存将收集到的切割液输送至储罐进行临时储存。
储罐应具备一定的密封性，避免切割液外泄以及与空气接触导致质量下降。
处理步骤废液预处理将储罐中的废切割液送至预处理设备进行初步处理。
此步骤主要包括废液过滤和调整液体性质两个环节。
废液过滤通过滤网、滤芯等过滤介质进行切割液固体颗粒的分离。
过滤系统应具备一定的容量和过滤精度，以确保废液中的固体颗粒被完全去除。
调整液体性质在废液达到一定流量后，通过加入适量的稀释剂、调整剂和酸碱度等，使废液的物理化学性质恢复到最佳状态。
这有助于减少后续处理步骤中的能耗和处理成本。
废液处理经过预处理后，废液进入处理系统进行深度处理，主要包括离子交换、膜分离和化学反应等环节。
废液经过离子交换树脂的作用，使其中的金属离子和有害离子与树脂发生吸附反应，除去其中的有害物质。
交换后的废液被分离成进一步处理的原料。
膜分离利用反渗透膜、超滤膜和纳滤膜等技术，对废液进行膜分离过程。
该过程可以进一步剔除溶解物质和微粒，提高废液的纯度和清澈度。
线切割单晶硅片检验规范
线切割单晶硅片检验规范1、目的:为明确产品质量要求，加强产品质量管控，特制订本规范。
2、适用范围适用于线切割后单晶硅片(125×125)和(156×156)的品质检验。
3、主要内容精选模板A．检验项目及要求：检测环境要求（温度20~28℃，湿度不大于60%）B．判定：a. 成品检验结果的判定:①以每根晶棒所切片数为一单位，按表1抽检方案对其进行外观检测，根据检测结果对合格品进行分类包装;②针对尺寸﹑电阻率﹑导电型号检测时,如发现一片不合格，则针对不合格项目进行全检，除去不合格品后,按其等级进行包装。
b. 出厂检验结果的判定:抽检判别不合格的批不合格产品，可以针对不合格项目进行全检，除去不合格品后，合格品可以重新组批。
重新送检的产品，复检时可以只对上次检验不合格项目进行检验判别。
c. 如客户有特殊质量要求时按客户的质量标准为依据。
4.包装、储运A．将每一收缩袋装满100片，并用封口机将其封口，标签上注明产品规格、数量、晶体编号；B．每四包硅片装入一包装盒内，两包之间用两片珍珠棉隔开，两端用硬泡沫板、瓦棱板固定；C．用胶带将包装盒封牢,顶盖上粘贴标签，注明产品名称、规格、晶体编号、数量、包装日期，加盖检验章；D．将规格相同、性能相似的硅片每六盒装入一纸箱内，用胶带将纸箱封牢,外标签上注明产品名称、规格、数量、包装日期，加盖检验章；E．包装箱外侧须印刷有：“易碎”、“小心轻放”、“防潮”、等标识，并标明产品名称、规格、数量、生产商名称及地址、毛重、净重等字样；F．每批产品须附产品质保书；G．产品应储存在清洁、干燥的环境中；H．运输过程中应轻装轻卸，防震、防潮、防挤压。
5、相关记录《单晶硅片检验报告单》. .精选模板。