DicingTape与DieSaw制程

DicingTape与DieSaw制程
Dicing Tape与Die Saw 制程一般在切割（DIE SAW）的过程中最容易发生问题的地方有二个，Free Dice 和Chipping 。

一、Free Dice
Free Dice发生的原因：
1、粘着面不清洁。

2、TAPE 与被粘着面粘力不足。

粘着面不清洁的解决方法：
一般使用者遇到Free Dice的问题时，通常都只考虑到粘力不足，不常考虑到Wafer back surface与Substrate 贴合面的状态，清洗贴合面有助于增加Tape的贴合面，通常使用的清洗方法大致有两种：
1、超声波清洗。

2、电将清洗。

TAPE 与被粘着面粘力不足
通常粘力=（Tape与Die的接触面积）×（Tape对Wafer 或Substrate背面的粘度）
所以当Die越小，或是Tape粘度低时会产生Free Dice的机会说越多。

针对Free Dice的解决方法：
1、选用粘度较大而unwinding force 又不太高的Tape。

2、增加Tape与Die背面的接触面积（MOUNT 之后
CURE）。

为了增加Tape与Wafer的接触面积，可分为Pre-cure（预热）与MOUNT 之后烘烤两种，Pre-cure主要是在MOUNT 之前利用Wafer Chuck Table加温，达到Tape MOUNT到Wafer时Tape的胶层稍微软化，达到较好的贴合效果。

MOUNT之后的烘烤，主要是Pre-cure的效果没有达到的需要的粘力，所以用此方法，预防在Die Saw过程中发生Free Dice现象。

TAPE 的化学特性
Wafer由于在Back Grinding后有TTV值的存在，表示
并非百分之百的平面，用烤箱烘烤使胶层软化，以达到填充Wafer Back Side 的微小凹面，使Tape与Wafer Back Side的接触面增加，以达到增加粘力的效果。

Adhesion(gf/20cm)
A’
120
A
B
23 60 Temperature(℃) 由图可知，当胶层温度由23℃上升到60℃时（由A到B），
胶层的粘度变小，但胶的流动性变大，使胶层比较容易渗入
不平整的Wafer背面，以增加接触面积，当Wafer要Saw之前，胶层又回到原来的温度（B到A’），因为胶对温度的
变化是一种不可逆的过程，所以A不等于A’。

烘烤前Tape与Wafer的粘力=（A的粘度）×（烘烤前Tape
与Wafer的接触面积）
烘烤后Tape与Wafer的粘力=（A’的粘度）×（烘烤前Tape
与Wafer的接触面积）
由于并非长时间烘烤，所以A的粘度与A’的粘度并不会
大幅改变，主要改变粘力的因素在于Tape与Wafer的接触
面积的增加。

Tape与Wafer的接触面积（%）
100%
60℃热源烘烤曲线
50℃热源烘烤曲线
1 2 3 4 5 烘烤时间（min）
用烘烤的方法增加粘力，基本上有一些限制，当Tape Mount
到Si Wafer的Back Side后以60 ℃热源烘烤三分钟其Tape
与Wafer的接触面积已经达到80%以上，此时若再继续烘烤
十分钟最多增加10%，所以我们可以得出结论，虽然烤的越久，Tape与Wafer的接触面积增加越多所以越粘，但后面
的烘烤时间也会越没效率。

烘烤的缺点：
烘烤的目的就是要增加粘性，对解决Free Dice而言当然越。