二极管练习题

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电子技术期末复习资料

《电子技术》练习题一、填空题1、不论是N型半导体还是P型半导体都是电中性，对外不显电性。

2、根据PN结的组合方式，可形成PNP型和 NPN型三极管。

3、二极管的两端加正向电压时，有一段“死区压降”，锗管约为 0.1V ，硅管约为 0.5V 。

4、二极管的主要特性是单向导电性，PN结正向偏置时处于导通状态。

5、通常把晶体管的输出特性曲线分为三个区域：截止区、放大区、饱和区。

6、一个PN结可以构成一个二极管、稳压二极管工作在特性曲线的反向击穿区域。

7、集成运算放大器一般由输入级、中间级、输出级、偏置电路四部分组成。

8、理想运放工作在线性区时有两个重要特点，即虚短和虚断。

9、数字逻辑电路可分为组合逻辑电路和时序逻辑电路两大类。

10、数字电路中，基本的逻辑关系有与、或和非三种。

11、与门的逻辑功能是有0出0, 全1出1；与非门的逻辑功能是。

在数字电路中常用数字 1 、 0 表示电平高低。

12、按晶体管的导通时间的不同，可将功率放大电路分成甲类、乙类、甲乙类。

其中效率最高的是乙类。

乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫交越失真。

13、直流稳压电源主要由电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路四部分组成。

14、时序逻辑电路是由具有记忆功能的触发器组成，其输出状态除与当时的输入16、二极管的两个管脚的名称是阳极和阴极。

17、.集成三端稳压器CW7915的输出电压为-15 V，CW7805输出电压为 5 V。

18、在整流与负载之间接入滤波电路。

若接电容滤波电路，要将滤波电容与负载并联，若接电感滤波电路，要将滤波电感与负载串联。

19、理想集成运放的特点是：输入电阻无穷大，电压放大倍数无穷大，共模抑制比无穷大，输出电阻 020、(30)10 = ( 11110 )2、（101111）2=( 2F )16。

二、选择题1、在单相半波整流电路中，如果变压器二次绕组电压为40V，则输出电压U0为（ C ）。

A．10V B．15V C．18V D．20V2、PNP型晶体管处于放大状态时，各极正确的电位关系是（C ）A．VC > VE > VB B．VC > VB >VE C．VC < VB < VE D．VC < VE < VB3、在放大电路中，当输入信号一定时，静态工作点Q设置太高将产生（ B ）失真A．截止 B．饱和 C．频率 D．无法确定4、硅管正偏导通时，其管压降约为（ D ）A．0.1V B．0.2V C．0.5V D．0.7V5、稳压二极管是一种特殊的二极管，稳压时工作在（ C ）状态。

电工三级(高级)练习题库与答案

电工三级（高级）练习题库与答案1、二极管的反向电流随温度的( )而( )。

A、升高/减少B、减低/减少C、升高/不变D、升高/基本不变答案：B2、带感性负载的可控整流电路加入续流二极管后，晶闸管的导通角比没加二极管前减小了，此时电路的功率因数( )。

A、提高了B、减小了C、并不变化D、无法判断，随导通角的变化而变化答案：A3、变压器的负载变化时，其( )基本不变。

A、输出功率B、输入功率C、励磁电流D、输入电流答案：C4、哪种情形下同步发电机不存在电枢反应？（）A、只带纯阻性负载B、因故跳闸后C、只带纯感性负载D、只带纯容性负载答案：B5、交流电器的铁心通常采用硅钢片叠压而成，其主要目的是（）。

A、减少铁心发热程度B、减少用铁量C、拆装方便D、增大磁通答案：A6、某异步电动机的额定功率是 10 kW，额定转速是 955 r/min，则该电动机的额定转矩是（） N.m。

A、 95.5C、 10D、 955答案：B7、电力场效应管MOSFET 是（）器件。

A、双极型B、多数载流子C、少数载流子D、无载流子答案：B8、直流调速装置调试前的准备工作主要有（）。

A、收集有关资料，熟悉并阅读有关资料和说明，调试用仪表的准备B、收集有关资料，接通电源C、阅读有关资料和说明书，加装漏电保护器D、调试用仪表的准备，主电路和控制电路的接线，编制和输入控制程序答案：A9、PLC 交流双速电梯，目前层楼指示器普遍采用（）。

A、七段数码管B、信号灯C、指针D、发光二极管答案：A10、三相半波可控整流电路电感性负载无续流管，输出电压平均值的计算公式是 ( )。

A、Ud =1.17U2cosα 0°≤α≤60°B、Ud=1.17U2cosα 0°≤a≤30°C、Ud=1.17U2cosα O°≤α≤90°D、Ud =l.17U2cosα O°≤α≤120°答案：C11、测量额定电压在 500 V 以下的设备或线路的绝缘电阻时，选用电压等级为（）V 的兆欧表。

模电练习题

11
第一章练习题
3.某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管（）。 A.处于放大区域 B.处于饱和区域 C.处于截止区域 D.已损坏
答案：D
12
第一章练习题
4. 在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、－10V和－9.3V，则该管为（）。 A、NPN硅管 B、NPN锗管 C、PNP硅管 D、PNP锗管
A：C极，B：B极，C：E极，NPN管
10
第一章练习题
2. 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为VA＝-9V，VB＝-6V，VC＝-6.2V，试分析A、B、C中哪个是基极b、发射级e、集电极c、并说明此BJT是NPN管还是PNP管。
A：C极，B：E极，C：B极，PNP锗管
答案：A
13
第一章练习题
5.用万用表直流电压档，测得电路中晶体管（硅管）各电极相对于某一参考点的电位如图所示，从而可以判断出该晶体管工作在（）。 A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、倒置状态
答案：C
14
第一章练习题
场效应管判断类型
方法：
N、P沟道判断：看iD正负（正N、负P）增强、耗尽型判断：uGS=0时有无电流（有耗尽、无增强）结型、绝缘栅判断：uGS=0时，如果电流最大值（结型），无iD 最大值（绝缘栅）
D1处于截止状态、D2处于导通状态 VAO＝－6V。
5
第一章练习题
4. 试判断图中的二极管是导通还是截止，为什么？（假设二极管是理想的）
VA＝1V VB＝1+2.5＝3.5V D处于反向截止状态。
6
第一章练习题
VA＝1V VB＝2.5－1＝1.5V D处于反向截止状态。

二极管三极管练习题

二极管三极管练习题一、选择题1. 二极管的主要功能是：A. 放大信号B. 开关电路C. 电压稳定D. 电流放大2. 二极管的PN结在正向偏置时，其特性是：A. 电阻增大B. 电阻减小C. 电流增大D. 电流减小A. 半导体器件B. 电子元件C. 电阻元件D. 电容元件4. 三极管中的基极、发射极和集电极分别对应：A. 输入端、输出端、控制端B. 控制端、输出端、输入端C. 输入端、控制端、输出端D. 输出端、输入端、控制端5. 三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是：A. 集电极电流等于基极电流B. 集电极电流小于基极电流C. 集电极电流大于基极电流D. 集电极电流与基极电流无关二、填空题1. 二极管正向导通的条件是______。

2. 三极管放大电路中，基极电压比发射极电压______。

3. 三极管在放大状态时，______电流控制______电流。

4. 二极管的伏安特性曲线在______区域内表示正向导通。

三、判断题1. 二极管在反向偏置时，电流会迅速增大。

（）2. 三极管工作在饱和状态时，基极电压高于发射极电压。

（）3. 二极管具有单向导电性，可以用来实现整流功能。

（）4. 三极管放大电路中，集电极电流与基极电流成反比关系。

（）四、简答题1. 简述二极管的主要特性。

2. 简述三极管的三种工作状态及其特点。

3. 解释什么是三极管的放大作用。

4. 简述二极管整流电路的工作原理。

五、计算题1. 已知二极管正向压降为0.7V，正向电流为10mA，求二极管的正向电阻。

2. 一个三极管放大电路中，基极电流为1mA，集电极电流为10mA，求电流放大倍数。

3. 在一个简单的放大电路中，输入信号电压为1V，输出信号电压为10V，求电压放大倍数。

六、分析题1. 分析二极管在电路中的作用，并举例说明其在实际应用中的几个典型应用。

2. 分析三极管在不同工作状态下的电流和电压关系，并解释为什么三极管能够实现信号放大。

二极管和二极和二极整流电路练习题资料讲解

二极管和二极和二极整流电路练习题晶体二极管和二极管整流电路复习题复习题一（二极管的单向导电性）一、填空题：1、晶体二极管加时导通，加电压时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。

二、判断题：1、二极管加上反向电压时，它的正极电位比负极电位高。

（）2、由于二极管具有单向导电性，所以二极管要正向接入电路才能发挥作用。

（）3、二极管两端加上正向电压就导通。

（）4、二极管导通时两端所加的是正向偏置电压。

（）三、选择题：1、晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则该晶体二极管处于（）状态。

A零偏B反偏D正偏2、如果把二极管的阳极接到6V的电源正极，把阴极接到电源的负极，二极管会（）。

A正偏B反偏C不允许这样接3、晶体二极管正偏时相当于（）A断开的开关B闭合的开关C以上都不对4、二极管具有（）A信号放大作用B单向导电性C双向导电性D负阻特性四、问答题：1、如图所示的电路中，当输入端a b间输入交流电压时，通过R1、R2两电阻上的是交流电，还是直流电。

2、二极管电路如下图所示，判断图中二极管的状态是导通还是截止，并确定输出电压为多少3、如下图所示，二极管导通电压约为0.7V，试分析开关断开和闭合时R上的电压各为多少。

4、在下图所示的电路中，灯会亮吗？复习题二（PN结）一、填空题：1、半导体是指导电性能的物体。

2、在半导体中存在两种载流子：一种是，带电；一种是，带电。

3、称为本征半导体。

4、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。

5、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。

6、在本征半导体中加入微量的硼元素可得到型半导体，在本征半导体中加入微量的磷元素可得到型半导体。

7、在硅或锗单晶基片上加工出P型区和N型区，二极管的正极从区引出，负极从区引出。

在P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层，称为。

8、二极管之所以具有单向导电性，是因为其内部有一个具有单向导电性的。

二极管练习题

二极管练习题一、选择题1. 下列哪个选项是二极管的基本特性？A. 可逆性B. 单向导电性C. 双向导电性D. 自我振荡性2. 二极管的正向导电电压约为：A. 0.2VB. 0.3VC. 0.7VD. 1.0V3. 稳压二极管的主要用途是：A. 整流B. 稳压C. 放大D. 检波4. 下列哪个二极管具有发光功能？A. 稳压二极管B. 发光二极管C. 变容二极管D. 肖特基二极管5. 二极管的反向击穿电压是指：A. 二极管能够承受的最大正向电压B. 二极管能够承受的最大反向电压C. 二极管在正向导电时的电压D. 二极管在反向截止时的电压二、填空题6. 二极管由P型半导体和N型半导体结合形成，其结构称为________。

7. 当二极管正向偏置时，其内部的________层将允许电流通过。

8. 发光二极管(LED)在正向偏置时，电子和空穴在结区复合，释放出________。

9. 稳压二极管具有________特性，常用于电路的稳定电压输出。

10. 变容二极管的电容值会随着________的变化而变化。

三、简答题11. 简述二极管在整流电路中的作用。

12. 说明稳压二极管与普通二极管的区别。

13. 描述发光二极管(LED)的工作原理。

14. 变容二极管在电子调谐电路中是如何工作的？15. 为什么肖特基二极管的正向导电电压较低？四、计算题16. 已知一个硅二极管的正向导电电压为0.7V，若通过该二极管的电流为20mA，请计算该二极管两端的电压降。

17. 若一个稳压二极管的稳定电压为5.6V，电路中串联了一个10Ω的电阻，且电流为50mA，请计算该稳压二极管两端的电压。

五、分析题18. 某电路中使用了整流桥，分析整流桥的工作原理及其在电路中的作用。

19. 在一个电源适配器中，稳压二极管和变容二极管可能分别承担哪些功能？20. 描述发光二极管(LED)在现代显示技术中的应用，并分析其优势。

六、实验题21. 设计一个实验来验证二极管的单向导电性。

二极管练习题

一、填空题：1、晶体二极管加时导通，加时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。

2、所谓半导体是指。

半导体中存在两种载流子：和。

3、的半导体称为本征半导体。

4、P型半导体又称为半导体，其内部为多数载流子，为少数载流子。

5、N型半导体又称为半导体，其内部为多数载流子，为少数载流子。

6、晶体二极管是在硅或锗单晶基片上加工出P型区和N型区，二极管的正极从区引出，负极从区引出。

P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层称为PN结，PN结具有性。

二、选择题：1、如果二极管的阳极电位高，阴极的电位低，二极管将会（）。

A导通 B截止 C烧坏二极管 D无法确定2、晶体二极管的阳极电位是—7V，阴极电位是—5V，该晶体二极管处于（）。

A正偏 B反偏 C零偏 D无法确定3、半导体二极管加正向电压时，（）A、电流大电阻小B、电流大电阻大 C电流小电阻小 D、电流小电阻大4、半导体中的空穴和自由电子数目相等的半导体称为（）。

A、本征半导体B、 P型半导体 C 、N型半导体 D无法确定5、（）又称为空穴型半导体。

A、本征半导体B、 P型半导体 C 、N型半导体 D无法确定6、（）又称为电子型半导体。

A、本征半导体 B 、P型半导体 C 、N型半导体 D无法确定7、（）内部空穴数量多于自由电子数量。

A、本征半导体B、 P型半导体 C 、N型半导体 D无法确定8、（）内部自由电子是多数载流子。

A、本征半导体B、 P型半导体 C 、N型半导体 D无法确定三、选择题：1、本征半导体就是不加杂质的纯净半导体。

（）2、在硅单晶体中加入微量的硼元素可得到P型硅。

（）3、N型半导体中空穴是多数载子，自由电子是少数载流子。

（）4、晶体二极管内部有一个具有单向导电性的PN结。

（）5、二极管的正极从N型区引出，负极从P型区引出。

（）。

(完整word版)二极管练习题

页共3 页《二极管及其应用》章节测验一、选择1、本征半导体又叫（）A、普通半导体B、P型半导体C、掺杂半导体D、纯净半导体2、锗二极管的死区电压为( ）A、0。

3VB、0.5VC、1V D、0。

7V3、如下图所示的四只硅二极管处于导通的是( )-5.3V -6V —6V -5。

3V 5V -5V0V —0.7V4、变压器中心抽头式全波整流电路中,每只二极管承受的最高反向电压为（）A、U2B、2U2C、1.2 U2D、22 U25、在有电容滤波的单相半波整流电路中,若要使输出的直流电压平均值为60V，则变压器的次级低电压应为（）A、50VB、60V C、72V D、27V6、在下图所示电路中，正确的稳压电路为（ )7、电路如图7所示，三个二极管的正向压降均可忽略不计，三个白炽灯规格也一样，则最亮的白炽灯是（）A．A B．B C．C D．一样亮8、图8所示电路，二极管导通电压均为0.7V，当V1=10V，V 2=5V时,（1）判断二极管通断情况( ）A．VD1导通、VD2截止 B．VD1截止、VD2 导通C．VD1、VD2均导通 D．VD1、VD2均截（2）输出电压VO为（ )A．8.37V B．3。

87V C．4.3V D．9.3V9．分析图9所示电路，完成以下各题（1)变压器二次电压有效V1为ABCDR LR L图7图9（ )A．4.5V B．9V C．12V D．14V（2）若电容C脱焊，则V1为（ )A．4。

5V B．9V C．12V D．14V（3）若二极管VD1接反，则( )A．VD1、VD2或变压器烧坏 B．变为半波整流C．输出电压极性反转，C被反向击穿D．稳压二极管过流而损坏（4）若电阻R短路，则（ )A．VO将升高 B．变为半波整流C．电容C因过压而击穿 D．稳压二极管过流而损坏二、判断（）1、本征半导体中没有载流子。

( ）2、二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好。

（ )4、RCπ型滤波器的特点是：滤波效果好，有直流损耗，带负载能力差。

模电子练习题1

第一章晶体二极管整流滤波电路一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为、和三大类。

2、电子技术的核心是半导体，它的三个特性是：、、3、半导体中存在着两种载流子，其中带正电的载流子叫做，带负电的载流子叫做；N型半导体中多数载流子是，P型半导体中的多数载流子是。

4、PN结具有性能，即：加电压时PN结导通，加电压时PN结截止。

5、二极管的主要特性是具有。

二极管外加正向电压超过死区电压以后，正向电流会，这时二极管处于状态。

6、晶体二极管的伏安特性可简单理解为正向，反向的特性。

导通后，硅管的管压降约为，锗管约为。

7、整流电路将交流电变为直流电，滤波电路将直流电变为的直流电。

8、整流电路按整流相数，可分为与两种；按被整流后输出电压（或电流）的波形分，又可分为与两种。

9、把脉动直流电变成比较平滑直流电的过程称为。

10、电容滤波电路中的电容具有对交流电的阻抗，对直流电的阻抗的特性，整流后的脉动直流电中的交流分量由电容，只剩下直流分量加到负载的两端。

11、硅管的死区电压为伏，锗管的区死区电压为伏。

12、PN结中的内电场会阻止多数载流子的运动，促使少数载流子的运动。

13、理想二极管正向导通时，其压降为V；反向截止时，其电流为μA。

14、半导体中的总电流是与的代数和。

15、在判别锗、硅二极管时，当测出正向压降为时，将认为此二极管为锗二极管；当测出正向压降为时，将认为此二极管为硅二极管。

16、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象被叫做现象。

17、在单相桥式整流电路中，如果流过负载电阻RL的电流是2A，则流过每只二极管的电流是。

18、在单相桥式整流电路中，如果电源变压器二次电源为120V，则每只二极管所承受的反向电压为。

19、在一块本征半导体两端加上电压，电子会向电源极移动形成电子电流。

20、二极管是由一个结加上两根金属引线经封装后构成的。

二、选择题1、P型半导体中空穴多于自由电子，则P型半导体呈现的电性为（）。

二极管及整流电路练习题

二极管及整流电路练习题一、填空1、纯净的半导体称为，它的导电能力很。

在纯净的半导体中掺入少量的价元素，可形成P型半导体，又称型半导体，其中多数载流子为，少数载流子为。

2、在本征半导体中掺入价元素，可形成N型半导体，其中多数载流子为，少数载流子为，它的导电能力比本征半导体。

3、如图，这是材料的二极管的____曲线，在正向电压超过 V后，二极管开始导通，这个电压称为电压。

正常导通后，此管的正向压降约为 V。

当反向电压增大到 V时，即称为电压。

其中稳压管一般工作在区。

4、二极管的伏安特性指和_____后，二极管导通。

正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,为 V。

5、二极管的重要特性是，具体指：给二极管加电压，二极管导通；给二极管加电压，二极管截止。

6、PN结的单向导电性指，当反向电压增大到时，反向电流会急剧增大，这种现象称。

7、二极管的主要参数有 ________、_________和，二极管的主要特性是。

8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表明二极管内部；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部。

两次测的阻值相差越大，则说明二极管的性能越好。

9、整流是指_______________________________________，整流电路分可为：和电路。

将交流电转换成较稳定的直流电，一般要经过以下过程：___________ →____________ →____________ →____________10、有一直流负载R L=9Ω，需要直流电压V L=45V,现有2CP21(I FM=3000mA,V RM=100V)和2CP33B(I FM=500mA, V RM=50V) 两种型号的二极管,若采用桥式整流电路，应选用型二极管只。

11、稳压二极管的稳压特性指，动态电阻r Z越大，说明稳压性能越。

12、滤波器的作用是将整流电路输出的中的成分滤去，获得比较的直流电,通常接在电路的后面。

半导体二极管-练习题1

半导体二极管练习题1一、单选题(每题1分)1. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的＿＿电阻，由于不同量程时通过二极管的电流，所测得正向电阻阻值。

A. 直流，相同，相同B. 交流，相同，相同C. 直流，不同，不同D. 交流，不同，不同2. 杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。

A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴3. PN 结形成后，空间电荷区由（）构成。

A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴4. 硅管正偏导通时，其管压降约为（）。

A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V5. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。

A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于6. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷7. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。

A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移8. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（）。

A. U I e SB. TU U I eS C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I9. 下列符号中表示发光二极管的为（）。

A B C D10. 在25ºC 时，某二极管的死区电压U th ≈0.5V ，反向饱和电流I S ≈0.1pA ，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：（）。

A U th ≈0.525V ，I S ≈0.05pAB U th ≈0.525V ，I S ≈0.2pAC U th ≈0.475V ，I S ≈0.05pAD U th ≈0.475V ，I S ≈0.2pA11. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。

半导体二极管练习题

‎管练习题1一、单选题(每题1分)1. ‎ ‎ ‎ 管 ‎ ‎ 管 ‎‎ ‎ 管 ‎ ‎ 值。

A. 直相相B. 交相相C. 直D. 交2. ‎中（ ‎ 敏感。

A. 少子B. 多子C. 离子D. 空穴3. PN 结形成空 ‎ （构成。

A. 子空穴‎B. 离子 ‎受离子C. 离子 ‎ 子D. 受离子 ‎空穴4. 管 ‎ 管 ‎为（。

A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V5. 在PN 结 ‎ ‎ 扩散漂移当PN 结 ‎ ‎ 扩散漂移。

A. 小大B. 大小C. 大大D. 小小6. ‎中多 ‎子 ‎要取决（。

A. B. 掺工艺 C. 掺 D. 晶缺陷7. 当 ‎ 管 ‎ ‎ 分‎别（。

A. 左移下移B. 右移上移C. 左移上移D. 右移下移8. 管 ‎端为U ‎ 管 ‎ 为‎（。

A. U I e SB. TU U I eS C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I9. 下中‎ ‎ 管为（。

A B C D10. 在25ºC ‎ 管 ‎死 U ‎t h ≈0.5V ‎ I S ≈0.1pA 在35º‎C下 ‎ ‎：（。

A U th ≈0.525V I S ≈0.05pAB U th ≈0.525V I S ≈0.2pAC U th ≈0.475V I S ≈0.05pAD U th ≈0.475V I S ≈0.2pA11. 管‎工 ‎ ‎ ‎应满足( )。

A. I D = 0B. I D < IZ 且 > I ZMC. I Z > I D > I ZMD. I Z < I D < I ZM12. 管 ‎ ‎ 管端‎ 大（ ‎。

A. 0B. 死C. ‎D.、判断题(每题1分)1.因为N‎ 多子‎ 子‎‎。

（2. PN结在无、无 ‎ 结为 ‎。

有关二极管的练习题

一、选择题1. 二极管的主要功能是：A. 放大信号B. 检波C. 开关D. 滤波2. 二极管正向导通的条件是：A. P区电位高于N区电位B. N区电位高于P区电位C. P区电位低于N区电位D. P区和N区电位相等3. 二极管反向截止时，其电流大小主要取决于：A. 二极管的反向电阻B. 外加反向电压C. 二极管的正向电流D. 二极管的反向电流4. 二极管正向导通时，其电压降大约为：A. 0.3VB. 0.7VC. 1.0VD. 1.5V5. 二极管在电路中的作用不包括：A. 限幅B. 整流C. 检波D. 放大二、填空题1. 二极管由__________和__________两种半导体材料组成。

2. 二极管正向导通时，其正向电阻约为__________；反向截止时，其反向电阻约为__________。

3. 二极管在电路中常用于__________、__________和__________等。

4. 二极管正向导通时，其电流与电压的关系可用__________方程表示。

三、判断题1. 二极管在正向导通时，其正向电阻无穷大。

（）2. 二极管在反向截止时，其反向电流为零。

（）3. 二极管可以用于放大信号。

（）4. 二极管在电路中只能起到开关作用。

（）四、简答题1. 简述二极管正向导通和反向截止的条件。

2. 解释二极管在电路中的作用。

3. 说明二极管在整流电路中的应用。

五、计算题1. 已知二极管正向导通电压为0.7V，正向电流为10mA，求二极管的正向电阻。

2. 若二极管反向电压为100V，反向电流为1μA，求二极管的反向电阻。

3. 设计一个简单的桥式整流电路，并计算输出电压和电流。

六、分析题1. 分析二极管在电路中的限幅作用。

2. 分析二极管在电路中的开关作用。

3. 分析二极管在电路中的检波作用。

七、选择题6. 二极管反向击穿电压是指：A. 二极管正向导通时的电压B. 二极管反向截止时的电压C. 二极管反向电流开始急剧增加的电压D. 二极管正向电流开始急剧增加的电压7. 在二极管正向导通时，若P区掺杂浓度高于N区，则该二极管为：A. P型二极管B. N型二极管C. 双极型二极管D. 双层二极管8. 二极管在电路中实现整流时，通常采用的连接方式是：A. 串联B. 并联C. 串并联D. 无特定连接方式9. 二极管在电路中实现稳压时，通常采用的元件是：A. 电阻B. 电容C. 稳压二极管D. 变压器10. 二极管在电路中实现检波时，通常采用的电路是：A. 串联电路B. 并联电路C. 滤波电路D. 放大电路八、填空题11. 二极管在正向导通时，其电流与电压的关系可用__________方程表示。

二极管三极管练习题(学生用)

一、填空题1．纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。

2．本征半导体的主要特性有、、。

3．杂质半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。

4．N型半导体是在本征半导体中掺入__ _价元素，其多数载流子是_ ___，少数载流子是__ _。

5．P型半导体是在本征半导体中掺入___价元素，其多数载流子是____ _，少数载流子是__ __ _。

6．已知杂质半导体中的载流子和离子如图0001所示，请指出各为何种类型的杂质半导体：(a)为；(b为。

图0001 杂质半导体中的载流子和离子7．PN结正向偏置时，内、外电场方向；PN结反向偏置时，内、外电场方向。

8．PN结具有性，______偏置时导通，______偏置时截止。

9．PN结的电击穿包括和两类。

10．按材料不同，二极管可分为和两类。

11．按制造工艺及结构不同，二极管可分为、两类。

12．二极管P区接（高，低）电位端，N区接（高，低）电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。

13．U T为温度的电压当量，当温度为室温时，U T≈mV。

14．三极管属控制型器件。

15．在构建放大电路时，双极型三极管应工作于区，即发射结应为偏置，集电结应为偏置。

16．根据器件的符号填上器件的名称：7．某三极管，当测得A I B μ30=时，mA I C 2.1=，则发射极电流=E I mA18．根据图0014填空（设晶体管处于放大状态）。

图001419．某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U 1=-9V ，U 2=-6V ，U 3=-6.2V ，则三极管为型管。

单项选择题1．杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷2．当环境温度降低时，二极管的反向电流（）A. 不变B. 增大C. 减小D. 无法判断3．用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1k Ω，说明该二极管（）。

二极管练习题

2017学年德清职业中专《模拟电路》第一次月考试卷第一学期（适用15计网3+2）班级：姓名: 得分：一．填空题1.当二极管两端电压U为0时，通过二极管的电流为__________。

2.当二极管外加正向电压很小时，外加电压不足以克服内电场对__________扩散运动的阻力，正向电流很小，近似为0。

当外加电压超过某一数值，电流随电压增加而迅速_________，二极管才真正导通，这个电压值称为_________。

3.二极管正向导通之后，当正向电流在一定范围内变化时，二极管的正向压降___________（变化或基本不变）。

4.当二极管反向电压不很大时，由于___________的漂移运动形成很小的反向电流，它不随外加反向电压的大小不同而变化，故又称为_____________。

5.当二极管外加反向电压超过某一定值时，反向电流急剧增大，二极管的单向导电性被破坏，这种现象称为__________，对应的反向电压值称为_____________。

6.利用二极管单向导电性及导通时正向压降很小的特点，可用来进行限幅、开关、___________、____________、_____________等各项工作。

二．计算分析题1.如图1-1所示，求电路中输出电压U0，并写出二极管状态。

设二极管为理想二极管（导通正向电阻为0，截止反向电阻为无穷大）。

(a) (b)图1-12.如图1-2所示，计算电路中输出电压U0，要求写出二极管的状态。

（1）U1=U2=0时；（2）U1=E，U2=0时；（3）U1=U2=E时。

图1-23.如图1-3所示，E=5V，u1=10sinwtV，二极管正向压降可忽略不计。

画出输出电压u0的波形。

图1-34.如图1-4所示，设D为理想二极管，已知输入电压u i的波形。

画出输出电压u0的波形图。

图1-45.如图1-5所示，u i是波形不整齐的输入电压，设D为理想二极管，画出输出电压u0的波形图。

模拟电子技术第一章半导体二极管及其电路练习题(含答案)

第一章半导体二极管及其电路【教学要求】本章主要介绍了半导体的基础知识及半导体器件的核心环节—PN结。

PN结具有单向导电特性、击穿特性和电容特性。

介绍了半导体二极管的物理结构、工作原理、特性曲线和主要参数。

理想情况下，二极管相当于开关闭合与断开。

介绍了二极管的简单应用电路，包括整流、限幅电路等。

同时还介绍了稳压二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管。

教学内容、要求和重点见如表1.1。

表1.1 教学内容、要求和重点【例题分析与解答】【例题1-1】二极管电路及其输入波形如图1-1所示，设U im>U R,，二极管为理想，试分析电路输出电压，并画出其波形。

解：求解这类电路的基本思路是确定二极管D在信号作用下所处的状态，即根据理想二极管单向导电的特性及具体构成的电路，可获得输出U o的波形。

本电路具体分析如下：当U i增大至U R时，二极管D导通，输出U o被U R嵌位，U o=U R，其他情况下，U o=U i。

这类电路又称为限幅电路。

图1-1【例题1-2】二极管双向限幅电路如图1-2 (a)所示，若输入电压U i=7sinωt (V)，试分析并画出电路输出电压的波形。

（设二极管的U on为0.7V，忽略二极管内阻）。

图1-2解：用恒压降等效模型代替实际二极管，等效电路如图1-2(b)所示，当U i<－3.7V时，D2反偏截止，D1正偏导通，输出电压被钳制在－3.7V；当－3.7V<U i <3.7V时，D1、D2均反偏截止，此时R中无电流，所以U o=U i；当3.7V<U i时，D1反偏截止，D2正偏导通，输出电压被钳制在3.7V。

综合上述分析，可画出的波形如图1-20(c)所示，输出电压的幅度被限制在正负3.7V 之间。

【例题1-3】电路如图1-3（a），二极管为理想，当B点输入幅度为±3V、频率为1kH Z的方波，A点输入幅度为3V、频率为100kH Z的正弦波时，如图1-3（b），试画出Uo点波形。

1半导体器件复习练习题二极管三极管场效应管差动放大电路集成运放

半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。

A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。

A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的（）A. 多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。

A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( ) 载流子。

A.有B.没有C.少数D.多数6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。

A．减小温漂B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻D. 减小输出电阻7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。

A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（）。

A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在( )，A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。

A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。

A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管ArrayC.PNP 型硅管D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。

A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13A．输入电阻高 B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 =50，则复合后的β约为（）。

A．1500 B.80 C.50 D.3015、发光二极管发光时，工作在( )。

二极管、三极管练习题

二极管、三极管习题一、填空题1、晶体三极管通过改变来控制。

2、对半导体三极管，测得发射结反偏，集电结反偏，此时该三管处于_______ 状态。

3、一个三极管有两个PN结，分别称为结和结。

4、ＰＮ结具有性，即加正向电压时，ＰＮ结，加反向电压时，ＰＮ结5、半导体二极管按其所使用的材料可分为管和管两类。

6、硅管的死区电压约为V，锗管的死区电压约为V。

7、半导体三极管的结构分为三个区，分别是区、区、区。

8、三极管按其内部结构分为和两种类型9、三极管三个电极的电流存在关系。

10、三极管有三个工作状态，即、和状态，状态具有放大作用。

11、、三极管工作在截止状态时，相当于开关；工作在饱和状态时，相当于开关。

二、选择题1、晶体三极管处于放大状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。

(a) 发射结反偏，集电结正偏(b) 发射结、集电结均反偏(c) 发射结、集电结均正偏(d) 发射结正偏，集电结反偏2、半导体二极管的主要特点是具有（）。

(a) 电流放大作用 (b) 单向导电性(c) 电压放大作用3、稳压管起稳压作用，是利用它的（）。

A 正向特性B 单向导电性C 双向导电性D 反向击穿特性4、二极管两端加上正向电压时（）A 一定导通B 超过死区电压才导通C 超过0.7V才导通D 超过0.3V才导通5、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（）。

A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。

模电第1章半导体器件练习2016(有答案)

二极管和三极管练习题1、N型半导体中的多数载流子是( A )，而P型半导体中的多数载流子是( B)。

A.自由电子B.空穴C.正离子D. 负离子2、要得到P型半导体，可在本征半导体硅或锗中掺入少量的( A )，要得到N型半导体，则需要掺入少量的( C )。

A.三价元素B.四价元素C.五价元素D.六价元素3、杂质半导体中多数载流子浓度( B )。

A.只与温度有关B.取决于掺杂浓度，几乎与温度无关C.与温度无关D.与掺杂浓度和温度都无关4、PN结正偏是指( B )。

区电位高于P区区电位高于N区C.与外加电压无关区和N区电位相等5、在常温下，硅二极管的开启电压约为( C )V。

A.0.1 、当温度升高时，二极管伏安特性曲线的正向部分( C )，反向特性曲线( B )。

A.上移B.下移C.左移D.右移7、理想二极管模型相当于( A )。

A.一个理想开关B.一个恒压源C.一个动态电阻D.一条斜线8、理想二极管构成的电路如图所示，则（C ）。

A．V截止U0＝－10VB．V截止U0＝－3VC．V导通U0＝－10VD．V导通U0＝－6V9、由理想二极管构成的电路如图所示，电压U AB=( B )。

A. -3VB. -12VC. 0VD. - 15V10、理想二极管构成的电路如图，则( D )。

截止U0=-4V导通U0=+4V截止U0=+8V导通U0=+12V11、图示电路中，D1、D2为理想二极管，则ao两端的电压为（C）。

A．－3VB．0VC．1VD．4V12、图示电路，二极管VD1，VD2为理想元件，则U AB 为（C）伏。

A．－12VB．15VC．0VD．3V13、如图所示电路中的二极管性能均为理想，电路中的电压U AB=（C）。

14、二极管电路如图所示。

输入电压只有0V或5V两个取值。

利用二极管理想模型分析，在v I1和v I2电压的不同组合情况下，输出电压v O的值是（A）。

的b列的c列的a列的d列15、图示电路中，二极管导通时压降为，若U A=0V,U B=3V,则U O为（ B ）。

模拟电路 1-2章习题讲解

直流信号所通过的路径。
对直流信号，电感是短路的，而电容是开路的。
交流通路AC
交流信号所通过的路径。
对交流信号，电感是开路的，而电容和直流电源（忽略电源内阻的情况下）是短路的。
习题讲解
例1、
直流通路不正确交流通路不正确，造成输出端交流短路。
Ui
Uo
直流通路不正确
习题讲解
三极管及其基本放大电路
1、三极管工作在不同状态时的判定条件：
线性放大区：发射结正偏并正向偏置电压大于0.7V（硅管）、集电结反偏；
饱和区：发射结正偏、集电结正偏，或C、E间压降≤0.3V；截止区：发射结反偏或正向偏置电压小于0.7V。
习题讲解
例1、β=100，饱和压降为0.3V，判断其工作状态。
1 50 50mV
习题讲解
3-1 电流源电路
三极管电流源电路示例
=50，rbe=700， rce3=20k
12kW 1kW +
12V
ic1
T1
+ - vo
ic2
T2
12kW 1kW +
电流源交流等效电阻为： b ib
rbe
c e
Re3
ic3
ib
rce3
v i1
-
ic3
2kW T3 5kW 9V D 0.6V
习题讲解
2）共模输出增益为：
RC
RB rbe (1 )( RP 2 2 RE )
AUC
双端输出： U oc双端 AUC (U ic1 U ic 2 ) 0 单端输出： U oc单端 AUCU ic1

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