复习题电力电子..
电力电子技术复习题
《电力电子技术》一一、单选题1、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（D）。
A、30°～150°B、0°～120°C、15°～125°D、0°～150°2、已经导通的晶闸管被关断的条件是流过晶闸管的电流（B）。
A、减小至擎住电流以下B、减小至维持电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下3、直流斩波电路是一种（D）。
A、DC/ACB、AC/ACC、AC/DCD、DC/DC4、下列电路中，不可以实现有源逆变的是（C）。
A、三相桥式全控整流电路B、三相半波可控整流电路C、单相桥式可控整流电路外接续流二极管D、单相全波可控整流电路5、三相桥式全控整流电路中，晶闸管可能承受的正反向峰值电压（D）。
A、2U2B、U2C、U2D、U26、对于单相交交变频电路如下图，在t2~t3时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（B）。
A、P组阻断，N组逆变B、N组阻断，P组逆变C、P组阻断，N组整流D、N组阻断，P组整流7、只适用于全控型电力电子器件的换流方式为（A）。
A、器件换流B、负载换流C、强迫换流D、电网换流8、把两个晶闸管反并联后串联在交流电路中，在每半个周波内通过对晶闸管开通相位的控制，可以方便地调节输出电压的有效值，这种电路称为（B）。
A、交流调功电路B、交流调压电路C、交流电力电子开关D、变频电路9、调制法是把希望输出的波形作为调制信号，把接受调制的信号作为载波，通过信号波的调制得到所期望的PWM波形。
通常采用（A）作为载波。
A、等腰三角波B、方波C、矩形波D、正弦波10、采用（B）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。
A、直流快速断路器B、快速熔断器C、过电流继电器D、过电流保护的电子电路二、填空题1、PWM控制就是对脉冲的（宽度）进行调制的技术，它的重要理论基础是（面积等效原理）。
电力电子技术复习资料_普通用卷
电力电子技术课程一单选题 (共37题，总分值37分 )1. 单相半控桥，带大电感负载，直流侧并联续流管的主要作用是（1 分）A. 防止失控现象B. 减小输出电压的脉动C. 减小输出电流的脉动D. 直流侧过电压保护2. 大大（1 分）A. dadasB. dadaC. dada3. 下列器件中为全控型器件的是（）。
（1 分）A. 双向晶闸管B. 快速晶闸管C. 光控晶闸管D. 功率场效应晶体管4. （1 分）A.B.C.D.5. 单相全控桥式带电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（1 分）A. 90°B. 120°C. 150°D. 180°6. 单相半控桥式无续流二极管带阻感性负载的整流电路中，整流晶闸管的导通角为（1 分）A. 60°B. 90°C. 120°D. 180°7. PWM斩波电路一般采用（）。
（1 分）A. 定频调宽控制B. 定宽调频控制C. 调频调宽控制D. 瞬时值控制8. （1 分）A.B.C.D.9. 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）（1 分）A. 0~90°B. 0~180°C. 90°~180°D. 180°~360°10. SPWM控制的逆变电路，输出SPWM波半周期包含25个脉冲波，设逆变器输出电压基波频率为400Hz，则电路开关管的工作频率为（1 分）A. 10kHzB. 20kHzC. 400HzD. 5kHz11. 按器件的可控性分类，普通晶闸管属于（）（1 分）A. 全控型器件B. 半控型器件C. 不控型器件D. 电压型器件12. 将直流电能转换为交流电能馈送给交流电网的变流器是（1 分）A. 有源逆变器B. A/D变换器C. D/A变换器D. 无源逆变器13. （1 分）A.B.C.D.14.（1 分）A.B.C.D.15. 晶闸管的三个引出电极分别是（）（1 分）A. 阳极、阴极、门极B. 阳极、阴极、栅极C. 栅极、漏极、源极D. 发射极、基极、集电极16. 三相全控桥式整流电路中同一相上、下两只晶闸管触发脉冲相位差（）度。
电力电子复习题及总结答案
电力电子必胜绪论填空题：1.电力电子技术是使用________器件对电能进行________的技术。
2.电能变换的含义是在输入与输出之间，将________、________、________、________、________中的一项以上加以改变。
3.电力变换的四大类型是：________、________、________、________。
4. 在功率变换电路中，为了尽量提高电能变换的效率，所以器件只能工作在________状态，这样才能降低________。
5. 电力电子器件按照其控制通断的能力可分为三类，即: ________、________、________。
6. 电力电子技术的研究内容包括两大分支：________________ 技术和________技术。
7.半导体变流技术包括用电力电子器件构成_____________电路和对其进行控制的技术，以及构成________装置和________系统的技术。
8.电力电子技术是应用在________领域的电子技术。
9.电力电子技术是一门由________、________、________三个学科交叉形成的新的边缘技术学科。
简答题1. 什么是电力电子技术？2. 电能变换电路的有什么特点？机械式开关为什么不适于做电能变换电路中的开关？3. 电力变换电路包括哪几大类？电力电子器件填空题：1.电力电子器件一般工作在________状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为________。
3.电力电子器件组成的系统，一般由________、________、________三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加________。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为________、________、________三类。
5.按照器件能够被控制的程度，电力电子器件可分为以下三类：、和。
电力电子复习题
选择题1.单相半波可控整流电路，阻性负载，导通角θ的最大变化范围是0°～( )A.90°B.120°C.150°D.180°2. 三相半波可控整流电路，阻性负载，导通角θ的最大变化范围是0°～( )A.90°B.120°C.150°D.180°3.三相半波可控整流电路电源电压波形的自然换向点比单相半波可控整流电路的自然换向点( )A.超前30°B.滞后30°C.超前60°D.滞后60°4.单相全控桥式有源逆变电路最小逆变角β为( )A.１°～３°B.１０°～１５°C.２０°～２５°D.３０°～３５°5.有源逆变电路是( )A.AC/DC变换器B.DC/AC变换器C.AC/AC变换器D.DC/DC变换器6．造成晶闸管在不加门极触发信号时从阻断状态转为导通状态的非正常转折有两种因素，一是阳极的电压上升率du/dt太快，二是（）A．阳极电流上升太快B．阳极电流太大C．阳极电压过高D．电阻过大7．晶闸管过电压保护元器件是（）A ．快速熔断器B ．RC 电路 C ．快速开关D ．电抗器8．设变压器二次相电压有效值为U 2，三相半波可控整流电路带电阻性负载的晶闸管承受的最大反向电压为（ ） A ．2U 2 B ．3U 2 C ．6U 2D ．2U 29．单相半控桥式有续流二极管且带阻感性负载整流电路的触发角为α，则晶闸管导通角为（ ） A ．α2π B ．π-α C ．π32D ．π10．逆导型晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成的（ ） A ．大功率三极管 B ．普通型晶闸管 C ．双向晶闸管D ．可关断晶闸管11．在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是（ ） A ．干扰信号 B ．触发电压信号 C ．触发电流信号D ．干扰信号和触发信号12. 带反电动势负载的单相全控桥式整流电路中，当控制角α小于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ为( )A. π-α-δB. π-α+δC. π-2αD. π-2δ 13. 带电感性负载的三相全控桥，变压器二次侧相电流为( ) A.31I d B. 31I d C.32I d D. I d14. 由于变压器漏抗的影响，在换相期间，整流输出电压值为参与换相的两相相电压之和的( )A. 1/2B. 1/3C. 2D. 1/4 15. 能在两象限运行的电路为( )A. 单相全控桥式电路B. 单相半控桥式电路C. 带续流管的单相全控桥式电路D.带续流管的单相半控桥式电路 16. 当晶闸管串联时，为实现动态均压，可在各个晶闸管两端并联( ) A. R B. L C. C D. RC17.电压型三相桥式逆变电路，当采用纵向换相时，每个晶闸管的导通时间为( )A. 180°B. 120C. 60°D. 240° 18. 正弦脉冲宽度调制(SPWM)电路中，调制波为( ) A. 等腰三角形波 B. 正弦波 C. 梯形波 D. 矩形波19．当晶闸管加反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（ ）①导通状态 ②关断状态 ③饱和状态 ④不定20．单相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能随的电大正向电压为（ ）①2U 2 ②2U 22 ③2U 22 ④2U 621．单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ＝（ ）① π-α ②π+α ③π-δ-α ④π+δ-α 22．三相半波可控整流电路的自然换相点是（ ）① 交流相电压的过零点② 本相相电压与相邻电压正半周的交点处 ③ 比三相不控整流电路的自然换相点超前30°④ 比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°23．若增大SPWM 逆变器的输出电压基波频率，可采用控制方法是（ ）① 增大三角波幅度 ②增大三角波频率 ③增大正弦调制波频率 ④增大正弦调制波幅度 24．电流源型逆器中间直流环节贮能元件是（ ）0① 电容 ②电感 ③蓄电池 ④电动机 25.晶闸管的伏安特性是指( )A.阳极电压与门极电流的关系B.门极电压与门极电流的关系C.阳极电压与阳极电流的关系D.门极电压与阳极电流的关系26.取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的( ) A.转折电压 B.反向击穿电压 C.阈值电压D.额定电压27.具有自关断能力的电力半导体器件称为( ) A.全控型器件 B.半控型器件 C.不控型器件D.触发型器件28.将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是( ) A.有源逆变器 B.A/D 变换器 C.D/A 变换器D.无源逆变器29.全控桥式变流器直流电动机卷扬机拖动系统中，当降下重物时，U d 与E d 的比值为( ) A.1E U dd> B.1E U d d < C.1E Udd = D.0E U dd=30.触发电路中的触发信号应具有（）A.足够大的触发功率B.足够小的触发功率C.尽可能缓的前沿D.尽可能窄的宽度31.180°导电型电压型三相桥式逆变电路，其换相是在如下哪种情形的上、下二个开关之间进行( )A.同一相B.不同相C.固定相D.不确定相32.降压斩波电路中，已知电源电压Ud =16V，α=3/4，则负载电压U=( )A.64VB.12VC.21VD.4V33.晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为（）。
电力题全答案
电力电子技术复习题题型一. 填空题(每空2分，共20分)二. 判断题(5小题，每小题2分，共10分)三. 选择题(5小题，每小题2分，共10分)四. 简答题(3小题，每小题10分，共30分)五. 分析题(15分)电路分析，电压电流波形，整流电路+续流二极管/二象限斩波电路+直流电机负载六. 计算（15分）整流电路电压电流/晶闸管的额定参数计算总成绩: 平时(作业+练习+考勤)15%+实验(考勤+报告)15%+期终70% .复习题一，填空/判断/选择1, 电力电子器件一般工作在_开关_状态。
2, 在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要有_通态损耗_，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。
3, 电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
4, 肖特基二极管的开关损耗明显低于快恢复二极管的开关损耗。
5, 晶闸管的基本工作特性可概括为门极正向有触发则导通、反向截止。
6, 对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上的关系是I L约为I H的2–4倍。
7, 晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上的关系是U DRM<U bo。
8, 功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用快恢复型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
9, 在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属GTO,√2U2，续流二极管承受的最大反向电压为_√2U2_（设。
11, 单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为0-180°，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为√2U2/2和_√2U2_；带阻感负载时，α角移相范围为，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为_√2U2_和_√2U2_；带反电动势U Fm等于_√2U2__，晶闸管控制角α的最大移相范围_a<=30°_(U2为相电压有效值)。
电力电子技术复习题
《电力电子技术》复习题一、填空题（每空1分）1．电力电子技术也称变流技术，包括可控整流，有源逆变，直流斩波，交流调压。
2．单相桥式全控整流电路大电感负载，已知U2=100V，R=10Ω，α=45°，输出电流平均值为9A。
3．KP5-7E表示额定电流、电压为5A，700V的普通反向阻断（型）晶闸管。
4．单结晶体管发射极电压等于峰点电压U P电压时，单极晶体管导通；发射极电压低于谷点电压U V电压时，单极晶体管截止。
5．晶闸管（又名可控硅）为具有三个PN结的四层物理结构，封装引出三个电极，分别为阳极，阴极，门极。
晶闸管导通时刻可控，其导通必须同时满足两个条件：承受正向阳极电压的同时，门极得到正向触发信号。
晶闸管的关断条件是：阳极电流小于维持电流或阳极承受反向阳极电压。
6．IGBT具有驱动功率小，而导通压降低的特点，是电压控制型器件。
双向晶闸管主要应用于交流调压电路。
7．三相桥式全控整流电路，在电感性负载电感大小能保证输出电流连续时，控制角的最大移相范围为0-----90°，在电阻性负载情况下，控制角的最大移相范围为0----180°。
单相交流调压电路电感性负载采用相控时，α移相范围为φ～180°9．电力晶体管、可关断晶闸管、功率场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管，它们都是全控型电力电子开关器件（全控、半控或不控）。
10．有源逆变指的是把直流能量转变成交流能量后送回电网装置。
实现有源逆变的条件为：外部条件：务必要有一个极性与晶闸管导通方向一致的直流电势源。
内部条件：要求变流器中晶闸管的控制角α＞π/2。
11．通态平均电流表示连续导通的工频正弦半波电流平均值。
12．有源逆变的内部条件是变流器中晶闸管的控制角α＞π/2。
13．从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为控制角角，用α表示。
14．电力电子技术是由电力学、控制学和电子学交叉而形成的边缘科学。
15．直流斩波电路在改变负载的直流电压时，常用的控制方式有脉冲宽度调制（PWM）、频率调制（PFM）、混合调制三种。
电力电子技术基础复习题
一、单项选择题1、硅材料电力二极管正向压降为（）。
A、0.3VB、0.7VC、1VD、1.5V2、锗材料电力二极管正向压降为（）。
A、0.3VB、0.7VC、1VD、1.5V3、研究电力电子电路的重要方法是（）。
A、电阻法B、电流法C、电压法D、波形分析法4、三相逆变电路中相邻序号开关导通间隔为（）。
A、30°B、60°C、90°D、120°5、以下（）属于不控型器件。
A、晶闸管B、三极管C、二极管D、场效应管6、工频交流电是指频率为（）的交流电源。
A、50HzB、60HzC、90HzD、120Hz7、半导体器件的最高结温一般限制在（）。
A、30°～50°B、50°～100°C、100°～150°D、150°～200°8、晶闸管额定电压是其在电路中可能承受最高电压的（）倍。
A、1～2B、2～3C、3～4D、4～59、晶闸管额定电流是在通态电流平均值的基础上增加（）倍。
A、1～1.5B、1.5～2C、2～2.5D、2.5～310、发展最快最有前景的电力电子器件是（）器件。
A、不控型B、半控型C、可控性D、全控型11、电力场效应晶体管中主要类型是（）。
A、P沟道增强型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、N沟道耗尽型12、以下属于电阻性负载的是（）。
A、白炽灯B、蓄电池C、电动机励磁绕组D、电磁铁13、电力电子器件的通态损耗与器件的通态（）有关。
A、电压B、电流C、电阻D、电感14、功率因数λ为（）时电力系统发送功率的利用率最高。
A、0>λ>-1B、1C、0<λ<1D、0.915、在放大电路中，场效应晶体管应工作在漏极特性的（）。
A、可变电阻区B、截止区C、饱和区D、击穿区16、场效应管三个电极中，用D表示的电极称为（）。
A. 栅极B. 源极C. 基极D. 漏极17、三相对称交流电相互之间相差（）。
电力电子复习资料
《电力电子技术》复习题一一、填空题（每空2分，共20分）1、电力电子技术包括（1）、（2）和（3）三个部分，它的研究任务是电力电子器件的应用。
2、电力电子的根本任务是实现电能的变换和控制，其基本形式可以分成四种，分别是（1）、（2）和（3）和（4）。
3、请填写下面各元件的英文简称，电力二极管（1）、晶闸管（2）。
4、请填写下面各元件的英文简称，功率晶体管（1）、绝缘栅双极型晶体管（2）。
5、按照电力电子器件的开关特性进行分类，可以分为（1）器件、（2）器件和（3）器件三类。
6、晶闸管的导通条件可以定性归纳为（1）和（2）。
7、对于晶闸管在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流称为（1）。
8、给晶闸管门极施加触发电压，当元件刚从阻断状态转为导通状态就撤除触发电压，此时元件维持导通所需的最小阳极电流称为（1）。
9、允许开关频率在400Hz以上工作的晶闸管称为（1），而开关频率在10kHz以上工作的晶闸管称为（1）。
10、双向晶闸管在结构和特性上可以看作是一对（1）的普通晶闸管。
11、GTR发生二次击穿必须同时具备三个条件，即（1）、（2）和（3）。
12、按照导电沟道的不同，电力MOSFET可以分为（1）和（2）两种。
13、IGBT有三个电极，分别是（1）、（2）和（3）。
14、型号为KS30-3的元件，KS表示（4），它的额定电压为（5）V，额定电流为（6）A。
15、型号为KP20-5的元件，KS表示（4），它的额定电压为（5），额定电流为（6）A。
16、型号为KK10-2的元件，KS表示（4），它的额定电压为（5），额定电流为（6）A。
17、在逆变电路中，根据负载的特点进行分类包括（1）和（2）两类逆变电路。
18、绝缘栅双极晶体管是（1））和（1）复合，结合二者的优点19、三相全控控整流电路整流输出电压的脉动频率为（1）H Z。
20、将直流电能变为交流能输出至负载的逆变电路称为（1）。
电力电子复习(有答案)
第一章填空题：1.电力电子器件一般工作在_开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为_通态损耗_，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为_开关损耗。
3.电力电子器件组成的系统，一般由_主电路_、_驱动电路_、_控制电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路_。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为单向导通。
6.电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
7.肖特基二极管的开关损耗__小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为正向有触发则导通、反向截止。
（SCR晶闸管）9.对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L_大于I H。
（I L=2~4I H）10.晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上应为，U DRM_小于_Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__阴极和门极在器件内并联_结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
（GTO门极可关断晶闸管）13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为_二次击穿_ 。
14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的_放大区_、前者的非饱和区对应后者的_饱和区_。
15.电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数。
（MOSFET场效应晶体管、GTR电力晶体管、IGBT绝缘栅双极型16.IGBT 的开启电压U GE（th）随温度升高而_略有下降_，开关速度_低于_电力MOSFET 。
晶体管）17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是智能功率集成电路。
电力电子复习题
一、填空（每空1分，36分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ- 四种。
二、判断题,（每题1分，10分）（对√、错×）1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。
（√）2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。
（×）3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。
（×）4、逆变角太大会造成逆变失败。
（×）5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。
（√）6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
电力电子复习题
电力电子复习题 Last updated on the afternoon of January 3, 2021电力电子复习题一、选择题1、晶闸管稳定导通的条件A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流2、晶闸管通态平均电流I T(AV)与其对应有效值I的比值为A、、1/1.57 C、D、1/3、对于升降压直流斩波器，当其输出电压小于其电源电压时，有A、α无法确定B、<α<1C、0<α<、以上说法均是错误的4、有源逆变发生的条件为A、要有直流电动势B、要求晶闸管的控制角大于900C、直流电动势极性须和晶闸管导通方向一致D、以上说法均是错误的5、对于电阻负载单相交流调压电路，下列说法错误的是A、输出负载电压与输出负载电流同相B、α的移项范围为00<α<1800C、输出负载电压U O的最大值为U1D、以上说法均是错误的6、晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为A.维持电流B.擎住电流C.浪涌电流D.额定电流7、三相半波可控整流电路的自然换相点是A.交流相电压的过零点B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后608、有源逆变电路晶闸管的换流方式为A.器件换流B.电网换流C.负载换流D.脉冲换流9、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关A.α、负载电流Id以及变压器漏抗XCB.α以及负载电流IdC.α和U2D.α、U2以及变压器漏抗XC10、下列电路中，输入整流变压器不存在直流磁化的有A.单相桥式可控整流电路B.单相半波可控整流电路C.单相全波可控整流电路D.三相半波可控整流电路11、三相全控桥式整流电路在宽脉冲触发方式下一个周期内所需要的触发脉冲共有六个，它们在相位上依次相差°°°°12、可在第一和第四象限工作的变流电路是A.三相半波可控变流电路B.单相半控桥C.接有续流二极管的三相半控桥D.接有续流二极管的单相半波可控变流电路13、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为A.157AB.100AC.80AD.246.5A14、带反电动势负载的电路，当晶闸管关断时负载上的电压U d为===E/=–E15、升压斩波电路中，已知电源电压Ud=12V，导通比Kt=1/3，则负载电压U0=16、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是A.有源逆变器D变换器A 变换器 D.无源逆变器17、串联谐振式逆变电路晶闸管的换流方式为 A.器件换流 B.电网换流 C.负载换流D.脉冲换流18、单相全控桥式整流电路带纯电阻性负载时，晶闸管承受正向电压的最大值为 A.2U 221B.2U 2C.2U 22D.2U 619、取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的 A.转折电压 B.反向击穿电压 C.阈值电压D.额定电压20、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在 A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D.不定21、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是 °°°°22、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为22222、三相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为2222224、电流型逆变器中间直流环节贮能元件是A.电容B.电感C.蓄电池D.电动机25、在型号为KP10-12G中，数字10表示A.额定电压10VB.额定电流10AC.额定电压1000VD.额定电流1000A26、下列电路中，不可以实现有源逆变的有A.三相半波可控整流电路B.三相桥式半控整流电路C.单相桥式可控整流电路D.单相全波可控整流电路外接续流二极管27、下列电路中，输入整流变压器不存在直流磁化的有A.单相桥式可控整流电路B.单相半波可控整流电路C.单相全波可控整流电路D.三相半波可控整流电路28、电压型逆变电路特点没有A.直流侧接大电感B.交流侧电流为正弦波C.直流侧电压无脉动D.直流侧电流有脉动29、对于升降压直流斩波器，当其输出电压大于其电源电压时，有A、α无法确定B、<α<1C、0<α<、以上说法均是错误的30、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在36、电压型逆变电路特点没有 A.直流侧接大电感B.交流侧电流为正弦波C.直流侧电压无脉动D.直流侧电流有脉动37、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为40、对于电阻负载单相交流调压电路，下列说法错误的是A 、输出负载电压与输出负载电流同相B 、α的移项范围为00<α<18022222、三相半波可控整流电路，带电阻负载，控制角α的最大移相范围为（）。
电力电子复习题含答案
电⼒电⼦复习题含答案考试试卷( 1 )卷⼀、填空题（本题共8⼩题，每空1分，共20分）1、按照驱动电路加在电⼒电⼦器件控制端和公共端之间的性质，可将电⼒电⼦器件分为____电压型____和_____电流型___两类。
2、电⼦技术包括__信息电⼦技术___和电⼒电⼦技术两⼤分⽀，通常所说的模拟电⼦技术和数字电⼦技术就属于前者。
2、为减少⾃⾝损耗，提⾼效率，电⼒电⼦器件⼀般都⼯作在____开关_____状态。
当器件的⼯作频率较⾼时，__开关_______损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之⽐称为______载波⽐_______，当它为常数时的调制⽅式称为_____同步____调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若⼲频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之⽐为桓定的调制⽅式称为_____分段同步_______调制。
4、⾯积等效原理指的是，_____冲量____相等⽽__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是___MOSFET______，单管输出功率最⼤的是____GTO_________，应⽤最为⼴泛的是___IGBT________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最⼤反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最⼤正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路⼯作过程中各时间段电流流经的通路(⽤V1,VD1,V2,VD2表⽰)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；⼆、选择题（本题共10⼩题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制⼯作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下⾯说法错误的是（）A、晶闸管的触发⾓⼤于电路的功率因素⾓时，晶闸管的导通⾓⼩于180度B、晶闸管的触发⾓⼩于电路的功率因素⾓时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常⼯作C、晶闸管的触发⾓⼩于电路的功率因素⾓正常⼯作并达到稳态时，晶闸管的导通⾓为180度D、晶闸管的触发⾓等于电路的功率因素⾓时，晶闸管的导通⾓不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所⽰，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术_复习题
《电力电子技术》复习题一、名词解释1、电力电子变流技术2、斩波控制3、直接变频器4、全控型器件5、转折电压6、无源逆变7、驱动电路8、电流源型逆变器9、电压源型逆变器10、全控型器件二、判断题1.在电力电子技术中，电力电子器件工作在放大状态。
2.根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端间有效信号波形，可将电力电子器件（电力二极管除外）分为脉冲触发型和电平控制型。
3.半波可控整流电路，大电感负载不加续流二极管，输出电压波形中没有负向面积。
4.无源逆变指的是不需要逆变电源的逆变电路。
5. 单相全控桥式整流电路可用于有源逆变。
（）6.单相半波可控整流电路属单脉波整流电路。
（）7.整流电路按电路组成器件可分为单相和多相两类。
（）8.单相全控桥式整流电路可用于有源逆变。
（）9、三相桥式全控整流电路，输出电压波形的脉动频率是150HZ。
（）10、在普通晶闸管组成的全控整流电路中，带电感性负载，没有续流二极管时，导通的晶闸管在电源电压过零时不关断。
（）11、在桥式半控整流电路中，带大电感负载，不带续流二极管时，输出电压波形中没有负面积。
（）12、提高电力电子装置的工作频率，可以使电力电子装置的体积和重量减小。
（）13、无源逆变电路，是把直流电能逆变成交流电能，送给电网，（）三、读图题1 写出下列电路符号的名称或简称。
（a） (b)(c) (d)2．画出单结晶体管的电路符号及伏安特性；说明单结晶体管的导通条件和截止条件。
3．在第1题所给的器件中，哪些属于自关断器件？四、简答题1、晶闸管导通和关断条件是什么？2、有源逆变实现的条件是什么？3、什么是逆变失败，造成逆变失败的原因有哪些？4、电压型逆变器与电流型逆变器各有什么样的特点？5、换流方式有哪几种？分别用于什么器件？6、什么是直流斩波电路？7、单相全波与单相全控桥从直流输出端或从交流输入端看均是基本一致的，两者的区别？8、桥式全控整流电路、三相桥式全控整流电路中，当负载分别为电阻负载。
电力电子-复习题
电力电子技术一、判断题(将判断结果填入括号中。
正确的填“√〞，错误的填“×〞)1．整流二极管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。
(×)2．用于工频整流的功率二极管也称为整流管。
(√)3．当阳极和阴极之间加上正向电压而控制极不加任何信号时，晶闸管处于关断状态。
(√)4．晶闸管的导通条件是阳极和控制极上都加上电压。
(×)5．晶闸管的关断条件是阳极电流小于管子的擎住电流。
(×)6．假设晶闸管正向重复峰值电压为500 V，反向重复峰值电压为700 V，那么该晶闸管的额定电压是700 V。
(×)7．在晶闸管的电流上升到其维持电流后，去掉门极触发信号，晶闸管仍能维持导通。
(×)8．假设流过晶闸管的电流的波形为全波时，那么其电流波形系数为1.57。
(×)9．将万用表置于R×1 kΩ,或R×10 kΩ,挡，测量晶闸管阳极和阴极之间的正反向阻值时，原那么上其值越大越好。
(√)10．GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件。
(√)11．IGBT是电压型驱动的全控型开关器件。
(√)12．GTO的门极驱动电路包括开通电路、关断电路和反偏电路。
(√)13．三相半波可控整流电路带电阻负载时，其输出直流电压的波形在α<60°的范围内是连续的。
(×)14．三相半波可控整流电路带阻性负载时，假设触发脉冲(单窄脉冲)加于自然换相点之前，那么输出电压波形将出现缺相现象。
(√)15．在三相半波可控整流电路中，每个晶闸管的最大导通角为120°。
(√)16．三相半波可控整流电路带电阻性负载时，其触发脉冲控制角α的移相范围为0°～180°。
(×) 17．三相半波可控整流电路，变压器次级相电压为200 V，带大电感负载，无续流二极管，当α = 60°时的输出电压为117 V。
电力电子技术课程复习题及答案
一、选择练习题1.晶闸管导通的条件是（ A ）。
A.阳极加正向电压，门极有正向脉冲B.阳极加正向电压，门极有负向脉冲C.阳极加反向电压，门极有正向脉冲D.阳极加反向电压，门极有负向脉冲2.由门极控制导通的晶闸管导通后，门极信号( A )。
A.失去作用B.需维持原值C.需降低D.需提高3.晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为（ B ）。
A.维持电流B.擎住电流C.浪涌电流D.额定电流4.电力电子器件功率损耗的主要原因是（ A ）。
A 、通态损耗B 、断态损耗C 、开通损耗D 、关断损耗5.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( B ) 。
A 、导通状态B 、关断状态C 、饱和状态D 、开关状态6.晶闸管串联时，为达到静态均压，可在晶闸管两端并联相同的（ A ）。
A ．电阻B ．电容C ．电感D ．阻容元件7.下面哪个是绝缘栅双极晶体管的简称（ C ）。
A ．GTO B.GTR C.IGBT D.MOSFET8.单相半控桥式整流大电感负载电路中，为了避免出现一个晶闸管一直导通，另两个整流二极管交替换相导通的失控现象发生，采取的措施是在负载两端并联一个（ D ）A.电容B.电感C.电阻D.二极管9.在大电感负载三相全控桥中，当α>60°时，在过了自然换相点之后和下一个晶闸管被触发之前，整流输出u d 为负值，交流电源接受回馈的能量，电感( A )A.释放储能B.既不释放能量也不储能C.吸收能量D.以储能为主10.晶闸管变流器主电路要求触发电路的触发脉冲前沿( C )A.应缓慢上升B.不要太大C.尽可能陡D.有较大负电流11. 出现换相重叠角γ的原因是（ C ）A 晶闸管换相B 有源逆变C 变压器漏感D 谐波12.带平衡电抗器的双反星形可控整流电路使用在（ C ）场合中。
A. 高电压大电流B. 高电压小电流C. 低电压大电流D. 低电压小电流13.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位互差（ C ）A.150°B.60°C.120°D.90°14.可在第二象限工作交流电路是（ C ）。
电力电子复习题
第一章电力电子器件一、填空题1.电力电子器件一般工作在________状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为________。
3.电力电子器件组成的系统，一般由________、________、________三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加________。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为________ 、________ 、________三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为________。
6.电力二极管的主要类型有________、________、________。
7.肖特基二极管的开关损耗________快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为____ 正向有触发则导通、反向截止____ 。
9.晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上应为，U DRM________Ubo。
10.逆导晶闸管是将________与晶闸管________（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
11.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为________ 。
12.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的________、前者的饱和区对应后者的________、前者的非饱和区对应后者的________。
13.电力MOSFET的通态电阻具有________温度系数。
14.IGBT 的开启电压U GE（th）随温度升高而________，开关速度________电力MOSFET 。
15.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为________和________两类。
电力电子专业技术复习题整理版
电力电子技术复习题(整理版)————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：电力电子技术复习题一、填空题1、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是：______极、______极和______极。
2、单相半波可控整流电路中，控制角α的最大移相范围是__________。
3、对于同一个晶闸管，其维持电流I H _______擎住电流I L （数值大小关系）。
4、在GTR 和IGBT 两种自关断器件中，属于电压驱动的器件是_____，属于电流驱动的器件是___。
5、在输入相同幅度的交流电压和相同控制角的条件下，三相可控整流电路与单相可控整流电路比较，三相可控整流电路可获得__________的输出电压。
6、为了使电力晶体管安全、可靠地运行，驱动电路和主电路应该实行_________。
7、把交流电能转换成直流电能称整流，把一种直流电能转换成另一种直流电能称_________，而把直流电能转换成交流电能称_________。
8、可关断晶闸管（GTO ）的电流关断增益βoff 的定义式为βoff =___________，其值越______越好。
9、单相全控桥式整流大电感负载电路中，晶闸管的导通角θ=___________。
10、将直流电能转换为交流电能，并把交流电能直接提供给交流用电负载的逆变电路称为___________逆变器。
11、对于普通晶闸管，在没有门极触发脉冲的情况下，有两种因素会使其导通，一是 过高，二是_______________。
12、晶闸管一旦导通，门极就失去了控制作用，故晶闸管为 器件。
能保持晶闸管导通的最小电流称为 。
13、电压型单相桥式逆变电路中，与开关管反并联的二极管起着___________和防止开关器件承受反压的作用。
14、电力电子电路中为了实现主电路与控制电路的隔离，常采用的隔离方法有_________隔离和_________隔离。
电力电子技术复习资料题
一、选择题1.晶闸管的伏安特性是指。
（ C ）A.阳极电压与门极电流的关系B.门极电压与门极电流的关系C.阳极电压与阳极电流的关系D.门极电压与阳极电流的关系2.可关断晶闸管的文字符号是。
（ A ）A. GTOB.GTRC.P-MOSFETD. IGBT3.下列两种电力电子器件中均属于全控型器件的是。
（ D ）A. GTO和SCRB.GTR和电力二极管C.GTR和SCRD. GTO和GTR4.单相半波可控整流电路，阻性负载，控制角α的最大移相范围是0°～。
（ D ）A.90°B.120°C.150°D.180°5. 关于有源逆变的条件，表述正确的是。
（ A ）A要有直流电动势，其极性和晶闸管的导通方向一致，其值应大于变流电路直流侧的平均电压B要有直流电动势，其极性和晶闸管的导通方向相反，其值应大于变流电路直流侧的平均电压C要有直流电动势，其极性和晶闸管的导通方向一致，其值应小于变流电路直流侧的平均电压D要有直流电动势，其极性和晶闸管的导通方向相反，其值应小于变流电路直流侧的平均电压6.升压斩波电路能使输出电压高于电源电压的关键原因是电感L储能泵升和。
（ C ）A. VD的单相导电B.开关V的通断特性C.电容C的电压保持D. 电容C的“通交隔直”性7.利用晶闸管投切电容器控制无功功率，一般采用是控制电路。
（ C ）A.交流调压控制电路B.交流调功控制电路C.交流电力电子开关D.交交变频电路8．一交流单相晶闸管调压器用作控制从220V交流电源送至电阻为2Ω，感抗为2Ω的串联负载电路的电压，则稳态时控制角移相范围是。
（ C ）A. 00~1800B. 300~1800C. 450~1800D. 600~18009.逆变电路是 。
（ B ）A.AC/DC 变换器B.DC/AC 变换器C.AC/AC 变换器D.DC/DC 变换器10.电压型逆变器，交流侧电压波形为 。
电力电子技术复习题库
电力电子技术一、选择题1.分压式共射放大电路如下图所示。
若更换晶体管使β由50变为100，则电路的电压放大倍数A. 约为原来的一半B. 基本不变C. 约为原来的2倍D. 约为原来的4倍（）2.用一只伏特表测量一只接在电路中的稳压二极管的电压，读数只有0.7 伏，这种情况表明该稳压二极管A. 工作正常B. 接反C. 处于击穿状态D. 以上各项都不是（）3.晶体管工作在放大区时的偏置状态为A. b与e极，b与c极间均正向偏置B. b与e极，b与c极间均反偏C. b与e极间正偏，b与c极间反偏D. b与e极间反偏，b与c极间正偏4.二极管的伏安特性反映了（）A. I D与V D之间的关系B. 单向导电性C. 非线性D. 以上各项都不是（）5.直流稳压电源中的滤波电路的目的是A．将交流变成直流B．将高频变成低频C．将交、直流混合量中的交流成分滤掉D. 以上各项都不是（）6.基本共射放大电路如下图所示，当输入电压为1kHz、5mV的正弦电压时，输出电压出现了顶部削平的波形。
为了消除失真应A. 减小集电极电阻R cB. 改换β小的管子C. 增大基极偏置电阻R bD. 减小基极偏置电阻R b（）7.单相半波整流电路接上电容滤波后A．输出电压不变B．输出电压升高C．整流二极管承受的反向电压降低D．二极管导电时间变长（）8.晶体三极管用于放大时，应使其发射结、集电结处于A. 发射结正偏、集电结反偏B. 发射结正偏、集电结正偏C. 发射结反偏、集电结正偏D. 发射结反偏、集电结反偏（）9.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的A. 电子B. 空穴C. 三价硼元素D. 五价锑元素（）10.在下图所示电路中，已知稳压管Dz的稳定电压V Z = 5V。
流过稳压管的电流I Z为A. 5mAB. 10mAC. 20mAD. 40mA （）11.如图并联型稳压电路中，电阻R的作用是A. 限流降压B. 产生热量C. 决定振荡频率D. 不起作用（）12.在一个NPN管组成的基本共发射极放大电路中，当输入电压为正弦波时，输出电压波形出现了正半周削顶，这种失真是A. 饱和失真B. 截止失真C. 交越失真D. 频率失真（）13.由理想二极管组成的电路如下图所示，其A，B两端的电压应为A. –12VB. –6VC. +6VD. –12V （）14.利用基本放大电路的微变等效电路只可求该放大电路的A. 电压放大倍数B. 静态工作点C. 输入电阻和输出电阻D. 电压放大倍数、输入电阻和输出电阻（）二、填空题15.小功率直流电源一般由电源变压器、整流、、四部分组成，16.在共射极接法时，三极管的交流电流放大倍数β= 。
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6．调试图所示晶闸管电路，在断开负载R d测量输出电压U d是否可调时，发现电压表读数不正常，接上R d后一切正常，请分析为什么？习题2图解：当S断开时，由于电压表内阻很大，即使晶闸管门极加触发信号，此时流过晶闸管阳极电流仍小于擎住电流，晶闸管无法导通，电流表上显示的读数只是管子漏电流形成的电阻与电压表内阻的分压值，所以此读数不准。
在S合上以后，Rd介入电路，晶闸管能正常导通，电压表的读数才能正确显示。
7．画出图1-35所示电路电阻R d上的电压波形。
图1-35 习题3图解：8．画出单相半波可控整流电路，当 =60°时，以下三种情况的d u、T i及T u的波形。
1）电阻性负载。
2）大电感负载不接续流二极管。
3）大电感负载接续流二极管。
解：（1）波形如图（a ）电阻性负载波形图（b ）电感性负载不接续流二极管1. （c ）电感性负载接续流二极管将直流电逆变为某一频率或可变频率的交流电直接( 供给 非电源 负载 )的过程称为无源逆变。
2. 在晶闸管有源逆变电路中，绝对不允许两个电源电动势( 反极性串联 )相连。
3. 单相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为( C )A.U 2 B.2U 2 C. U 2 D. U 2三相半波可控整流电路中三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差（ 120° ）。
4.双窄脉冲触发是在触发某一号晶闸管时，触发电路同时给( 前)一号晶闸管补一个脉冲。
5.晶闸管是四层三端器件，三个引出电极分别为：阳极、阴极和（门）极。
6.将直流电逆变为某一频率或可变频率的交流电直接( 供给非电源负载)的过程称为无源逆变。
7.在晶闸管有源逆变电路中，绝对不允许两个电源电动势( 反极性串联)相连。
8.电力电子器件是直接用于主电路中，实现（电能）的变换或控制的电子器件。
9.降压斩波电路中通常串接较大电感，其目的是使负载电流( 连续)10.在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中，在（截止区）和（饱和区）之间过渡时，要经过放大区。
11.根据（面积等效原理），SPWM控制用一组（等幅不等宽）的脉冲来等效一个（正弦波）。
12.斩波电路有三种控制方式：（:脉冲宽度调制）、（脉冲频率调制）和（混合型）。
其中最常用的控制方式是：（脉冲宽度调制）。
11、电力电子电能变换的基本类型：（AC/AC）、（AC/DC）、（DC/DC）、（DC/AC）。
13.抑制过电压的方法之一是用（电容）吸收可能产生过电压的能量，并用（电阻）将其消耗。
14.把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为( 触发角)。
15.为了保证晶闸管可靠与迅速地关断，通常在管子阳极电压下降为零之后，加一段时间的( 反向)电压。
16.单相半波可控整流电路，当电感性负载接续流二极管时，控制角的移相范围为( 0~ 180 )。
17.由于电路中共阴极与共阳极组换流点相隔60。
，所以每隔60。
有一次（脉冲）。
18.电力电子器件一般工作在（开关）状态。
19.按照器件能够被控制的程度，电力电子器件可分为以下三类：（半控型）、（全控型）、（不控性）。
20.PWM控制就是对脉冲的（宽度）进行调制的技术；直流斩波电路得到的PWM波是等效（直流）波形，SPWM控制得到的是等效（正弦）波形。
21.脉冲宽度调制的方法是：（周期）不变，（导通）时间变化，即通过导通（占空比）的改变来改变变压比，控制输出电压。
22.降压斩波电路中通常串接较大电感，其目的是使负载电流( 连续)。
23.升压斩波电路使电压升高的原因：电感L( 储能使电压泵升的作用),电容C( 可将输出电压保持住) 。
24.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是( 均压)措施。
25.在反电动势负载时，只有（整流电压）的瞬时值大于负载的反电动势，整流桥中的晶闸管才能受正压而触发导通。
26.把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为( 控制角)。
27.电力电子器件是直接用于主电路中，实现（电能）的变换或控制的电子器件。
28.触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲触发两种方法，目前采用较多的是（双窄脉冲）触发方法。
29.电力电子器件组成的系统，一般由（控制电路）、（驱动电路）、（主电路）三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加（保护电路）。
30.PWM控制的理论基础是( 面积等效 ) 原理，即（冲量）相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
31.脉冲频率调制的方法是:（导通）时间不变，( 周期 )变化，导通比也能发生变化，从而达到改变输出电压的目的。
32.Boost-buck升降压斩波电路呈现升压状态的条件是开关器件的导通占空比为( 1/2<α <1 )；呈现降压状态的条件是开关器件的导通占空比为( 0<α <1/2 )。
33.在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中，在（截止区）和（饱和区）之间过渡时，要经过放大区。
34.按照开通、关断控制方式可分为三大类：（不可控型）、（可控型）、（全控型），35.电力二极管的工作特性可概括为（单向导通）36.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于( A )，设U2为相电压有效值。
A. U2B.2U2C. U2D. U237.在三相半波可控整流电路中，电阻性负载，当控制角( A)时，电流连续。
a)小于等于30 度 B.大于30度C、120度D、小于等于60度38.3．功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( B)A.一次击穿B.二次击穿C.临界饱和D.反向截止39.Boost-buck升降压斩波电路呈现升压状态的条件是开关器件的导通占空比为（B）；A. 0.5B. 1/2<α <1C. 1D. 0.2540.SPWM波形的控制方法：改变调制信号u r的（A）可改变基波幅值A. 幅值B. 频率C. 频率和幅值D. 周期41.Cuk斩波电路呈现降压状态的条件是开关器件的导通占空比为（A）。
A. 0<α <1/2B. 1/2<α <1C. 1D. 0.2542.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差( B).A、60 B 、120 C 、30 D、18043.在晶闸管有源逆变电路中，绝对不允许两个电源势（ B ）相连。
A. 同极性串联B. 反极性串联C. 不确定44.三相桥式全控整流电路常用的触发脉冲有两种，目前采用较多的是（ B ）触发方法。
A. 宽脉冲B. 双窄脉冲C. 窄脉冲D.混合使用45.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( B )A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D.不定46.相半波可控整流电路的自然换相点是( B)A.交流相电压的过零点B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°47.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差（ C ）A. 30度B. 90度C. 120度D. 60度48.晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为(B )A.一次击穿B.二次击穿C.临界饱和D.反向截止49.单相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为( C)A. U2B.2U2C. U2D. U250.可实现有源逆变的电路是（A）A、三相半波可控整流电路B、三相半控整流桥电路C、单相全桥接续流二极管电路D、单相桥式半控整流电路名词解释（1）自然换相点自然换相点：在不可控整流电路中，整流管按照电压变化规律自然换相，自然换相的时刻称为自然换相点。
（2）换流换流：在可控整流中，从一路晶闸管导通变为另一路晶闸管导通的过程或电流从一条支路转移到另一条支路的过程为换流（3）（4）（5）控制角（6）控制角：从晶闸管开始承受正向电压到触发导通为止的时刻，这段时间所对应的电角度（7）同步同步：使触发脉冲与可控整流电路的电源电压之间保持频率和相位的协调关系为同步。
（8）（9）擎住电流擎住电流:晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后能维持导通所需的最小电流（10）（11）换相（12）换相：在可控整流电路中，从一路晶闸管导通变换为另一路晶闸管导通的过程或从一条支路转移到另一条支路的过程称为换相。
（13）移相范围（14）触发角可变化的范围。
（15）（16）二次击穿现象（17）二次击穿现象：晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为二次击穿现象（18）逆变（19）逆变：将直流转化为交流的逆向过程称为逆变。
（20）无源逆变无源逆变:当交流侧接负载时，即交流侧与负载相连，称为无源逆变。
（21）（22）维持电流维持电流：晶闸管维持导通所必须的最小电流。
（23）（24）移相（25）移相：改变触发脉冲出现的时刻，即改变控制角的大小，称为移相。
（26）导通角（27）导通角：晶闸管在交流电源一个周期内导通的时间所对应的电角度。
50、解释单相桥式半控整流电路中续流二极管的作用（感性负载）。
为电感提供放电回路、续流、保证负载电流连续。
提高输出电压（阻感负载）51、使晶闸管导通、关断的条件是什么？使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或者U AK >0且U GK>052、三相桥式全控整流电路对触发脉冲有什么要求？六个晶闸管按顺序依次导通，相位互差60度，共阴极组互差120度导通，同一桥背互差180度。
可采用宽脉冲也可采用双窄脉冲。
53、使变流器工作于有源逆变状态的条件是什么？交流侧接在电网上，即交流侧接有电源时的逆变（DC→AC）叫有源逆变。
54、为什么半控桥和负载侧并有续流管的电路不能实现有源逆变？半控桥或带续流二极管的交流电路，其整流电压不会出现负值。
55、解释失控现象，及解决办法。
在运行中，当控制角突然增至180或触发脉冲突然丢失时，桥式整流电路可能发生一只晶闸管维持导通而二极管交替导通的现象，称为失控现象。
56、什么是逆变？逆变与整流有何区别？将直流电转化为交流电的的反响整流过程称为逆变整流是将交流转化为可调的直流的过程。
1、在图示升、降压压斩波电路中，已知E=50V，负载电阻R=20Ω，L值和C值极大，采用脉宽调制控制方式，当T=40µs，ton=25µs时，简单分析原理并计算输出电压平均值U0，输出电流平均值I。
83V 4.2A2、画出三相桥式全控整流电路图，简要分析其工作原理，并画出控制角为30度时的波形图（感性负载）3.如图也是一种可控整流电路的原理图，试分析其工作原理，说明晶闸管和各二极管可能承受的最大电压，画出输出电压和晶闸管电压的波形图。