电子技术基础-第4章多极放大电路

合集下载

201X年《电子技术基础》复习资料(题目)

一、填空题1、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。

2、半导体中中存在两种载流子：和。

纯净的半导体称为，它的导电能力很差。

掺有少量其他元素的半导体称为。

杂质半导体分为两种：半导体——多数载流子是电子；P 型半导体——多数载流子是。

当把P 型半导体和N 型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个，这是制造半导体器件的基础。

3、在本征半导体中加入5价元素可形成半导体，加入3价元素可形成半导体。

4、对一个放大电路进行静态分析，首先应作该放大电路的通路，而作，动态分析时，应作该放大电路的通路。

若放大电路的静态工作点设置不合理或信号太大，在放大信号时会容易引起输出信号失真。

非线性失真分为失真和失真。

5、一只三极管的β＝50，当A I B μ10=时，集电极电流是 mA 。

6、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。

正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。

直流负反馈的作用是，交流负反馈能够改善放大电路的。

7、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。

串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。

在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。

8、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。

滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。

电容滤波适用于电流，而电感滤波适用于电流。

在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。

9、直流稳压电源一般由变压器电路、及和稳压电路四部分组成。

10、在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av= Av1是放大器，Av2是放大器，Av3是放大器。

11、集成运算放大器在状态和条件下，得出两个重要结论他们是：和( )12、基本门电路有门、门和门。

电子技术基础(恩施职业技术学院第4章集成运算放大器的应用

Auf 1
－ ui +
∞
+ uo
电压跟随器
Δ
，这时输出电压跟随输入电
压作相同的变化，称为电压跟随器。
例在图示电路中，已知R1=100kΩ， Rf=200kΩ ，ui=1V，求输出电压uo，并说明输入级的作用。
Rf － ui +
∞
+ R1 uo1 R2 － +
解输入级为电压跟随器，由于是电压串联负反馈，因而具有极高的输入电阻，起到减轻信号源负担的作用。且 u o1 u i 1 V ，作为第二级的输入。第二级为反相输入比例运算电路，因而其输出电压为： Rf 200 uo u o1 1 2 (V) R1 100

学习要点
第4章集成运算放大器的应用
模拟运算电路 4.2 信号处理电路 4.3 波形发生电路 4.4 使用运算放大器应注意的几个问题
4.1
4.1 模拟运算电路
4.1.1 比例运算电路
1、反相输入比例运算电路
根据运放工作在线性区的两条分析依据可知：i1 i f ，u u 0 而
4.1.2 加法和减法运算电路
1、加法运算电路
根据运放工作在线性区的两条分析依据可知：
i f i1 i 2
i1
u i1 ui2 uo i i ，2 ，f R1 R2 RF RF RF u o ( u i1 ui2 ) R1 R2
－ +
∞
+ uo
输入电阻为：
u i R1i1 ri R1 100 k i1 i1
平衡电阻为：
R 2 R1 // R f1 R f2 // R f3 100 //200 50 // 1 66.8 k

《模拟电子技术基础(第五版康华光主编)》复习提纲

模拟电子技术基础复习提纲第一章绪论）信号、模拟信号、放大电路、三大指标。

（放大倍数、输入电阻、输出电阻）第三章二极管及其基本电路）本征半导体：纯净结构完整的半导体晶体。

在本征半导体内，电子和空穴总是成对出现的。

N型半导体和P型半导体。

在N型半导体内，电子是多数载流子；在P型半导体内，空穴是多数载流子。

载流子在电场作用下的运动称为漂移；载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。

P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结，在该区域中，多数载流子扩散到对方区域，被对方的多数载流子复合，形成空间电荷区，也称耗尽区或高阻区。

空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。

PN结最重要的电特性是单向导电性，PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通；PN结加反向电压时，电阻值很大，PN结截止。

PN 结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿；PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容，前者是正向偏置电容，后者是反向偏置电容。

）二极管的V-I 特性（理论表达式和特性曲线））二极管的三种模型表示方法。

（理想模型、恒压降模型、折线模型）。

（V BE=）第四章双极结型三极管及放大电路基础）BJT的结构、电路符号、输入输出特性曲线。

（由三端的直流电压值判断各端的名称。

由三端的流入电流判断三端名称电流放大倍数））什么是直流负载线什么是直流工作点）共射极电路中直流工作点的分析与计算。

有关公式。

(工作点过高，输出信号顶部失真，饱和失真，工作点过低，输出信号底部被截，截止失真)。

）小信号模型中h ie和h fe含义。

）用h参数分析共射极放大电路。

（画小信号等效电路，求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻）。

）常用的BJT放大电路有哪些组态（共射极、共基极、共集电极）。

各种组态的特点及用途。

P147。

（共射极：兼有电压和电流放大，输入输出电阻适中，多做信号中间放大；共集电极（也称射极输出器），电压增益略小于1，输入电阻大，输出电阻小，有较大的电流放大倍数，多做输入级，中间缓冲级和输出级；共基极：只有电压放大，没有电流放大，有电流跟随作用，高频特性较好。

电子技术基础-第4章

整理得 uO1R Rf 13uI1uI2
图4-18 同相加法运算电路
28
【例4-1】电路如图4-19所示。设A为理想集成运放， R1=10kΩ，Rf=100kΩ。试求：输出电压uO与输入电压uI之间的关系，并说明该电路实现了什么运算功能。
解根据理想集成运放的两条结论，利用“虚短”和“虚断” 的概念，有：uN=up=uI， iI=0
（ a）
（ b）
（ c）
非线性集成电路
3
（ d）
（ e）
（a）为圆壳式
（b）为双列直插式（c）为扁平式（d）为单列直插式（e）为菱形式
（ a）
（ b）
（ c）
（ d）
（ e）
4
4.1 直接耦合放大电路
两级直接耦合放大电路如图4-1所示
图4 –1 两级直接耦合放大器电路
5
4.1.1 直接耦合放大器和组成及其零点漂移现象
③输出级输出级具有输出电压线性范围宽，输出电阻小（即带负载能力强），非线性失真小等优点。多采用互补对称发射极输出电路。
17
Байду номын сангаас
④偏置电路偏置电路用于设置集成运放各级放大电路的静态工作点。与分立元件不同，集成运放多采用电流源电路为各级提供合适的集电极（或发射极、漏极）静态工作电流，从而确定了合适的静态工作点。集成运放的电路符号如图4-10所示。图(a)为国外常用符号，图(b)为我国常用符号。
19
(2)直流参数 ①输入失调电压UIO及其温漂dUIO/dT 理想集成运放，当输入为零时，输出也为零。但实际集成运放的差分输入级不易做到完全对称，在输入为零时，输出电压可能不为零。为使其输出为零，人为的在输入端加一补偿电压，称此补偿电压为输入失调电压，用UIO表示。 ②输入失调电流IIO及其温漂dIIO/dT 集成运放在常温下，当输出电压为零时，两输入端的静态电流之差，称为输入失调电流，用IIO表示，

《电力电子技术》第四章习题解答

从图中可知：
（THD）给出了电流Ud的畸变率：THD=112.28%。
说明：因为输出电流电压直流成分极大，所以谐波含量极高。
（3）交流侧电流Is傅里叶分析如下：
从图中可知：
（THD）给出了电流Ud的畸变率：THD=42.95%。
说明：因为输入电流电压漏感影响不大，所以谐波含量较低。
各次谐波列表如下：
（1）做出uC1，uC2和ud的波形；
（2）做出△Ud (p-p)与Ud的比值；
（3）如果单相全控桥式整流电路参数如下：Us= 240V，Ls= 1mH，Cd= 500F，负载用10A的直流电源表示，计算第（2）问，并与之前的计算结果相比较。
解：
图4.27双重电压整流电路
由FFT分析谐波列表可知，电流的基波分量相位θi=-27.1°、θv=0°。故其相位差为
Φ=-27.1˚（滞后），所以DPF=cosΦ=0.89。
傅里叶分析可知电流的基波分量Is1=120.6A
由谐波畸变率公式
可求得：Is=131.25A，故
4-15.图4.20所示的单相整流电路中，Us= 120V，频率50Hz，Ls= 2mH，Rs= 0.4，负载的瞬时功率pd(t) = 1kW。利用Pspice软件，做出Cd分别为：200、500、1000和1500F时，THD、DPF、PF以及换相压降△Ud(p-p)的函数曲线，并分析直流侧滤波电容的作用。
∴
(4)
∴ 的值与上问相同。
4-6.图4.6(b)是简化的单相整流电路，其中Ls= 0，直流侧电流恒为Id，计算出每个二极管所通过电流的平均值和有效值，以及与Id的比值。
解：如下图所示，
∵Ls= 0时，每个二极管换流是瞬时完成的
∴每个二极管导通时间为一半的周期，而且是上下桥臂有且只有一个导通。

模电第四版习题解答

模电第四版习题解答 YUKI was compiled on the morning of December 16, 2020模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。

( √)GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。

(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

电工电子技术_基本放大电路

8.1
7
共发射极放大电路
图8.3
放大电路动态工作电流、电压的变化情况
8.2
8
共发射极放大电路的静态分析
直流通路及静态工作点
8.2.1
放大电路不加输入信号(ui=0)时的状态称为静态。静态时放大电路中只有直流电源作用，由此产生的所有电流、电压都为直流量，所以静态又称为直流状态。静态时三极管各极电流和极间电压分别用IB、UBE、IC、UCE表示。这些量在三极管的输入、输出特性曲线上各确定了一点，该点称为静态工作点，简称 Q点。静态时直流电流通过的路径称为直流通路。由于C1、C2的隔直流作用，放大电路的直流通路如图8.4所示。
这里直流分量是正常放大的基础，交流分量是放大的对象，交流量搭载在直流上进行传输和放大。如果三极管工作总是处于放大状态，它们的变化规律是一样的。放大电路的动态分析关注的就是交流信号的传输和放大情况，动态分析的电路指标主要包括电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等。
8.3
12
共发射极放大电路的动态分析
图8.1
共发射极放大电路
8.1
5
共发射极放大电路
2.各元器件的作用（1）晶体管VT （2）集电极电源EC （3）集电极电阻RC （4）基极电源EB和基极偏置电阻RB （5）电容C1和C2 由于该电路使用两组电源，很不经济。若只使用电源EC，将RB连到EC上，只要适当调整RB阻值，保证发射结正偏，产生合适的基极偏流IB，就可省掉电源EB。另外，为了使作图简洁，常不画出电源回路，只标出EC正极对地的电位值UCC和极性（“+”或“-”），如图8.2 所示。
图8.8
共发射极放大电路的微变等效电路
8.3

电子电工学——模拟电子技术第四章双极结型三极管及发达电路基础

4.1 双极结型三极管BJT
(Bipolar Junction Transistor)
又称半导体三极管、晶体管，或简称为三极管。
分类：按材料分：硅管、锗管按结构分：NPN型、PNP型按频率分：高频管、低频管按功率分：小功率、大功率
半导体三极管的型号
国家标准对半导体三极管的命名如下:
3 D G 110 B
c
e V VCE
VCC
V
VBE
也是一组特性曲线
实验电路
1.共射极电路的特性曲线
输入特性 :iB=f(vBE)|vCE=const
(1)VCE=0V时，发射结和集电结均正偏，输入特性相当于两个PN结并联
(2)VCE=1V时，发射结正偏，集电结反偏，收集电子能力增强，发射极发
射到基区的电子大部分被集电极收集，从而使得同样的VBE时iB减小。
ICEO (1 )ICBO 值愈大，则该管的 ICEO 也愈大。
３．极限参数
(1) 集电极最大允许电流 ICM
过流区
当IC过大时，三极管的值要 iC
减小。在IC=ICM时，值下降 ICM
到额定值的三分之二。
PCM = iCvCE
(2) 集电极最大允许耗散功率 PCM
将 iC 与 vCE 乘积等于规定的 PCM 值各点连接起来，可得一条双曲线。
利用IE的变化去控制IC，而表征三极管电流控制作用的参数就是电流放大系数。
共射极组态连接方式
IE UBE
+ Uo
-
49 IC 0.98(mA)
IB
20( A)
共射极接法应用我们得到的结论：
１、从三极管的输入电流控制输出电流这一点看来，这两种电路的基本区别是共射极电路以基极电流作为输入控制电流。２、共基极电路是以发射极电流作为输入控制电流。

电子技术基础第三章第四章测试题

第三章、第四章单元测试题一、填空题1、放大器有、、三种组态。

2、放大器必须要有合适、稳定的，才能不失真地放大交流信号。

3、射极输出器具有电压放大倍数约等于1、和等特点，常用在多级放大器的输入级和。

4、负反馈能改善放大器的工作性能，主要体现在：提高放大倍数的稳定性、、、改变输入输出电阻等。

5、一个放大器的设置是否合适是放大器能否正常工作的重要条件。

6、在放大器电路中，既有成分，又有成分。

在分析静态工作点时，只考虑，在计算放大倍数时，只考虑。

7、所谓直流通路，即是放大器的的回路，画直流通路时，将视为开路，其余不变；画交流通路时将视为。

将直流电源视为。

8、放大器的输入电阻，则放大器要求信号源提供的越小，信号源负担就。

放大器的输出电阻，放大器。

9、单管放大器如果静态工作点Q设置太高，输入波形的进入造成输出波形这种失真叫失真，消除的办法是；如果Q点设置太低，则输入波形的进入，造成输出波形削波，这种失真叫失真，消除的办法是。

10、共集电极放大电路又名和它的电路特点是：（1）；（2）；（3）。

它被广泛应用于、或者作。

11、反馈的定义是指在放大电路中，从输出端取出再回送到。

12、根据反馈信号是交流还是直流来分，可分成和。

根据反馈极性来分，可分成和。

根据取样处的连接方式来分，可分为和。

根据比较处的连接方式来分，可分为和。

13、要求放大电路输入电阻大、输出电阻小，可采用。

要求放大电路输入电阻小，输出电阻大，可采用。

14、通常使用发来判断反馈放大器的反馈极性。

对共射电路而言，反馈信号加到输入端三极管的基极称为反馈，加到三极管的发射极称为反馈。

在输出端反馈信号从三极管的集电极取出属于。

从三极管的发射极取出，属于。

15、如果要求稳定输出电压，并提高输入电阻，则应该对放大器施加反馈。

如果要求稳定输出电流，并提高输出电阻，则应该对放大器施加反馈。

16、负反馈对放大器性能的影响主要体现在以下四个方面：（1）；（2）；（3）；（4）。

《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。

模拟电子技术第4章习题答案

4 基本放大电路自我检测题一．选择和填空1. 在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望电压放大倍数绝对值大，可选用 A 或C ；希望带负载能力强，应选用 B ；希望从信号源索取电流小，应选用 B ；希望既能放大电压，又能放大电流，应选用 A ；希望高频响应性能好，应选用 C 。

（A ．共射组态，B ．共集组态，C ．共基组态）2．射极跟随器在连接组态方面属共集电极接法，它的电压放大倍数接近 1 ，输入电阻很大，输出电阻很小。

3．H 参数等效电路法适用低频小信号情况。

4．图解分析法适用于大信号情况。

5．在线性放大条件下，调整图选择题5所示电路有关参数，试分析电路状态和性能指标的变化。

（A ．增大， B ．减小，C ．基本不变）（1）当R c 增大时，则静态电流I CQ 将 C ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 C ，输出电阻R o 将 A ；（2）当V CC 增大，则静态电流I CQ 将 A ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 B ，输出电阻R o 将 C 。

6．在图选择题5所示电路中，当输入电压为1kHz 、5mV 的正弦波时，输出电压波形出现底部削平失真。

回答以下问题。

（1）这种失真是 B 失真。

（A ．截止，B ．饱和，C ．交越，D ．频率）（2）为了消除失真，应 B 。

（A ．增大C R ，B ．增大b R ，C ．减小b R ，D ．减小 CC V ，E ．换用β大的管子）。

R b R c+V CCC 2C 1R Lv iv oT图选择题57. 随着温度升高，晶体管的电流放大系数 _A_，穿透电流CEO I _A_，在I B 不变的情况下b-e 结电压V BE_B _。

（ A ．增大，B ．减小，C ．不变）8．随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出特性曲线的间隔将 E 。

（A ．上移， B ．下移，C ．左移，D ．右移，E ．增大，F ．减小，G ．不变） 9．共源极放大电路的v o 与v i 反相位，多作为中间级使用。

模拟电子技术基础-总复习最终版

其中 RP R1 // R2 // R3 // R4
另外，uN
R R Rf
uo，uN
uP
ui1 R1 ui2i1 R2 ui3i2R3
P+ + u
o
R4 i4
uo
RP 1
Rf R
ui1 R1
ui 2 R2
ui3 R3
i3
4、电路如图所示，各引入那种组态的负反馈？设集成运放输出电压的最大幅值为±14V，填表。
11
14
5、求解图示电路的运算关系式。
同相求和电路电压串联负反馈
6、求解图示电路的运算关系式。
R2
R1 ui R3
_
R4
+A1+ uo1
R5
_ +A2+
uo
7、求解图示电路的运算关系式。
电压并联负反馈。电压放大倍数为：-R2/R1。
（3）交流负反馈是指。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中存在的负反馈
解：（1）D （2）B （3）C
4、选择合适答案填入空内。
A．电压 B．电流 C．串联 D．并联
（1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入负反馈；
（2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入负反馈；
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。各电路的交流通路如解图P2.2所示。
5.在图示电路中，已知晶体管β，rbe，RB，RC=RL，VCC。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（2）当考虑信号源内阻为RS时，Aus的数值。
6. 电路如图所示，晶体管的＝100，=100Ω。

电子技术基础

（1）正向特性：
图1-1二极管的伏安特性曲线①OA段：死区。
死区电压：硅管为05V，锗管为02V
②AB段：正向导通区。
导通电压：锗管为07V，硅管为03V。
（2）反向特性：
①OC段：反向截止区。
反向截止区的特点：
随反向电压增加，反向电流基本不变，电流值比较小。只有当温度升高时，反向电流才会增加。
（2）求交流放大系数时，取△IB=20μA，△IC=1 mA，则交流放大系数β=△IC/△IB=50。
（3）当基极IB=0时，对应集电极电流即为ICEO的值，根据三极管的输出特性，IB=0的曲线对应的集电极电流IC约为02 mA。
第一章半导体器件的基础知识
第二章二极管应用电路
第三章三极管基本放大电路
第四章负反馈放大器
第五章正弦波振荡器
第六章集成运算放大器
第七章功率放大器
第八章直流稳压电源
第九章晶闸管及应用电路
第十章逻辑门电路
第十一章数字逻辑基础
第十二章组合逻辑电路
第十三章集成触发器
第十四章时序逻辑电路
6 PN结：经过特殊的工艺加工，将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起，则在两种半导体的交界处就会出现一个特殊的接触面，称为PN结。
7 PN结内电场的方向：由N区指向P区。内电场将阻碍多数载流子的继续扩散，又称为阻档层或耗尽层。
8 PN结的反向击穿是指PN结两端外加的反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增大，称为PN结的反向击穿。
半导体器件是各种电子线路的核心，晶体二极管和晶体三极管及场效应管是应用广泛的半导体器件之一，熟悉并掌握这些半导体器件的结构、特性及主要参数是本章的重点。

电子技术基础第五版第四章

一、单相整流电路
1. 单相半波整流电路
uD Ｖ
-
+
~
uu222
+
iF RL
uL –
u2 2U2si nt
1）整流输出电压平均值
UL0.4U 52
2）二极管平均电流
IF
IL
0.45U2 RL
3）二极管最大反向电压
URm 2U2
优点：结构简单，使用元件少缺点：输出电压脉动小，电源利用率低
单相半波整流电路的组成与工作原理
大部分生产厂家按下述方法命名：
3. 硅整流堆的主要参数（1）额定反向峰值电压（2）正向平均整流电流
硅整流堆管脚一般在外壳上都有标记，如桥堆外壳上各引脚对应位置上标有 “~”“＋”“－”。标记“~”管脚表示接交流电源，“＋”为正极输出，“－”为负极输出，这些标记与电路图上标记是一致的。
4. 硅整流堆的检测
4. 整流二极管的检测
5. 整流二极管的使用
自冷
一般塑料封装的小电流整流二极管，靠管脚来散热，使用时，管脚应保持在规定值以上。大功率整流
二极管需加相应的散热装置。
冷却方式：风冷采用风冷或水冷的整流器件，起始工作时，必须按
先启动冷却装置，再启动整流装置；停止工作时，先
切断整流电路电源，再关闭冷却装置。
U2
UL 6V5V
1.2 1.2 1
1
流过每只二极管的电流平均值: IF2IL26030mA
每只二极管承受的最高反向电压： U Rm 2 U 2 1 .4 1 5 4 7V
选二极管应满足: IFM （2 3） IF URM 2U2
可选: 2CZ82A（IF = 100mA， URM = 25V）

模拟电子技术基础第4章集成运算放大电路题解（童诗白）（精）

第四章集成运算放大电路（童诗白）自测题一、选择合适答案填入空内。

（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为。

A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小C．集成工艺难于制造大容量电容（2）通用型集成运放适用于放大。

A．高频信号 B. 低频信号C. 任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的。

A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响C．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。

A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。

A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路解：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A二、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。

（1）运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。

( )（2）运放的输入失调电流IIO是两端电流之差。

( )（3）运放的共模抑制比KCMR Ad ( ) Ac（4）有源负载可以增大放大电路的输出电流。

( )（5）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。

( ) 解：（1）×（2）√（3）√ （4）√ （5）×第四章题解－1三、电路如图T4.3所示，已知β1=β2=β3=100。

各管的UBE均为0.7V，求IC2的值。

图T4.3解：分析估算如下：IVCC-UBE2-UBE1R=R=100μA IC0=IC1=ICIE2=IE1IICR=IC0+IB2=IC0+IB1=IC+βIC=β1+β⋅IR≈IR=100μA四、电路如图T4.4所示。

图T4.4第四章题解－2 试（1）说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放……）；（2）分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻……）。

解：（1）三级放大电路，第一级为共集-共基双端输入单端输出差分放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。

电子技术基础习题答案

第1章检测题（共100分.120分钟）一、填空题：（每空分.共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为自由电子 .少数载流子为空穴 .不能移动的杂质离子带正电。

P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为空穴 .少数载流子为自由电子 .不能移动的杂质离子带负电。

2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。

三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。

3、PN结正向偏置时.外电场的方向与内电场的方向相反 .有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时.外电场的方向与内电场的方向一致 .有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散 .这种情况下的电流称为反向饱和电流。

4、PN结形成的过程中.P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散.N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。

扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区 .其方向由N区指向P区。

空间电荷区的建立.对多数载流子的扩散起削弱作用.对少子的漂移起增强作用.当这两种运动达到动态平衡时. PN结形成。

5、检测二极管极性时.需用万用表欧姆挡的R×1K档位.当检测时表针偏转度较大时.与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。

检测二极管好坏时.两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时.说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时.说明该二极管已经绝缘老化。

6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。

其导电沟道分有N沟道和P沟道。

7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管.正常工作应在特性曲线的反向击穿区。

8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空.务必将各电极短接。

二、判断正误：（每小题1分.共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电.说明P型半导体呈负电性。

电子技术基础(张龙兴版)全套完整-(2)

稳定，因此闭环放大倍数稳定。
4.2 负反馈对放大器性能的影响
4.2.2 减小非线性失真
原理：在负反馈放大电路中，净输入信号 v i 是输入信号 vi 与失真输出信号的反馈量 vf 相减的结果，净输入信号 v i 的波形与原输出失真信号的畸变方向相反。从而使放大器的输出信号波形得以改善。如图所示。
4.1 反馈的基本概念
4.1.2 反馈的基本类型
1．正反馈和负反馈正反馈：反馈信号起到增强输入信号的作用。负反馈：反馈信号起到削弱输入信号的作用。
采用瞬时极性法判断是正反馈还是负反馈。
瞬时极性法：先在放大器输入端设定输入信号对地的极性为“+”或“-”，再依次按相关点的相位变化情况推出各点信号对地的交流瞬时极性，再根据反馈到输入端的反馈信号对地的瞬时极性判断，若使原输入信号减弱是负反馈，使原输入信号增强是正反馈。
4.1 反馈的基本概念
解从输出端，反馈信号取自输出电压，为电压反馈。从输入端，Rf 与输入电路并联，为并联反馈。则该电路是一个电压并联负反馈电路。
作业题： 1、画出反馈放大器四种基本类型的电路图。 2、比较四种负反馈电路的特点。
4.2 负反馈对放大器性能的影响
4.2.Байду номын сангаас 降低放大器的放大倍数，提高放大信号的稳定性
4.1 反馈的基本概念
[例 4-2] 判断图所示电路中有无反馈存在，如有，属于何种反馈？
4.1 反馈的基本概念
解反馈元件 Re 并联了旁路 C 电容，为交流信号提供了通路，消除了交流反馈的条件，所以放大器只有直流反馈。
用瞬时极性法判断如下：设 VB 某一时刻上升。 V B E I C I E V E V B 不 V B 变 E

《电工与电子技术基础》第4章半导体器件习题解答

第4章半导体器件习题解答习题4.1计算题4.1图所示电路的电位U Y 。

（1）U A =U B =0时。

（2）U A =E ，U B =0时。

（3）U A =U B =E 时。

解：此题所考查的是电位的概念以及二极管应用的有关知识。

假设图中二极管为理想二极管，可以看出A 、B 两点电位的相对高低影响了D A 和D B 两个二极管的导通与关断。

当A 、B 两点的电位同时为0时，D A 和D B 两个二极管的阳极和阴极（U Y ）两端电位同时为0，因此均不能导通；当U A ＝E ，U B ＝0时，D A 的阳极电位为E ，阴极电位为0（接地），根据二极管的导通条件，D A 此时承受正压而导通，一旦D A 导通，则U Y ＞0，从而使D B 承受反压（U B ＝0）而截止；当U A ＝U B ＝E 时，即D A 和D B 的阳极电位为大小相同的高电位，所以两管同时导通，两个1k Ω的电阻为并联关系。

本题解答如下：（1）由于U A ＝U B ＝0，D A 和D B 均处于截止状态，所以U Y ＝0；（2）由U A ＝E ，U B ＝0可知，D A 导通，D B 截止，所以U Y ＝Ω+Ω⋅Ωk k E k 919＝109E ；（3）由于U A ＝U B ＝E ，D A 和D B 同时导通，因此U Y ＝Ω+Ω×⋅Ω×k k E k 19292＝1918E 。

4.2在题4.2图所示电路中，设VD 为理想二极管，已知输入电压u I 的波形。

试画出输出电压u O 的波形图。

题4.1图题4.2图解：此题的考查点为二极管的伏安特性以及电路的基本知识。

首先从（b）图可以看出，当二极管D 导通时，电阻为零，所以u o ＝u i ；当D 截止时，电第4章半导体器件习题解答阻为无穷大，相当于断路，因此u o ＝5V，即是说，只要判断出D导通与否，就可以判断出输出电压的波形。

要判断D 是否导通，可以以接地为参考点（电位零点），判断出D 两端电位的高低，从而得知是否导通。

电工与电子技术基础(第四版)习题册答案

三、选择题
1．B 2．C
四、简答题
1．（1）通电长直导线的磁场方向确定:用右手握住导线,让伸直的拇指所指的方向跟电流的方向
一致,则弯曲的四指所指的方向就是磁感线的环绕方向.
（2）通电通电螺线管的磁场方向确定:用右手握住通电螺线管,让弯曲的四指所指的方向跟电流
的方向一致,则拇指所指的方向就是螺线管内部磁感线的方向,也就是通电螺线管的磁场 N 极的方向.
一个月节约 816×0.8=652.8 元
§1—4 复杂电路的分析
4
一、填空题 1．基尔霍夫第一定律节点电流定律流入节点的电流之和流出节点的电流之和 2．电流连续性原理 3．基尔霍夫第二定律回路电压定律闭合回路各段电阻上的电压降的代数和电动势的代数和 4．升高或降低 5．正号负号 6．电桥对臂电阻的乘积相等 7．热线式空气流量压敏电阻式进气压力二、判断题 1．× 2．√ 3．√ 4．√ 5．× 6．√ 7．√ 三、选择题 1．B 2．A 3．B 四、简答题１．(１)合理选取节点,这样可以简化对复杂电路的分析和计算. (２)电流的参考方向可以任意规定,如果计算的结果为负值,则表明实际电流的方向与电流的参考方向相反. ２．(１)沿选定的回路绕行方向所经过的电路电位升高,反之,则电路电位下降. (２)回路的“绕行方向”是任意选定的,一般以虚线表示. (３)基尔霍夫电压定律不仅适用于电路中的具体回路,还可以推广应用于电路中的任一假想回路. 五、综合题 1．解：设流进节点的方向为正方向 I+3-4-3=0 I=4A 2．解：设绕行方向为逆时针 -E1+IR1+IR2+IR3+E2+IR4=0 -12+0.2×10+0.2×5+0.2×10+ E2+0.2×5=0 E2=12-0.2×30=6V