6 元器件的非理想行为(二)
IEC61508 标准对于硬件失效的分类有哪些？
IEC61508 标准对于硬件失效的分类有哪
些？
IEC 标准对于硬件失效的分类主要包括以下几类：
1. 可控硬件失效（Controlled Hardware Failure）：指硬件失效产生的风险可以通过预防控制措施来减轻或消除的情况。
这类硬件失效主要包括集成电路故障、电子元件故障、连接故障等。
2. 不可控硬件失效（Uncontrolled Hardware Failure）：指硬件失效产生的风险无法通过预防控制措施来完全消除的情况。
这类硬件失效主要包括元器件老化、物理破坏、信号干扰等。
3. 杂散硬件失效（us Hardware Failure）：指硬件失效产生的风险表现为异常信号或数据产生，但与设备的正常操作无关。
这类硬件失效主要包括电磁干扰、温度波动引起的误差等。
4. 多重失效（Multiple Failure）：指两个或多个硬件失效同时发生，相互之间存在交互作用而导致系统故障的情况。
这类硬件失效主要包括冗余设计中的冗余通道失效、相互干扰导致的失效等。
5. 隐藏失效（Hidden Failure）：指硬件失效导致的系统失效不会立即被发现，从而增加了系统故障的风险。
这类硬件失效主要包括故障依赖、触发条件的非显性失效等。
以上是 IEC61508 标准对于硬件失效的主要分类，通过对不同类型的硬件失效进行分析和分类，可以帮助设计和测试人员更好地预防和控制硬件失效，提高系统的可靠性和安全性。
电容元件的识别与检测
1
不标单位的数字表示法：许多电容受体积的限制，其表面经常不标注单位。但都遵循一定的识别规则。凡为整数、又无单位标注的电容，其单位默认为PF，凡用小数、又无单位标注的电容，其单位默认为μF。即当数字小于1时，默认单位为uF,当数字大于等于1时，默认单位为pF。
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2
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材料
分类
符号
意义
符号
意义
瓷介电容
云母电容
电解电容
有机电容
C
高频陶瓷
1
圆片
非密封
箔式
非密封
Y
云母
2
管形
非密封
箔式
非密封
I
玻璃釉
3
迭片
密封
烧结粉液体
密封
O
玻璃膜
4
独石
密封
烧结粉固体
密封
J
金属化纸
5
穿心
-
-
穿心
Z
纸介
6
支柱
-
-
-
B
聚苯乙烯等非极性有机薄膜
7
-
-
无极性
-
BF
聚四氟乙烯非极性有机薄膜
8
高压
高压
63V-630V
体积小，漏电小，重量轻，容量小。
金属膜电容
0.01μF-100μF
400V
体积小，电容量大较，击穿后有自愈能力。
聚苯乙烯电容
3PF -1μF
63V-250V
漏电小，损耗小，性能稳定，有较高的精密度。
钽电解质
1μF -20000μF
3V-450V
电容量大，有极性，漏电大。
电子元器件技能考试题库
电子元器件技能考试题库一、选择题1. 电阻的基本单位是（）。
A. 欧姆B. 千欧姆C. 兆欧姆D. 微欧姆2. 下列哪个不是电容的特性参数？（）A. 容量B. 耐压C. 频率D. 温度系数3. 半导体二极管的主要特性是（）。
A. 放大B. 整流C. 稳压D. 振荡4. 一个理想变压器的原、副线圈匝数比为1:2，当原线圈电压为10V 时，副线圈的电压是（）。
A. 5VB. 20VC. 10VD. 无法确定5. 下列哪个不是晶体三极管的三个工作状态？（）。
A. 截止B. 饱和C. 放大D. 振荡二、判断题6. 电容器在直流电路中相当于导体。
（）7. 晶体管的放大作用是指输入信号的电流或电压被放大。
（）8. 所有类型的二极管都具有单向导电性。
（）9. 稳压二极管是一种利用其反向击穿特性来实现稳压的二极管。
（）10. 电感器在交流电路中相当于电阻器。
（）三、简答题11. 简述电阻器的分类及其各自的应用场景。
12. 说明电容器在电路中的基本作用。
13. 描述二极管的整流原理。
14. 晶体三极管的放大原理是什么？15. 变压器的工作原理是什么？请简述其主要应用。
四、计算题16. 已知一个电阻值为100欧姆的电阻器，通过它的电流为0.5安培，求其两端的电压。
17. 一个电容器的容量为10微法，电压为50伏特，求其储存的电荷量。
18. 假设有一个理想变压器，原线圈匝数为500，副线圈匝数为1000，输入电压为220伏特，求输出电压。
19. 一个晶体三极管的基极电流为20微安培，集电极电流为20毫安培，求其放大倍数。
20. 已知一个电感器的电感值为0.5亨利，通过它的电流变化率为2安培/秒，求其产生的感应电动势。
五、分析题21. 描述一个典型的整流滤波电路，并解释其工作原理。
22. 解释晶体三极管在放大电路中的作用，并说明其工作在放大区的条件。
23. 说明稳压二极管在电路中的作用，并描述其稳压原理。
24. 描述变压器在电力系统中的主要作用，并解释其变压原理。
电工学(1习题解答
第1章检测题一、填空题（每空1分）1、电源和负载的本质区别是：电源是把其它形式的能量转换成电能的设备，负载是把电能转换成其它形式能量的设备。
2、实际电路中的元器件，其电特性往往多元而复杂，而理想电路元件的电特性则是单一和确切的。
3、电力系统中构成的强电电路，其特点是大电流、大功率；电子技术中构成的弱电电路的特点则是小电流、小功率。
4、从元件上任一时刻的电压、电流关系上来看，电阻元件为即时元件，电感元件为动态元件，电容元件为动态元件；从能量关系来看，电阻元件为耗能元件，电感元件为储能元件，电容元件为储能元件。
5、线性电路中各支路上的电压和电流均具有叠加性，但电路中的功率不具有叠加性。
6、电流沿电压降低的方向取向称为关联方向，这种方向下计算的功率为正值时，说明元件吸收电能；电流沿电压升高的方向取向称为非关联方向，这种方向下计算的功率为正值时，说明元件吸收电能。
7、理想电压源和理想电流源均属于无穷大功率源，因此它们之间是不能等效互换的。
实际电压源模型和电流源模型等效互换时，它们的内阻不变，等效电压源的电压U S＝I S R I，等效电流源的电流值I S＝U S∕R U。
8、电源向负载提供最大功率的条件是电源内阻与负载电阻的数值相等，这种情况称为阻抗匹配，此时负载上获得的最大功率为U S2/4R S。
9、电压是产生电流的根本原因。
电路中任意两点之间电位的差值等于这两点间电压。
电路中某点到参考点间的电压称为该点的电位，电位具有相对性。
10、线性电阻元件上的电压、电流关系，任意瞬间都受欧姆定律的约束；电路中各支路电流任意时刻均遵循KCL定律；回路上各电压之间的关系则受KVL定律的约束。
这三大定律是电路分析中应牢固掌握的三大基本规律。
二、判别正误题（每小题1分）1、用理想电路元件及其组合模拟实际电路器件的方法称为电路建模。
（对）2、元件上的电压、电流参考方向关联时，一定是负载。
（错）3、大负载是指在一定电压下，向电源吸取电流大的设备。
元器件的非理想行为
余下几个集总参数电路模型：集中Π，集中T，和集中Γ模型都是这样命 名的。值得注意的是，任何一个模型中外部电感和内电感都是串联的， 外电感随着频率升高而增加，而内电感则随着频率升高而减小，但是内 电感一般比外电感小很多，可以忽略内电感。
5.2 印制电路板（PCB）连接盘
连接盘的外电感和电容的计算非常困难，一般只 能通过数值方法来计算，对于连接盘和微带线等 典型的PCB结构的近似计算方法如下：
5.4.2绕电阻器是用康铜、锰铜或镍络合金丝在陶瓷骨架上而制成的一种电 阻器，表面有保护漆或玻璃釉。 优点：噪声小，不存在电流噪声和非线性。温度系数小，稳定性好，精 度可达到0.5%—0.05%，主要做精密大功率电阻使用。 缺点：高频特性差 ，时间常数大 阻值范围：1欧—5兆欧 额定功率：0.125w—500w 线绕电阻器是用电阻丝绕在绝缘骨架上再经过绝缘封装处理而成的 一类电阻器，如图所示，电阻丝一般采用一定电阻率的镍铬、锰铜等合 金制成，绝缘骨架一般采用陶瓷、塑料、涂覆绝缘层的金属骨架。具有 温度系数小，精度较高的特点。在线绕电阻器中，有一种用陶瓷做骨架， 在电阻器的外层涂釉或其他耐热并且散热良好的绝缘材料的大功率线绕 电阻器，这种线绕电阻器的特点是耗散功率大，可达数百瓦，主要用作 大功率负载，能工作在150℃~300℃温度的环境中。
为了对连接引线的电感建模，考虑如图a所示 的分立引线连接。利用由前面式中给出的平 行导线的单位长度电感乘以引线长度的结果 可以获得环路电感。
下一个将要考虑的效应就是引线之间的电容。 其模型如下图所示。
如何将这两种效应综合于单个模型之中？利用平行 导线的单位长度电感及单位长度电容得到环路总电 感和总电容，这是分布参数，对于这个问题没有唯 一解，因为这些都是分布参数元件。换句话说，它 们的效应沿引线长度分布，其等效电路如下图所示。
常规电子元器件及PCBA不良现象识别-王斌
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2.错件
OK
现象 元器件装错型号，不符合BOM要求。 允收标准
NG装错 元器件
无此现象允收，若发现必须换装元器件。 影响性 电路无法导通，严重影响电器功能。
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3.错位 OK
现象 元器件装错位置。 允收标准 无此现象允收，若发现必须更改元器件位置。 影响性 电路无法导通，严重影响电器功能。
PCBA形成过程与影响因素
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PCBA元件外观不良现象分类
1.少件 2.错件 3.错位 4.反向 5.破损 6.浮高 7.偏移/歪斜
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1.少件 NG
现象 元器件漏装或脱落，不符合BOM要求。 允收标准 无此现象允收，若发现必须补装元器件。 影响性 电路无法导通，严重影响电器功能。
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可调电阻
可调电阻的阻值可以人为调节，中学做实 验时常用到的滑动变阻器就是一个典型。 PCB板位置代号一般为VRn。
图形符号
热敏电阻
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顾名思义，热敏电阻对温度敏感，在特性 的有效部分，其电阻值随温度增加而增加， 其在PCB板上位置代号一般为NTCn。
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3.允许误差 标称阻值与实际阻值之间允许的最大偏差范围 叫做电阻器的允许偏差。
标称阻值 实际阻值 电阻器的允许偏差 100% 标称阻值
允许偏差的文字符号表示
对 标志 符 号 允许 偏差 (%) H U W B 称 C D 偏 F 差 G J K M 不对称偏差 R S Z
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色环符号（颜色）的规定
各检查站电气类不良项目定义
点灯时画面不可切换，面板有信号进入（即非全白画面）
RZ Flicker
原FLINGKER画面异常、Flicker无法调整。即点灯后，在Flicker画面下可见整个画面或其中一部分区域明显闪烁现象，用陶瓷起子调整PWB上Vcom调整钮，但闪烁现象仍然无变化。
V3画面异常
点灯检查时可见画面显示之异常，或在点灯时画面切换出现全画面偏淡及画面切换时有不同程度的变化，均判定为画异
4内容：
不良名称
不良现象
说明
LA多条亮线
点灯时source侧或gate侧出现多条从端子部贯穿非端子部的亮线，Gate侧为白色线（点灯目视为两条或以上的线，非相连的多个Dot）
L2Gline
在Gate侧方向由端子部连贯至反端子部，线宽为一个画素的白色亮线。
L1S line
在Source侧方向侧贯穿端子部的R/G/B三色，且线宽为一个画素的亮线。
LG燒付線欠陷-靜電氣
在灰阶画面下可见横向或纵向出现一条贯穿的小黑线
V1 LED不良
点灯时在白画面下可见在端子部(Light Bar)出现区块性黑影，其它画面可见，为白画面下进行判定
V4调光不良
点灯画面时，经调光治具进测试，即当按下一次调光治具按钮时出现类似于LED不良现象，再进行二次调光治具按钮不良消失，此类现象判定为调光不良
L10GCs Short
画面上G-LINE方向呈现出一条亮线，且在短路处的画素特别亮。
L11SCs Short
十字形线欠陷(Gate方向为虚细白线)。
LE CS-OPEN
在CS-OPEN画面下明显可见，在Cs断路处往左右两侧渐渐暗淡的一条线（目前无CS画面，不作判定）。
LB阶调线欠陷
认识电路ppt课件
式中，t 为很小的时间间隔，时间的国际单位制单位为 s (秒)， 电荷量 q 的国际单位制为库仑 (C)。电流 i(t) 的国际单位制 为A (安培) 。
常用的电流单位还有mA （毫安）、 A（微安）、 kA（千 安） 等，它们与安培的换算关系为
1 mA = 10-3A； 1 A = 10-6 A； 1 kA = 103 A
电能是指在一定的时间内电路元件或设备吸收或发出的电能 量，W = P ·t =UIt
1度(电) = 1 kW ·h = 3.6 106 J 为了保证电气设备和电路元件能够长期安全地正常工作，都 规定了额定电压、额定电流、额定功率等铭牌数据。
37
(3)短路(捷路)：电源两端或电路中某些部分被导线直接 相连，输出电流过大对电源来说属于严重过载，如没有保护措 施，电源或电器会被烧毁或发生火灾，所以通常要在电路或电 气设备中安装熔断器、保险丝等保险装置，以避免发生短路时 出现不良后果。
11
由理想元件构成的电路称为实际电路的电路模型，也称为实 际电路的电路原理图，简称为电路图。例如手电筒的电路如图 1-2 所示。
R2 R1
R1 (t2 t1 )
2．电阻元件的伏安特性关系服从欧姆定律，即 U = RI 或 I = U/R = GU 。其中，电阻 R 的倒数 G 称为电导，其国际单位制 单位为S (西门子)。
3．电流通过导体时产生的热量为 Q = I2Rt (焦耳定律)。
36
电功率是电路元件或设备在单位时间内吸收或发出的电能量， P = UI 。
一、电阻元件 二、电阻与温度的关系
20
电阻元件是对电流呈现阻碍作用的耗能元件，例如灯泡、
电热炉等电器。
电阻定律
电子元件、组件判定标准(090306)
北京泰富瑞泽科技有限公司电子组件不良判定标准版本共 43 页A 第 1 页电子组件不良判定标准更改记录版本发行或更改页码更改条款号更改日期批准审核编制A 1套全新李育锋受控状态发放号发行部门实施日期会签部门：部门QA QC 技术部产品部主管签署日期北京泰富瑞泽科技有限公司电子组件不良判定标准版本共 43 页A 第 2 页一、判定标准：1、定义主要缺点( Major) ：元件、组件作业不良（如焊点表面产生较大锡裂及脱焊、松动、元件破损）等异常导致PCB组件功能缺失或引起整机不能正常运行，设定参数异常等，造成客户对产品不满意。
次要缺点( Minor ) ：零组件作业虽有瑕庇，如焊点表面粗糙，有细小丝洞、但并不影响使用功能。
Maj：代表主要缺点Min：代表次要缺点制程警示：表示处于不合格边缘（但不是批量性问题），警示改进，需以实际情况作判定。
2、若OEM客户有特殊要求，以客户标准执行。
二、使用目录：（一）、PCB板材判定标准 ---------------------------------------------- P a g e 3 - 6（二）、元件外观损伤 ---------------------------------------------------- P a g e 7 - 8（三）、表面贴装元件 ----------------------------------------------------- P a g e 9 -1 9（四）、过板直插元件 ------------------------------------------------------ P a g e 20-25（五）、元件安装、固定 ------------------------------------------------- P a g e 26 -31（六）、PCB表面清洁度 ------------------------------------------------ P a g e 32（七）、线束及螺纹件固定 ---------------------------------------------- Page 33-36（八）、元器件成型 ------------------------------------------------------- Page 37-38（九）、其它 ---------------------------------------------------- ----------- Page 39 - 43三、说明：1、引用标准：主要参照IPC-A-610D、IPC-A-600G、GB/T 19247-2003/IEC 61191:1998以及公司生产中检验、测试的数据总结。
常用电子元件不良介绍及分析
Thanks you!
Excess amount of solder can make crack.
Over solder crack
常用电子元件不良与分析
电容类
2.毛边或铝箔被刺破
防爆孔开启作用(产生气涨,外观变形):
1.原因:内压增加,内温增加
2.可能造成因素: 过电压作用 过放电或在AC中使用 铝箔,导针毛刺 氧化膜,电解纸破坏 过高纹波电流 电解液挥发造成不足 导针钉接不当 氯离子入侵产生腐蚀 应用在逆电压 金属屑渗入 机械应力
Bendin g crack
Mechanic al stress
Nozzle crack
Excessively low drop point of suction nozzle or high suction pressure of nozzle can make crack. Hard shock from nozzle make the crack at the center point of chip.
常用电子元件不良与分析
焊锡不良分析
1.墓碑
0201墓碑
1608墓碑
Fe2
Fc
Fe1
常用电子元件不良与分析
焊锡不良分析
2.锡珠
300 250
Temp. ( C)
Solder ball
200 150 100
o
Wetting time
Pre-heat
Solder ball is spattered-out after the fillet formation (reflow region).
常用电子元件不良与分析
电阻类
1.镭射切割毛边造成高频电阻不良
电子元器件失效模式总结
元器件的失效模式总结Beverly Chen2016-2-4一、失效分析的意义失效分析（Failure Analysis）的意义在于通过对已失效器件进行事后检查，确定失效模式，找出失效机理，确定失效的原因或相互关系，在产品设计或生产工艺等方面进行纠正以消除失效的再次发生。
一般的失效原因如下：二、失效分析的步骤失效分析的步骤要遵循先无损，后有损的方法来一步步验证。
比如先进行外观检查，再进行相关仪器的内部探查，然后再进行电气测试，最后才可以进行破坏性拆解分析。
这样可以避免破坏性的拆解破坏证据。
拿到失效样品，首先从外观检查开始。
1. 外观检查：收到失效样品后，首先拍照，记录器件表面Marking信息，观察器件颜色外观等有何异常。
2.根据器件类型开始分析：2.1贴片电阻，电流采样电阻A: 外观检查，顶面覆盖保护层有针状圆形鼓起或黑色击穿孔->内部电阻层烧坏可能->万用表测量阻值：测得开路或者阻抗偏大->内部电阻层烧毁可能->可能原因：过电压或过电流烧毁—>检查改电阻的稳态功率/电压或者瞬时功率/电压是否已超出spec要求。
Coating 鼓起并开裂黑色击穿点●可失效样品寄给供应商做开盖分析，查看供应商失效报告：如发现烧毁位置位于激光切割线下端，可确定是过电压导致失效。
需要考虑调整应用电路，降低电压应力，或者换成能承受更大应力的电阻。
激光切割线去除coating保护层后，可以看到烧毁位置位于激光切割线旁边，该位置电应力最集中。
B: 外观检查，顶面底面均无异常->万用表测量阻值：测得开路或者阻抗偏大->内部电阻层烧毁或者电极因硫化断开或阻抗增大->检查改电阻的稳态功率或者瞬时功率是否已超出spec要求，如有可能是过电压或过功率烧毁；应力分析在范围内，考虑硫化->失效样品寄给供应商分析。
查看供应商失效报告：●如发现烧毁位置位于激光切割线下端，可确定是过电压导致失效。
IPC-A-610F 标准培训教材
• 元器件损伤导致要求的标识不全。
• 绝缘涂敷层的损伤导致内部功能材质暴露或元器件变形。
• 损伤区有扩大的迹象。如裂纹、锐角、受热易碎材料。
• 损伤导致与相邻元器件或电路有潜在的短路危险。
• 镀层的片状剥落、剥离或起泡。
• 烧伤、烧焦的元器件（元器件的烧焦表面有由于过热形成的黑色、
暗棕色外观）。
• 元器件本体的凹陷、划伤会影响到外形、装配及功能，或超过制造
图1
图2
元件损伤--片式元件
理想状态：元件无损伤。 允收标准： • 1206或更大的片式电阻器，顶部表面（粘合剂涂层）的碎片崩口（缺口）距 元器件边缘小于0.25mm[0.00984in]。如图1 • 区域B的阻性材质无损伤。 拒收标准： • 阻性/容性材质的任何崩口。如图2、图3
图1
图2
图3
元件损伤--有引线元件
• 起泡／分层范围超过镀通孔间或内层导体间 距离的25%。如图3. • 造成表面或组件有形损坏的烧焦。如图4 • PCB受到器质性损伤，伤及导体。如图5
图4
图5
图1
图2 图3
图3
PCBA变形
理想状态：无可见变形。 允收标准： • 弓曲和扭曲未造成焊接后的组装操作或最终使用期间的损伤。要考虑“外形、装配 和功能”以及产品的可靠性。
• 引线由于多次或粗心弯曲产生变形。
• 严重的凹痕，如锯齿状的钳子夹痕。
• 引线直径减少了10%以上。
图1
图2
图3
元器件的安放-方向-水平
理想状态：如图1 • 元器件位于其焊盘的中间。 • 元器件标记可辨识。 • 无极性元器件按照标记同向读取（从左至右或从上至下）的原则定向。 允收标准： 如图2 • 极性元器件和多引线元器件定向正确。 • 手工成形和手工插装时，极性标识符可辨识。 • 所有元器件按规定选用，并安放到正确的焊盘上。 • 无极性元器件没有按照标记同向读取（从左至右或从上至下）的原则定向。 拒收标准：如图3 • 未按规定选用正确的元器件（错件）（A）。 • 元器件没有安装在正确的孔内（B）。 • 极性元器件逆向安放（C）。 • 多引线元器件取向错误（D）。
名词解释非自主元件的概念
名词解释非自主元件的概念
非自主元件是指在一个系统或者装置中，不具备独立控制功能的元件。
它们是被动的，只能对其他元件的输入作出响应，并且不会主动发出信号或者控制其他元件的行为。
非自主元件常见的例子包括电阻、电容、电感等。
下面将分别解释这些元件的概念：
1. 电阻：电阻是一种阻碍电流流动的元件，它能够将电能转化为热能。
电阻的单位是欧姆（Ω），它的值越大，阻碍电流流动的能力就越强。
比如，当我们在电路中加入一个电阻，电流就会受到限制，电阻会产生热量。
2. 电容：电容是一种能够储存电荷的元件，它由两个导体板之间的绝缘层组成。
当电容器被连接到电源时，电荷会在导体板之间积累，并且在断开电源后仍然保持一段时间。
电容的单位是法拉（F），它的大小决定了电容器储存电荷的能力。
比如，电容器在电子设备中常用于平滑电压或者存储能量。
3. 电感：电感是一种能够储存磁场能量的元件，它由绕制成线圈的导线组成。
当电流通过线圈时，会在周围产生磁场，并且线圈自身也会储存磁场能量。
电感的单位是亨利（H），它的大小决定了线圈储存磁场能量的能力。
比如，电感在电子设备中常用于滤除高频干扰或者调节电流。
非自主元件在电子电路中扮演着重要的角色，它们能够改变电流、电压和信号的性质，从而实现电路的各种功能。
通过合理地选择和组合非自主元件，我们可以设计出满足特定要求的电子电路或者系统。
器件不良分析报告
器件不良分析报告1. 引言器件不良分析是电子制造过程中的重要环节，通过分析和找出器件不良的原因，可以改善制造过程，提高产品质量。
本文将从以下几个方面对器件不良进行分析。
2. 数据收集首先，我们需要收集大量的关于不良器件的数据。
这些数据可以来自制造过程中的各个环节，例如原材料的检验记录、制造过程中的检测结果等。
通过收集和整理这些数据，我们可以对不良器件的分布情况和趋势进行分析。
3. 数据分析在收集到足够的数据后，我们可以进行数据分析，以找出器件不良的原因。
以下是一些常见的数据分析方法：3.1. 直方图分析通过制作器件不良的直方图，我们可以观察到不良器件的分布情况。
根据直方图可以判断是否存在某个特定的制造环节导致的不良问题。
3.2. 散点图分析散点图可以用来观察不同参数之间的相关性。
我们可以将不良器件的数量与各个制造参数进行比较，找出与不良相关的参数。
3.3. 统计分析通过统计学方法，比如均值、方差等，我们可以对不良器件的数据进行更深入的分析。
例如，可以计算不同批次的不良率，对比不同供应商的不良情况等。
4. 原因分析在数据分析的基础上，我们可以进行器件不良的原因分析。
根据不良数据和制造过程中的相关信息，我们可以找出导致不良的具体原因。
以下是一些常见的原因分析方法：4.1. 5W1H分析法5W1H分析法是一种常用的问题分析方法，即通过回答Who（谁）、What （什么）、When（什么时候）、Where（在哪里）、Why（为什么）、How（如何）来找出问题的根本原因。
4.2. 五力分析法五力分析法可以用来分析产生不良的外部环境因素。
通过分析供应商、竞争对手、市场需求等因素，我们可以找出导致不良的外部原因。
4.3. 鱼骨图分析法鱼骨图是一种常用的原因分析工具，通过将问题写在鱼骨图的头部，然后细分为不同的因素，我们可以找出导致不良的具体原因。
5. 结果总结通过以上的分析和原因分析，我们可以得出器件不良的总结和结论，从而指导后续的改进措施。
元器件失效标准
元器件失效标准元器件的失效标准对于保障产品的可靠性和稳定性至关重要。
元器件失效可能导致产品性能下降、故障发生，甚至对使用者带来安全隐患。
因此，对于各种元器件，制定明确的失效标准是确保产品质量和可靠性的必要步骤。
温度耐受性：标准要求：元器件应能够在规定的工作温度范围内正常工作，不受温度波动的影响。
测试方法：对元器件进行高温、低温等环境测试，观察其在极端温度下的性能表现。
湿度耐受性：标准要求：元器件应具有一定的防潮和防湿能力，能够在潮湿环境中长时间稳定工作。
测试方法：进行湿热循环测试，模拟潮湿环境对元器件的影响，检测其性能是否受损。
震动和冲击耐受性：标准要求：元器件应能够承受正常运输和使用过程中的振动和冲击，不应引起性能损坏。
测试方法：进行振动和冲击测试，评估元器件在不同强度振动和冲击下的可靠性。
电压容忍性：标准要求：元器件应能够在规定的电压范围内正常工作，不受电压波动的干扰。
测试方法：进行电压容忍测试，模拟电源电压波动，观察元器件的响应和性能表现。
电磁兼容性（EMC）：标准要求：元器件应对电磁干扰具有一定的抵抗能力，同时不会产生过多的电磁辐射。
测试方法：进行电磁兼容性测试，包括抗干扰能力测试和辐射测试，以确保元器件在电磁环境中的稳定性。
寿命和可靠性：标准要求：元器件应具有一定的使用寿命，不应在短时间内发生失效。
测试方法：进行寿命测试，模拟元器件在长时间使用过程中的性能变化，以评估其可靠性。
化学稳定性：标准要求：元器件应在化学环境中具有一定的稳定性，不受化学物质的腐蚀或损害。
测试方法：进行化学稳定性测试，将元器件暴露在不同化学物质中，评估其耐腐蚀性能。
封装完整性：标准要求：封装元器件的外壳应具有足够的强度和密封性，以防止外部环境对内部电子元件的侵害。
测试方法：进行封装完整性测试，包括外壳强度测试和密封性测试。
在实际制定和执行失效标准时，制造商和标准化组织应该考虑到元器件的种类和用途的不同，确保标准既能满足产品的基本要求，又能够适应不同应用场景的需求。
一、 元器件停产问题概述 元器件停产(obsolescence),指的是元器件不
一、元器件停产问题概述元器件停产（obsolescence），指的是元器件不一、元器件停产问题概述元器件停产(obsolescence)，指的是元器件不再能从原有的供应源那里得到，例如，原有的制造厂已经关闭、制造厂可能不再生产它、制造厂不希望再生产它、由于技术的进展它已经被淘汰、国外的进口渠道已经中断等。
随着技术的不断创新，元器件制造商加快了淘汰原有器件的步伐，较以前更加频繁地签发元器件停产(EOL)通知，元器件产品的生命周期在不断缩短。
据估计，2003年全球领先的100家元器件制造商签发停产通知的元器件高达20多万件，这给元器件管理带来了挑战，对于生命周期长的产品，如航空航天，通讯，医疗，工业控制，军工等行业还说，挑战是更加巨大。
停产可能导致重新设计产品、中断生产线、或者不得不付出更高费用借助其它渠道采购器件的风险。
为避免元器件停产所带来的巨额成本损耗,我们必须系统的去了解和分析元器件生命状态的问题，并制定出一套完整的策略来应对元器件停产的问题。
我将最近几年工作中的经验总结下来，希望对大家有点帮助～二、元器件的生命周期(lifecycle)分析要研究元器件停产(obsolescence)问题，就需要系统的研究元器件的生命周期(lifecycle)的问题。
只有这样才能够制定出符合所在行业的对元器件停产(obsolescence)问题进行管理的策略。
1、生命周期lifecycle不同阶段的定义元器件在整个生命周期中，可以分为六个阶段:导入，成长，成熟，饱和，衰退和退出。
EIA对产品的生命周期有一个明确的定义，并有一个标准，EIA-724 (Standard for Product LifecycleData Model)。
下图是从EIA中截取的关于这六个阶段的定义和特点:导入阶段:价格比较高，应用不广泛，产品变更频繁，产量不高，竞争对手比较少。
成长阶段:这个阶段，产品销售增长比较快，价格在逐步下降，产品还会有些变更，应用也逐渐多了，竞争对手也开始增多，产能充足等～成熟阶段:这个阶段，价格，销售，应用，竞争对手，产量都基本稳定，产品也只会做一些周期性的修改～饱和阶段:应用，价格，产能稳定，产品很少变更，竞争对手开始减少，销售达到最高。
元器件失效了怎么分析？如何找到失效原因？
元器件失效了怎么分析？如何找到失效原因？元器件一旦坏了，千万不要敬而远之，而应该如获至宝。
开车的人都知道，哪里最能练出驾驶水平？高速公路不行，只有闹市和不良路况才能提高水平。
社会的发展就是一个发现问题解决问题的过程，出现问题不可怕，但频繁出现同一类问题是非常可怕的。
失效分析基本概念定义：对失效电子元器件进行诊断过程。
1、进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。
2、失效分析的目的是确定失效模式和失效机理，提出纠正措施，防止这种失效模式和失效机理的重复出现。
3、失效模式是指观察到的失效现象、失效形式，如开路、短路、参数漂移、功能失效等。
4、失效机理是指失效的物理化学过程，如疲劳、腐蚀和过应力等。
失效分析的一般程序1、收集现场场数据2、电测并确定失效模式3、非破坏检查4、打开封装5、镜验6、通电并进行失效定位7、对失效部位进行物理、化学分析，确定失效机理。
8、综合分析，确定失效原因，提出纠正措施1的pn结击穿、功率晶体管的二次击穿、CMOS电路的闩锁效应热应力高温储存金属－半导体接触的Al－Si互溶，欧姆接触退化，pn结漏电、Au-Al键合失效低温应力低温储存芯片断裂低温电应力低温工作热载流子注入高低温应力高低温循环芯片断裂、芯片粘接失效热电应力高温工作金属电迁移、欧姆接触退化机械应力振动、冲击、加速度芯片断裂、引线断裂辐射应力X射线辐射、中子辐射电参数变化、软错误、CMOS电路的闩锁效应气候应力高湿、盐雾外引线腐蚀、金属化腐蚀、电参数漂移2、电测并确定失效模式电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。
连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。
这类失效容易测试，现场失效多数由静电放电（ESD）和过电应力（EOS）引起。
电参数失效，需进行较复杂的测量，主要表现形式有参数值超出规定范围（超差）和参数不稳定。
确认功能失效，需对元器件输入一个已知的激励信号，测量输出结果。
如测得输出状态与预计状态相同，则元器件功能正常，否则为失效,功能测试主要用于集成电路。
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3.5.1电感的非理想模型
Much less than L, Ignored
much less than Cpar , Ignored
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非理想电感的频域响应
1. DC: Z=Rpar
当给定电容的大小以及间距时，电 容越大，自谐振频率越低。
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3.5 电感的非理想模型参数
理想电感: L
非理想行为模型参数：
Rpar: Series self-resistance of the inductor’s windings Cpar: Parallel parasitic capacitance
2. As frequency increases, R par when f > f , the inductor 1 f1 2 L impedance dominates, and and increases at a rate of 20 dB/decade.,
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非理想电容模型
可以忽略 非常大，开路
电阻 Rplate 指的是等效串 联电阻 Rs. .
2 1 L C j RS Llead lead ˆ ) L Z(j lead j
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110MHz
The measured impedance of a 1.2mH inductor from 1MHz to 500MHz. The self-resonant frequency of this inductor is about 110 MHz.
This gives a value of Cpar of 1.7 pF
非理想电容的频率响应
2 1 L C j RS Llead lead ˆ ) L Z(j lead j
1. DC状态: 相当于开路 2. 随着频率增加，先是以容 性特性为主，衰减速度为 -20 dB/十倍倍程.
பைடு நூலகம்
3. 自谐振频率:
f0 1 2 Llead C
4. 频率大于自谐振频率时，上升幅 度为 20 dB/十倍倍程
4. As frequency increases, the impedance of the capacitor dominates, and decreases linearly with frequency at a rate of -20 dB/decade.
Example: Influence of the Parasitic capacitance
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Llead: Lumped inductance of the leads, usually much less than L, neglected.
Clead:
Lumped capacitance of the leads, usually much less than Cpar, neglected.
3. Self-resonant frequency:
1 f0 2 LC par
For a fixed lead length and spacing, the larger the capacitance value the lower the self-resonant frequency
3. 元器件的非理想行为
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3.4 非理想行为的电容
理想电容: C
电容的理想行为
非理想行为的参数
Rdiel: 绝缘介质的泄漏电阻，比较大.
Rplate: 极板的串联电阻，比较小 Llead: 引脚的电感
Clead: 引脚间的电容，通常比C小, 可以忽略不计