mos管符号及工作原理

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MOS管基本知识

MOS管的基本知识MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，英文：MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），属于绝缘栅型。

本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描述。

解释1：沟道上面图中，下边的p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P型极连在一起，因此mos 管导通后是电阻特性，因此它的一个重要参数就是导通电阻，选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。

解释2：n型上图表示的是p型mos管，读者可以依据此图理解n型的，都是反过来即可。

因此，不难理解，n型的如图在栅极加正压会导致导通，而p型的相反。

解释3：增强型相对于耗尽型，增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通，如图。

栅极电压越低，则p型源、漏极的正离子就越靠近中间，n衬底的负离子就越远离栅极，栅极电压达到一个值，叫阀值或坎压时，由p型游离出来的正离子连在一起，形成通道，就是图示效果。

因此，容易理解，栅极电压必须低到一定程度才能导通，电压越低，通道越厚，导通电阻越小。

由于电场的强度与距离平方成正比，因此，电场强到一定程度之后，电压下降引起的沟道加厚就不明显了，也是因为n型负离子的“退让”是越来越难的。

耗尽型的是事先做出一个导通层，用栅极来加厚或者减薄来控制源漏的导通。

但这种管子一般不生产，在市面基本见不到。

所以，大家平时说mos管，就默认是增强型的。

解释4：左右对称图示左右是对称的，难免会有人问怎么区分源极和漏极呢？其实原理上，源极和漏极确实是对称的，是不区分的。

但在实际应用中，厂家一般在源极和漏极之间连接一个二极管，起保护作用，正是这个二极管决定了源极和漏极，这样，封装也就固定了，便于实用。

我的老师年轻时用过不带二极管的mos管。

非常容易被静电击穿，平时要放在铁质罐子里，它的源极和漏极就是随便接。

解释5：金属氧化物膜图中有指示，这个膜是绝缘的，用来电气隔离，使得栅极只能形成电场，不能通过直流电，因此是用电压控制的。

6-MOS管工作原理

VTHN = VTHN 0 + r 2V fp + VSB − 2V fp
6.3 MOS管IV特性（以NMOS为例）
1、夹断：由于VDS增大，沟道与漏极汇合处出现反型电荷为零的情况。 2、穿通：夹断区扩散到源端，此时器件被穿通（器件流过大电流失效）
★长沟道MOS，可施加的最大VDS为漏端N+注入区衬底二极管击穿电压长沟道，可施加的最大为漏端注入区/衬底二极管击穿电压注入区
Lelf = Ldrawn − X dl (忽略横向扩散)
dX λ = 1 ⋅ dl Lelec dVDS
6.3 MOS管IV特性（以NMOS为例）
一、截止区（VGS＜VTHN），Ib≈0 二、线性区、欧姆区（ VGS-VTHN≥VDS≥0） ID=β[（VGS-VTHN）VDS-V2DS/2] 跨导参数 β = KPn ⋅ W L
I D = I D 0⋅ W q (VGS −VTHN / n⋅kT ) ⋅e L
•dec-decade：x轴为倍频程形式：轴为轴为10倍频程形式 •体CMOS亚阈值率为体亚阈值率为100mV/dec 亚阈值率为
6.5短沟道MOS管
现代CMOS晶体管沟道小于1um，缓变沟道近似不成立，栅氧化层下面电场也不是一维的载流子速度饱和：载流子在MOS沟道与漏端之间漂移速度饱和→ 迁移率↓→沟道R□↑ 热载流子效应：电子迁移率随着温度上升而减小 LDDMOS：阻性缓冲使得在沟道和漏端之间在更小距离获得更多压降，减弱电场，阻止载流子速度饱和
6.5.2短沟道效应
1.热载流子
漏极附近的载流子吸收的能量比平衡条件下的载流子热能高很多。漏极附近的载流子吸收的能量比平衡条件下的载流子热能高很多。这些载流子被称为热载流子。热载流子速度比饱和速度快。这些载流子被称为热载流子。热载流子速度比饱和速度快。这种现象称为速率过冲优点：优点：提高场效应管的速度缺点：隧穿栅氧化层，引起栅电流；被栅氧化层俘获，缺点：隧穿栅氧化层，引起栅电流；被栅氧化层俘获，引起阈值电压变化，还能引起碰撞电离（雪崩击穿）电压变化，还能引起碰撞电离（雪崩击穿）

什么是MOS管-MOS管结构原理图解

什么是MOS管-MOS管结构原理图解————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：什么是MOS管?MOS管结构原理图解增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道，在VDS作用下无iD；耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道，在VDS作用下iD。

1、结构和符号(以N沟道增强型为例)在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。

其他MOS管符号2、工作原理(以N沟道增强型为例)(1) VGS=0时，不管VDS极性如何，其中总有一个PN结反偏，所以不存在导电沟道。

VGS =0， ID =0VGS必须大于0管子才能工作。

(2) VGS>0时，在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场，排斥P区多子空穴而吸引少子电子。

当VGS达到一定值时P 区表面将形成反型层把两侧的N区沟通，形成导电沟道。

VGS >0→g吸引电子→反型层→导电沟道VGS↑→反型层变厚→ VDS ↑→ID↑(3) VGS≥VT时而VDS较小时：VDS↑→ID ↑VT：开启电压，在VDS作用下开始导电时的VGS°VT = VGS —VDS(4) VGS>0且VDS增大到一定值后，靠近漏极的沟道被夹断，形成夹断区。

VDS↑→ID 不变3、特性曲线(以N沟道增强型为例)场效应管的转移特性曲线动画4、其它类型MOS管(1)N沟道耗尽型：制造时在栅极绝缘层中掺有大量的正离子，所以即使在VGS=0时，由于正离子的作用，两个N区之间存在导电沟道(类似结型场效应管)。

(2)P沟道增强型：VGS = 0时，ID = 0开启电压小于零，所以只有当VGS < 0时管子才能工作。

(3)P沟道耗尽型：制造时在栅极绝缘层中掺有大量的负离子，所以即使在VGS=0 时，由于负离子的作用，两个P区之间存在导电沟道(类似结型场效应管)。

MOS管的构造及MOS管种类和结构

MOS管的构造及MOS管种类和结构随着社会的进步和发展，MOS管在电子行业的应用越来越广泛，萨科微电子SLKOR作为能够研发生产碳化硅SiC产品的“碳化硅专家”，必须来科普一下这方面的知识。

MOS即MOSFET的简写，全称是金属氧化物场效应晶体管。

就是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。

MOS管的构造、原理、特性、符号规则和封装种类等，大致如下。

1、MOS管的构造：MOS管的构造是在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。

然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。

这就构成了一个N沟道（NPN 型）增强型MOS管。

它的栅极和其它电极间是绝缘的。

同样用上述相同的方法在一块掺杂浓度较低的N型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的P+区，及上述相同的栅极制作过程，就制成为一个P沟道（PNP 型）增强型MOS管。

图1-1所示（a ）、（b）分别是P沟道MOS管道结构图和代表符号。

2、MOS 管的工作原理：从图1-2-（a）可以看出，增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。

当栅-源电压VGS=0 时，即使加上漏-源电压VDS，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道（没有电流流过），所以这时漏极电流ID=0。

此时若在栅-源极间加上正向电压，图1-2-(b)所示，即VGS＞0，则栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个栅极指向P型硅衬底的电场，由于氧化物层是绝缘的，栅极所加电压VGS无法形成电流，氧化物层的两边就形成了一个电容，VGS等效是对这个电容充电，并形成一个电场，随着。

MOS管的基本知识

MOS管的基本知识（转载）电路硬件设计2011-05-07 06:39:32 阅读141 评论1 字号：大中小订阅现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了PFC技术外，在元器件上的开关管均采用性能优异的MOS管取代过去的大功率晶体三极管，使整机的效率、可靠性、故障率均大幅的下降。

由于MOS管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别，在应用上；驱动电路也比晶体三极管复杂，致使维修人员对电路、故障的分析倍感困难，此文即针对这一问题，把MOS管及其应用电路作简单介绍，以满足维修人员需求。

一、什么是MOS管MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型。

因此，MOS管有时被称为绝缘栅场效应管。

在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。

1、MOS管的构造；在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。

然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。

这就构成了一个N 沟道（NPN型）增强型MOS管。

显然它的栅极和其它电极间是绝缘的。

图1-1所示A 、B分别是它的结构图和代表符号。

图1-2所示A 、B分别是P沟道MOS管道结构图和代表符号。

图1 -1-A图1 -2-A2、MOS管的工作原理：图1-3是N沟道MOS管工作原理图图1-3-A图1-3-B从图1-3-A可以看出，增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。

MOS管的工作原理

概念: 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.特点: 具有输入电阻高（100000000～1000000000Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.作用: 场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器. 场效应管可以用作电子开关. 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.2.场效应管的分类:1.场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.见下图 :3.场效应管的主要参数 :Idss —饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.Up —夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.Ut —开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.gM —跨导.是表示栅源电压UGS —对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.BVDS —漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.PDSM —最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.IDSM —最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM 4.结型场效应管的管脚识别:判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道.判定源极S、漏极D:在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极.5.常效应管与晶体三极管的比较场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件. 有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.一、场效应管的结构原理及特性场效应管有结型和绝缘栅两种结构，每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。

mos管符号及工作原理(一)

mos管符号及工作原理(一)MOS管符号及工作原理引言MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种重要的电子器件，广泛应用于各种电路中。

本文将从浅入深，逐步解释MOS管的符号及其工作原理。

MOS管符号MOS管通常用以下符号表示：1.n沟道MOS管（NMOS）：由一个n型沟道、一个p型基区和两个由金属引线连接的结构组成。

其符号如下图所示：NMOS|-----| |D S|___D: Drain（漏极）S: Source（源极）2.p沟道MOS管（PMOS）：由一个p型沟道、一个n型基区和两个由金属引线连接的结构组成。

其符号如下图所示：PMOS|-----| |D S|___D: Drain（漏极）S: Source（源极）MOS管工作原理MOS管的工作原理可以分为以下几个阶段：1. 加载阶段在未加电时，NMOS和PMOS管内部的沟道中存在正负电荷，并且形成一个耗尽层，阻挡了电流的流动。

2. 开启阶段当正负电源分别连接到NMOS和PMOS管的源极和漏极时，电荷被推入沟道，形成一个导电通道。

此时，MOS管处于开启状态，电流可以流经MOS管。

3. 关闭阶段当NMOS的源极和PMOS的漏极连接到负电源，而NMOS的漏极和PMOS的源极连接到正电源时，电荷从沟道中排出，导致导电通道被关闭。

此时，MOS管处于关闭状态，电流无法通过MOS管。

根据以上阶段，可以看出MOS管具有开关功能，可以控制电流的流动。

结论MOS管是一种重要的电子器件，通过改变电压来控制电流的流动。

本文从MOS管符号开始介绍，然后详细解释了MOS管的工作原理。

通过对MOS管的了解，可以更好地理解和应用它在各种电路中的作用。

希望本文对读者有所帮助，更深入地了解和应用MOS管。

MOS管原理、MOS管的小信号模型及其参数

MOS管原理、MOS管的小信号模型及其参数MOS管是只有一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。

有N沟道器件和P沟道器件。

有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。

IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET（Metal Oxide SemIConductor FET）。

MOS场效应管有增强型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗尽型(Depletion)MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。

MOS管有三个电极：D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极；G(Gate) 称为栅极，相当于双极型三极管的基极；S(Source) 称为源极，相当于双极型三极管的发射极。

增强型MOS(EMOS)场效应管道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。

在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。

P型半导体称为衬底(substrat)，用符号B表示。

一、工作原理1．沟道形成原理当Vgs=0 V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压，不会在D、S间形成电流。

当栅极加有电压时，若0＜Vgs＜Vgs(th)时（VGS(th) 称为开启电压），通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。

耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，所以仍然不足以形成漏极电流ID。

进一步增加Vgs，当Vgs＞Vgs(th)时，由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。

一文详解MOS管，看完后醍醐灌顶！

一文详解MOS管，看完后醍醐灌顶！MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型。

本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描述。

其结构示意图：解释1：沟道上面图中，下边的p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P 型极连在一起，因此mos管导通后是电阻特性，因此它的一个重要参数就是导通电阻，选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。

解释2：n型上图表示的是p型mos管，读者可以依据此图理解n型的，都是反过来即可。

因此，不难理解，n型的如图在栅极加正压会导致导通，而p型的相反。

解释3：增强型相对于耗尽型，增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通，如图。

因此，容易理解，栅极电压必须低到一定程度才能导通，电压越低，通道越厚，导通电阻越小。

耗尽型的是事先做出一个导通层，用栅极来加厚或者减薄来控制源漏的导通。

但这种管子一般不生产，在市面基本见不到。

所以，大家平时说mos管，就默认是增强型的。

解释4：左右对称图示左右是对称的，难免会有人问怎么区分源极和漏极呢？其实原理上，源极和漏极确实是对称的，是不区分的。

但在实际应用中，厂家一般在源极和漏极之间连接一个二极管，起保护作用，正是这个二极管决定了源极和漏极，这样，封装也就固定了，便于实用。

我的老师年轻时用过不带二极管的mos管。

非常容易被静电击穿，平时要放在铁质罐子里，它的源极和漏极就是随便接。

解释5：金属氧化物膜图中有指示，这个膜是绝缘的，用来电气隔离，使得栅极只能形成电场，不能通过直流电，因此是用电压控制的。

在直流电气上，栅极和源漏极是断路。

mos管电路工作原理及详解-电路符号篇

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搞懂MOS管：MOS管的半导体结构

搞懂MOS管：MOS管的半导体结构
MOS 管作为半导体领域最基础的器件之一，无论是在IC 设计里，还是板级电路应用上，都十分广泛。

目前尤其在大功率半导体领域，各种结构的MOS 管更是发挥着不可替代的作用。

作为一个基础器件，往往集简单与复杂与一身，简单在于它的结构，复杂在于基于应用的深入考量。

因此，作为硬件开发者，想在电路设计上进阶，搞懂MOS 管是必不可少的一步，今天来聊聊。

一、MOS管的半导体结构
作为半导体器件，它的来源还是最原始的材料，掺杂半导体形成的P 和N 型物质。

那么，在半导体工艺里，如何制造MOS 管的？
这就是一个NMOS 的结构简图，一个看起来很简单的三端元器件。

具体的制造过程就像搭建积木一样，在一定的地基（衬底）上依据设计一步步“盖”起来。

MOS 管的符号描述为：
二、MOS管的工作机制
以增强型MOS 管为例，我们先简单来看下MOS 管的工作原理。

由上图结构我们可以看到MOS 管类似三极管，也是背靠背的两个PN结！三极管的原理是在偏置的情况下注入电流到很薄的基区通过电子-空穴复合来控制CE之间的导通，MOS 管则利用电场来在栅极形成载流子沟道来沟通DS之间。

如上图，在开启电压不足时，N区和衬底P之间因为载流子的自然复合会形成一个中性的耗尽区。

MOS管基本原理(经典图文动画)

MOS场效应管一、二极管三极管MOS器件基本原理P-N结及其电流电压特性晶体二极管为一个由p 型半导体和n 型半导体形成的p-n 结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。

当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流：。

当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0 。

当外加的反向电压高到一定程度时，p-n 结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。

双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN 结。

正向偏置的EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流IC 。

在共发射极晶体管电路中, 发射结在基极电路中正向偏置, 其电压降很小。

绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。

由于VBE 很小，所以基极电流约为IB= 5V/50 k Ω= 0.1mA 。

如果晶体管的共发射极电流放大系数β= IC / IB =100, 集电极电流IC= β*IB=10mA。

在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大作用。

金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。

当栅G 电压VG 增大时，p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。

MOS管原理非常详细

电路符号
导线的电阻极小，如果我们认为它是0.1欧姆。那么在导线中流过的电流会是多少：
7V
?A
7 70 电流= 0 .1
稳压电源的最大电流一般是6A左右，所以会出现大电流报警。而正常的电池充电电压是经过芯片精密控制的，一般只比电池实际电压高出一点点，以保证电流不会过大造成电池过分发热。当Q2隔离管击穿短路后，长时间的超负荷工作，极有可能损坏适配器。
D极 G极
0V 5V
3V
导通
S极
导通条件： UG比US大3V---5V即可， UG=3V。
电路符号
示例2： NMOS管： AON7406
作用：电压通断（开关）
常用接法： D极接输入，UD=5V。 S极接输出。截止条件： UG=US=0V。导通条件： UG比US大10V以上， UG=US+10V=15V。（导通时，US=5V）
Adapter
19V VIN
隔离
1. 只用适配器时
电路符号
隔离
Q1
BAT
12V VIN
12V Q2 2. 只用电池时
问题：为什么在不用适配器时，还要用Q1隔离12V呢？
我找到的一种解释是：人们在使用笔记本电脑时，经常会同时插上适配器和电池。如果遇到电网停电，笔记本会自动切换到电池12V供电。这个时候适配器虽然不再供电，但仍相连在笔记本上。如果没有Q1隔离，12V电压会直接进入适配器内部的输出电路，有可能烧毁适配器。这一解释自己没有做过验证，大家可以讨论一下对与错。
还有Ultra SO-8封装的MOS管：
Ultra SO-8封装的MOS管相对DFN封装厚度上有点增加，PIN1,2,3直接相连成为S极。

MOS管的工作原理及特性

金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,
板级电路应用上，都十分广泛。

一、MOS管的工作原理
以增强型MOS管为例，我们先简单来看下MOS管的工作原理。

由上图结构我们可以看到MOS管类似三极管，也是背靠背的两个PN结！三极管的原理是在偏置的情况下注入电流到很薄的基区通过电子-空穴复合来控制CE 之间的导通，MOS管则利用电场来在栅极形成载流子沟道来沟通DS之间。

如上图，在开启电压不足时，N区和衬底P之间因为载流子的自然复合会形成一个中性的耗尽区。

给栅极提供正向电压后，P区的少子(电子)会在电场的作用下聚集到栅极氧化硅下，最后会形成一个以电子为多子的区域，叫反型层，称为反型因为是在P型衬底区形成了一个N型沟道区。

这样DS之间就导通了。

二、MOS管的特性
1、由于MOSFET是电压驱动器件(G极加电压控制电流)，因此无直流电流流入栅极。

2、要开通MOSFET，必须对栅极施加高于额定栅极阈值电压Vth的电压。

3、处于稳态开启或关断状态时，MOSFET栅极驱动基本无功耗(但是请注意交叉点附近，就是电压下降与电流上升导致的功耗)。

4、通过驱动器输出看到的MOSFET栅源电容根据其内部状态而有所不同。

5、MOSFET通常被用作频率范围从几kHz到几百kHz的开关器件。

这点尤其需要注意。

三、结语
希望本文对大家能够有所帮助。

三极管和mos符号

三极管和mos符号
三极管和MOS（金属氧化物半导体）是电子领域中常见的两种元件。

它们在
许多电路和应用中扮演着重要的角色。

本文将介绍三极管和MOS符号的含义和用途。

首先，让我们来了解三极管的符号。

三极管是一种半导体器件，通常由三个区
域组成：发射区、基极区和集电区。

在电路图中，三极管的符号由三个箭头表示，它们代表了电流的流动方向。

其中，箭头指向发射区的端子为发射极，箭头指向基极区的端子为基极，箭头指向集电区的端子为集电极。

三极管可用于放大信号、开关和稳压等应用。

接下来，我们来了解MOS的符号。

MOS是一种利用金属氧化物半导体结构制
造的器件。

MOS的符号由一个带有箭头的直线和一个平行的直线组成。

直线部分
代表了金属极板，箭头指向平行线的一侧表示了N型金属氧化物半导体（NMOS），箭头指向平行线的另一侧表示了P型金属氧化物半导体（PMOS）。

MOS常用于数字电路中的开关和放大器等应用。

三极管和MOS作为常见的电子元件，它们的符号在电路设计中至关重要。

符
号的正确使用可以方便工程师理解和分析电路，从而更好地理解电子设备的工作原理。

综上所述，三极管和MOS的符号代表了不同类型的半导体器件，并在电子领
域中发挥着重要作用。

了解和正确使用这些符号对于设计和理解电子电路至关重要。

MOS管电路工作原理和详解

还有Ultra SO-8封装旳MOS管：
Ultra SO-8封装旳MOS管相对DFN封装厚度上有点增长，PIN1,2,3直接相连成为S极。
实物
接下来，看看6个脚旳TSOP-6封装MOS管：
SI3456
PIN1,2,5,6为D极； PIN3为G极；
PIN4为S极。
一样是6个脚，旳SOT-363封装MOS管则为双MOS管：
是P沟道还是N沟道MOS？根据是什么？
假如接入电路， D极和S极，哪一种该接输入，哪个接输出？
这次怎么样？
电路符号 1 三个极怎么鉴定？
MOS管符号上旳三个脚旳辨认要抓住关键地方。
S极
G极，不用说比很好认。
S极，
G极
不论是P沟道还是N沟道，
两根线相交旳就是；
D极，
D极
不论是P沟道还是N沟道，是单独引线旳那边。
3
1
2
21
常见型号有: AOD425
实物
2 它是N沟道还是P沟道旳呢？
先从简朴旳开始，拿最常见旳3PIN脚MOS管（SOT-23）讲起。
D
G S
01.6220V
接下来，将万用表调到“二极体档”。
由上一小节内容，我们能够立即找到MOS管旳G,S,D三极。
N沟道： UG>US时导通。（简朴以为）UG=US时截止。
P沟道： UG<US时导通。（简朴以为）UG=US时截止。
但UG比US大（或小）多少伏时MOS管才会饱和导通呢？
电路符号
饱和导通问题：
UG比US大（或小）多少伏时MOS管才会饱和导通呢？这要看详细旳MOS管，不同MOS管需要旳压差不同。
电路符号
19V

n沟道mos管符号

n沟道mos管符号
沟道MOS管符号：
1、M：指MOS管的类型，如NMOS（N型沟道MOS管）、PMOS
（P型沟道MOS管）、CMOS（混合MOS）等。

2、width：指MOS管的宽度，表示沟道的开口面积，它主要取决于MOS管的功耗和运放能力。

3、length：指MOS管的长度，其中MOS管的长度与电流直接相关，
而且影响MOS管的旁路效应。

4、VGS：表示导通型MOS管的栅极电压，也就是源极和地的电压差。

5、IG：MOS管的栅极电流，恒定电流模式下它是源极电流，而恒定
电压模式下它是栅极电流。

6、Vth：表示MOS管的阈值电压，反应了MOS管的反向压降，它是
每一种MOS管的敏感参数，其取决于其宽度与长度。

7、Cgs：栅极（源极）和地之间的双层迁移率，存在MOS管中时，两
个参数就可以决定MOS管的特性，它取决于沟道MOS管的尺寸。

8、m：指沟道MOS管的尺寸缩放因子，变更尺寸的大小会变更MOS 管的特性，因此有关小尺寸封装的MOS管一般要求m≥1。

9、R：指MOS管的参考点，反应了MOS管降低的重要参数，其中取决于参考点，参考点降低则电流的斜率增大，此时风险最大。

10、T：表示MOS管的温度，反映了MOS管的散热情况，当温度升高时，MOS管会产生过热，从而影响MOS管的特性。