碳化硅生产新工艺碳化硅制备加工配方设计碳化硅技术专利全集
碳化硅制作工序
碳化硅的制作工序主要包括以下几个步骤：
1. 原料准备：通常使用硅砂和碳粉作为主要原料。
硅砂经过筛选、清洗等处理，以去除杂质。
碳粉可以是木炭、石墨或其他含碳物质。
2. 配料：将硅砂和碳粉按照一定比例混合，以确保最终产品的化学成分符合要求。
3. 反应：将混合好的原料放入高温反应炉中，在一定的温度和压力条件下进行反应。
在这个过程中，硅砂和碳粉会发生化学反应，生成碳化硅。
4. 提纯：反应生成的碳化硅中可能会含有杂质，需要通过提纯步骤去除。
这可以通过物理方法（如浮选、磁选等）或化学方法（如酸洗等）来实现。
5. 粒度调整：根据最终产品的要求，可以对提纯后的碳化硅进行粒度调整。
这可以通过破碎、研磨等方式来实现。
6. 包装：将调整好粒度的碳化硅进行包装，以方便储存和运输。
以上是碳化硅制作的一般工序，具体的生产过程可能会因厂家和产品要求的不同而有所差异。
碳化硅生产工艺
碳化硅生产工艺碳化硅（Silicon Carbide，SiC）是一种重要的工程陶瓷材料，具有优异的耐热、耐腐蚀、硬度高、力学性能等特点，被广泛应用于电子、光电子、化工、冶金等领域。
碳化硅的生产工艺包括传统炉焙法和新型生产工艺。
传统炉焙法是碳化硅生产过程中最常用的方法之一。
该工艺主要包括硅泥净化、混合物制备、炉焙等步骤。
首先，将硅泥进行净化处理，去除杂质，提高硅泥的纯度和质量。
然后，将净化后的硅泥与石墨混合，按一定比例配制成混合物，其中硅泥的含量约为70%~90%。
接下来，将混合物放入电炉或罐炉中进行炉焙。
在高温下，石墨与硅泥发生化学反应，生成碳化硅。
最后，将得到的碳化硅材料进行破碎、磨粉、精确筛分等处理，获得符合要求的产品。
新型生产工艺是传统炉焙法的改进和创新。
该工艺主要包括碳热还原法、等离子体提拉法、激光烧结法等。
碳热还原法是一种将石墨和二氧化硅进行碳热反应制备碳化硅的方法。
首先，将石墨和二氧化硅混合，按一定比例放入炉中，在高温下进行反应。
在反应过程中，石墨与二氧化硅发生化学反应，生成碳化硅。
等离子体提拉法是一种利用等离子体技术制备碳化硅材料的方法。
在该工艺中，将合适比例的硅源和碳源混合，放入等离子体炉中进行处理，利用等离子体的高温和高能量来促进碳化硅的生成。
激光烧结法是一种利用激光技术将碳化硅粉末进行烧结的方法。
在该工艺中，将碳化硅粉末放入烧结炉中，利用激光器的高能量来使碳化硅粉末烧结成致密块体。
无论是传统炉焙法还是新型生产工艺，碳化硅的生产过程都离不开原材料的选取和混合处理、炉温的控制和炉内气氛的调节等关键步骤。
此外，生产工艺中还需要进行设备选型、炉渣的处理、产品质量的检测以及收集和处理废气、废渣等环保措施。
总的来说，碳化硅的生产工艺是一个复杂的过程，需要合理控制各个环节，确保产品的质量和性能。
随着科学技术的不断进步和发展，碳化硅的生产工艺也在不断创新和改进，使其在各个领域得到更广泛的应用。
【CN109851364A】一种碳化硅挤出成型生产工艺【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910310829.4(22)申请日 2019.04.18(71)申请人 山田研磨材料有限公司地址 276000 山东省临沂市临沭县临沭镇后高湖村(72)发明人 龚志刚 闫帅帅 郝文虎 马坤 毕见强 韩宇 龚洋 张霞 徐勤龙 高志民 马丽 (51)Int.Cl.C04B 35/565(2006.01)B28B 3/20(2006.01)(54)发明名称一种碳化硅挤出成型生产工艺(57)摘要本发明公开了一种碳化硅挤出成型生产工艺，属于碳化硅加工技术领域。
包括以下步骤：（1）将D50值为35-40μm的碳化硅微粉A和D50值为5.5-6.0μm的碳化硅微粉B充分混合10分钟，得碳化硅混合微粉；（2）、球磨后浆料陈腐24小时；（3）、挤出成型；（4）、阴干定型管材素坯；（5）烘干；（6）、高温烧结得碳化硅管材。
本发明碳化硅挤出成型工艺，挤出成型产品成品率高，可有效降低产品断坯率，结后产品强度高，烧结产品合格率达90%。
权利要求书1页 说明书2页CN 109851364 A 2019.06.07C N 109851364A权 利 要 求 书1/1页CN 109851364 A1.一种碳化硅挤出成型生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：（1）、将D50值为35-40μm的碳化硅微粉A和D50值为5.5-6.0μm的碳化硅微粉B充分混合10分钟，得碳化硅混合微粉；（2）、球磨：按照一定的比例称取碳化硅混合微粉、分散剂、烧结助剂和去离子水,滴加氨水调节其值至10.5,按照球料比为3:1取玛瑙磨球,放入球磨罐中,将球磨罐放在轻型罐磨机上球磨20小时；然后浆料陈腐24小时；（3）、挤出成型：将碳化硅料浆放入挤出机内进行挤出成型，得管材素坯；（4）、阴干定型管材素坯：将管材素坯转移到阴干定型工具上，管材素坯于室内阴干2天；（5）烘干：将从管材素坯放入恒温干燥箱中,55℃干燥8-12小时后取出；（6）、高温烧结：将管材素坯放入真空热压炉在氨气保护气氛下进行常压烧结,按30℃/ min速度先升温至1500℃,然后以15℃/min的速度升温至1600℃保温2小时,保温结束降温至50℃时开炉取出烧结制品。
一种高性能碳化硅密封件生产工艺及其生产设备[发明专利]
![一种高性能碳化硅密封件生产工艺及其生产设备[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/d6b18846a517866fb84ae45c3b3567ec102ddc81.png)
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202011160762.X(22)申请日 2020.10.27(71)申请人 安徽东迅密封科技有限公司地址 241000 安徽省芜湖市南陵县工业园区(72)发明人 王茜 胡二营 (74)专利代理机构 安徽华普专利代理事务所(普通合伙) 34151代理人 谢建华(51)Int.Cl.C04B 35/565(2006.01)C04B 35/622(2006.01)B28B 3/00(2006.01)B02C 18/12(2006.01)B01F 13/10(2006.01)(54)发明名称一种高性能碳化硅密封件生产工艺及其生产设备(57)摘要本发明公开了一种高性能碳化硅密封件生产工艺及其生产设备，涉及了一种生产工艺及其生产设备，尤其是一种对高性能碳化硅密封件进行生产的工艺，以及生产所需要的设备，本发明包括研磨柱，所述研磨柱是空心的，所述研磨柱的顶部可拆安装连接圆盘，所述连接圆盘的顶部对称固定安装混料结构，所述混料结构的两侧可拆卸安装通风结构，所述研磨柱的底部固定安装研磨结构，本发明通过将混合结构与研磨结构设计在一个设备上，大大减少了设备的占地面积，本发明通过混料结构与通风结构的配合，对原料进行混料，然后通过研磨结构进行研磨，使其达到生产所需要的标准。
权利要求书2页 说明书5页 附图3页CN 112321302 A 2021.02.05C N 112321302A1.一种高性能碳化硅密封件及其生产设备，包括研磨柱（1），其特征在于：所述研磨柱（1）是空心的，所述研磨柱（1）的顶部可拆安装连接圆盘（2），所述连接圆盘（2）的顶部对称固定安装混料结构（3），所述混料结构（3）的两侧可拆卸连接通风结构（4），所述研磨柱（1）的底部固定安装研磨结构（5）。
2.根据权利要求1所述的一种高性能碳化硅密封件及其生产设备，其特征在于：所述混料结构（3）包括混料管（31），所述混料管（31）呈U型，所述混料管（31）的两端穿过所述研磨柱（1）的顶部，所述混料管（31）的两端穿过所述连接圆盘（2）的顶部，所述混料管（31）的底端中部设有螺旋孔（32），所述螺旋孔（32）上匹配安装放料结构（33）。
碳化硅生产新工艺,碳化硅制备加工配方设计,碳化硅技术专利全集
碳化硅生产新工艺与制备加工配方设计及技术专利全集主编：国家专利局编写组出版发行：中国知识出版社2011年规格：全四卷16开精装+1张CD光盘定价：1180元优惠价：680元详细目录1 200410030786.8 铝电解槽侧墙用氮化硅结合碳化硅耐火砖及其制备方法2 200410023747.5 一种向缸套铬层内部挤入碳化硅的方法3 200410012271.5 一种制备碳化硅纳米纤维的方法4 200410020538.5 黑色碳化硅冶炼降低单位耗料的工艺5 200410026085.7 一种碳化硅发热元件冷端部的制造方法6 200410026086.1 酚醛树脂作为结合剂的碳化硅陶瓷常温挤压成形方法7 02822412.4 大面积碳化硅器件及其制造方法8 03125220.6 掺加助剂热压烧结块体钛碳化硅陶瓷材料的方法9 03138926.0 一种制备碳纤维增强碳化硅复合材料的装置及工艺10 200410062956.0 高韧性、高硬度的碳化硅陶瓷液相烧结法11 200410073054.7 以高纯固态碳素材料为主经渗硅制备高纯碳化硅烧结体的方法及组合物12 200410062484.9 在用于半导体器件的硅或碳化硅上形成厚氧化物的工艺13 02821597.4 高电阻率碳化硅单晶体及制造方法14 200410026267.4 一种碳化硅发热元件发热部的制备工艺15 03158500.0 磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺16 200410035431.8 湿法烟气脱硫装置中碳化硅雾化喷嘴的制造方法17 03134039.3 一种高强度致密的泡沫碳化硅陶瓷材料及其制备方法18 03134040.7 一种高强度致密碳化硅陶瓷球及其制备方法19 200410067103.6 短纤维增强碳化硅基复合材料的制备方法20 200410086412.8 碳纤维增强碳化硅复合材料刹车盘的一种有效连接方法21 02825276.4 大面积碳化硅器件及其制造方法22 200410083545.X 碳化硅-氧化物层叠体及其制造方法以及半导体装置23 200410073185.5 基于光固化原型热解的碳化硅陶瓷复合材料成型工艺方法24 200410009794.4 用微波技术快速烧结氮化硅结合碳化硅耐火材料的方法25 200310107681.3 以碳化硅为辅助反应介质的聚乳酸微波辐射合成方法26 200410092645.9 带有结型场效应晶体管的碳化硅半导体器件及其制造方法27 200410067101.7 低温烧结高耐火度网眼碳化硅陶瓷过滤器及制备方法28 200310107217.4 从含碳化硅炉渣中提取碳化硅的方法29 03803468.9 处理碳化硅衬底改善外延沉积的方法与形成的结构和器件30 03803980.X "生产低氧化硅、二氧化硅和/或碳化硅平面平行结构的方法,采用这些方法获得的平面平行结构和它们的应用"31 200410011269.6 一种碳化硅的辐射接枝表面改性方法32 200410011270.9 一种碳化硅表面改性方法33 200510011102.4 制备高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料零件方法34 200510031149.7 同束多形碳化硅纤维及其制备方法35 03808251.9 碳化硅和无粘结剂碳的复合体及其制造方法36 03807849.X 气体驱动的行星旋转设备及用于形成碳化硅层的方法37 200410000236.1 一种简单的碳/碳化硅复合材料制造方法38 03810349.4 带电子电路的碳化硅微机电器件39 200510011191.2 一种碳化硅颗粒增强铝基复合材料连接方法40 200510018153.X 一种方镁石—碳化硅复合材料及其制备方法41 200510018155.9 一种不定形方镁石—碳化硅复合耐火材料及其生产方法42 200410073163.9 一种氮化硅/碳化硅多孔陶瓷的制备方法43 200410099156.6 包覆钡铁氧体薄膜的碳化硅电磁吸波材料及其制备工艺44 03814624.X 在高纯碳化硅晶体中产生半绝缘电阻率的方法45 01819560.1 碳化硅肖特基器件的外延边端及制造组合该边端的碳化硅器件的方法46 03814255.4 具有碳化硅衬底的发光二极管47 200410026266.X 一种一次成型碳化硅发热元件的制造方法48 200510024931.6 镀铜碳化硅颗粒增强镁基复合材料的制备方法49 200510024930.1 镀铜碳化硅颗粒增强镁基复合材料50 200510013264.1 碳化硅热处理装置和方法51 03804691.1 向接收基板转移碳化硅薄层的优化方法52 200510024536.8 一种提高纳米碳化硅浸渍浆料固含量的方法53 200510011160.7 制备碳化硅颗粒增强铝基复合材料的真空双搅拌装置54 200410032058.0 铝铬碳化硅耐火砖55 200410014658.4 碳化硅刚玉浇注料56 200510024033.0 纳米碳化硅颗粒增强镍基复合材料的复合电铸制备方法57 03152915.1 氮化硅和碳化硅一维纳米结构及其制备方法58 02137591.7 表面涂层的碳化硅发热体59 03126354.2 碳化硅／铜金属陶瓷高温电接触复合材料制备方法60 03146043.7 一种制备碳化硅的方法61 02136834.1 一种表面涂层的碳化硅发热体62 03152590.3 碳化硅半导体器件63 01820704.9 用于阴极射线管应用的碳化硅涂层64 01820007.9 短沟道碳化硅功率MOSFETS及其制造方法65 02139732.5 铝碳化硅复合材料及其构件的制备方法66 03133077.0 微铸碳化硅纳米压印模67 02137694.8 一种含有碳化硅的远红外涂料68 02805538.1 制备碳化硅和任选制备铝和硅铝明(铝硅合金)的方法69 02149286.7 以碳化硅为基板的发光元件70 02809392.5 用于高击穿电压半导体器件的高阻碳化硅衬底71 02809053.5 碳化硅的等离子体刻蚀72 02813193.2 碳化硅肖特基势垒二极管及其制作方法73 03111144.0 一种碳化硅型壳其制备及在定向凝固中的应用74 200410007307.0 相对于掺杂的碳化硅选择蚀刻有机硅酸盐玻璃的方法75 02812925.3 用于改进碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管中反向层迁移率的方法76 02808107.2 利用在氢气环境中退火在碳化硅层上制备氧化物层的方法77 02140433.X 皮芯双组分纤维法制备连续碳化硅纤维的生产工艺78 03121907.1 碳化硅沟槽式金氧半电晶体79 200310113521.X 一种碳化硅晶体生长装置80 200310113523.9 物理气相传输生长碳化硅单晶的方法及其装置81 200310111574.8 金属-绝缘层-碳化硅MISiC高温气体传感器82 200310122213.3 碳化硅浆料的制备方法83 200310121765.2 制备核反应堆用石墨表面抗氧化涂层材料碳化硅的方法84 01816726.8 利用N<sub>2</sub>O在碳化硅层上制造氧化物层的方法85 200610023691.2 硼化物—碳化硅复相陶瓷及其制备方法86 200610008498.1 纳米碳化硅助剂烧结高纯碳化硅蜂窝陶瓷体的制造方法87 200480016936.8 碳化硅基陶瓷材料在腐蚀性环境中的应用88 200610031265.3 一种碳化硅纳米管的化学气相沉积制备方法89 200610031323.2 一种微米、亚微米和纳米碳化硅纤维的制备方法90 200610049683.5 一种试管刷状碳化硅的制备方法91 200610059323.3 用天然高岭土制备碳化硅晶须/氧化铝复合陶瓷粉的方法92 200610057260.8 碳化硅窑具及其制备工艺93 200510024934.X 碳化硅陶瓷素坯成型方法94 200510018700.4 纳米线碳化硅金属半导体场效应晶体管95 200510018701.9 纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管96 02810556.7 不具有钒控制的半绝缘碳化硅97 200510076993.1 一种制备高孔隙率多孔碳化硅陶瓷的方法98 02819662.7 碳化硅过滤器及其制备方法99 03820968.3 其滑动面或密封面具有最佳摩擦性的碳化硅烧结体100 200410027511.9 利用碳化稻壳制造碳化硅的方法101 02821189.8 德尔塔掺杂的碳化硅金属半导体场效应晶体管及其制造方法102 200510042849.6 三氧化二硼-碳化硅自润滑涂层及其制备方法103 200510031778.X 含铝连续碳化硅纤维的制备方法104 200410049770.1 降低磷离子注入（0001）取向的4H-碳化硅电阻率的方法105 200410069190.9 一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置106 200510031774.1 碳纤维增强碳化硅复合材料防氧化涂层及其制备方法107 200510031775.6 光学反射镜用致密碳化硅涂层的制备方法108 200510031776.0 蜂窝夹层结构碳化硅基复合材料反射镜及其制备方法109 200410062336.7 在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的方法110 200510042708.4 制备碳化硅晶须的方法111 200510046899.1 旋转点切割大尺寸碳化硅晶体装置112 200510010086.7 一种碳化硅纳米纤维的制备方法113 200380106282.3 浇注粗晶粒硅化碳化硅制品的方法及设备114 200380106833.6 碳化硅功率MOS场效应晶体管及制造方法115 200510041305.8 一种碳化硅微粉的生产工艺116 200510042914.5 碳化硅晶须生成炉及生产碳化硅晶须的方法117 200480002101.7 碳化硅器件的边缘环形端接118 200510027801.8 碳纤维和碳化硅颗粒复合补强石英基复合材料及制备方法119 200480003804.1 用于碳化硅的包含主要由镍组成的层的反射式欧姆接触及其制造方法以及包含该接触的发光器件120 200510043028.4 一种纳米级碳化硅粉体的制备方法121 03826211.8 具有氧化层的碳化硅陶瓷部件122 200510096313.2 碳/碳化硅复合材料瞬间液相扩散焊接方法123 200510100378.X 尼龙增强碳化硅磨块及其制作方法124 200510012774.7 一种珠状碳化硅或氮化硅纳米链的制备方法125 200410067242.9 铝-碳化硅-碳质耐火材料126 200510029152.5 原位反应法制备莫来石结合的碳化硅多孔陶瓷127 200510105456.5 一种低成本、室温、快速制备碳化硅-镍核壳结构的化学镀方法和工艺128 200510096067.0 基于熔融沉积快速成型技术的碳化硅陶瓷零件制造工艺方法129 200510124526.1 利用分层实体快速成型制造碳化硅陶瓷零件的工艺方法130 200480010960.0 具有自对准的源区和阱区的碳化硅功率器件及其制备方法131 200410097693.7 稻草预处理和预处理的稻草生产碳化硅及其复合材料的方法132 200510061303.5 一种碳化硅基多相复合陶瓷及其制备方法133 200510100377.5 陶瓷烧结碳化硅颗粒磨块及其制作方法134 200580000359.8 碳化硅半导体元件及其制造方法135 200510116265.9 碳化硅半导体装置及其制造方法136 200480010659.X 用于清洗碳化硅颗粒的方法137 200510086915.X 利用微波技术烧结Sialon结合碳化硅耐火材料的方法138 200510110086.4 碳化硅-碳微波吸收复合材料及其制备方法139 200510022726.6 在碳/碳复合材料表面制备碳化硅涂层的方法140 200510127307.9 纳米碳化硅颗粒增强铝基复合材料及制备方法141 200610023389.7 一种碳化硅─堇青石复合多孔陶瓷及其制备方法142 200610031189.6 碳化硅纤维增强碳化硅复合材料制备方法143 200480016482.4 碳化硅晶体的生长系统144 200480021731.9 通过在含氢气氛中的升华生长减少碳化硅晶体中的氮含量145 200480021852.3 碳化硅制品、其制造方法以及碳化硅制品的洗净方法146 200510024294.2 一种碳化硅陶瓷密封环147 200610012550.0 一种生物结构球形多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法148 200510200131.5 碳化硅晶片的制备方法149 200510200132.X 碳化硅晶须的制备方法150 200480020464.3 碳化硅加热元件151 200510041813.6 碳/碳复合材料表面碳化硅纳米线的制备方法152 200610049667.6 一种合成碳化硅纳米棒的方法153 200610049682.0 一种合成两种不同形状碳化硅纳米线的方法154 200610076993.6 用尘埃等离子体在常温下沉积碳化硅薄膜的装置155 200610065386.X 碳化硅半导体器件156 200610018559.2 一种合成仿生碳化硅晶须的方法157 200610026998.8 气相渗硅工艺制备碳纤维增强碳化硅基复合材料的方法158 200610042815.1 碳/碳、碳/碳化硅复合材料与耐热合金的连接方法159 200480027969.2 具有多孔性碳化硅基层的发光二极管及其制法160 200510038897.8 干熄焦用莫来石-碳化硅耐火材料及制备161 200610051705.1 一种针状纳米碳化硅的合成方法162 200480024893.8 制备碳化硅单晶的方法163 200610027162.X 氧化锆/碳化硅热喷涂复合纳米粉及其生产方法164 200480030245.3 金属-碳化硅欧姆接触的局部退火及其形成的装置165 200480030561.0 使用梨晶生长的碳化硅漂移层形成功率半导体器件的方法和由此形成的功率半导体器件166 200480026416.5 在含氢环境中超高纯碳化硅晶体的生长167 200610040571.3 一种碳纤维增韧的碳-碳化硅基复合材料及其制备方法168 200610082548.0 氧化物结合碳化硅质材料169 200610017849.5 高温、耐磨碳化硅陶瓷材料及其生产方法170 200510077899.8 具有纳米级碳化硅内在物的耐火材料及其制造方法171 200610027241.0 锆钛酸铅/碳化硅复合陶瓷材料及其制备方法172 200610019553.7 一种方镁石-碳化硅-碳复合材料及其制备方法173 200610043034.4 基体前驱物液汽相热解制备碳/碳-碳化硅复合材料的方法174 200610081294.0 一种碳化硅单晶生长后的热处理方法175 200480036347.6 经处理以清除自由碳的半导体衬底加工装置的碳化硅部件176 200610046242.X 泡沫碳化硅/金属双连续相复合摩擦材料及其构件和制备177 200510028034.2 一种碳化硅纳米线的制备方法178 200480040292.6 碳化硅半导体元件及其制造方法179 200610088688.9 无色碳化硅晶体的生长180 200510027495.8 一种碳化硅/二氧化硅同轴纳米电缆的制备方法181 200610091392.2 碳/碳复合材料基二硅化钽/碳化硅涂层及其制备方法182 200610091393.7 一种碳/碳复合材料基碳化硅涂层及其制备方法183 200610069626.3 碳化硅磁性氧化颜料组合物及其制作方法184 200480040597.7 沉积碳化硅和陶瓷薄膜的方法185 200610108343.5 "离子注入掩模及其制造方法,使用离子注入掩模的碳化硅半导体器件及其制造方法"186 200580002968.7 金刚石衬底上的碳化硅和相关的器件和方法187 200610115158.9 一种超细碳化硅粉末提纯方法188 200510028583.X 铝-碳化硅-碳质耐火材料189 200610107003.0 常压烧结碳化硅生坯制品的模压成型方法190 200610107001.1 喷雾造粒制备亚微米级碳化硅微粉的方法191 200610107002.6 常压烧结碳化硅制品的快速烧结法192 200610068670.2 一种碳化硅耐火陶瓷材料的制备方法193 200580005839.3 碳化硅(SiC)单晶的制造方法以及通过该方法得到的碳化硅(SiC)单晶194 200610126666.7 具有高沟道迁移率的碳化硅半导体器件及其制造方法195 200480042246.X 减少碳化硅外延中的胡萝卜缺陷196 200610069828.8 一种含碳化硅、铁、碳、铬的钼基金属陶瓷197 200610053377.9 一种合成六棱柱状碳化硅纳米棒的方法198 200610096641.7 碳化硅器件的电学隔离方法199 200510030308.1 应变硅CMOS晶体管的原位掺杂硅锗与碳化硅源漏极区200 200580010956.9 用于检测在半导体加工系统中的氟或卤素物质的涂镍自立式碳化硅结构及其制造和应用方法201 200580014398.3 形成于碳化硅基板上的氮化镓膜的剥离方法及使用该方法制造的装置202 200510047465.3 一种碳化硅精细微粉的生产方法203 200610132089.2 生长非常均匀的碳化硅外延层204 200580008778.6 具有碳化硅耐久接触的方法和器件205 200610151102.9 一种含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线及其制备方法206 200510047688.X 一种电阻率可控的导电碳化硅泡沫陶瓷材料及其制备方法207 200610119233.9 凝胶包裹-冷冻干燥工艺制备碳化硅多孔陶瓷的方法208 200580021074.2 100毫米的高纯半绝缘单晶碳化硅晶片209 200580021286.0 铝-碳化硅质复合体210 200580020597.5 碳化硅器件及其制造方法211 200610140399.9 碳化硅半导体装置及其制造方法212 200580023035.6 碳化硅单晶及其蚀刻方法213 200610124235.7 一种超硬碳化硅陶瓷纳米镜面的磨削方法214 200610136906.1 非圆形截面碳化硅纤维及其制备方法215 200610064203.2 具有碳化硅钝化层的碳化硅双极结型晶体管及其制造方法216 200610102262.4 β型碳化硅晶须的增强方法及在激光快速成型中的应用217 200610136881.5 一种再结晶碳化硅制品的制备技术218 200610147624.1 多孔陶瓷的孔壁碳化硅涂层及其制备方法219 200610161368.1 一种纳米碳化硅-氧化铝陶瓷基片的表面贴装片式熔断器及其制备方法220 200610155655.1 一种氮化铝增强碳化硅陶瓷及其制备方法221 200610045647.1 一种泡沫碳化硅陶瓷增强铜基复合材料摩擦片及制备方法222 200610151216.3 一种在碳纤维表面制备碳化硅涂层的方法223 200610011228.6 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法224 200610023709.9 用于X射线光谱分析含碳化硅材料的制样方法225 200610003071.2 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法226 200710013031.0 一种用于烧结三元催化汽车尾气过滤器陶瓷滤芯的碳化硅超细粉及其生产方法227 200580032316.8 纯化碳化硅结构的方法228 200580032490.2 用于大碳化硅单晶的高品质生长的籽晶和籽晶夹持器组合229 200610058746.3 碳化硅微粉回收的方法230 200710017364.0 碳/碳-碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法231 200610024550.2 一种用于砌筑高炉炉身石墨砖与碳化硅砖的复合胶泥232 200710067276.1 碳化硅复相陶瓷的制备方法233 200710098903.8 一种制备碳化硅晶须增强碳化硅复合材料零件的方法234 200580008008.1 自对准碳化硅半导体器件235 200680001088.2 碳化硅衬底的表面重建方法236 200580037637.7 在等离子体蚀刻处理期间保护硅或碳化硅电极表面免于形态改性的方法237 200710008663.8 一种低温合成碳化硅的原料配方及方法238 200710017696.9 火焰热喷涂铝热剂包裹碳化硅颗粒陶瓷涂层的制备方法239 200710098996.4 逆反应烧结制备氮化硅碳化硅复合材料的方法240 200710068523.X 碳纤维增强多孔型常压烧结碳化硅及其制备方法241 200710063630.3 一种碳化硅颗粒增强铝基复合材料的表面处理方法2}本手册实用说明在目前激烈的市场竞争下，企业为立于不败之地，都在四处寻求新技术、新工艺、新项目，而在众多新技术信息中，专利技术以其自身独特的“专有”性，无疑是具有强大吸引力的，为了方便企业和创业者及时掌握最新的科技信息，我们将国家专利局的数百万专利技术分类造册，编写出版了各行业的专利技术手册。
碳化硅生产工艺
碳化硅生产工艺(总4页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--碳化硅的生产工艺和投资估算碳化硅是人工合成的材料，其化学计量成分以克分子计：Si 50%、C 50%以质量计：Si %、C %，相对分子质量为。
碳化硅有两种晶形：β-碳化硅类似闪锌矿结构的等轴晶系；α-碳化硅则为晶体排列致密的六方晶系。
β-碳化硅约在2100℃转变为α-碳化硅。
碳化硅的物理性能：真密度α型cm3、β型cm3，莫氏硬度，线膨胀系数为~×10-6 /℃，热导率(20℃)(m·K)，电阻率(50℃)50Ω·cm，1000℃ 2Ω·cm，辐射能力~。
碳化硅的合成方法(一)用二氧化硅和碳（煤）合成碳化硅工业上合成碳化硅多以石英砂、石油焦（无烟煤）为主要原料，在电炉内温度在2000~2500℃下，通过下列反应式合成：SiO2+3C SiC+2CO1. 原料性能及要求各种原料的性能：石英砂，SiO2>99%，无烟煤的挥发分<5%。
2. 合成电炉大型碳化硅冶炼炉的炉子功率一般为10000kW，每1kg SiC电耗为6~7kW·h，生产周期升温时为26~36h，冷却24h。
3. 合成工艺(1) 配料计算：式中，C为碳含量，SiO2为二氧化硅含量，M=。
碳的加入量允许过量5%。
炉内配料的重量比见表3。
表1 炉体内各部位装料的配比一般合成碳化硅的配料见表4。
表2合成碳化硅的配料在碳化硅的生产过程中，回炉料的要求：包括无定形料、二级料，应满足下列SiC>80%，SiO2+Si<10%，固定碳<5%，杂质<%。
焙烧料的要求：未反应的物料层必须配人一定的焦炭、木屑、食盐后做焙烧料。
加入量(以100t计)焦炭0~50kg，木屑30~50L，食盐3%~4%。
保温料的要求：新开炉需要配保温料。
焦炭与石英之比为。
如用乏料代特应符合如下要求：SiC<25%，SiO2+Si>35%，C 20%，其他<%。
碳化硅陶瓷及制备工艺
碳化硅陶瓷性能及制造工艺碳化硅（SiC）陶瓷，具有抗氧化性强，耐磨性能好，硬度高，热稳定性好，高温强度大，热膨胀系数小，热导率大以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。
因此，已经在石油、化工、机械、航天、核能等领域大显身手，日益受到人们的重视。
例如，SiC陶瓷可用作各类轴承、滚珠、喷嘴、密封件、切削工具、燃汽涡轮机叶片、涡轮增压器转子、反射屏和火箭燃烧室内衬等等。
SiC陶瓷的优异性能与其独特结构密切相关。
SiC是共价键很强的化合物，SiC中Si-Ｃ键的离子性仅１２％左右。
因此，SiC强度高、弹性模量大，具有优良的耐磨损性能。
纯SiC不会被ＨＣｌ、ＨＮＯ３、Ｈ２ＳＯ４和ＨＦ等酸溶液以及ＮａＯＨ等碱溶液侵蚀。
在空气中加热时易发生氧化，但氧化时表面形成的ＳｉＯ２会抑制氧的进一步扩散，故氧化速率并不高。
在电性能方面，SiC具有半导体性，少量杂质的引入会表现出良好的导电性。
此外，SiC还有优良的导热性。
SiC具有α和β两种晶型。
β－SiC的晶体结构为立方晶系，Si 和Ｃ分别组成面心立方晶格；α－SiC存在着４Ｈ、１５Ｒ和６Ｈ等１００余种多型体，其中，６Ｈ多型体为工业应用上最为普遍的一种。
在SiC的多种型体之间存在着一定的热稳定性关系。
在温度低于１６００℃时，SiC以β－SiC形式存在。
当高于１６００℃时，β－SiC 缓慢转变成α－SiC的各种多型体。
４Ｈ－SiC在２０００℃左右容易生成；１５Ｒ和６Ｈ多型体均需在２１００℃以上的高温才易生成；对于６Ｈ－SiC，即使温度超过２２００℃，也是非常稳定的。
SiC中各种多型体之间的自由能相差很小，因此，微量杂质的固溶也会引起多型体之间的热稳定关系变化。
现就SiC陶瓷的生产工艺简述如下：一、SiC粉末的合成：SiC在地球上几乎不存在，仅在陨石中有所发现，因此，工业上应用的SiC粉末都为人工合成。
目前，合成SiC粉末的主要方法有：１、Ａｃｈｅｓｏｎ法：这是工业上采用最多的合成方法，即用电将石英砂和焦炭的混合物加热至２５００℃左右高温反应制得。
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碳化硅生产新工艺碳化硅制备加工配方设计碳化硅技术
专利全集
碳化硅是一种耐高温、耐腐蚀、硬度高的陶瓷材料，广泛应用于电力、冶金、化工、机械制造等行业。
为了提高碳化硅的生产效率和产品质量，
不断开发出新的工艺和配方设计，并申请专利保护。
下面介绍碳化硅生产
新工艺、碳化硅制备加工配方设计和碳化硅技术专利全集。
一、碳化硅生产新工艺
1.气相法
气相法是目前常用的碳化硅生产工艺。
该工艺通过将硅烷气体与高温
炉中的碳源反应，生成固态碳化硅颗粒。
在这个工艺中，关键是控制硅烷
气体的流量、温度和压力。
通过调整这些参数，可以控制碳化硅颗粒的尺寸、形状和晶体结构，从而得到所需的碳化硅产品。
2.溶胶凝胶法
溶胶凝胶法是一种将硅源和碳源溶解在溶剂中，然后通过溶胶-凝胶-
热处理过程得到碳化硅的工艺。
该工艺可以控制碳化硅材料的微观结构、
孔隙结构和导热性能。
通过调整溶胶凝胶的配方、热处理温度和时间，可
以得到具有不同性能的碳化硅材料。
3.电解碳化法
电解碳化法是一种使用电解能量将硅源和碳源直接转化为碳化硅的工艺。
该工艺通过调整电解液的成分和电解条件，可以控制碳化硅的结构和
晶粒尺寸。
与传统工艺相比，电解碳化法具有低成本、高效率和环保的优势。
二、碳化硅制备加工配方设计
碳化硅制备加工配方设计是通过选择合适的原料比例和添加剂，以及
优化工艺参数，得到所需性能的碳化硅产品。
以下是一些常用的碳化硅制
备加工配方设计的要点：
1.原料选择：根据碳化硅产品的要求，选用适当的硅源和碳源。
常用
的硅源包括硅烷、二氯二硅烷等，碳源包括甲烷、乙烷等。
2.添加剂选择：根据碳化硅产品的性能要求，选择适当的添加剂。
常
用的添加剂有氧化铝、氧化锆等，可以改善碳化硅的导热性能和机械强度。
3.工艺参数优化：通过调整工艺参数，如温度、压力、反应时间等，
控制碳化硅材料的微观结构和性能。
例如，提高温度和压力可以得到颗粒
较大、晶体完整的碳化硅。
由于碳化硅具有独特的性能和广泛的应用前景，相关的技术专利也十
分丰富。
碳化硅技术专利主要涵盖以下几个方面：
1.碳化硅粉体制备工艺：包括气相法、溶胶凝胶法、电解碳化法等。
2.碳化硅陶瓷制备工艺：包括注模成型、压制成型、烧结工艺等。
3.碳化硅纤维制备工艺：碳化硅纤维是一种高性能的纤维材料，适用
于航空航天、电力等领域。
4.碳化硅膜制备工艺：碳化硅膜可以用于表面涂层、防腐蚀等。
通过获得碳化硅技术专利，可以保护创新成果，防止他人的侵权行为，促进碳化硅技术的进一步发展和应用。