数字射频收发模块原理与设计有源电子元器件
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之间。 可分为二极管、三极管和场效应管等等。
3
晶体二极管
▪ 一、半导体的导电特性
1. 概念 ⑴半导体 导电能力介乎于导体和绝缘体之间。
如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。
⑵影响半导体导电能力的因素
温度↑→导电能力↑ 如：热敏元件
光照↑→导电能力↑ 如：光敏元件
掺杂↑→导电能力 如：P型、N型半导体。
解：图(a)
ui
⑴ ui ＜E， D 截止，uR= 0， ui
∴输出uo ~ ui
10V 5V
⑵ ui ＞E， D 导通，uD= 0， o
∴输出uo = E
uo
5V
电路为正限幅电路
o
R E
（a）
D uo ωt ωt
（b）
20
2. 二极管整流作用
例
图示两个电路。已知 ui = 10sinωt（V），
有源电子元器件的名称、分类、形状、用途
▪ 一、有源（active）电子元器件的定义 • 如果电子元器件工作时，其内部有电源存在， 则这种器件叫做有源器件。 • 从电路性质上看，有源器件有两个基本特点： （1） 自身消耗电能。 （2） 除了输入信号外，还必须要有外加 电源才可以正常工作。
1
有源电子元器件的名称、分类、形状、用途
载流子形成很小的反向电流。
结论：
PN结反 向截止，反向电流小、反向电阻大。
I反 0 R反
12
三、半导体二极管
1. 基本结构及符号
阳极 阳极 阳极
阳极
D
阴极 阴极 阴极
阴极
符 号 点接触型 面接触型
外形
点接触型：结面小、结电容小，适用高频小电流场合。 如：检波电路、数字开关电路
面接触型：结面大、结电容大，用在低频电路 如：整流电路
复合使自由电子和空穴成对减少
在一定温度下，热激发和复合处于动平衡状态。
半导体中的载流子数目一定。
6
3.杂质半导体 ⑴ N型半导体（电子半导体）
本征半导体中掺入微量的五价元素磷
多数载流子——自由电子 特点： 少数载流子——空穴
磷P 15
2-8-5
p 多余电子
示意图
si
si
++ ++ ++ ++
P+
si
13
半导体二极管图片
14
半导体二极管图片
15
2. 伏安特性
⑴ 正向特性 0.1V（锗管）
死区电压 = 0.5V（硅管） UBR 导通后管压降：
I +U
o UD
0.2~0.3V （锗管） UD = 0.6~0.7V （硅管）
- + 死区
⑵ 反向特性
UBR —— 反向击穿电压
U 反 UBR 时，I反 0，二极管反向截止
试画出输出电压uo的波形。
ui
10V
ui
R
D
uo ui D R
uo o
ω t
解： （a）
（b）
ui
⑴ 图(a) ui ＞0， D 导通，uo= 0， o
ω t
ui ＜0， D 截止，uo ~ ui
-10V
⑵
图(b)
ui
＞0，
D导通，uo
=
ui
，
10V
ui
ui ＜0， D截止，uo= 0
ω
o
21 t
3. 二极管的钳位和隔离应用
N 型半导体
硅晶体中掺磷出现自由电子
7
⑵ P型半导体（空穴半导体） 硼 B
本征半导体中掺入微量的三价元素硼 5
B
多数载流子——空穴
2-3
特点： 少数载流子——自由电子
示意图
空穴
si
si
－－ － －
－－ － －
B-
si
P型半导体
硅晶体中掺硼出现空穴
多数载流子数目由掺杂浓度确定 结论： 少数载流子数目与温度有关. 温度↑→少子↑
8
二、PN结
PN结
1. PN结
P
N
同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导 体，在它们的交界面处形成的特殊区域。
P
N
2. PN结的形成 － － － － + + + +
P区和N区的载
－－ － － + + + +
流子浓度不同
- 自建电i 场 +
N区 电子 P区
由载流子的浓度差→多子扩散 P区 空穴 N区
T
UBE － E
－C
P
+
B－ N P
+E
－C
UBC
B
+ －
T
UBE + E
PNP型为：UBE 0,UBC 0 或 UE UB UC
33
（2）放大原理（NPN型）
放大的条件uBE uCB
U
（发射结正偏）
on
0，即uCE uB（E 集电结反偏）
少数载 流子的 运动
因集电区面积大，在外电场作用下大 部分扩散到基区的电子漂移到集电区
IC IB；IE （1 ）IB
1；I E
I
；
C
36
二 、 晶体三极管特性曲线及主要参数
IB
mA
A
UCE
IC EC
RB
V1 UBE
V2
EB
实验线路
输入回路→输入特性 IB = f（UBE ）| UCE
+12V
① 分析 UA
UB
UF
0V
0V
0V
0V
3V
0V
D1 R
A
F
D2
B
规定
3V
0V
0V
3V
3V
3V
高电平3V→逻辑“1”
低电平0V→逻辑“0”
② 真值表
③逻辑表达式 ④逻辑符号
A
B
F
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
1
1
F=A•B
A
＆
F
B
23
⑵ 二极管或门
A D1
F
B D2 R
-12V
② 真值表
A
B
F
0
0
00+源自P - +N -I E
i o
+
mA
-
电流大（mA级）
原因：
o i ，使PN结变窄，由多数载流子
形成较大的正向电流。
结论：
PN结正向导通，正向电流大、正向电阻小。
11
⑵ PN结反向截止
PN结变宽
现象：
灯不亮、 电流很小（μA级）
- P - +N +
E
I反 0
i o
-
μA
+
原因：
o 、 i方向一致，使PN结变宽，由少数
例 电路中，输入端 UA=+3V ， UB= 0V ，
试求输出端F的电位UF 。
+3V DA
解：DA 、DB，为理想二极管
A
UA > UB， DA先导通，
B 0V DB
R F DA起钳位作用，使UF=3V。 UB ＜ UF ，DB截止， 将
-12V
UB与UF隔离
22
4. 二极管门电路
⑴ 二极管与门
28
29
半导体（晶体）三极管（双极型晶体管）
一、 三极管结构及其放大作用
1.结构及类型 集电极
C 集电结 C I
集电极
C CI
C
N
B
B
BP 基极 N
IB
T
I
EE
基极
发射结
E
发射极
NPN型
P
C
B
N
T
P
IB
I
EE
E
发射极 PNP型
30
半导体三极管图片
31
2.晶体管的放大原理
（1）晶体管的电流放大条件
掺杂——纯净的半导体中掺入微量的某些杂质，
会使半导体的导电能力明显改变。
4
⑶ 常用的半导体材料
锗 Ge
硅 Si
32
14
Ge
Si
2-8-18-4
2-8-4
硅和锗为四价元素，最外层有四个价电子
2.本征半导体
纯净的、具有晶体结构的半导体
si
⑴共价键
共价键结构稳定 共价键内的
si
导电能力很弱
价电子对
价电子
最外层 八个电 子的稳 定结构
si
si
5
⑵ 本征激发（热激发）
温度升高、光照增强使价电子
摆脱原子核的束缚 本征激发成对产生
自由电子
si
⑶ 两种载流子 空穴
si
半导体中有自由电子
空
和空穴两种载流子
穴
本征半导体两端外加电压时，将出现两 部分电流，电子流和空穴流。
⑷ 复合 自由电子与空穴相遇
si
si
自 由 电 子
17
3. 主要参数
（1）最大整流电流 IDM
二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向
平均电流。（点接触型<几十mA，面接触型较大）
（2）反向工作峰值电压URM
二极管不被反向击穿时允许承受的最大反向电压。
一般URM是UBR的一半（或三分之二）。
（3）反向峰值电流 IRM
在URM下对应的反向电流。 IRM愈小愈好。
▪ 二、有源（active）电子元器件的分类
• 有源器件是电子电路的主要器件，从物理结构、电路 功能和工程参数上，有源器件可以分为分立器件和集 成电路两大类。
• 分立器件：电子管、晶体管 • 集成电路：模拟集成电路、数字集成电路
2
▪ 分立器件：
• 电子管：电子管又名真空管，所以又称为电真空器件。 • 晶体管：属于半导体器件，导电能力介于导体与绝缘体
①未击穿区（o a段）
I≈0，反向截止
②击穿区（稳压区 a b段）
UZ UZmax UZmin
a IZ
b
I
o IZmin
U
IZmax
特性陡直，电压基本不变，具有稳定电压作用
动态电阻： rZ
③热击穿区（b
U Z 动态电阻愈小稳压效果愈好
点I以Z 下线段）I Z I Z max过热烧坏PN结
25
（3）稳压二极管的参数
1
1
1
0
1
1
1
1
① 分析 UA
UB
UF
0V
0V
0V
0V
3V
3V
3V
0V
3V
3V
3V
3V
规定 高电平3V→逻辑“1” 低电平0V→逻辑“0”
③逻辑表达式 ④逻辑符号
F=A+B
A
≥1
F
B
24
五、 特殊二极管
1、稳压二极管 （1）结构和符号
面接触型硅二极管
（2）伏安特性
+
DZ
-
符号
正向特性与普通硅二极管相同
同半导体材料的二极管发出的光线的颜色不同。
磷 砷 化 镓 （ GaAsP ） 材 料 发 红 光 或 黄 光 ， 磷 化 镓 （GaP）材料发红光或绿光，氮化镓（GaN）材料发 蓝光，碳化硅（SiC）材料发黄光，砷化镓（GaAs） 材料发不可见的红外线。
发光二极管用于信号指示 、数码管显示器。
发光二极管的伏安特性和普通二极管相似，死区电 压 为 0.9~1.1V ， 其 正 向 工 作 电 压 为 1.5~2.5V, 工 作 电 流 为5~15mA。反向击穿电压较低，一般小于10V。
正负离子显电性→建立空间电荷区→形成内电场 i
9
内电场
反对多子扩散 i 有利少子漂移
扩散 = 漂移 动平衡
→空间电荷区宽度确定→PN结形成
P PN结 N
－+
－+
-
+
自建电i 场
PN结——空间电荷区
PN结也称为高阻区、耗尽层
10
3.PN结的单向导电性 PN结变窄
⑴ PN结正向导通
现象： 灯亮、
因基区薄且多子浓度低，使极少 数扩散到基区的电子与空穴复合
基区空穴 的扩散
因发射区多子浓度高使大量 电子从发射区扩散到基区
扩散运动形成发射极电流IE，复合运动（主要部分） 形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。
34
3.晶体管的电流分配关系
IB
mA
+
A
－
+
T
－
IC RC EC
RB
mA IE
EB 共发射极放大实验电路
使用二极管，ID
I DM、U D
U
。
RM
18
四、 二极管的应用
理想二极管的开关特性
正向导通 + -
UD 0
反向截止 - +
ID 0
UD 0 ID 0
开关闭合 开关断开
19
四、 二极管的应用
1.限幅电路 限幅器的功能就是限制输出电压的幅度
例
电路如图。已知 ui = 10sinωt（V），且E = 5V， 试分析工作原理，并作出输出电压uo的波形。
IC 2.08 52， IC 3.17 52.8
IB 0.04
IB 0.06
③ΔIC、ΔIE>>ΔIB ， Δ IC与Δ IB之比称为
交流(动态)电流放大倍数
IC IC4 IC3 3.17 2.08 1.09 54.5 IB IB4 IB3 0.06 0.04 0.02
U反 UBR 时，I反急剧增加，二极管反向 击穿
16
⑶ 温度对二极管的影响
① 温度升高二极管
正向压降减小 UBR
温度↑→载流子↑→
→导电能力↑→等效电阻↓→
→正向压降UD ↓
75C
I 20C
ID
Uo D UD U
②温度升高二极管反向电流增大
温度↑→少数载流子↑→反向电流↑ 温度每升高10°C。反向电流增大一倍。
26
2、光电二极管
（1）符号和特性 暗电流
i
O
E = 200 lx
工作条件： 反向偏置
u
符号
（2）主要参数
E = 400 lx 特性
电学参数：
暗电流，光电流，最高反向工作电压
光学参数：
光谱范围，灵敏度，峰值波长
实物照片
27
3、发光二极管 发光二极管是一种将电能转
+-
换成光能的显示器件。
符号
当管子接正向电压,有电流通过时,会发出光线。不
晶体管电流测试数据
IB (mA) 0
0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
IC (mA) 0.005 0.99
2.08
3.17
4.26
5.40
IE (mA) 0.005 1.01
2.12 3.23 4.34 5.50
35
结论：
①IE=IC+IB（KCL定律） ②IC、IE>>IB ，IC与IB之比称为直流(静态)电流放大系数
① 稳定电压 UZ 稳压管的稳压值
3
晶体二极管
▪ 一、半导体的导电特性
1. 概念 ⑴半导体 导电能力介乎于导体和绝缘体之间。
如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。
⑵影响半导体导电能力的因素
温度↑→导电能力↑ 如：热敏元件
光照↑→导电能力↑ 如：光敏元件
掺杂↑→导电能力 如：P型、N型半导体。
解：图(a)
ui
⑴ ui ＜E， D 截止，uR= 0， ui
∴输出uo ~ ui
10V 5V
⑵ ui ＞E， D 导通，uD= 0， o
∴输出uo = E
uo
5V
电路为正限幅电路
o
R E
（a）
D uo ωt ωt
（b）
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2. 二极管整流作用
例
图示两个电路。已知 ui = 10sinωt（V），
有源电子元器件的名称、分类、形状、用途
▪ 一、有源（active）电子元器件的定义 • 如果电子元器件工作时，其内部有电源存在， 则这种器件叫做有源器件。 • 从电路性质上看，有源器件有两个基本特点： （1） 自身消耗电能。 （2） 除了输入信号外，还必须要有外加 电源才可以正常工作。
1
有源电子元器件的名称、分类、形状、用途
载流子形成很小的反向电流。
结论：
PN结反 向截止，反向电流小、反向电阻大。
I反 0 R反
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三、半导体二极管
1. 基本结构及符号
阳极 阳极 阳极
阳极
D
阴极 阴极 阴极
阴极
符 号 点接触型 面接触型
外形
点接触型：结面小、结电容小，适用高频小电流场合。 如：检波电路、数字开关电路
面接触型：结面大、结电容大，用在低频电路 如：整流电路
复合使自由电子和空穴成对减少
在一定温度下，热激发和复合处于动平衡状态。
半导体中的载流子数目一定。
6
3.杂质半导体 ⑴ N型半导体（电子半导体）
本征半导体中掺入微量的五价元素磷
多数载流子——自由电子 特点： 少数载流子——空穴
磷P 15
2-8-5
p 多余电子
示意图
si
si
++ ++ ++ ++
P+
si
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半导体二极管图片
14
半导体二极管图片
15
2. 伏安特性
⑴ 正向特性 0.1V（锗管）
死区电压 = 0.5V（硅管） UBR 导通后管压降：
I +U
o UD
0.2~0.3V （锗管） UD = 0.6~0.7V （硅管）
- + 死区
⑵ 反向特性
UBR —— 反向击穿电压
U 反 UBR 时，I反 0，二极管反向截止
试画出输出电压uo的波形。
ui
10V
ui
R
D
uo ui D R
uo o
ω t
解： （a）
（b）
ui
⑴ 图(a) ui ＞0， D 导通，uo= 0， o
ω t
ui ＜0， D 截止，uo ~ ui
-10V
⑵
图(b)
ui
＞0，
D导通，uo
=
ui
，
10V
ui
ui ＜0， D截止，uo= 0
ω
o
21 t
3. 二极管的钳位和隔离应用
N 型半导体
硅晶体中掺磷出现自由电子
7
⑵ P型半导体（空穴半导体） 硼 B
本征半导体中掺入微量的三价元素硼 5
B
多数载流子——空穴
2-3
特点： 少数载流子——自由电子
示意图
空穴
si
si
－－ － －
－－ － －
B-
si
P型半导体
硅晶体中掺硼出现空穴
多数载流子数目由掺杂浓度确定 结论： 少数载流子数目与温度有关. 温度↑→少子↑
8
二、PN结
PN结
1. PN结
P
N
同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导 体，在它们的交界面处形成的特殊区域。
P
N
2. PN结的形成 － － － － + + + +
P区和N区的载
－－ － － + + + +
流子浓度不同
- 自建电i 场 +
N区 电子 P区
由载流子的浓度差→多子扩散 P区 空穴 N区
T
UBE － E
－C
P
+
B－ N P
+E
－C
UBC
B
+ －
T
UBE + E
PNP型为：UBE 0,UBC 0 或 UE UB UC
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（2）放大原理（NPN型）
放大的条件uBE uCB
U
（发射结正偏）
on
0，即uCE uB（E 集电结反偏）
少数载 流子的 运动
因集电区面积大，在外电场作用下大 部分扩散到基区的电子漂移到集电区
IC IB；IE （1 ）IB
1；I E
I
；
C
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二 、 晶体三极管特性曲线及主要参数
IB
mA
A
UCE
IC EC
RB
V1 UBE
V2
EB
实验线路
输入回路→输入特性 IB = f（UBE ）| UCE
+12V
① 分析 UA
UB
UF
0V
0V
0V
0V
3V
0V
D1 R
A
F
D2
B
规定
3V
0V
0V
3V
3V
3V
高电平3V→逻辑“1”
低电平0V→逻辑“0”
② 真值表
③逻辑表达式 ④逻辑符号
A
B
F
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
1
1
F=A•B
A
＆
F
B
23
⑵ 二极管或门
A D1
F
B D2 R
-12V
② 真值表
A
B
F
0
0
00+源自P - +N -I E
i o
+
mA
-
电流大（mA级）
原因：
o i ，使PN结变窄，由多数载流子
形成较大的正向电流。
结论：
PN结正向导通，正向电流大、正向电阻小。
11
⑵ PN结反向截止
PN结变宽
现象：
灯不亮、 电流很小（μA级）
- P - +N +
E
I反 0
i o
-
μA
+
原因：
o 、 i方向一致，使PN结变宽，由少数
例 电路中，输入端 UA=+3V ， UB= 0V ，
试求输出端F的电位UF 。
+3V DA
解：DA 、DB，为理想二极管
A
UA > UB， DA先导通，
B 0V DB
R F DA起钳位作用，使UF=3V。 UB ＜ UF ，DB截止， 将
-12V
UB与UF隔离
22
4. 二极管门电路
⑴ 二极管与门
28
29
半导体（晶体）三极管（双极型晶体管）
一、 三极管结构及其放大作用
1.结构及类型 集电极
C 集电结 C I
集电极
C CI
C
N
B
B
BP 基极 N
IB
T
I
EE
基极
发射结
E
发射极
NPN型
P
C
B
N
T
P
IB
I
EE
E
发射极 PNP型
30
半导体三极管图片
31
2.晶体管的放大原理
（1）晶体管的电流放大条件
掺杂——纯净的半导体中掺入微量的某些杂质，
会使半导体的导电能力明显改变。
4
⑶ 常用的半导体材料
锗 Ge
硅 Si
32
14
Ge
Si
2-8-18-4
2-8-4
硅和锗为四价元素，最外层有四个价电子
2.本征半导体
纯净的、具有晶体结构的半导体
si
⑴共价键
共价键结构稳定 共价键内的
si
导电能力很弱
价电子对
价电子
最外层 八个电 子的稳 定结构
si
si
5
⑵ 本征激发（热激发）
温度升高、光照增强使价电子
摆脱原子核的束缚 本征激发成对产生
自由电子
si
⑶ 两种载流子 空穴
si
半导体中有自由电子
空
和空穴两种载流子
穴
本征半导体两端外加电压时，将出现两 部分电流，电子流和空穴流。
⑷ 复合 自由电子与空穴相遇
si
si
自 由 电 子
17
3. 主要参数
（1）最大整流电流 IDM
二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向
平均电流。（点接触型<几十mA，面接触型较大）
（2）反向工作峰值电压URM
二极管不被反向击穿时允许承受的最大反向电压。
一般URM是UBR的一半（或三分之二）。
（3）反向峰值电流 IRM
在URM下对应的反向电流。 IRM愈小愈好。
▪ 二、有源（active）电子元器件的分类
• 有源器件是电子电路的主要器件，从物理结构、电路 功能和工程参数上，有源器件可以分为分立器件和集 成电路两大类。
• 分立器件：电子管、晶体管 • 集成电路：模拟集成电路、数字集成电路
2
▪ 分立器件：
• 电子管：电子管又名真空管，所以又称为电真空器件。 • 晶体管：属于半导体器件，导电能力介于导体与绝缘体
①未击穿区（o a段）
I≈0，反向截止
②击穿区（稳压区 a b段）
UZ UZmax UZmin
a IZ
b
I
o IZmin
U
IZmax
特性陡直，电压基本不变，具有稳定电压作用
动态电阻： rZ
③热击穿区（b
U Z 动态电阻愈小稳压效果愈好
点I以Z 下线段）I Z I Z max过热烧坏PN结
25
（3）稳压二极管的参数
1
1
1
0
1
1
1
1
① 分析 UA
UB
UF
0V
0V
0V
0V
3V
3V
3V
0V
3V
3V
3V
3V
规定 高电平3V→逻辑“1” 低电平0V→逻辑“0”
③逻辑表达式 ④逻辑符号
F=A+B
A
≥1
F
B
24
五、 特殊二极管
1、稳压二极管 （1）结构和符号
面接触型硅二极管
（2）伏安特性
+
DZ
-
符号
正向特性与普通硅二极管相同
同半导体材料的二极管发出的光线的颜色不同。
磷 砷 化 镓 （ GaAsP ） 材 料 发 红 光 或 黄 光 ， 磷 化 镓 （GaP）材料发红光或绿光，氮化镓（GaN）材料发 蓝光，碳化硅（SiC）材料发黄光，砷化镓（GaAs） 材料发不可见的红外线。
发光二极管用于信号指示 、数码管显示器。
发光二极管的伏安特性和普通二极管相似，死区电 压 为 0.9~1.1V ， 其 正 向 工 作 电 压 为 1.5~2.5V, 工 作 电 流 为5~15mA。反向击穿电压较低，一般小于10V。
正负离子显电性→建立空间电荷区→形成内电场 i
9
内电场
反对多子扩散 i 有利少子漂移
扩散 = 漂移 动平衡
→空间电荷区宽度确定→PN结形成
P PN结 N
－+
－+
-
+
自建电i 场
PN结——空间电荷区
PN结也称为高阻区、耗尽层
10
3.PN结的单向导电性 PN结变窄
⑴ PN结正向导通
现象： 灯亮、
因基区薄且多子浓度低，使极少 数扩散到基区的电子与空穴复合
基区空穴 的扩散
因发射区多子浓度高使大量 电子从发射区扩散到基区
扩散运动形成发射极电流IE，复合运动（主要部分） 形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。
34
3.晶体管的电流分配关系
IB
mA
+
A
－
+
T
－
IC RC EC
RB
mA IE
EB 共发射极放大实验电路
使用二极管，ID
I DM、U D
U
。
RM
18
四、 二极管的应用
理想二极管的开关特性
正向导通 + -
UD 0
反向截止 - +
ID 0
UD 0 ID 0
开关闭合 开关断开
19
四、 二极管的应用
1.限幅电路 限幅器的功能就是限制输出电压的幅度
例
电路如图。已知 ui = 10sinωt（V），且E = 5V， 试分析工作原理，并作出输出电压uo的波形。
IC 2.08 52， IC 3.17 52.8
IB 0.04
IB 0.06
③ΔIC、ΔIE>>ΔIB ， Δ IC与Δ IB之比称为
交流(动态)电流放大倍数
IC IC4 IC3 3.17 2.08 1.09 54.5 IB IB4 IB3 0.06 0.04 0.02
U反 UBR 时，I反急剧增加，二极管反向 击穿
16
⑶ 温度对二极管的影响
① 温度升高二极管
正向压降减小 UBR
温度↑→载流子↑→
→导电能力↑→等效电阻↓→
→正向压降UD ↓
75C
I 20C
ID
Uo D UD U
②温度升高二极管反向电流增大
温度↑→少数载流子↑→反向电流↑ 温度每升高10°C。反向电流增大一倍。
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2、光电二极管
（1）符号和特性 暗电流
i
O
E = 200 lx
工作条件： 反向偏置
u
符号
（2）主要参数
E = 400 lx 特性
电学参数：
暗电流，光电流，最高反向工作电压
光学参数：
光谱范围，灵敏度，峰值波长
实物照片
27
3、发光二极管 发光二极管是一种将电能转
+-
换成光能的显示器件。
符号
当管子接正向电压,有电流通过时,会发出光线。不
晶体管电流测试数据
IB (mA) 0
0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
IC (mA) 0.005 0.99
2.08
3.17
4.26
5.40
IE (mA) 0.005 1.01
2.12 3.23 4.34 5.50
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结论：
①IE=IC+IB（KCL定律） ②IC、IE>>IB ，IC与IB之比称为直流(静态)电流放大系数
① 稳定电压 UZ 稳压管的稳压值