放大器的CMOS逻辑高压晶体管
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放大器的CMOS逻辑高压晶体管
佚名
【期刊名称】《中国集成电路》
【年(卷),期】2009(18)2
【摘要】富士通微电子（上海）有限公司近日宣布，富士通实验室和富士通株式会社联合开发出一款具有高击穿电压并基于逻辑制程的CMOS高压晶体管，该晶体管适用于无线设备的功率放大器。
作为先进科技的先驱，富士通开发完成了世界上第一代基于45纳米工艺的CMOS晶体管，能够处理10V功率输出，这使得晶体管能够处理用于WiMAX和其它高频应用的功率放大器的高输出要求。
【总页数】2页(P2-3)
【关键词】CMOS晶体管;高压晶体管;功率放大器;逻辑;WiMAX;富士通;击穿电压;株式会社
【正文语种】中文
【中图分类】TN929.5;TN323.2
【相关文献】
1.一种高压摆率低电压CMOS AB类放大器的设计 [J], 胡荣;何尚平;罗小青
2.AMS推出可拓展的高压CMOS晶体管 [J], ;
3.AMS推出可拓展的高压CMOS晶体管 [J], 赵佶;
4.晶体管高频功率放大器和晶体管\r微带功率放大器研究 [J], 杨金富
5.适用于功率放大器的CMOS逻辑高压晶体管 [J],
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