氧化铝陶瓷烧结温度曲线

烧结温度和烧结温度范围的测定

四、实验步骤 1．试样制备：将制备好的泥浆或压滤后的滤饼，经真空练泥机挤制成直径12mm或23mm的试条，放在铺有薄纸的平板上，阴干至发白后，放入烘箱内干燥。然后把试条锯成为¢12mm×30mm或¢23mm×l5 mm的样品，在细砂纸上磨去毛边棱角，并沿轴向磨出一平面，以便堆放。把样品表面刷干净，编号，再放人烘箱内，在105~110℃温度下烘干至恒量，取出放在干燥器内冷却至室温备用。 2．在天平上称取干燥后的试样质量。 3．称取饱吸煤油后在煤油中试样质量，饱吸煤油后在空气中试样质量（试样饱吸煤油的方法同干燥体积体收缩和干燥气孔率测定）。
式中
G0 ——干燥试样在空气中质量，g； G1——干燥试样饱吸煤油后在煤油中质量，g； G2——干燥试样饱吸煤油后在空气中质量，g； G3——烧后试样在空气中质量，g； G4 ——烧后试样饱吸煤油（水）在煤油（水）中质量，g； G5——烧后试样饱吸煤油在空气中质量，g； γ水——水的密度（在室温下），g/ cm3； γ油——煤油的密度（在室温下），g/ cm3； V0——干燥试样体积，cm3； V ——烧后试样体积，cm3。
一、实验目的烧结温度和烧结温度范围是坯料的重要性能之一，它对鉴定坯料在烧成时的安全程度、制定合理的烧成升温曲线以及选择窑炉等均有重要参考价值。为了决定最适宜的烧成制度，必须知道坯料的烧结温度与烧结温度范围这两个重要工艺特性。本实验的目的： 1．掌握烧结温度与烧结温度范围的测定原理和测定方法。 2．了解影响烧结温度与烧结温度范围的复杂因素。 3．明确烧结温度与烧结温度范围对陶瓷生产的实际意义。
4．将称过质量的试样放人105~110℃烘箱内排除煤油，直至将试样中的煤油排完为止。 5．按编号顺序将试样装人高温炉中，装炉时炉底和试样之间撒一层薄薄煅烧石英粉或Al2O3粉，以免在高温时粘连。装好后开始加热，并按升温曲线升温，按预定的取样温度取样。升温速度：室温~1100℃，100～150℃／h； 1100℃~烧成停炉，50~60℃／h。取样温度：300~900℃每隔100℃取样3个； 900~1200℃每隔50℃取样3个； 1200~烧成停火，每隔20~10℃取样3个。

Al2O3陶瓷制品烧结工艺的影响因素探讨

Al2O3陶瓷制品烧结工艺的影响因素探讨作者：周益平来源：《江苏陶瓷》2015年第02期摘要阐述了Al2O3制品的烧结机理，分析了烧成气氛，添加剂对Al2O3制品烧结的影响，探讨理想的升温制度、保温时间。

关键词氧化铝陶瓷制品；烧结机理；影响因素；烧成制度0 前言工业特种陶瓷中， Al2O3制品以其优良的耐酸碱性、耐磨性、耐电性、机械强度高等，在化工磷复肥和有色金属行业以及其他行业得到了广泛的应用。

在氧化铝陶瓷生产过程中，坯体烧结后的制品显微结构及其内在性能会发生根本变化，也很难通过其他途径补救。

所以研究氧化铝陶瓷的烧结工艺，选择合理的烧成制度，确保氧化铝陶瓷制品的性能和产品质量是十分必要的。

本文对烧结机理、影响烧结性能的因素、添加烧结助剂进行了探讨。

1 烧结机理和影响烧结性能的因素1.1烧结机理烧结是坯体由于温度变化发生的物理化学反应，得到了致密、坚硬的陶瓷制品的过程。

其物理化学变化包括坯体中残余拌料水分的排除、物料中化合物结合水和有机物分解的排除、氧化铝同质异晶的晶型转变以及固态物质颗粒间的固相反应等。

固相反应在氧化铝陶瓷的烧结技术中占有重要的位置，它是通过物质质点的迁移扩散作用进行的，随着温度的升高，晶体的热缺陷不断增加，质点的迁移扩散由内扩散形式到外扩散，从而发生反应产生新的物质。

1.2影响Al2O3陶瓷烧结的因素较多，主要表现如下：1.2.1晶体的结构化学键强的化合物（晶体）具有较高的晶格能量，晶格结构牢固，即使在较高温度下，质点的振动迁移也较弱，只有在接近熔点温度时，才会产生显著的物理化学反应。

所以，由这类化合物组成的坯体不易烧结。

而由微细晶体组成的多晶体相比于单晶体而言，由于前者内部晶界面很多，而晶界是缺位缺陷相对集中和易消除的地方，也是原子和离子扩散迁移的快速通道，所以远比后者易于烧结。

1.2.2物料的分散度物料分散度越高，表面能就越高，所以具有促进迁移扩散的强大作用，有利于烧结。

各类氧化物陶瓷烧结体积变化点

各类氧化物陶瓷烧结体积变化点一、概述氧化物陶瓷作为一种重要的结构材料，其烧结性能一直备受关注。

体积变化是认识氧化物陶瓷烧结行为的重要指标之一。

本文将对各类氧化物陶瓷在烧结过程中的体积变化点进行探讨。

二、硅酸盐陶瓷烧结体积变化点1. 石英陶瓷石英陶瓷在烧结过程中，通常在1200°C左右出现大小约0.2的体积收缩。

在1300°C左右会再次出现约0.5的体积收缩。

在1400°C以上，石英陶瓷的体积基本上稳定。

2. 镁铝硅酸盐陶瓷镁铝硅酸盐陶瓷在1000°C左右会出现约1的体积收缩。

在1100°C左右再度出现体积收缩，范围在0.5-1之间。

在1200°C以上，镁铝硅酸盐陶瓷的体积基本上保持稳定。

三、氧化物陶瓷烧结体积变化点1. 氧化铝陶瓷氧化铝陶瓷在1200°C左右会出现0.5-1的体积收缩。

在高温下，氧化铝陶瓷的体积基本上稳定，收缩的幅度不大。

2. 氧化锆陶瓷氧化锆陶瓷在1300°C左右会出现约0.5的体积收缩。

在1400°C以上，氧化锆陶瓷的体积基本上保持稳定。

四、复合氧化物陶瓷烧结体积变化点1. 氧化锆复合氧化钙陶瓷氧化锆复合氧化钙陶瓷在1300°C左右会出现约0.5的体积收缩。

在1400°C以上，氧化锆复合氧化钙陶瓷的体积基本上保持稳定。

2. 氧化锆复合氧化铝陶瓷氧化锆复合氧化铝陶瓷在1300°C左右会出现约1的体积收缩。

在1400°C以上，氧化锆复合氧化铝陶瓷的体积基本上保持稳定。

五、结论在烧结过程中，不同类型的氧化物陶瓷都会出现一定程度的体积收缩。

通过了解各类氧化物陶瓷在烧结过程中的体积变化点，可以更加深入地了解其烧结行为，为优化烧结工艺提供重要依据。

值得注意的是，以上数据仅供参考，实际应用中仍需根据具体情况进行调整。

希望本文对氧化物陶瓷烧结体积变化点的研究能够为相关领域的科研工作提供一定帮助。

氧化锆粉+氧化铝粉的陶瓷烧结温度

氧化锆粉和氧化铝粉是目前制备高性能陶瓷材料中常用的原料，它们具有优良的耐高温、耐腐蚀和机械强度等特性，因此在航空航天、能源、化工等领域有着广泛的应用。

而通过烧结工艺将氧化锆粉和氧化铝粉制成的陶瓷制品，其烧结温度是影响陶瓷制品性能的重要因素之一。

在陶瓷烧结过程中，氧化锆粉和氧化铝粉的烧结温度不仅决定了陶瓷制品的致密度、强度和晶粒尺寸等性能，还直接影响了烧结工艺的成本和效率。

科研工作者和生产厂家一直致力于寻找最佳的氧化锆粉和氧化铝粉的烧结温度，以满足不同工作条件下的需求。

在实际生产中，氧化锆粉和氧化铝粉的烧结温度是根据具体的配方和烧结工艺来确定的，下面我们将结合实验数据，深入探讨氧化锆粉和氧化铝粉的烧结温度。

1. 影响氧化锆粉和氧化铝粉烧结温度的因素在烧结工艺中，氧化锆粉和氧化铝粉的烧结温度受到多种因素的影响。

其中主要包括原料的性质、压制工艺、烧结气氛和烧结时间等因素。

1.1 原料的性质氧化锆粉和氧化铝粉的颗粒大小、形状、晶型和纯度等性质会直接影响其烧结温度。

一般来说，颗粒尺寸较小、形状较规则的氧化锆粉和氧化铝粉在烧结过程中更容易形成致密的结构，从而降低烧结温度。

1.2 压制工艺在烧结工艺中，通过改变氧化锆粉和氧化铝粉的压制工艺，可以调整烧结温度。

一般而言，采用高压制度工艺，如等静压烧结和冷等静压烧结，可以降低烧结温度。

1.3 烧结气氛选择合适的烧结气氛也对氧化锆粉和氧化铝粉的烧结温度有着重要影响。

在还原气氛下进行烧结，可以降低烧结温度，促进烧结过程中氧化物的还原反应，形成致密的结构。

1.4 烧结时间烧结时间对烧结温度也有一定影响。

一般情况下，延长烧结时间可以降低烧结温度，使氧化锆粉和氧化铝粉更充分地发生烧结反应，提高陶瓷制品的致密度和强度。

2. 实验数据分析针对氧化锆粉和氧化铝粉的不同性质和烧结工艺条件，我们进行了大量的实验研究，得到了丰富的实验数据。

通过对这些数据的分析，我们可以将氧化锆粉和氧化铝粉的烧结温度进行初步归纳。

96氧化铝陶瓷烧结温度

氧化铝陶瓷的烧结温度因具体类型和制造工艺的不同而有所差异。

对于Al2O3含量在99.9％以上的高纯型氧化铝陶瓷，其烧结温度可以高达1650℃以上。

然而，适当的提高烧结温度对氧化铝陶瓷的性能有积极的影响。

例如煅烧氧化铝粉末为主要原料，在1500℃、1550℃、1600℃等不同的温度下制备氧化铝陶瓷，结果表明：烧结温度对氧化铝陶瓷的体积收缩率、体积密度、吸水率和气孔率以及抗弯强度和维氏硬度都有显著影响。

值得注意的是，尽管氧化铝的熔点高达2000多度，使得氧化铝陶瓷的烧结温度普遍较高，但降低氧化铝陶瓷的烧结温度以缩短烧结周期、降低能耗、减少窑炉和窑具的损耗并降低生产成本一直是企业关注的重要问题。

为此，研究人员采取了诸如获得分散均匀、无团聚并具有良好烧结活性的超细粉体、添加适量的烧结助剂等途径来降低其烧结温度。

氧化铝陶瓷的微波烧结

《硅灰石、氧化铝、钛酸钙等陶瓷材料制备》实验报告---------------氧化铝陶瓷的微波烧结1、引言1.1氧化铝陶瓷材料的结构、性能及应用背景1.11氧化铝陶瓷材料的结构氧化铝陶瓷是一种以α-Al2O3为主晶相的陶瓷材料，氧化铝含量一般在75~99.9%之间，通常习惯以氧化铝的含量来分类。

氧化铝的含量在75%左右称为“75瓷”，含量在85%左右称作“85瓷”，含量在99%左右称作“99瓷”。

含量在99%以上的称作刚玉瓷或纯刚玉瓷。

氧化铝有α（刚玉型）、β、γ、δ等11种变体，其中主要是α、γ两种晶型，而且只有一种热力学稳定相，即α氧化铝。

而β氧化铝是含碱的铝酸盐(R2O·11Al2O3或RO·6Al2O3)。

它们的结构各不相同。

1.12氧化铝陶瓷材料的性能及应用背景（1）机械强度高：氧化铝烧结后的抗弯强度可达250MPa,热压产品可达500MPa。

氧化铝的成分愈纯，强度愈高。

强度在高温下可维持到900℃。

利用氧化铝陶瓷的这一性质可以制成装置瓷和其他机械构件。

（2）电阻率高，电绝缘性好：氧化铝的常温电阻率约为1015Ω·cm，绝缘强度15Kv/mm，利用其绝缘性和强度可制成各种基板、管座、火花塞和电路外壳等（3）硬度高：莫氏硬度为9，加上优良的抗磨损性，所以广泛地用以制造刀具、磨轮、磨料、拉丝模、挤压模、轴承等。

用A12O3陶瓷刀具加工汽车发动机和飞机零件时，可以以高的切削速度获得高的精度。

（4）熔点高，抗腐蚀：氧化铝的熔点为2050℃，能较好地抵抗一些熔融金属的侵蚀，可用作耐火材料、炉管，热电偶保护套等。

（5）化学稳定性好：许多复合的硫化物、磷化物、砷化物、碘化物、氧化物以及硫酸、盐酸、硝酸、氢氟酸不与A12O3作用。

因此A12O3可制备人体关节、人工骨等生物陶瓷材料。

（6）光学特性：氧化铝陶瓷可以制成用于高压纳灯的透明陶瓷灯管。

透明氧化铝陶瓷的熔点高达2050℃，能在1600℃的环境里不受钠蒸气的腐蚀，而且可以通过95％的光线。

【精品文章】氧化铝陶瓷的低温烧结技术简介

氧化铝陶瓷的低温烧结技术简介
一、氧化铝陶瓷简介
氧化铝陶瓷材料。

具有机械强度高、硬度大、高频介电损耗小、高温绝缘电阻高、耐化学腐蚀性和导热性良好等优良综合技术性能。

同时其生产原料来源广、价格相对便宜、加工制造技术较为成熟等优势，故已被广泛应用于电子、电器、机械、化工、纺织、汽车、冶金和航空航天等行业，成为目前世界上用量最大的氧化物陶瓷材料。

氧化铝陶瓷是一种以α氧化铝为主晶相的陶瓷材料，氧化铝含量一般在75~99.9%之间，通常习惯以氧化铝的含量来分类。

氧化铝的含量在75%左右称为“75瓷”，含量在85%左右称作“85瓷”，含量在99%左右称作“99瓷”。

含量在99%以上的称作刚玉瓷或纯刚玉瓷。

99瓷氧化铝瓷材料主要用于制作高温坩埚、耐火炉管及特殊耐磨材料，如陶瓷轴承、陶瓷密封件及水阀片等；95氧化铝瓷主要用作耐腐蚀、耐磨部件；85瓷中由于常掺入部分滑石，提高了电性能与机械强度，可与钼、铌、钽等金属封接，有的用作电真空装置器件。

氧化铝有α（刚玉型）、β、γ、δ等11种变体，其中主要是α、γ两种晶型，而且只有一种热力学稳定相，即α氧化铝。

而β氧化铝是含碱的铝酸盐(R2O·11Al2O3或RO·6Al2O3)。

它们的结构各不相同。

氧化铝陶瓷
二、氧化铝陶瓷低温烧结技术
由于氧化铝熔点高达2050℃，导致氧化铝陶瓷的烧结温度普遍较高（参见表一中标准烧结温度），从而使得氧化铝陶瓷的制造需要使用高温发热体。

氧化铝陶瓷低温常压烧结

氧化铝陶瓷低温常压烧结张全贺051002131摘要：氧化铝陶瓷材料以其优良的性能及较低的制造成本，被广泛应用于国民经济各部门。

随着科学技术的发展，特别是电子、能源、空间技术、汽车工业的发展，对材料的要求越来越苛刻，因此对高纯氧化铝陶瓷尤其是更高纯度的高性能氧化铝陶瓷需求量大为增加。

本课题围绕制各A1203含量>99．8wt％的高纯氧化铝陶瓷进行研究，通过原科粉体预处理工艺、烧结助剂添加工艺、成型优化工艺，从而实现常压下低温烧结高纯高致密氧化铝陶瓷。

本课题中获得的低温烧结试样具有较好的显微结构和较高的机械性能。

原料粉预处理工艺是一种新的氧化铝粉体解团聚方法，具有工艺简单、成本消耗低、粉体处理效果显著的特点，对于粉体解团聚处理工艺的技术进步有一定的促进意义。

在烧结助剂的研究中，本课题MgO为基本考察助剂，Y203、La203、Nd20s、纳米A1203为复合添加助剂，通过相关的选择实验，研究了以上烧结助剂在14500C、1550。

(2、16500C对～203含I>99．8wt％的商纯氧化铝陶瓷的烧结体密度的作用规律。

这一研究的结果，为高纯氧化铝陶瓷的制各提供重要参考数据。

通过高纯超细氧化铝粉料的凝胶浇注成型工艺的研究，优化高纯超细氧化铝粉体的凝胶浇注成型参数，获得了高质量的凝胶浇注成型试样。

以获得的生坯为研究对象，通过对真空烧结工艺参数的分析和工艺试验，在150012温度下，实现了高纯氧化铝陶瓷的低温致密烧结；获得的高纯高致密氧化铝陶瓷密度可达3．979／cm3；烧结体平均晶粒尺寸3～4um；抗弯强度(三点)可达500MPa以上；表面显微硬度可达18．5GPa以上。

关键词：氧化铝陶瓷预处理凝胶成型低温烧结纯1 引言氧化铝陶瓷是指以高纯AI2O3粉末为主要原料，经各种陶瓷工艺制成的晶相晶粒尺寸小于6um并以刚玉为主晶相的氧化铝陶瓷材料，其具有高熔点、高硬度机械性能好、耐蚀、绝缘等优良特性刚玉是自然界中的一种极硬材料，莫氏硬度为9，仅次干金刚石。

氧化铝烧结温度

氧化铝烧结温度
氧化铝陶瓷以其优异的性能被广泛应用在电子电器、机械、化工、冶金和航空航天等行业，成为目前世界上用量最大的特种陶瓷材料之一。

但是由于氧化铝自身阳离子电荷多、半径小、离子键强等特点，导致其晶格能较大，扩散系数较低。

烧结工艺的介绍：
1、热压烧结：高温下对样品施加单向压力，促进陶瓷达到全致密。

对于纯氧化铝陶瓷，常规烧结需要1800℃以上的温度；而20MPa的热压烧结只需要1500℃。

2、热等静压烧结：对陶瓷坯体的各个方向同时施加压力的烧结，降低陶瓷的烧结温度，同时烧结得到的陶瓷结构均匀、性能好。

3、微波加热法烧结：利用微波与陶瓷间的相互作用，因为介电作用使陶瓷内部和表面同时烧结。

4、微波等离子体烧结：与常规烧结相比，在相同的条件下能够降低烧结温度200℃，并且烧结速度快、晶粒尺寸小、机械强度高。

5、放电等离子烧结：利用脉冲能、脉冲压力产生的瞬间高温场来实现陶瓷内部晶粒的自发发热从而使晶粒活化，由于这种烧结方法升温、降温快、保温时间短，抑制了晶粒的生长、缩短了陶瓷的制备周期、节约了能源。

氧化铝陶瓷的烧结..

氧化铝陶瓷的烧结摘要：随着科学技术与制造技术日新月异的发展，氧化铝陶瓷在现代工业中得到了深入的发展和广泛的应用。

本文就氧化铝陶瓷的烧结展开论述。

主要涉及原料颗粒和烧结助剂两方面，以获得性能良好的陶瓷材料，对满足工业生产和社会需求有非常重要的意义。

关键词：氧化铝；原料颗粒；烧结助剂；1 引言在科学技术和物质文明高度发达的现代社会中，人类赖以制成各种工业产品的材料实在千差万别，但总体包括起来，无非金属、有机物及陶瓷三大类[1]。

氧化铝陶瓷是目前世界上生产量最大、应用面最广的陶瓷材料之一，具有机械强度高、电阻率高、电绝缘性好、硬度和熔点高、抗腐蚀性好、化学稳定性优良等性能，而且在一定条件下具有良好的光学性和离子导电性。

基于Al2O3陶瓷的一系列优良性能，其广泛应用于机械、电子电力、化工、医学、建筑以及其它的高科技领域[2]。

在氧化铝陶瓷的生产过程中, 无论是原料制备、成型、烧结还是冷加工, 每个环节都是不容忽视的。

目前氧化铝陶瓷制备主要采用烧结工艺[3]，坯体烧结后，制品的显微结构及其内在性能发生了根本的改变,很难通过其它办法进行补救。

因此，深入研究氧化铝陶瓷的烧结技术及影响因素，合理选择理想的烧结制度确保产品的性能、分析烧结机理、研究添加剂工作机理等对氧化铝陶瓷生产极有帮助，为氧化铝陶瓷的更广泛应用提供理论依据，为服务生产和社会需要非常重要。

2 氧化铝陶瓷简介Al2O3是新型陶瓷制品中使用最为广泛的原料之一，具有一系列优良的性能[4]。

Al2O3陶瓷通常以配料或瓷体中的Al2O3的含量来分类，目前分为高纯型与普通型两种。

高纯型氧化铝陶瓷系Al2O3含量在99.9%以上的陶瓷材料。

由于其烧结温度高达1650℃~1990℃，透射波长为1μm~6μm，一般制成熔融玻璃以取代铂坩埚，利用其透光性及可耐碱金属腐蚀性用作钠灯管；在电子工业中可用作集成电路基板与高频绝缘材料。

普通型氧化铝陶瓷系Al2O3按含量不同分为99瓷、95瓷、90瓷、85瓷等品种，有时Al2O3含量在80%或75%者也划为普通氧化铝陶瓷系列。

烧结助剂对氧化铝陶瓷低温烧结的影响

烧结助剂对氧化铝陶瓷低温烧结的影响吴懋亮;孙翰霆;刘中俊;蔡杰【摘要】氧化铝(Al2O3)陶瓷烧结温度较高,通过添加烧结助剂可以实现Al2O3陶瓷的低温烧结.对比分析了不同含量的CuO-TiO2和MnO2-TiO2-MgO复合烧结助剂在不同的烧结温度下对Al2O3烧结性能的影响,得到了烧结助剂含量和烧结温度对Al2O3陶瓷体积收缩率、体积密度以及内部显微结构的影响规律.实验分析表明,在1 350℃的烧结温度下,添加4％(质量分数)CuO-TiO2和MnO2-TiO2-MgO 的烧结助剂,Al2O3陶瓷分别能获得高达3.67 g/mm3和3.76 g/mm3的体积密度,并且在扫描电子显微镜下观察到良好的显微结构.【期刊名称】《上海电力学院学报》【年(卷),期】2019(035)001【总页数】5页(P11-15)【关键词】氧化铝陶瓷;低温烧结;烧结助剂【作者】吴懋亮;孙翰霆;刘中俊;蔡杰【作者单位】上海电力学院能源与机械工程学院,上海200090;上海电力学院能源与机械工程学院,上海200090;上海电力学院能源与机械工程学院,上海200090;上海电力学院能源与机械工程学院,上海200090【正文语种】中文【中图分类】TQ174.75氧化铝(Al2O3)陶瓷材料不仅具有高强度、高硬度、耐高温等优秀的力学性能,而且还具备良好的化学稳定性,在航天、航空、汽车、生物等行业具有广泛的应用前景[1-2]。

但是Al2O3陶瓷熔点高,烧结温度一般在1 800 ℃以上。

高的烧结温度,不仅要消耗大量能源,而且烧结成的陶瓷制件结构上会存在很多缺陷,使用性能会大大降低。

因此,在保证Al2O3陶瓷优良品质的前提下,有效降低Al2O3陶瓷的烧结温度具有十分重要的意义。

添加烧结助剂是降低Al2O3陶瓷烧结温度、调控显微结构的主要方法。

胡继林等人[3]以MnO2-TiO2-CaO-La2O3为烧结助剂,在1 450 ℃下就获得了抗弯强度为357.12 MPa,洛氏硬度值为78.0,体积密度高达3.78 g/mm3的Al2O3陶瓷。

氧化铝陶瓷烧结温度及时间

氧化铝陶瓷烧结温度及时间1. 烧结的基本概念说到烧结，咱们可以把它想象成一个大厨在烹饪美食，得把各种材料混合得当，火候掌握好，才能做出美味的佳肴。

对于氧化铝陶瓷来说，烧结就是把氧化铝粉末经过高温加热，促使它们之间发生化学反应，最终形成坚硬、耐磨的陶瓷材料。

想象一下，你把一堆沙子放进烤箱，经过高温处理后，居然变成了坚硬的石头，这就是烧结的魔力！不过，烧结可不是随随便便就能搞定的，它对温度和时间可有着严格的要求。

1.1 烧结温度的重要性先说温度，这玩意儿可谓是烧结过程中的灵魂。

一般来说，氧化铝陶瓷的烧结温度通常在1500°C到1700°C之间。

哇，这可真是个高温啊！不过，要是温度过低，材料的密实度就会下降，像是刚出炉的面包发酵不够，软绵绵的没法吃；而温度过高，材料又可能会变形，成了一个四不像，既不像陶瓷，也不像什么其他的东西。

温度调得不好，结果就像打麻将，三缺一，心里急得不得了。

1.2 烧结时间的巧妙把控再说说时间，这也是个关键因素。

烧结时间通常在几小时到十几个小时不等，具体得看材料的种类和烧结温度。

时间太短，材料就像没熟的鸡蛋，心里不踏实；时间太长，又可能导致材料晶粒粗大，强度下降，变得脆弱得跟薄纸一样。

因此，掌握好这个时间，就像在跳舞，要把握住节奏，才能翩翩起舞，不至于踩到自己的脚。

2. 烧结过程中的注意事项当然，烧结可不仅仅是调温和把时间抓紧，过程中还有许多小细节要注意，就像做菜时那些“秘密调料”。

2.1 材料的选择首先，原材料的选择是个大问题。

氧化铝陶瓷的质量直接和原材料息息相关，选个劣质的材料，就像用廉价的调料，做出来的菜味道差得要命。

一般来说，优质的氧化铝粉末颗粒均匀、纯度高，这样烧结出来的陶瓷才会更结实、更耐磨。

说到底，选好材料，后面的事儿就简单多了，真是一步到位，事半功倍。

2.2 气氛的控制再者，烧结气氛也是不能忽视的。

一般来说，烧结可以在氧气、氮气或者真空环境下进行，不同的气氛会影响最终产品的性能。

氧化铝陶瓷的微波烧结

《硅灰石、氧化铝、钛酸钙等陶瓷材料制备》实验报告---------------氧化铝陶瓷的微波烧结1、引言1.1氧化铝陶瓷材料的结构、性能及应用背景1.11氧化铝陶瓷材料的结构氧化铝陶瓷是一种以α-Al2O3为主晶相的陶瓷材料，氧化铝含量一般在75~99.9%之间，通常习惯以氧化铝的含量来分类。

氧化铝的含量在75%左右称为“75瓷”，含量在85%左右称作“85瓷”，含量在99%左右称作“99瓷”。

含量在99%以上的称作刚玉瓷或纯刚玉瓷。

氧化铝有α（刚玉型）、β、γ、δ等11种变体，其中主要是α、γ两种晶型，而且只有一种热力学稳定相，即α氧化铝。

而β氧化铝是含碱的铝酸盐(R2O·11Al2O3或RO·6Al2O3)。

它们的结构各不相同。

1.12氧化铝陶瓷材料的性能及应用背景（1）机械强度高：氧化铝烧结后的抗弯强度可达250MPa,热压产品可达500MPa。

氧化铝的成分愈纯，强度愈高。

强度在高温下可维持到900℃。

利用氧化铝陶瓷的这一性质可以制成装置瓷和其他机械构件。

（2）电阻率高，电绝缘性好：氧化铝的常温电阻率约为1015Ω·cm，绝缘强度15Kv/mm，利用其绝缘性和强度可制成各种基板、管座、火花塞和电路外壳等（3）硬度高：莫氏硬度为9，加上优良的抗磨损性，所以广泛地用以制造刀具、磨轮、磨料、拉丝模、挤压模、轴承等。

用A12O3陶瓷刀具加工汽车发动机和飞机零件时，可以以高的切削速度获得高的精度。

（4）熔点高，抗腐蚀：氧化铝的熔点为2050℃，能较好地抵抗一些熔融金属的侵蚀，可用作耐火材料、炉管，热电偶保护套等。

（5）化学稳定性好：许多复合的硫化物、磷化物、砷化物、碘化物、氧化物以及硫酸、盐酸、硝酸、氢氟酸不与A12O3作用。

因此A12O3可制备人体关节、人工骨等生物陶瓷材料。

（6）光学特性：氧化铝陶瓷可以制成用于高压纳灯的透明陶瓷灯管。

透明氧化铝陶瓷的熔点高达2050℃，能在1600℃的环境里不受钠蒸气的腐蚀，而且可以通过95％的光线。

氧化铝陶瓷的低温烧结技术

氧化铝陶瓷的低温烧结技术氧化铝陶瓷是一种以Ａｌ２Ｏ３为主要原料，以刚玉（α—Ａｌ２Ｏ３）为主晶相的陶瓷材料。

因其具有机械强度高、硬度大、高频介电损耗小、高温绝缘电阻高、耐化学腐蚀性和导热性良好等优良综合技术性能，以及原料来源广、价格相对便宜、加工制造技术较为成熟等优势，氧化铝陶瓷已被广泛应用于电子、电器、机械、化工、纺织、汽车、冶金和航空航天等行业，成为目前世界上用量最大的氧化物陶瓷材料。

然而，由于氧化铝熔点高达２０５０℃，导致氧化铝陶瓷的烧结温度普遍较高（参见表一中标准烧结温度），从而使得氧化铝陶瓷的制造需要使用高温发热体或高质量的燃料以及高级耐火材料作窑炉和窑具，这在一定程度上限制了它的生产和更广泛的应用。

因此，降低氧化铝陶瓷的烧结温度，降低能耗，缩短烧成周期，减少窑炉和窑具损耗，从而降低生产成本，一直是企业所关心和急需解决的重要课题。

目前，对氧化铝陶瓷低温烧结技术的研究工作已很广泛和深入，从７５瓷到９９瓷都有系统的研究，业已取得显著成效。

表一是已实现的各类氧化铝陶瓷低温烧结情况。

表中低温烧结氧化铝陶瓷的各项机电性能均达到了相应瓷种的国家标准，甚至中铝瓷在某些技术标准上超过高铝瓷的国标，如中科院上海硅酸盐研究所研制的１３６０℃烧成的８５瓷，其抗弯强度超过９９％Ａｌ２Ｏ３陶瓷的国标，各项电性能都优于９５％Ａｌ２Ｏ３瓷的国标；Ａｌ２Ｏ３含量分别为９０％和９５％的低温烧结陶瓷，其机电性能都优于９５瓷及９９瓷的国标。

纵观当前各种氧化铝瓷的低温烧结技术，归纳起来，主要是从原料加工、配方设计和烧成工艺等三方面来采取措施，下面分别加以概述。

一、通过提高Ａｌ２Ｏ３粉体的细度与活性降低瓷体烧结温度。

与块状物相比，粉体具有很大的比表面积，这是外界对粉体做功的结果。

利用机械作用或化学作用来制备粉体时所消耗的机械能或化学能，部分将作为表面能而贮存在粉体中，此外，在粉体的制备过程中，又会引起粉粒表面及其内部出现各种晶格缺陷，使晶格活化。

氧化铝陶瓷干压坯体烧结探讨

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求在3-5μm，颗粒变细则会出现蜡浆流动性变差，脱蜡时流蜡等现象。而氧化铝陶瓷
的成瓷温度与原料氧化铝粉体的细度有关，粉体越细，成瓷温度越低；粉体越粗，成
瓷温度越高[4]。陶瓷原料越细，不仅会降低成瓷温度，还会大幅度提高陶瓷的各种机
电性能。热压铸使用粉体细度3-5μm，所以成瓷温度偏高，陶瓷品质的提高受到了限
需要指出的是图1所示造粒粉TG/DTA曲线中水份、有机物的汽化主要发生在400℃之前，此测试粉量只有，并以自由粉粒状态进行。而干压坯体则是少则数克，多则数千克，并经高压压制成具有—3密度的各种形状的致密体。此例中的防弹片坯体密度为2.3 g/cm3。坯体中的水份、有机物的汽化受到了致密的坯体的封闭，气体的排出变得非常困难。一般情况下，水份、有机物汽化要非常缓慢的进行，并要延迟至700-800℃之后才可以完全结束。如果此间升温过快，坯体内部汽化速度加快，由于气体排出不畅，会短时间出现坯内高气压，从而胀破坯体，即坯体开裂。
应高度关注干压坯体中水分和有机物的排除过程
造粒粉中水份和有机物的迅速汽化应该是干压坯体烧结出现各种问题的主要原因。造粒粉中所含水份和有机物总量较少，虽然不需要像热压铸坯件一样需要专门的脱蜡工艺过程，但是必须在烧结之前有一个彻底排除的过程。这个过程不是独立的，而是在烧成的初始阶段完成的。如何把握好这个阶段的烧成制度避免种种由此引起的问题的发生成了干压坯体成功烧成的关键。
多。同时瓷的品质性能达到了质的提升。
• 部分由于对干压坯体的烧结特性缺乏认识，部分由于长期形成的热压铸高温烧结的习惯，部分由于产品和窑炉条件的限制，现在江浙一带我们经常接到用户由于过烧使瓷的性能指标出现波动的报告。我们的建议是在条件具备的情况下，干压坯件要单独窑炉烧成。这样可以制定更加合适的烧成制度。在陶瓷品质提升的同时，生产线的高温窑炉降低50℃甚至更多时运行，会显著延长钵具窑炉寿命。特别是能耗会降低30—40%，有良好的经济效益和环境效益。在高度重视节能降耗的今天，这点尤为重要，尤其值得提倡。

氧化铝陶瓷干压坯体的烧结探讨.ppt

• 瓷件开裂 • 陶瓷机械性能下降 • 瓷件阴斑
1.干压坯体烧结的特殊性
• 干压坯体与热压铸坯体最重要的区别是：干压坯体含水分、有机物1.5%-4% 而热压铸坯体不含水分和有机物
造粒粉的TG/DTA曲线
含有水份和有机物的干压坯体与不含水
份和有机物的热压铸坯体有什么不同的烧结
行为？图1为氧化铝陶瓷造粒粉在烧结的低温区 900℃之前的TG/DTA曲线。DTA（差热）曲线
今年初，某新建陶瓷企业出现了严重的瓷件阴斑情况。窑炉为推板窑。肉眼观察到窑炉内灰蒙蒙，看不见光亮的烧成带。后加大烟囱抽力，在烟道上加风扇抽风，炉内逐渐变得清亮。可以看到坯体释放的烟气顺利地被烟囱抽出。瓷件阴斑逐渐变轻，大部分瓷件阴斑消失。说明加大通风不仅保证了窑炉内完全的氧化气氛，防止有机物碳化，同时将烟气排出，防止烟气中的有机物质的分解物、化合物在瓷件表面的沉淀。
前言
目前，陶瓷干压工艺发展出现突飞猛进局面，其推力在于：
• • • • • 热压铸工艺脱蜡过程空气污染被限制热压铸工艺工序繁杂，用工多，招工难原料造干压成本相对降低，甚至还低于热压铸工艺
原来习惯于热压铸工艺的人们对干压工艺特点缺乏足够的了解，以至于出现了种种问题：
的气体必须顺利抽出，防止其在瓷件内和表面沉淀、碳化造成瓷件阴
斑。所以要加强通风，保持窑内完全的氧化气氛。
4.烧成曲线的建议
• • 对表5作如下说明： ①300℃以前主要是水份蒸发峰值期； 750℃以前有有机物分解、挥发的峰值期；缓慢升温，可防止坯内分解气体形成的高气压使坯体开裂。750℃以后可提高升温速度，但要根据坯件大小，考虑坯体内部的温度梯度和热传导速率，而采用不同的升温速度。温度在坯体内分布越均匀一致，其各部收缩才会一致。收缩不一致时，会引起瓷件开裂或变形。 1200℃以后是成瓷收缩期，对于较大坯件或易变形坯体更应放慢升温速度。 ②冷坯件不可以快速推进或直接装入大于70℃的热炉中。 ③产品形状不同，炉况不同，烧成制度也应不同。提供参数仅作参考。 ④本公司99瓷烧结温度≤1630℃；95瓷烧结温度≤1600℃。

氧化铝陶瓷的烧结

氧化铝陶瓷的烧结摘要：随着科学技术与制造技术日新月异的发展，氧化铝陶瓷在现代工业中得到了深入的发展和广泛的应用。

本文就氧化铝陶瓷的烧结展开论述。

主要涉及原料颗粒和烧结助剂两方面，以获得性能良好的陶瓷材料，对满足工业生产和社会需求有非常重要的意义。

关键词：氧化铝；原料颗粒；烧结助剂；1 引言在科学技术和物质文明高度发达的现代社会中，人类赖以制成各种工业产品的材料实在千差万别，但总体包括起来，无非金属、有机物及陶瓷三大类[1]。

氧化铝陶瓷是目前世界上生产量最大、应用面最广的陶瓷材料之一，具有机械强度高、电阻率高、电绝缘性好、硬度和熔点高、抗腐蚀性好、化学稳定性优良等性能，而且在一定条件下具有良好的光学性和离子导电性。

基于Al2O3陶瓷的一系列优良性能，其广泛应用于机械、电子电力、化工、医学、建筑以及其它的高科技领域[2]。

在氧化铝陶瓷的生产过程中, 无论是原料制备、成型、烧结还是冷加工, 每个环节都是不容忽视的。

目前氧化铝陶瓷制备主要采用烧结工艺[3]，坯体烧结后，制品的显微结构及其内在性能发生了根本的改变,很难通过其它办法进行补救。

因此，深入研究氧化铝陶瓷的烧结技术及影响因素，合理选择理想的烧结制度确保产品的性能、分析烧结机理、研究添加剂工作机理等对氧化铝陶瓷生产极有帮助，为氧化铝陶瓷的更广泛应用提供理论依据，为服务生产和社会需要非常重要。

2 氧化铝陶瓷简介Al2O3是新型陶瓷制品中使用最为广泛的原料之一，具有一系列优良的性能[4]。

Al2O3陶瓷通常以配料或瓷体中的Al2O3的含量来分类，目前分为高纯型与普通型两种。

高纯型氧化铝陶瓷系Al2O3含量在99.9%以上的陶瓷材料。

由于其烧结温度高达1650℃~1990℃，透射波长为1μm~6μm，一般制成熔融玻璃以取代铂坩埚，利用其透光性及可耐碱金属腐蚀性用作钠灯管；在电子工业中可用作集成电路基板与高频绝缘材料。

普通型氧化铝陶瓷系Al2O3按含量不同分为99瓷、95瓷、90瓷、85瓷等品种，有时Al2O3含量在80%或75%者也划为普通氧化铝陶瓷系列。

AlN陶瓷基片烧结曲线的研究与优化

doi：10.3969/j.issn.1007-7545.2018.07.015AlN陶瓷基片烧结曲线的研究与优化吕帅帅1，倪威1，倪红军1，马立斌2，陶建兵2，康文秀2(1.南通大学机械工程学院，江苏南通226019；2.莱鼎电子材料科技有限公司，江苏南通226600)摘要：研究了AlN陶瓷基片烧结曲线中液相烧结升温速率、保温时间、烧结温度对基片性能的影响。

测定不同液相烧结升温速率下试样的翘曲度，确定最佳升温速率范围为0.2~0.5 ℃/min；同时，根据不同保温时间下试样密度的变化优选保温时间为5 h，并协调出最高烧结温度为1 830 ℃。

通过对比烧结曲线优化前后AlN陶瓷基片主要性能及组织结构，结果表明烧结曲线优化后效果明显。

关键词：AlN陶瓷基片；液相烧结；保温时间；烧结温度；烧结曲线中图分类号：TB34 文献标志码：A 文章编号：1007-7545（2018）07-0000-00Research and Optimization of Sintering Curves for AlN Ceramic SubstratesLÜ Shuai-shuai1, NI Wei1, NI Hong-jun1, MA Li-bin2, TAO Jian-bing2, KANG Wen-xiu2(1. School of Mechanical Engineering, Nantong University, Nantong 226019, Jiangsu, China;2. Laiding Electronic Materials Technology Co., Ltd, Nantong 226600, Jiangsu, China)Abstract：Effects of heating rate, holding time, and sintering temperature of liquid phase sintering on properties of AlN ceramic substrate were studied. Warpage degree of samples at different heating rates of liquid phase sintering was measured to determine the optimum heating rate range of 0.2~0.5 ℃/min. The optimum holding time is 5 h and the maximum sintering temperature is 1 830 ℃ according to change of sample density with different holding time. The sintering curve after optimization has greater effect by comparing performance and microstructure of AlN ceramic substrate before and after optimization.Key words：AlN ceramic substrate; liquid phase sintering; holding time; sintering temperature; sintering curveAlN属于共价键化合物，是一种综合性能十分优越的陶瓷材料。