常用场效应管的种类与识别

常用场效应管的种类与识别
场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种半导体电子器件，主要用于放大和开关电路中。

根据FET的工作原理和结构不同，常用的场
效应管主要有三种类型：结型场效应管（JFET）、金属氧化物半导体场效
应管（Metal-Oxide-Semiconductor FET，MOSFET）和绝缘栅双极型晶体
管（Insulated-gate Bipolar Transistor，IGBT）。

下面将详细介绍这
三种常用的场效应管以及它们的识别方法。

1.结型场效应管（JFET）：
结型场效应管是最早发展的一种场效应管，其结构简单，用途广泛。

根据导电型别的不同，可分为N沟道（N-Channel）和P沟道（P-Channel）两类。

结型场效应管的导通主要是通过沟道中的少数载流子进行的。

其主
要特点包括输入电阻较高、噪声较低、电路稳定性好等。

JFET的识别方法：
（1）引脚识别：JFET有三个引脚，即源极（source）、栅极（gate）和漏极（drain）。

可以使用万用表的电阻档位来测量两两引脚间的电阻
大小，栅源电阻较大，约为数兆欧姆，漏源电阻较小，约为几千欧姆，可
以根据这些特点来判断引脚的功能。

（2）标识识别：通常JFET上会有标志性的标识，例如“2N”或“BF”等，通过这些标识可以辨认出具体的型号和制造商。

（3）参数识别：可以通过查阅JFET的参数手册或型号手册，了解其
具体的参数范围和特性，从而辨认出具体的JFET型号。

2.金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）：
金属氧化物半导体场效应管是应用最为广泛的一种场效应管，也是目前集成电路中使用最多的晶体管。

根据栅极结构的不同，可以分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET两种。

增强型MOSFET的导通需要在栅极上施加正电压，而耗尽型MOSFET的导通则需要在栅极上施加负电压。

MOSFET的识别方法：
（1）引脚识别：MOSFET有三个引脚，即源极（source）、栅极（gate）和漏极（drain）。

与JFET类似，可以通过测量引脚间的电阻来判断其功能。

（2）标识识别：MOSFET通常会在外壳上标有型号和制造商的标识，通过这些标识可以辨认出具体的型号。

（3）参数识别：同样可以通过查阅参数手册或型号手册来了解MOSFET的具体参数范围和特性，从而辨认出具体的MOSFET型号。

3.绝缘栅双极型晶体管（IGBT）：
绝缘栅双极型晶体管是一种结合了双极型晶体管（BJT）和场效应管的特点的强电流控制器件。

IGBT采用了BJT的开关能力和MOSFET的驱动能力，具有高电流密度、高开关速度和低饱和压降等特点，主要用于功率电子器件和电力电子设备中。

IGBT的识别方法：
（1）引脚识别：IGBT通常有三个主要引脚，即集电极（collector）、发射极（emitter）和栅极（gate）。

可以通过测量引脚间电阻以及提供电压时的电流大小来判断引脚的功能。

（2）标识识别：IGBT上会有标志性的标识，通过这些标识可以辨认出具体的型号和制造商。

（3）参数识别：可以通过查阅参数手册或型号手册，了解IGBT的具体参数范围和特性，从而辨认出具体的IGBT型号。

综上所述，常用场效应管的种类包括结型场效应管（JFET）、金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。

通过引脚识别、标识识别和参数识别等方法，可以准确判断场效应管的种类和型号。