STM32内部FLASH读写操作详解

STM32内部FLASH读写操作详解
在STM32中，FLASH存储器被分为多个扇区。

每个扇区的大小根据芯
片型号而定，可以是16KB、32KB、64KB等大小。

每个扇区又被分为若干
个页，每个页的大小为2KB、4KB、8KB等。

读取FLASH数据的操作相对简单，可以通过读取内存地址的方式来实现。

由于FLASH时序特殊，读取速度相对较慢，所以在使用FLASH存储数
据时需要考虑读取的效率。

写入FLASH数据时，需要注意以下几点：
1.写入数据必须按照页的大小进行，即每次写入的数据不能超过页的
大小。

2.写入数据时，必须将FLASH模块解锁，否则写入操作将被禁止。

写
入完成后，需要将FLASH模块重新锁定。

3.写入FLASH数据时，如果写入的数据与指定地址处的数据不相同，
会导致页擦除。

所以在写入之前，需要将指定地址处的数据保存下来，并
进行适当的处理。

4.写入FLASH数据后，需要等待写入操作完成，然后进行擦除操作。

擦除操作可以是扇区擦除或页擦除。

除了普通的读写操作，STM32内部FLASH还提供了一些高级的功能，
如扇区擦除、页擦除、半页擦除、字节擦除等。

这些功能可以根据实际需
求进行选择和应用。

总结起来，对于STM32内部FLASH的读写操作，需要注意解锁和锁定FLASH模块、按页写入数据、写入完整性的保证、擦除操作的执行等细节。

通过合理的使用这些操作，可以实现对STM32内部FLASH的有效管理和利用。