电路与电子技术试卷

《电路与电子技术》期末考试试题（A 卷）
班级 姓名 学号 得分 一、选择题（每题2分,共10分）
1、某三极管的99.0=α，那么该三极管的=β
A 、1
B 、10
C 、99
D 、10
2、某放大器在不接负载时的输出电压是3V ，接入1千欧的负载后输出电压为2.5V ，该放大器的输出电阻为 千欧。

A 、2
B 、0.1
C 、0.2
D 、0.4
3、某放大器的电压放大倍数为1000，则相当于 dB. A 、1000 B 、40 C 、60 D 、80
4、说明下图元件的性质：
A 、负载性
B 、电源性
C 、电容性
D 、电感性
5、当信号频率等于放大电路的L f 或H f 时，增益下降 。

A 、2d
B B 、3 dB
C 、4 dB
D 、5 dB 二、判断题（每题2分，共10分）
1、在一定的条件下，硅管的漏电流比锗管的漏电流大，所以硅管的应用比锗管更广泛。

（ ）
2、任何闭合回路的所有电压之和为零。

（ ）
3、任何电路的节点数等于网孔数。

（ ）
4、在N 型半导体中如果掺入足量的三价元素，可以将其改型为P 型半导体。

（ ）
5、射极输出器输出电压从发射极输出，所以是共射放大器。

（ ） 三、填空题（每题1分，共28分）
1、电路从结构来看，可由 、 、 三个最基本的部分组成。

2、P 型杂质半导体中多数载流子是 ，少数载流子是 ，而N 型杂质半导体中多数载流子是 ，少数载流子是 。

可向本征半导体中加入 价元素得到P 型杂质半导体，加 价元素得到N 型杂质半导体。

3、PN 结的击穿可分为 和 ，PN 结的电容效应按其产生的原因可分为 和 。

PN 结的基本特性是 ，三极管的基本特点是具有 。

4、三极管的输出特性可分为四个区域，即 、 、 和 ， 从三极管的输入特性可看出硅管的门坎电压为 伏，而锗管为 伏。

5、三极管有三个极： 、 和 ，两个结： 和 。

三极管具有电流放大作用的外部条件为： 加上正向电压， 加上反向电压。

三、简答题（每题4分,共12分）
1、简述三极管的内部工艺要求及三极管电流放大的实质。

2、简述分压式偏置共射放大器稳定静态工作点的原理。

3、简述电路过度过程的换路定则。

四、计算题（每题10分，共40分）
1、 试用叠加定理和戴维南定理分别计算：试计算 电阻上的电压U 。

Us
C
R
R
S1t=0S2t=0.1s
图一 图二
2、用三要素法计算：如图所示电路原处于稳态，已知.50,4,20Ω===K R F C V U S μ。

在0=t 时闭合1S ，在s t 1.0=时闭合2S ，求2S 闭合后的电压 )(t u R 。

3、已知下图三所示电路中晶体管的 100=β，Ω=K r be 1,Ω==K R V U c cc 3,12. 1）现已测得静态管压 V U CEQ 6=，估算b R 约为多少千欧。

2）若测得 i U 和o U 的有效值分别为1mV 和100mV ，则负载电阻L R 为多少千欧。

4、在如图三所示的电路中，晶体管的
V U K R R K R K R cc L s B C 15,10,100,300,3,100=Ω=Ω=Ω=Ω==β。

1）估算静态工作点。

2）画出微变等效电路，计算i u r A ,和o r 。

图三
《电路与电子技术》期末考试试题（B 卷）
班级 姓名 学号 得分 一、选择题（每题2分，共10分）
1、某三极管的=β99，那么该三极管的=α
A 、1
B 、10
C 、0.1
D 、0.01
2、某放大器在不接负载时的输出电压是3V ，接入1千欧的负载后输出电压为2.5V ，该放大器的输出电阻为 千欧。

A 、2
B 、0.1
C 、0.2
D 、0.4
3、当信号频率等于放大电路的L f 或H f 时，放大器放大倍数的值下降中频段时的 倍。

A 、0.5 B 、0.7 C 、0.8 D 、0.6
4、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下测得A 的输出电压小，这说明A 的 A 、输入电阻大 B 、输出电阻大 C 、输入电阻小 D 、输出电阻小
5、说明下图元件的性质：
A 、负载性
B 、电源性
C 、电容性
D 、电感性
二、判断题（每题2分，共10分）
1、在N 型半导体中如果掺入足量的五价元素，可以将其改型为P 型半导体。

（ ）
2、流入任何节点电流之和等于流出该节点电流之和。

（ ）
3、在一定的条件下，硅管的漏电流比锗管的漏电流大，所以硅管的应用比锗管更广泛。

（ ）
4、金属导体是单极性导体，三极管和场效应管是单极性元器件。

（ ）
5、射极输出器输出电压从发射极输出，所以是共射放大器。

（ ） 三、填空题（每题1分，共28分）
1、三极管有三个极： 、 和 ，两个结： 和 。

三极管具有电流放大作用的外部条件为： 加上正向电压， 加上反向电压。

2、场效应管是一种 控制器件，按结构可分为 和 ，按工作性能可分为 和 ，按基片（衬底）材料不同可分为 和 两种。

场效应管有三个极为 、 和 。

由于它们都是以半导体的某一种多数载流子来实现导电，所以称为 管。

3、在分析电路功率计算时，当计算元件功率大于零时，该元件为 性；反之，元件为 性。

4、PN 结的击穿可分为 和 ，PN 结的电容效应按其产生的原因可分为 和 。

PN 结的基本特性是 ，三极管的基本特点是具有 。

5、从三极管的输入特性可看出硅管的门坎电压为 伏，而锗管为 伏。

四、简答题（每题4分，共10分） 1、简述PN 结的单向导电性原理。

2、简述多级放大器的零点漂移现象。

3、简述多级放大器各种耦合方式的特点。

五、计算题（每题10分，共40分）
1、试用叠加定理和戴维南定理分别计算：试计算12欧电阻上的电流I 。

Us
C
R R
S1t=0S2t=0.1s
图一 图二
2、用三要素法计算：如图所示电路原处于稳态，已知.50,4,20Ω===K R F C V U S μ。

在0=t 时闭合1S ，在s t 1.0=时闭合2S ，求2S 闭合后的电压 )(t u R 。

3、已知下图所示电路中晶体管的 100=β，Ω=K r be 1，Ω==K R V U c cc 3,12. 1）现已测得静态管压 V U CEQ 6=，估算b R 约为多少千欧。

2）若测得 i U 和o U 的有效值分别为1mV 和100mV ，则负载电阻L R 为多少千欧。

图三
4、如图所示电路中，已知 V U cc 12=，Ω=K R B 300，Ω=Ω=K R K R E C 2,2，100=β，硅管。

试求：
1）在A 端输出时的电压放大倍数1uo A 及输入、输出电阻。

2）在B 端输出时的电压放大倍数 2uo A 及输入、输出电阻。

图四
（注：可编辑下载，若有不当之处，请指正，谢谢!）。