21世纪的微电子材料——SOI材料
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21世纪的微电子材料——SOI材料
张臣
【期刊名称】《中国集成电路》
【年(卷),期】2003(000)052
【摘要】SOI(Silicon On Insulator)技术是在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的,它是在集成电路进入亚微米、深亚微米后能突破体硅材料与硅集成电路限制的新型集成电路技术。
绝缘体上的硅以其独特的材料结构和优异的特性,有效地克服了体硅材料的不足,充分发挥了硅集成技术的潜力,因而它被称为是'21世纪的微电子材料'。
【总页数】5页(P88-91,40)
【作者】张臣
【作者单位】中国电子材料行业协会
【正文语种】中文
【中图分类】TN304
【相关文献】
1.21世纪的硅基材料——SOI [J], 崔朝宏
2.21世纪的硅基材料--SOI [J], 崔朝宏
3.21世纪的硅材料--SOI [J], 苗文生
4.基于功能导向的材料化学教学实践——以"微电子材料"为例 [J], 马雪璐;杨越;徐乐敏;任泳瑜
5.基于SOI材料的兵器微电子技术应用分析 [J], 张新;高勇;王彩琳;邢昆山;安涛
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