9926A(20V N 沟道增强型MOS 场效应管)

热特性
参数 最大管结温度 最大管结温度 T≤10S RθJA Steady -State Steady -State RθJL 81 40 110 48 ℃/W ℃/W 符号 典型值 56 最大值 62.5 单位 ℃/W
最大热阻
第 1 页 共 5 页
2
86-755-83468588
3
9926A(文件编号：S&CIC1368)
86-755-83468588
9926A(文件编号：S&CIC1368)
20V N 沟道增强型 MOS 场效应管
第 4 页 共 5 页
86-755-83468588
9926A(文件编号：S&CIC1368)
包装尺寸
20V N 沟道增强型 MOS 场效应管
第 5 页 共 5 页
86-755-83468588
20 21 26 0.5 0.75 30 42 1 1 ±100
V mΩ mΩ V uA nA
6.24 VDS = 10V,ID = 6A VGS = 4.5V 1.64 1.34 10.4 VDD = 10V,ID = 6A ID = 1A,VGS = 4.5V 4.4 27.36 4.16 522.3 VDS = 8V,VGS = 0V f =1.0MHz 98.48 74.69
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有注明）
参数 漏源极电压 栅源极电压 连续漏电流 脉冲漏电流 功耗 温度范围 =25℃ TA=70℃ TA=25℃ TA=70℃ 符号 VDS VGS ID IDM PD TJ, TSTG 最大值 20 ±10 6 4.2 20 2 1.28 -55~150 W ℃ A 单位 V V
电特性
（TJ =25℃，除非另有注明） 参数 静态部分 漏源击穿电压 Drain-source 导通内阻 Drain-source 导通内阻 栅极阈值电压 漏源极漏电流 栅源极漏电流 动态部分 栅极总电荷 栅源电荷 栅漏电荷 开始延迟时间 上升时间 关闭延迟时间 下降时间 输入电容 输出电容 反向传输电容 源漏极二极管 二极管最大正向电流 二极管正向电压 Is VSD QG QGS QGB Td(on) Tr Td(off) Tf Ciss Coss Crss BVDSS RDS(ON) RDS(ON) VGS(th) IDSS IGSS 符号
20V N 沟道增强型 MOS 场效应管
测试条件
最小
典型
最大
单位
VGS = 0V,ID = 250uA VGS = 4.5V,IDS =6A 6250uA VGS = 2.5V,IDS =5A VGS = VGS,ID = 250uA VDSS = 20V,VGS = 0V VGS = ±12V,VDS = 0V
9926A(文件编号：S&CIC1368)
RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.0A = 42mΩ RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.0A = 30mΩ
S1 G1 S2 G2 1 2 3 4
20V N 沟道增强型 MOS 场效应管
8 7 6 5
D1 D1 D2 D2
SOP-8
8.11 2.13 1.74 20.8 8.8 54.72 8.32 ns nC
pF
1.7 IS = 1.7A,VGS = 0V 0.74
A V
第 2 页 共 5 页
86-755-83468588
9926A(文件编号：S&CIC1368)
曲线图
20V N 沟道增强型 MOS 场效应管
第 3 页 共 5 页