质子轰击GaP外部电光采样

质子轰击GaP外部电光采样
张大明;田小建;孙伟;李德辉;衣茂斌
【期刊名称】《半导体学报：英文版》
【年(卷),期】2000(21)9
【摘要】采用质子轰击 n- Ga P晶体作为外部电光采样材料 ,用倍频移相扫描电光采样技术和反射式光路结构 ,对 ITO共面波导上的微波信号进行了测量 .结果表明 ,用质子轰击的方法可以使n- Ga P样品的电阻增大四个量级 ,接近于半绝缘材料 ,能有效地减小 Ga P晶体内部自由电荷对电场的屏蔽效应 .在 2 .30 GHz微波信号时 ,质子轰击 Ga P外部电光采样测量获得了 40 m V/Hz的电压灵敏度 .
【总页数】4页(P918-921)
【关键词】电光采样;质子轰击;磷化镓
【作者】张大明;田小建;孙伟;李德辉;衣茂斌
【作者单位】集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区
【正文语种】中文
【中图分类】TN304;TN206
【相关文献】
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