AlAs／GaAs双势垒量子共振隧穿二极管

AlAs／GaAs双势垒量子共振隧穿二极管
陈培杖;李祖华;徐菊仙;安
【期刊名称】《稀有金属》
【年(卷),期】1994(18)4
【摘要】以ＭｏｃｖＤ材料试制了ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ双势垒量子共振隧穿二极管，其室温伏安特性为非线性。

讨论了材料质量、器件结构、制作工艺等对器件性能的影响。

首次报道了有ＡＶ＿（０．１４）Ｇａ＿（０．８６）Ａｓ垫的双势垒结构器件性能，有垫器件性能较无垫常规器件改进很大。

【总页数】5页(P284-288)
【关键词】AlAs/GaAs;隧穿二极管;双势垒
【作者】陈培杖;李祖华;徐菊仙;安
【作者单位】南京电子器件研究所
【正文语种】中文
【中图分类】TN312
【相关文献】
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