亚阈值数字标准单元库设计

亚阈值数字标准单元库设计
史兴荣;何进;张九柏;张子骥;贺雅娟
【期刊名称】《电子产品世界》
【年(卷),期】2018(025)011
【摘要】基于对0.18μm标准CMOS工艺的研究,本文设计了一套完备的电源电压为0.4 V的亚阈值数字标准单元库.设计流程包括工艺研究与方案设计、单元设计与物理实现、库文件的提取以及单元库验证.提出了传统沟道宽度调节与沟长偏置相结合的尺寸调整策略,有效增强PMOS管驱动并减小漏电流,提升库单元稳定性.利用ISCAS基准测试电路完成亚阈值标准单元库的验证,0.4 V电压下,相同设计,基于亚阈值数字标准单元库的设计的相比于基于商用库的设计,能耗减小20％以上,数据延时也有所减小,即亚阈值标准单元库性能明显优于商用库相比.
【总页数】5页(P38-42)
【作者】史兴荣;何进;张九柏;张子骥;贺雅娟
【作者单位】电子科技大学电子科学与工程学院成都 610054;电子科技大学电子科学与工程学院成都 610054;电子科技大学电子科学与工程学院成都 610054;电子科技大学电子科学与工程学院成都 610054;电子科技大学电子科学与工程学院成都 610054
【正文语种】中文
【相关文献】
1.亚100纳米级标准单元的可制造性设计 [J], 张培勇;严晓浪;史峥;高根生;马玥;陈晔
2.55nm工艺平台的标准单元库电路与版图设计研究 [J], 李向阳;胡晓明
3.基于施密特触发的高鲁棒性亚阈值标准单元 [J], 张跃军;韩金亮;张会红
4.采用标准单元库和阵列方法的混合模拟/数字ASIC设计 [J], 于宗光;林如霭;张宝元
5.面向近亚阈值的标准单元库设计方法 [J], 商新超;袁甲;张福海
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。