一种电容器的制造方法及结构[发明专利]

专利名称：一种电容器的制造方法及结构专利类型：发明专利
发明人：肖德元,徐若男,孙武,尹晓明
申请号：CN201910408619.9
申请日：20190516
公开号：CN111952286A
公开日：
20201117
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种电容器的制造方法及结构，该方法包括步骤：在衬底上采用等离子体刻蚀法，利用偏置脉冲和源脉冲的交替互补作用刻蚀形成具有粗糙侧壁的沟槽；在沟槽内形成介电层，所述介电层共形的内衬于沟槽的内表面；以及在沟槽内形成导电层，所述导电层填充于沟槽内部并通过介电层与衬底分离；其中，在刻蚀沟槽时，偏置脉冲交替的开启和关闭，以控制交替产生偏置功率，源脉冲保持开启，并且根据偏置功率的变化调整源脉冲的功率进行补偿。

本发明利用偏置脉冲和源脉冲的交替互补作用形成了侧壁粗糙的电容沟槽，使沟槽侧壁在沟槽深度方向上具有交替的凸凹起伏，可增加电容面积，从而提高电容器的电容密度，且方法简单，易于实现。

申请人：芯恩(青岛)集成电路有限公司
地址：266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人：余明伟
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