元器件老化条件速查表
ic元器件老化筛选
ic元器件老化筛选IC元器件老化筛选是电子元器件生产过程中的一项重要环节，旨在筛选出老化严重的元器件，确保产品的可靠性和稳定性。
本文将从老化筛选的定义、目的、方法和影响因素等方面进行阐述。
一、老化筛选的定义IC元器件老化筛选是指在元器件生产过程中，通过对元器件进行一定时间的老化处理，模拟实际使用环境下的使用情况，通过筛选出老化程度较轻的元器件，确保产品的可靠性和稳定性。
二、老化筛选的目的老化筛选的主要目的是提前筛选出老化严重的元器件，避免这些元器件在使用过程中出现故障，从而保证产品的可靠性。
通过老化筛选，可以排除那些容易出现性能衰减或失效的元器件，提高产品的质量和可靠性。
三、老化筛选的方法1. 温度老化筛选：将元器件放置在恒定温度下进行老化处理，时间可根据产品要求确定。
常用的温度老化筛选有高温老化、低温老化和温循老化等。
2. 电压老化筛选：将元器件加以一定电压的载荷进行老化处理，以模拟实际工作环境下的电压应力。
常用的电压老化筛选有高电压老化、低电压老化和电压循环老化等。
3. 电流老化筛选：将元器件加以一定电流的载荷进行老化处理，以模拟实际工作环境下的电流应力。
常用的电流老化筛选有高电流老化、低电流老化和电流循环老化等。
4. 其他老化筛选：根据具体产品的要求，也可以进行其他类型的老化筛选，如振动老化、湿热老化等。
四、影响老化筛选的因素1. 元器件的材料：不同材料的元器件老化特性不同，有些材料老化速度较快，而有些材料老化速度较慢。
2. 元器件的结构：不同结构的元器件老化特性也不同，有些结构容易受到外界环境的影响，老化速度较快。
3. 外界环境条件：元器件的老化速度受到温度、湿度、振动等外界环境条件的影响，不同环境条件下元器件的老化速度也不同。
五、老化筛选的意义IC元器件老化筛选对于保证产品的可靠性和稳定性具有重要意义。
通过老化筛选，可以排除那些容易出现故障的元器件，提高产品的质量和可靠性。
同时，老化筛选还可以提供关于元器件老化特性的数据，为产品设计和生产提供参考依据。
实时老化标准
实时老化标准一、物理老化物理老化是指材料在物理因素作用下，性能逐渐下降的现象。
常见的物理老化包括机械磨损、变形、开裂、蠕变等。
这些现象会随着时间的推移而逐渐加重，最终导致材料的失效。
二、化学老化化学老化是指材料在化学因素作用下，性能逐渐下降的现象。
常见的化学老化包括氧化、水解、聚合反应等。
这些反应会随着时间的推移而不断加剧，导致材料的化学结构发生变化，从而引起性能下降。
三、电老化电老化是指材料在电场作用下，性能逐渐下降的现象。
常见的电老化包括电击穿、电化学腐蚀等。
这些现象会随着时间的推移而逐渐加重，最终导致材料的绝缘性能下降或失效。
四、辐射老化辐射老化是指材料在辐射作用下，性能逐渐下降的现象。
常见的辐射老化包括电磁辐射、核辐射等。
这些辐射会破坏材料的分子结构，导致性能下降。
五、环境老化环境老化是指材料在自然环境作用下，性能逐渐下降的现象。
常见的影响因素包括温度、湿度、光照、气候等。
这些因素会随着时间的推移而逐渐改变材料的性能，导致材料的失效。
六、疲劳老化疲劳老化是指材料在循环载荷作用下，性能逐渐下降的现象。
常见的疲劳老化包括机械疲劳、热疲劳等。
这些现象会随着时间的推移而逐渐加重，最终导致材料的断裂或失效。
七、磨损老化磨损老化是指材料在摩擦作用下，性能逐渐下降的现象。
常见的磨损老化包括磨粒磨损、粘着磨损等。
这些现象会随着时间的推移而逐渐加重，导致材料的表面损伤或失效。
八、微生物老化微生物老化是指材料在微生物作用下，性能逐渐下降的现象。
常见的微生物老化包括生物腐蚀、生物污损等。
这些现象会随着时间的推移而逐渐加重，导致材料的表面损伤或失效。
电子元器件老化标准
一、外观质量检查拿到一个电子元器件之后，应看其外观有无明显损坏。
比如变压器，要看其所有引线有否折断，外表有无锈蚀，线包、骨架有无破损等。
又如三极管，要看其外表有无破损，引脚有无折断或锈蚀，还要检查一下器件上的型号是否清晰可辨。
对于电位器、可变电容器之类的可调元件，还要检查在调节范围内，其活动是否平滑、灵活，松紧是否合适，无机械噪声，手感好，并保证各触点接触良好。
各种不同的电子元器件都有自身的特点和要求，爱好者平时应多了解一些有关各元件的性能和参数、特点，积累经验。
二、电气性能的筛选要保证试制的电子装置能够长期稳定地通电工作，并且经得起应用环境和其他可能因素的考验，这是对电子元器件的筛选必不可少的一道工序。
所谓筛选，就是对电子元器件施加一种应力或多种应力试验，暴露元器件的固有缺陷而不破坏它的完整性。
筛选的理论是：如果试验及应力等级选择适当，劣质品会失效，而优良品则会通过。
人们在长期的生产实践中发现新制造出来的电子元器件，在刚投入使用的时候，一般失效率较高，叫做早期失效，经过早期失效后，电子元器件便进入了正常的使用期阶段，一般来说，在这一阶段中，电子元器件的失效率会大大降低。
过了正常使用阶段，电子元器件便进入了耗损老化期阶段，那将意味着寿终正寝。
这个规律，恰似一条浴盆曲线，人们称它为电子元器件的效能曲线。
电子元器件失效，是由于在设计和生产时所选用的原材料或工艺措施不当而引起的。
元器件的早期失效十分有害，但又不可避免。
因此，人们只能人为地创造早期工作条件，从而在制成产品前就将劣质品剔除，让用于产品制作的元器件一开始就进入正常使用阶段，减少失效，增加其可靠性。
在正规的电子工厂里，采用的老化筛选项目一般有：高温存储老化；高低温循环老化；高低温冲击老化和高温功率老化等。
其中高温功率老化是给试验的电子元器件通电，模拟实际工作条件，再加上＋80℃～＋180℃的高温经历几个小时，它是一种对元器件多种潜在故障都有检验作用的有效措施，也是目前采用得最多的一种方法。
电子元器件老化测试项目及注意事项
电子元器件老化测试项目及注意事项电子产品在加工过程中，由于经历了复杂的加工和元器件物料的大量使用，无论是加工缺陷还是元器件缺陷，都可分为明显缺陷和潜在缺陷，明显缺陷指那些导致产品不能正常工作的缺陷，例如短路/断路。
而潜在缺陷导致产品暂时可以使用，但在使用中缺陷会很快暴露出来，产品不能正常工作。
潜在缺陷则无法用常规检验手段发现，而是运用老化的方法来剔除。
如果老化方法效果不好，则未被剔除的潜在缺陷将最终在产品运行期间以早期失效（或故障）的形式表现出来，从而导致产品返修率上升，维修成本增加。
一、概念老化（Burn in）是指在一定的环境温度下、较长的时间内对元器件连续施加环境应力，而环境应力筛选（ESS：Environment Stress Screen ）则不仅包括高温应力，还包括其他很多应力，例如温度循环、随机振动等，通过电-热应力的综合作用来加速元器件内部的各种物理、化学反应过程，促使隐藏于元器件内部的各种潜在缺陷及早暴露，从而达到剔除早期失效产品的目的。
老化是属于环境应力筛选的一种。
二、作用1.对于工艺制造过程中可能存在的一系列缺陷，如表面沾污、引线焊接不良、沟道漏电、硅片裂纹、氧化层缺陷和局部发热点等都有较好的筛选效果。
2.对于无缺陷的元器件，老化也可促使其电参数稳定。
三、老化测试项目主要的老化试验项目是：1、光老化测试：光老化是户外使用材料受到的主要老化破坏，对于室内使用材料，也会受到一定程度的光老化。
模拟光老化主要的三种灯源各有优异，碳弧灯最早发明使用，建立的测量体系较早、很多日本标准和纤维材料方面的标准都使用碳弧灯，但由于碳弧灯价格较高、性能不够稳定（灯管使用90小时后需要更换），已经逐渐被氙弧灯、紫外灯代替。
氙灯在模拟自然光方面有较大优势，价格也相对较低，适合多数产品的使用。
紫外灯产生的是400nm以下的光，能较好地加速模拟自然光中紫外线对材料的破坏作用，加速因子比氙灯要高，光源稳定性也比氙灯要好，但容易产生非自然光产出的破坏（尤其是UVB灯）。
电器元件老化检查方法(二)
电器元件老化检查方法(二)电器元件老化检查方法1. 概述在使用电器过程中，由于时间的推移和长时间使用，电器元件可能会出现老化现象，影响其性能和稳定性。
为了确保电器的正常工作和延长其使用寿命，有必要定期进行电器元件老化检查。
本文将详细介绍各种方法。
2. 目测检查目测检查是最基本的电器元件老化检查方法之一，通过观察元件外观的变化来判断元件是否老化。
以下是一些常见的目测检查方法：•外观检查：检查元件表面是否有腐蚀、氧化、变色或破损等现象。
•连接检查：检查元件的引线、焊点或插座是否松动或脱落。
•标识检查：检查元件标识是否清晰可见，避免因标识模糊或褪色而导致的误判。
3. 电性能检测电性能检测是通过测量电器元件的电压、电流、阻抗等参数来判断元件老化程度的方法。
以下是一些常见的电性能检测方法：•电压测量：使用万用表或示波器测量元件的电压稳定性和波形是否正常。
•电流测量：通过接入一个合适的测量电路，测量元件的电流大小和波形，判断元件是否出现过载或漏电现象。
•阻抗测量：利用阻抗测量仪测量元件的阻抗值，判断元件是否存在短路、开路或变阻现象。
4. 热性能检测热性能检测是通过测量元件在工作时的温度变化来判断其老化程度的方法。
以下是一些常见的热性能检测方法：•红外热像仪检测：利用红外热像仪测量元件的表面温度分布，判断是否存在局部过热或过冷现象。
•温度传感器测量：在元件表面或内部安装温度传感器，测量元件的温度变化，判断是否超过了元件的工作温度范围。
5. 功能性能检测功能性能检测是通过测试元件的功能是否正常来判断其老化程度的方法。
以下是一些常见的功能性能检测方法：•启动检测：测试元件的启动速度和启动响应是否正常。
•输出检测：测试元件的输出信号是否正常、稳定。
•负载测试：通过接入适当的负载，测试元件在不同负载条件下的工作情况。
6. 结语以上介绍了电器元件老化检查常用的方法，包括目测检查、电性能检测、热性能检测和功能性能检测。
定期进行电器元件老化检查能及时发现问题并采取有效的修复或更换措施，确保电器的正常工作和延长其使用寿命。
电子元器件可靠性老化筛选规定
电子产品及元器件可靠性老化筛选规定1范围为了规范电子产品及元器件可靠性老化筛选符合产品设计要求特制订本企业标准。
本标准规定了电子产品高温老化试验及外购电子元器件进厂后，进行可靠性老化筛选的项目、条件及筛选后的检查、处理。
剔除早期失效的器件，提高产品的可靠性。
本标准适用于所有装有电子元器件的产品，除非产品另有规定。
2规范性引用文件下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范。
然而鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。
GB/T 2828-87 抽样检验标准3老化筛选项目及条件3.1 半导体器件、集成电路低温贮存：非工作状态下，将器件贮存在温度－25±3℃的低温箱中，保持4h，常温下测试电参数。
高温贮存：非工作状态下，将器件贮存在温度＋125±3℃的高温箱中，保持4h，常温下测试电参数。
3.2 继电器低温运行：将继电器置于温度－25±3℃的低温箱中，保持1h，通电工作后测量低温下的释放电压，然后在此低温下，触点回路中加阻性负载，以(2～5)次/s的速率动作200次后，检测每对触点的接触电压或接触电阻。
高温运行。
将继电器置于温度＋70±3℃的高温箱中，保持1h，通电工作后测量高温下的释放电压，然后在此温度下触点回路中加阻性负载，以(2～5)次/s的速率动作200次后，检测每对触点的接触电压或接触电阻。
注: 以上筛选设备条件如暂时不具备时，可由工艺人员根据现有设备条件实施。
4筛选检查4.1 文件编制元器件老化筛选由工艺人员编制筛选工艺，规定老化筛选程序、使用设备、测量仪器、工艺装置及操作、检测方法和要求。
4.2 检验种类对进行老化的元器件实行全检。
4.3 检验电性能的项目4.3.1 电阻器4.3.1.1 电阻器的额定功率电阻器的额定功率系指电阻器在直流或交流电路中，当大气压力为750±30mmHg ，在产品标准中规定的温度下，长期连续负荷所允许消耗的最大功率。
元器件可靠性老化实验总结
可靠性老化评估测试一、从生产线上抽取合格的产品作为测试样品样品规格：2N60,3N60,4N60,4N65,7N60,8N60抽样标准：GB2828样品数量：各200Pcs测试时间：2011.7.20—9.19二、可靠性老化测试1，测试项目：高、低温存储试验测试名称 低温存储试验环境温度 25℃+/-1%℃环境湿度 34%H判定标准 外观，性能参数是否正常测试条件 低温-55℃保持72小时测试结果 合格测试名称 高温存储试验环境温度 25℃+/-1%℃环境湿度 34%H判定标准 外观，性能参数是否正常测试条件 高温150℃保持72小时测试结果 合格2，测试项目：高、低温循环试验测试名称 高低温循环试验环境温度 25℃+/-1%℃环境湿度 34%H判定标准 外观，性能参数是否正常测试条件 高温150℃，低温-40℃，循环测试10次，共60小时 测试结果 合格3，测试项目：高低温冲击试验测试名称 高低温冲击环境温度 25℃+/-1%℃环境湿度 34%H判定标准 外观，性能参数是否正常测试条件 高温160℃，低温-50℃，循环测试15次，共24小时 测试结果 合格4，测试项目：恒温恒湿试验测试名称 恒温恒湿环境温度 25℃+/-1%℃环境湿度 34%H判定标准 外观，性能参数是否正常测试条件 温度85℃，湿度85%，共72小时测试结果 合格5，测试项目：高温高压蒸煮试验测试名称 高温高压蒸煮环境温度 25℃+/-1%℃环境湿度 34%H判定标准 外观，性能参数是否正常测试条件 温度120℃，压力0.2Mpa，共96小时测试结果 合格三、配合整机试验1、2N601）、冲击短路试验样品规格：2N60抽样标准：GB2828样品数量：50Pcs测试项目 冲击试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC 270V,Pin=25W,冲击次数20次判定标准 MOS管是否失效试验结果 合格测试项目 短路试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC 270V,Pin=25W,输出空载、带载、短路循环测试2minute 判定标准 MOS管是否失效试验结果 合格2）、温升试验测试项目 温升试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC90V,Pin=20W，测试时间30minute/pcs样本数 3PCS环境温度 25℃判定标准 温升不高于35℃温升测试数据 1# 30℃ 2# 31℃ 3# 32℃试验结果 合格2、3N601）、冲击短路试验样品规格：3N60抽样标准：GB2828样品数量：50Pcs测试项目 冲击试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC 270V,Pin=25W,冲击次数20次判定标准 MOS管是否失效试验结果 合格测试项目 短路试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC 270V,Pin=25W,输出空载、带载、短路循环测试2minute 判定标准 MOS管是否失效试验结果 合格2）、温升试验测试项目 温升试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC90V,Pin=20W，测试时间30minute/pcs样本数 3PCS环境温度 25℃判定标准 温升不高于32℃温升测试数据 1# 28℃ 2# 27℃ 3# 28℃试验结果 合格3、 4N601）、冲击短路试验样品规格：4N60抽样标准：GB2828样品数量：50Pcs测试项目 冲击试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC 270V,Pin=30W,冲击次数20次判定标准 MOS管是否失效试验结果 合格测试项目 短路试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC 270V,Pin=30W,输出空载、带载、短路循环测试2minute 判定标准 MOS管是否失效试验结果 合格2）、温升试验测试项目 温升试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC90V,Pin=25W，测试时间30minute/pcs样本数 3PCS环境温度 25℃判定标准 温升不高于35℃温升测试数据 1# 32℃ 2# 32℃ 3# 33℃试验结果 合格4、 4N651）、冲击短路试验样品规格：4N65抽样标准：GB2828样品数量：50Pcs测试项目 冲击试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC 270V,Pin=30W,冲击次数20次判定标准 MOS管是否失效试验结果 合格测试项目 短路试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC 270V,Pin=30W,输出空载、带载、短路循环测试2minute 判定标准 MOS管是否失效试验结果 合格2）、温升试验测试项目 温升试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC90V,Pin=30W，测试时间30minute/pcs样本数 3PCS环境温度 25℃判定标准 温升不高于37℃温升测试数据 1# 33℃ 2# 34℃ 3# 34℃试验结果 合格5、 7N601）、冲击短路试验样品规格：7N60抽样标准：GB2828样品数量：50Pcs测试项目 冲击试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC 270V,Pin=50W,冲击次数20次判定标准 MOS管是否失效试验结果 合格测试项目 短路试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC 270V,Pin=50W,输出空载、带载、短路循环测试2minute 判定标准 MOS管是否失效试验结果 合格2）、温升试验测试项目 温升试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC90V,Pin=50W，测试时间30minute/pcs样本数 3PCS环境温度 25℃判定标准 温升不高于82℃温升测试数据 1# 77℃ 2# 76℃ 3# 77℃试验结果 合格6、 8N601）、冲击短路试验样品规格：8N60抽样标准：GB2828样品数量：50Pcs测试项目 冲击试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC 270V,Pin=50W,冲击次数20次判定标准 MOS管是否失效试验结果 合格测试项目 短路试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC 270V,Pin=50W,输出空载、带载、短路循环测试2minute 判定标准 MOS管是否失效试验结果 合格2）、温升试验测试项目 温升试验测试设备 AC SOURCE,电子负载，专用电源板测试条件 AC90V,Pin=50W，测试时间30minute/pcs样本数 3PCS环境温度 25℃判定标准 温升不高于77℃温升测试数据 1# 73℃ 2# 72℃ 3# 73℃ 试验结果 合格。
IC_测试报表(包括ESD、老化测试以及所对应的适用标准_Excel格式)Process_reliability
77DUTs/lot
3
1.Test points at 0, 100, 200, 500 cycles. 2.Test points at 0, 100, 500, 1000 cycles.
1/77
2/231
JESD22-A104； JEDEC22-A113； MIL-STD-883E,M1010
PCT
MIL-STD-883E 美国军用标准
Test Structure 标准 Appropriate technology qualification vehicle (TQV) 个人理解
Vehicle
Plastic package or other appropriate package. Plastic package or other appropriate package. Plastic package or other appropriate package. Plastic Package or other appropriate package.
Plastic package or other appropriate package.
Full Functional Test and IDDQ and Leakage Tests.
应用
An appropriate technology qualification vehicle (TQV) is to be used to get a first view on the expected infant mortality rate of the process The HTOL test is typically applied on logic and memory devices. The LTOL test is intended to look for failures caused by hot carriers, and is typically applied on memory devices or devices with submicron device dimensions.
电子器件的老化筛选与检测
电子器件的老化筛选与检测动手准备元器件之前，最好对照电路原理图列出所需元器件的清单。
为了保证在试制的过程中不浪费时间，减少差错，同时也保证制成后的装置能长期稳定地工作，待所有元器件都备齐后，还必须对其筛选检测。
在正规的工业化生产中，都设有专门的元器件筛选检测车间，备有许多通用和专用的筛选检测装备和仪器，但对于业余电子爱好者来说，不可能具备这些条件，即使如此，也绝不可以放弃对元器件的筛选和检测工作，因为许多电子爱好者所用的电子元器件是邮购来的，其中有正品，也有次品，更多的是业余品或利用品，如在安装之前不对它们进行筛选检测，一旦焊入印刷电路板上，发现电路不能正常工作，再去检查，不仅浪费很多时间和精力，而且拆来拆去很容易损坏元件及印刷电路板。
一、外观质量检查拿到一个电子元器件之后，应看其外观有无明显损坏。
比如变压器，要看其所有引线有否折断，外表有无锈蚀，线包、骨架有无破损等。
又如三极管，要看其外表有无破损，引脚有无折断或锈蚀，还要检查一下器件上的型号是否清晰可辨。
对于电位器、可变电容器之类的可调元件，还要检查在调节范围内，其活动是否平滑、灵活，松紧是否合适，无机械噪声，手感好，并保证各触点接触良好。
各种不同的电子元器件都有自身的特点和要求，爱好者平时应多了解一些有关各元件的性能和参数、特点，积累经验。
二、电气性能的筛选要保证试制的电子装置能够长期稳定地通电工作，并且经得起应用环境和其他可能因素的考验，这是对电子元器件的筛选必不可少的一道工序。
所谓筛选，就是对电子元器件施加一种应力或多种应力试验，暴露元器件的固有缺陷而不破坏它的完整性。
筛选的理论是：如果试验及应力等级选择适当，劣质品会失效，而优良品则会通过。
人们在长期的生产实践中发现新制造出来的电子元器件，在刚投入使用的时候，一般失效率较高，叫做早期失效，经过早期失效后，电子元器件便进入了正常的使用期阶段，一般来说，在这一阶段中，电子元器件的失效率会大大降低。
产品老化测试报告表
产品老化测试报告表
产品名称：马脑治疗仪
测试项目：马脑治疗仪老化测试
测试日期：
测试目的：模拟在自然条件下，产品经过一定的温度进行老化测试后，来确认其变化产是否符合法规及相关要求。
测试设备：恒温恒湿试验箱
参考依据：无菌医疗设备包装加速老化标准指南
测试方法：产品在温度60℃，空气湿度80%条件下，连续老化10周，观察其变化，并进行产品外观及功能检测。
验证环境：℃ RH
报告编号：
产品图片：
测试要求：
老化后产品性能检测：
备注：需根据每款产品的功能特点及法规要求，引用相关标准，根据产品特点，在相应的条件下进行测试。
老化试验结束后，对每款产品进行相应的产品功能检测。
确认其是否符合要求。
测试结论：。
元器件老化条件速查表综述
序号
元器件型号
老化项目
老化
时间
老化板型号
老化系统设定参数
测试参数及限值
22
BYV26C
反偏
24h
电压上限，80％VRRM＝480V，
电流上限，100uA；温度设定85℃
反向耐压(VRRM)：>600V,
击穿曲线符合要求
正向压降：VF<2.5V,(IO=1A),
IR=100uA＠150℃
稳态功率
电流上限，5uA；温度设定85℃
C-E击穿电压>80V
C-B击穿电压>100V
击穿曲线符合要求
ICM：2A
直流增益（hFE）>40
(电流上限，ICBO=200nA＠25℃)
稳态功率
48h
环境温度控制在常温50℃；
PCM=2W，Vce＝0.5Vceo＝50V,IC＝40mA，
VC=50+40mA *(Re+Rc)≈52V
反向耐压(VRRM)：>800V,
击穿曲线符合要求
正向压降：VF<1.2V,(IO=1A),
IR=1mA＠85℃
26
KBJ1006
反偏
24h
电压上限，80％VRRM＝480V，
电流上限，IR=1mA；温度设定85℃
反向耐压(VRRM)：>600V,
击穿曲线符合要求
正向压降：VF<1.2V,(IO=1A)
ICM：0.5A
直流增益（hFE）>85
(电流上限，ICBO=0.1uA＠25℃,ICEO=0.1uA＠25℃)
稳态功率
48h
环境温度控制在常温50℃；
PCM=625mW，Vce＝0.75Vceo＝18.75V,
电子元器件老化标准
拿到一个电子元器件之后，应看其外观有无明显损坏。
比如变压器，要看其所有引线有否折断，外表有无锈蚀，线包、骨架有无破损等。
又如三极管，要看其外表有无破损，引脚有无折断或锈蚀，还要检查一下器件上的型号是否清晰可辨。
对于电位器、可变电容器之类的可调元件，还要检查在调节范围内，其活动是否平滑、灵活，松紧是否合适，无机械噪声，手感好，并保证各触点接触良好。
各种不同的电子元器件都有自身的特点和要求，爱好者平时应多了解一些有关各元件的性能和参数、特点，积累经验。
二、电气性能的筛选要保证试制的电子装置能够长期稳定地通电工作，并且经得起应用环境和其他可能因素的考验，这是对电子元器件的筛选必不可少的一道工序。
所谓筛选，就是对电子元器件施加一种应力或多种应力试验，暴露元器件的固有缺陷而不破坏它的完整性。
筛选的理论是：如果试验及应力等级选择适当，劣质品会失效，而优良品则会通过。
人们在长期的生产实践中发现新制造出来的电子元器件，在刚投入使用的时候，一般失效率较高，叫做早期失效，经过早期失效后，电子元器件便进入了正常的使用期阶段，一般来说，在这一阶段中，电子元器件的失效率会大大降低。
过了正常使用阶段，电子元器件便进入了耗损老化期阶段，那将意味着寿终正寝。
这个规律，恰似一条浴盆曲线，人们称它为电子元器件的效能曲线。
电子元器件失效，是由于在设计和生产时所选用的原材料或工艺措施不当而引起的。
元器件的早期失效十分有害，但又不可避免。
因此，人们只能人为地创造早期工作条件，从而在制成产品前就将劣质品剔除，让用于产品制作的元器件一开始就进入正常使用阶段，减少失效，增加其可靠性。
在正规的电子工厂里，采用的老化筛选项目一般有：高温存储老化；高低温循环老化；高低温冲击老化和高温功率老化等。
其中高温功率老化是给试验的电子元器件通电，模拟实际工作条件，再加上+ 80C〜+ 180 C的高温经历几个小时，它是一种对元器件多种潜在故障都有检验作用的有效措施，也是目前采用得最多的一种方法。
电子元件老化筛选工艺规程
本安用电子元件老化筛选工艺规程1 范围1.1 本工艺适应于防爆电器产品中本安用锗、硅半导体二极管、三极管、集成电路、电容器元件的老化筛选。
1.2 本工艺适用于进厂检验合格的元件进行老化筛选。
2 引用标准2.1 GB4032半导体分立器件GB4936.1半导体分立器件总规范GB4938 半导体分立器件接收和可靠性3 设备、仪器、工具3.1 晶体管老化台3.2 晶体管特性图示仪3.3 晶体二极管测试仪3.4 万用电桥3.5 电容测试仪3.6 电热鼓风干燥箱3.7 交流稳压器3.8 万用表4 高温储存4.1目的使具有潜在缺陷的器件（如污染、引线不良、氧化缺陷等）提前失效，加以清除。
4.2储存温度a)锗二、三极管：85±2℃b)硅二、三极管：85±3℃c)集成电路：85±2℃4.3 储存时间24h4.4 试验方法4.4.1初试4.4.1.1标准测试条件a)环境温度：25±5℃b)相对湿度：45%～75%c)大气压力：86～106kpa4.4.1.2 技术要求按器件电参数规范测试a）二极管V BR：击穿电压。
I K：反向电流。
b) 三极管I CBO：集电极—基极反向击穿电流。
V（E R）CEO：集电极—发射极反向击穿电压。
V CE（sat）：集电极—反向饱和压降。
I C—V CE：共射极输出特性曲线。
H FE：共射极静态电流放大系数。
c) 稳压二极管UZ：稳定电压IZ：稳定电流d)电阻器选择筛选的电阻器测量阻值的误差范围不得超过±5%。
e)集成电路选择能预示器件早期失效的参数，作为筛选参数。
注：集成电路种类、规格繁多，差异较大，根据实际应用情况选测主要参数。
f)电容器电解电容量允许误差为±20%，无极电容电容量允许误差为±5%。
4.4.2 试验步骤4.4.2.1 将初测合格的器件装入专用金属盒,放入烘箱,把温度调到规定值.4.4.4.2 温度达到规定值时开始计算时间,48h后取出器件,并在室温下恢复应不少于1h.4.4.2.3 重复4.4..1条的测试步骤.5常温静态功率老化5.1 目的在较长时间内对器件连续施加一定的电压力,通过电—热应力的综合作用,来加速器件内部的物理\化学反映的过程.促使器件内部各种潜在的缺陷及早暴露,以剔除早期失效的器件.5.2 试验要求5.2.1 二极管5.2.1.1 检波、开关、整流二极管的正向电功率的老化，应取额定正向电流的1.5倍，老化时间为48h。
电子产品老化温度及时间确认
所谓老化试验是在不破坏产品失效的基础上施加合理的环境应力和电应力，将其内部的潜在缺陷加速变成故障，尽快达到浴盆曲线中期失效。通常都以温度作为应 力而最常见，公式参见下面。 SS=1-exp[-0.0017(R+0.6)0.6t] 式中，SS——筛选强度(筛选出的缺陷品数的平均值/总的潜在缺陷品)
电子产品老化温度及时间确认ss1exp00017r0606t式中ss筛选强度筛选出的缺陷品数的平均值总的潜在缺陷品r高温与室温一般取25的差值t恒定高温持续时间he2718282筛选强度与温度时间对应表rt246805101520253035404500012001140021400313004120050900605007000079500888000240022600423006170080600992011740135201527016980003700337006280091101184014500170801958022000243500049004470082
R——高温与室温（一般取25℃）的差值 t——恒定高温持续时间（h） e= 2.718282
筛选强度与温度、时间对应表：
R
0
t
2 0.0012
4 0.0024
6 0.0037
8 0.0049
10 0.0061
12 0.0073
16 0.0097
18 0.0110
20 0.0122
24 0.0146
Unit: R:℃ t:h
20
0.0412 0.0806 0.1184 0.1547 0.1895 0.2229 0.2855 0.3149 0.3431 0.3961
25
0.0509 0.0992 0.1450 0.1885 0.2298 0.2690 0.3415 0.3750 0.4068 0.4656
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反向耐压：
IN4004>400V,IN4007>1000V,
击穿曲线符合要求
正向压降：VF<1.1V,(IO=1A),IR=50uA＠
100℃
稳态功率
48h
环境温度控制在常温25℃；
IO=1A,VC=0.85*N+R0
20
IN5408
反偏
24h
电压上限，80％VRRM＝800V，
电流上限，250uA；温度设定125℃
稳态功率
48h
调节水压及流量，壳温控制75℃；
IC＝0.3*ICM＝8.1A,RE=5/4Ω；
VC=VCE+IC*RE=20.8V
4
IRFP250N
栅偏
24h
电压上限，80％VGSS＝16V；
电流上限，IG=1uA；温度设定125℃
阀值电压：2.0-4.0V
击穿电压：>200V
电流上限，ICBO=50uA；
温度设定125℃
反向耐压：
IN4007>1000V
击穿曲线符合要求
正向压降：VF<1.1V,(IO=3A) ,IR=50uA＠
100℃
稳态功率
48h
环境温度控制在常温25℃；
IO=3A,VC=0.85*N+3R0
元器件老化筛选条件速查表（五）
序号
元器件型号
老化项目
老化
时间
老化板型号
老化系统设定参数
测试参数及限值
21
IN4148
MM4148
反偏
24h
电压上限，80％VRRM＝60V，
电流上限，50uA；温度设定125℃
反向耐压：>75V,
击穿曲线符合要求
正向压降：VF<1.0V,(IO=10mA),
IR=50uA＠150℃,20V
稳态功率
48h
环境温度控制在常温25℃；
VC=VCE+IC*RE=29V
5
IRFP460
栅偏
24h
电压上限，80％VGSS＝16V；
电流上限，1uA；温度设定125℃
阀值电压：2.0-4.0V
击穿电压：>500V
击穿曲线符合要求
跨导：gfs>13,测试时VDS=50V,ID=12A。
(电流上限，IG=100nA＠25℃,IDSS=250uA
＠25℃)
反偏
24h
电压上限，80％VCEO＝36V；
电流上限，βICBO≈10uA；
，温度设定125℃
稳态功率
48h
环境温度控制在常温25℃；
PCM=400mW，Vce＝0.75Vceo＝33.725V,IC＝11.86mA，
VC=33.725+11.86mA (Re+Rc)=
15
LM7805
稳态功率
IR=100uA＠150℃
稳态功率
48h
环境温度控制在常温25℃；
IO=1A,VC=2.3*N+R0
23
IN5819
反偏
24h
电压上限，80％VRRM＝32V，
电流上限，IR=10mA；
温度设定125℃
反向耐压：>40V,
击穿曲线符合要求
正向压降：VF<0.6V,
(IO=1A),
IR=10mA＠100℃
电流上限，250uA；温度设定125℃
稳态功率
48h
环境温度控制在常温25℃；
PCM=400mW，Vce＝0.75Vceo＝37.5V
IC＝10.67mA，
VC=37.5+10.67 mA(Re+Rc)=
7
BD238
反偏
24h
电压上限，80％VCBO＝80V；
电流上限，1mA；
温度设定125℃
C-E击穿电压>80V
IN4148：IO=0.3A,VC=0.85*N+0.3R0
MM4148：IO=0.15A,VC=0.85*N+0.15R0
22
BYV26C
反偏
24h
电压上限，80％VRRM＝480V，
电流上限，100uA；
温度设定125℃
反向耐压：>600V,
击穿曲线符合要求
正向压降：VF<2.5V,(IO=1A),
48h
环境温度控制在常温25℃；
Vb＝VIN-VOUT+IL*RL=15+RL
Vc＝VOUT－IL*RL=5－RL
IO＝1A
输入7.5V≤VIN≤20V
时，4.75 V≤VOUT≤5.25 V。
16
LM7812
稳态功率
48h
环境温度控制在常温25℃；
Vb＝VIN-VOUT+IL*RL=15+RL
Vc＝VOUT－IL*RL=12－RL
元器件老化筛选条件速查表（四）
序号
元器件型号
老化项目
老化
时间
老化板型号
老化系统设定参数
测试参数及限值
14
S9014
反偏
24h
电压上限，80％VGES＝40V；
电流上限，1uA；
温度设定125℃
C-E击穿电压>45V
C-B击穿电压>50V
击穿曲线符合要求
ICM：0.1A
直流增益（hFE）>25
(电流上限ICBO=0.1uA
3
IRF540N
栅偏
24h
电压上限，80％VGSS＝16V；
电流上限，1uA；温度设定125℃
阀值电压：2.0-4.0V
击穿电压：>100V
击穿曲线符合要求
跨导：gfs>21,测试时VDS=50V,ID=16A。
(电流上限，IG=100nA＠25℃,IDSS=1000uA
＠150℃)
反偏
24h
电压上限，80％VDSS＝80V；
C-B击穿电压>100V
击穿曲线符合要求
ICM：2A
直流增益（hFE）>40
(电流上限，ICBO=100nA＠25℃,ICEO=250uA＠
125℃)
反偏
24h
电压上限，80％VCES＝64V；
电流上限，2mA；
温度设定125℃
稳态功率
48h
环境温度控制在常温25℃；
PCM=25W，Vce＝0.5Vceo＝50V
IO＝1A
输入14.25V≤VIN≤27V时，11.4 V≤VOUT≤12.6V。
17
LM7815
稳态功率
48h
环境温度控制在常温25℃；
Vb＝VIN-VOUT+IL*RL=15+RL
Vc＝VOUT－IL*RL=15－RL
IO＝1A
输入17.5V≤VIN≤30V时，14.25 V≤VOUT≤15.75V。
电流上限，1uA；
温度设定125℃
C-E击穿电压>25V
C-B击穿电压>40V
击穿曲线符合要求
ICM：0.5A
直流增益（hFE）>85
(电流上限，ICBO=0.1uA＠25℃,ICEO=0.1uA＠
25℃)
反偏
24h
电压上限，80％VCEO＝20V；
电流上限，1uA；
温度设定125℃
稳态功率
48h
环境温度控制在常温25℃；
序号
元器件型号
老化项目
老化
时间
老化板型号
老化系统设定参数
测试参数及限值
1
G15N60RUFD
栅偏
24h
电压上限，80％VGES＝16V；
电流上限，1uA；温度设定125℃
阀值电压：5.0-8.5V
击穿电压：>600V
击穿曲线符合要求
(电流上限，IG=100nA＠25℃,ICES=250uA＠25℃)
阀值电压：3.0-6.0V
击穿电压：>600V
击穿曲线符合要求
(电流上限，IG=100nA＠25℃,ICES=1000uA＠150℃))
反偏
24h
电压上限，80％VCES＝480V；
电流上限，1mA；温度设定125℃
稳态功率
48h
调节水压及流量，壳温控制75℃；
IC＝0.3*ICM＝6.6A;
VC=VCE+IC*RE=29.15V
击穿曲线符合要求
跨导：gfs>17,测试时VDS=50V,ID=18A。
(电流上限，IG=100nA
＠25℃,IDSS=250uA
＠150℃)
反偏
24h
电压上限，80％VDSS＝160V；
电流上限，ID=250uA；温度设定125℃
稳态功率
48h
调节水压及流量，壳温控制75℃；
IC＝0.3*ICM＝7.2A,RE=5/4Ω；
PCM=2W，Vce＝0.5Vceo＝50V
IC＝40mA，
VC=50+40mA *(Re+Rc)=
元器件老化筛选条件速查表（三）
序号
元器件型号
老化项目
老化
时间
老化板型号
老化系统设定参数
测试参数及限值
10
TIP122
反偏
24h
电压上限，80％VGES＝80V；
电流上限，1uA；
温度设定125℃
C-E击穿电压>100V
电压上限，80％VCEO＝64V；
电流上限，βICBO≈1mA；
温度设定125℃
稳态功率