新型电子元器件之线圈和陶瓷
电子元器件基础知识常用电子元件入门知识
电子元器件基础知识常用电子元件入门知识阅读：2280次来源：网络媒体摘要：电子元器件包括：电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料、电子胶（带）制品、电子化学材料及部品等。
电子元器件基础知识常用电子元件入门知识1．电阻（1）电阻的作用和外形电阻在电路中的主要作用是降压、限流、分流、分压和作偏置元件使用。
电阻在电路中对低频交流电和直流电的阻碍作用是一样的，用字母R来表示。
电阻的外形如下图所示（图3-1）。
（2）电阻的命名电阻的型号由四部分组成，其命名方式如下（图3-2）表示:例如：RH42为：R代表电阻器，H为合成碳膜，4为高电阻，2为序号，意义为高电阻合成碳膜电阻，编号为2。
（3）电阻的识别电阻的常用单位有欧姆（Ω）、千欧（KΩ）、兆欧（MΩ）等。
它们之间的关系是：1兆欧=1000千欧、一千欧=1000欧。
电阻的标识方法有直标法和色环法。
①在生产时直接将电阻阻值的大小印制在电阻器上，如图3-3：②电阻阻值的大小通过色环来表示，一般有4道或5道色环。
4道色环的含义，其中第一道和第二道色环表示2位有效数字，第三道色环表示倍数，第四道色环表示误差等级。
5道色环的含义，其中第一道、第二道、第三道环表示3位有效数字，第四道环表示倍数，第五道环表示误差等级（如图3-4）。
色环一般采用棕、红、橙、黄、绿、蓝、紫、灰、白、黑、金、银色来表示，各颜色的含义如下表：如图3-5所示，如某电阻有4道色环，它表示Ω，误差等级为±10%；如某电阻有5道色环，它表示428KΩ，误差等级为±%。
③贴片电阻（图3-6）的命名贴片电阻阻值误差精度有±1％、±2％、±5％、±10％精度，常规用的最多的是±1％和±5％，±5％精度的常规是用三位数来表示。
bwl 电阻
bwl 电阻BWL电阻是一种常见的电子元器件，它在电路中扮演着很重要的角色。
下面，我将分步骤阐述BWL电阻的相关内容。
第一步：什么是BWL电阻BWL电阻，英文全称为Bulk Wirewound Low value resistor，中文可以翻译为大型线圈陶瓷电阻。
顾名思义，它是由大型线圈和陶瓷材料构成的电阻，具有体积大、功率高、精度高等优点，被广泛应用于各种电子设备中。
第二步：BWL电阻的结构BWL电阻外形为长方体，由两端引出的金属电极连接电路。
其内部结构为线圈状，由一条或多条细铜线或金属合金线缠绕而成，缠绕的过程需要严格控制线圈的密度和弹性，以确保电阻的精度和稳定性。
线圈外部覆盖着一层陶瓷材料，起到保护和固定线圈的作用。
第三步：BWL电阻的特性BWL电阻具有以下特点：1.体积大，功率高：由于BWL电阻采用了大型线圈制造，所以体积相对较大，能承受的功率也比较高。
2.精度高：BWL电阻制造过程中，需要经过精密的加工和控制，其精度可以达到0.01%。
3.稳定性好：电阻值稳定，不易受环境温度、湿度等影响。
4.耐高温：BWL电阻能够在高温环境下工作，一般可以承受300℃的温度。
第四步：BWL电阻的应用BWL电阻广泛应用于各种电子设备和仪器中，例如：1.模拟电路：在模拟电路中，需要使用电阻来限制电流和调节电压，而BWL电阻的精度和稳定性特别适合于模拟电路的应用。
2.功放电路：在功放电路中，要求电阻具有较高的功率和较低的噪声，BWL电阻正好满足这一要求。
3.测量仪器：在测量仪器中，需要使用高精度、高稳定性的电阻，BWL电阻也是首选。
4.电子管放大器：在电子管放大器中，需要使用低噪声、低失真的电阻，而BWL电阻的特性可以很好地满足这一需求。
总之，BWL电阻是一种非常重要的电子元器件，其具有体积大、功率高、精度高和稳定性好等优点，被广泛应用于各种电子设备中。
电子元器件的分类与功能
电子元器件的分类与功能电子元器件是电子设备中的组成部分，它们具有不同的功能和特点。
电子元器件根据其功能和用途可以分为不同的类型。
本文将介绍几种常见的电子元器件，并详细解释它们的分类和功能。
1. 电阻器（Resistor）- 电阻器用于限制电流流动，通过产生电阻来控制电路中的电压和电流。
- 根据电阻值的大小可分为固定电阻器和变阻器。
固定电阻器的电阻值固定，而变阻器可以调节电阻值。
- 常见的电阻器有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻等。
2. 电容器（Capacitor）- 电容器用于存储和释放电荷。
它由两个带电极板和介质组成。
- 根据介质的类型可以分为小型电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器等。
- 电容器具有吸收噪声、滤波和能量存储等功能。
3. 电感器（Inductor）- 电感器用于储存和释放磁能，通过电流的变化来产生电场和磁场。
- 电感器主要由线圈和铁芯组成。
- 电感器在电源滤波、频率选择和振荡器等电路中有重要作用。
4. 二极管（Diode）- 二极管是一种用来控制电流流动方向的元器件。
- 它具有单向导通的特性，正向导通时电流可以流动，反向截止时电流无法通过。
- 常用的二极管有普通二极管、稳压二极管、肖特基二极管等。
5. 三极管（Transistor）- 三极管是一种具有放大和开关功能的半导体器件。
- 它由三个区域组成，分别为基极、发射极和集电极。
通过控制基极电流可以控制集电极电流的变化。
- 三极管广泛应用于放大器、振荡器、计算机逻辑门等电路中。
6. 集成电路（Integrated Circuit）- 集成电路是多个电子元件以及其它传导材料集成在一个晶片上的芯片。
- 它具有体积小、功耗低和可靠性高等优点。
- 集成电路根据应用可以分为模拟集成电路和数字集成电路。
7. 传感器（Sensor）- 传感器是将非电信号转换成电信号的装置。
- 它可以感知各种物理量和环境信号，如温度、压力、光线等。
- 传感器广泛应用于工业自动化、环境监测、医疗设备等领域中。
电子元器件的原理及应用
电子元器件的原理及应用1. 什么是电子元器件电子元器件是指用于控制电子信号流动和变化，以实现电子设备功能的基本器件。
它是电子电路中不可或缺的组成部分，广泛应用于通信、计算机、家用电器、医疗器械等各个领域。
电子元器件主要包括半导体器件、电阻器、电容器、电感器、变压器等。
2. 常见的电子元器件及其原理2.1 半导体器件半导体器件是电子元器件中最重要的一类。
常见的半导体器件有二极管、晶体管和集成电路等。
它们的原理基于半导体材料的特性，通过控制电流和电压来实现对电子信号的控制和放大。
半导体器件广泛应用于放大器、开关、逻辑门等电路中。
2.2 电阻器电阻器是电子元器件中最常见的一类。
它的原理是利用电阻材料的电阻特性来限制电流的流动。
电阻器的作用包括限流、分压和稳压等。
根据电阻值的不同，电阻器又分为固定电阻器和可变电阻器两种。
固定电阻器一般用于稳定电路的电阻值，而可变电阻器常用于调节电路中的电阻值。
2.3 电容器电容器是一种能够存储电能的电子元器件。
它的原理基于电场的存储特性，通过两个带电板之间的电介质来储存电荷。
电容器的作用包括储能、滤波、耦合和相移等。
根据电容值的大小，电容器又可以分为固定电容器和可变电容器两种。
2.4 电感器电感器是利用电磁感应原理来存储能量的电子元器件。
它由线圈和磁介质构成，通过电流在线圈中的变化来产生磁场能量的存储。
电感器的作用包括储能、滤波、耦合和振荡等。
根据电感值的大小，电感器又可以分为固定电感器和可变电感器两种。
2.5 变压器变压器是一种能够变换交流电压的电子元器件。
它由两个或多个线圈组成，通过磁耦合的方式将输入电压变换成输出电压。
变压器广泛应用于电力系统、电子设备和通信设备等领域，用于提供合适的电压和电流。
3. 电子元器件的应用3.1 通信设备电子元器件在通信设备中起着重要的作用。
例如，在手机中，半导体器件用于产生和放大电子信号；电容器和电阻器用于滤波和稳压；变压器用于变换电压等。
陶瓷线圈的原理
陶瓷线圈的原理陶瓷线圈是一种常见的电子元件，主要用于电感器和变压器中。
它由陶瓷材料制成，并且具有良好的耐热、耐腐蚀的性能。
陶瓷线圈的原理主要包括磁耦合和电感。
下面将详细介绍陶瓷线圈的工作原理。
首先，需要了解电感器和变压器的基本原理。
电感器是一种用于储存能量的装置，它能够通过磁场耦合来存储和释放能量。
而变压器是一种能够改变电压和电流大小的装置，它基于磁感应定律和电感器的原理工作。
陶瓷线圈作为电感器的一种常见形式，其工作原理主要是利用线圈中的电流产生的磁场来储存和释放能量。
当电流通过陶瓷线圈时，将在线圈周围产生一个磁场。
这个磁场与线圈的电流大小和方向有关。
当线圈中通入电流时，根据右手定则，可以得到线圈周围磁场的方向。
磁场的方向垂直于线圈的平面，且方向由电流的方向决定。
根据安培环路定律，线圈周围的磁场会增强或减弱电流通过的磁感应强度。
陶瓷线圈的磁场可以与其他磁场进行磁耦合。
磁耦合是指在两个或多个磁场之间的相互作用。
陶瓷线圈的磁场可以通过磁耦合来传递能量。
在变压器中，磁场的传递是通过铁芯实现的，而在电感器中，磁场的传递是通过空气传递的。
由于陶瓷线圈的特殊结构和材料，它具有良好的耐热、耐腐蚀的性能。
陶瓷材料具有非常低的电导率，因此它对电磁场的影响非常小，能够有效地储存和传递能量。
此外，陶瓷线圈还具有良好的电感性能。
电感是指电流通过线圈产生的磁场与线圈本身的关系。
陶瓷线圈的电感主要取决于线圈的长度、横截面积和线圈的匝数。
通常，线圈长度越长，横截面积越大，匝数越多，电感越大。
电感的大小决定了电感器和变压器的工作特性。
在交流电路中，电感器可以阻碍电流的变化，电感越大，阻抗越大，对电流的变化越敏感。
而变压器则能够根据磁耦合原理来改变电压和电流。
通过控制线圈的匝数比例，可以实现电压的升降变换。
总之，陶瓷线圈通过线圈中的电流产生磁场，利用磁耦合传递能量。
它具有良好的耐热、耐腐蚀性能，适用于各种电感器和变压器。
陶瓷线圈的工作原理非常简单，但它在电子设备中扮演着重要的角色，能够实现电流储存和变压功能。
tht类型元件
THT类型元件什么是THT类型元件THT（Through-Hole Technology）类型元件是一种电子元件安装技术，其特点是通过将元件引脚插入印刷电路板（PCB）上的孔中，并通过焊接来固定元件。
THT类型元件通常具有较大的尺寸和插脚，适用于手工和半自动焊接工艺。
THT类型元件的分类THT类型元件可以根据其功能和特性进行分类。
以下是一些常见的THT类型元件：1.电阻器（Resistors）：电阻器是一种用于限制电流流动的电子元件。
它们通常由陶瓷或金属制成，具有两个引脚，用于将其插入PCB上的孔中。
2.电容器（Capacitors）：电容器是一种用于存储电荷的元件。
它们由两个导体板之间的电介质隔开，并具有两个引脚，用于插入PCB上的孔中。
3.二极管（Diodes）：二极管是一种具有两个电极（阳极和阴极）的元件。
它们用于控制电流的方向，并具有一个引脚插入PCB上的孔中。
4.三极管（Transistors）：三极管是一种具有三个电极（基极、发射极和集电极）的元件。
它们用于放大和开关电流，并通过将引脚插入PCB上的孔中进行连接。
5.继电器（Relays）：继电器是一种电磁开关，用于控制较大电流的流动。
它们由线圈和多个触点组成，并通过将引脚插入PCB上的孔中进行连接。
6.音频插孔（Audio Jacks）：音频插孔用于连接音频设备，例如耳机或扬声器。
它们具有多个引脚，用于插入PCB上的孔中，并传输音频信号。
7.开关（Switches）：开关用于打开或关闭电路。
它们通常具有一个或多个引脚，用于插入PCB上的孔中，并通过切换来控制电路的连接。
THT类型元件的优点和应用THT类型元件具有以下优点：1.稳定性：由于THT类型元件通过插入孔并焊接到PCB上，因此它们通常比其他类型的元件更牢固和稳定。
2.适应性：THT类型元件适用于手工和半自动焊接工艺，使其在小批量生产和原型制作中非常有用。
3.可靠性：由于THT类型元件的焊接连接较为牢固，它们在振动和环境变化下的可靠性较高。
电子元件图片识别大彩图很全
电子元件图片识别电阻的图片第1幅图1，9 普通电阻图2 电阻排图3 ，5 贴片电阻。
图4，10 水泥电阻。
图6 功率电阻。
图7 变阻器。
图8 柱形贴片电阻。
图10，11 光敏电阻电阻的图片第2幅图1，2，3，4 大功率电阻。
图5，6，7，8压敏电阻。
图9 线绕陶瓷电阻电阻的图片第3幅微调电阻的图片第1幅：可调电阻/微调电阻图片微调电阻的图片第2幅：可调电阻/微调电阻图片微调电阻的图片第3幅：可调电阻/微调电阻图片图1，2，3，4，6，7，8，11，12基本旋转电位器图片。
图3线绕电位器图片。
图5，9双联电位器/同步电位器图片。
图10直滑电位器图片各种电位器的图片第3幅：图1线绕变阻器。
图2，4基本旋转电位器图片。
图5多圈电位器图片电容分类图片-各种电容器图片各种电容器图片第1幅图1 胆电容。
图2 灯具电容器。
图3 MKPH电容。
图4 MET电容。
图5，10 PEI电容，图6，胆贴片电容。
图7 MPE电容。
图8贴片电容。
图11 轴向电解电容器。
图12 MPP电容各种电容器图片第2幅图1 PPN电容。
图2 PET电容。
图3 MEA电容图4MPB 电容。
图5 PPT 电容。
图6 MPT电容。
图7电解电容器。
图8 MET电容。
图9 MKPH电容。
图10，11电机用电容。
图12 MKS电容。
各种电容器图片第3幅：图1 MKS电容。
图2 瓷片电容。
图3 ，4 MKP电容。
图5 贴片电解电容。
图6 史普瑞电容Sprague Orange Drop Capacitors。
图7 电机用电容。
图8 MKT电容。
图9陶瓷图1 MKS电容。
图3，8 云母电容。
图4 MPP电容。
图5 MKP电容。
图9 MEP电容。
图10 MPP电容。
图11 PPN电容。
图12 PEI电容。
图1，2，3，陶瓷电容器。
图4 色环陶瓷电容。
图5，10，11，电机起动及运行电容器。
图12充放电用电容各种电容器图片第6幅：图1 双连调谐电容。
图2微调电容。
电子元器件的选型与应用资料
电子元器件的选型与应用资料引言：电子元器件广泛应用于各行各业，对于各种电子设备的性能和功能发挥起着至关重要的作用。
良好的元器件选型以及正确的应用资料是保证电子设备稳定运行和性能优越的基础。
本文将就电子元器件的选型和应用资料进行详细探讨。
1. 电子元器件的选型1.1 电容器电容器是一种常见的电子元器件，用于储存电荷并具有通流和隔离的特性。
选型电容器时，首先需确定所需的电容值、电压和尺寸等参数。
根据电路的需求，可以选择钽电容器、电解电容器或陶瓷电容器等。
钽电容器适用于高质量音频系统等对音质要求较高的场合，而电解电容器则适用于需要较大容量的场合。
1.2 电感器电感器主要用于在电路中储存能量，起到滤波、隔离和功率传输等作用。
选型电感器时，需要考虑电感值、电流和频率等因素。
根据需求，可选择铁氧体电感器、线圈电感器或陶瓷电感器等。
铁氧体电感器适用于高频调谐电路，而线圈电感器适用于低频电路。
1.3 可变电阻器可变电阻器也称为电位器，用于调节电路中的电阻值。
在选型时，需要考虑电阻范围、精度和转动方式等参数。
常见的可变电阻器有旋转式电位器和推轨式电位器。
旋转式电位器适用于控制亮度、音量等参数，并且旋转角度较大，而推轨式电位器适用于微调电阻值。
2. 应用资料的准备2.1 数据手册数据手册是电子元器件的重要资料，提供了元器件的规格、性能曲线、尺寸和引脚定义等详细信息。
在选型和使用过程中，数据手册是不可或缺的参考资料。
应在选型前事先准备好数据手册，并认真研读其中的内容。
2.2 电路设计良好的电路设计是高效使用电子元器件的保障。
在应用资料中，需准备清晰的电路图纸，标注元器件的数值、型号和连接方式等。
电路设计应考虑到电压、电流、功率和频率等参数的要求，确保元器件能够正常工作并达到预期的效果。
2.3 元器件样品在选型和设计确定后，建议获取元器件的样品进行实际测试和验证。
通过样品测试，可以更直观地了解元器件的特性，并进行必要的调整和改进，以确保选型和应用资料的准确性。
电子元器件的分类和特点有哪些
电子元器件的分类和特点有哪些电子元器件是电子电路中的基础元件，它们负责完成电子信号的传输、处理和控制等功能。
根据其工作原理和用途，电子元器件可以分为以下几类：1.电阻：电阻是用来限制电流流动的元件，它的特点是能够产生电压降。
根据制作材料和结构的不同，电阻可以分为固定电阻、可变电阻和电位器等。
2.电容：电容是一种能够储存电能的元件，它的特点是在两端产生电压。
根据电容器的构造和材料，可以分为固定电容、可变电容和电解电容等。
3.电感：电感是用来储存磁场能的元件，它的特点是在两端产生电压。
根据电感线圈的构造和材料，可以分为固定电感和可变电感等。
4.半导体器件：半导体器件是利用半导体材料的导电性进行工作的元件。
常见的半导体器件有二极管、三极管和晶闸管等。
5.集成电路：集成电路是将大量的小型电子元件集成在一块半导体芯片上的元件。
根据其功能和用途，集成电路可以分为数字集成电路、模拟集成电路和混合集成电路等。
6.开关器件：开关器件是用来控制电路通断的元件。
根据开关方式的不同，可以分为机械式开关、半导体开关和继电器等。
7.放大器：放大器是一种用来增大信号幅度的元件。
根据放大原理的不同，可以分为模拟放大器和数字放大器等。
8.传感器：传感器是一种用来检测和转换各种物理量（如温度、压力、光照等）的元件。
根据检测物理量的不同，传感器可以分为温度传感器、压力传感器、光敏传感器等。
9.电源：电源是提供电能的装置，用于为电子电路提供稳定的电压和电流。
根据电源的类型，可以分为直流电源、交流电源和开关电源等。
以上是电子元器件的一些基本分类和特点。
了解这些元器件的性质和功能，对于学习电子电路设计和分析具有重要的意义。
习题及方法：1.习题：电阻的单位是什么？解题方法：回忆电阻的单位，它是欧姆（Ω），表示电阻对电流流动的阻碍程度。
2.习题：电容的符号是什么？解题方法：电容的符号是C，表示电容器能够储存的电荷量与电压的比值。
3.习题：电感的大小与哪些因素有关？解题方法：电感的大小与线圈的匝数、线圈的面积、线圈的材料和线圈的结构有关。
电子元器件介绍
主要特性参数
1、标称阻值：
电阻器上面所标示的阻值。
允许误差 系列代号 标称阻值系列
20%
E6 1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10%
E12 1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6 6.8 8.2
电容器介质材料 钽电解 聚笨乙烯等非极性有机薄膜 高频陶瓷 铝电解 其他材料电解 合金电解 纸膜复合 玻璃釉 金属化纸
字母 L N O Q T V Y Z
电容器介质材料 聚脂等极性有机薄膜 铌电解 玻璃膜 漆膜 低频陶瓷 云母纸 云母 纸
主要特性参数
标称容量：电容器产品标出的电容量值。云母和陶瓷介质电容器的电容量较低 （大约在5000pF以下）；纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容器居中（大约在 0.005uF~1.0uF）；通常电解电容器的容量较大。
使用寿命：电容器的使用寿命随温度的增加而减小。主要原因是温度加速化学 反应而使介质随时间退化。
绝缘电阻： 直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻. 当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量＞0.1uF时，主要取决于介质 的性能，绝缘电阻越大越好。
常用电容的几项特性
电容种类
电子元器件是各类电子产品
的核心组成部分，掌握电子元器 件的相关知识是学习电子技术的 一个重要部分，了解电子元器件 更是我们用好ICT不可缺少的一个 重要组成部分。
本单元主要介绍
电阻（普通电阻、敏感电阻、电位器） 电容 电感（变压器） 二极管（稳压、恒流、变容、发光） 三极管 可控硅
电子陶瓷
电子陶瓷电子陶瓷概念在电子工业中能够利用电、磁性质的陶瓷，称为电子陶瓷。
电子陶瓷是通过对表面、晶界和尺寸结构的精密控制而最终获得具有新功能的陶瓷。
在能源、家用电器、汽车等方面可以广泛应用。
电子陶瓷或称电子工业用陶瓷，它在化学成分、微观结构和机电性能上，均与一般的电力用陶瓷有着本质的区别。
这些区别是电子工业对电子陶瓷所提出的一系列特殊技术要求而形成的，其中最重要的是须具有高的机械强度，耐高温高湿，抗辐射，介质常数在很宽的范围内变化，介质损耗角正切值小，电容量温度系数可以调整（或电容量变化率可调整）．抗电强度和绝缘电阻值高，以及老化性能优异等。
电子陶瓷材料的发展，同物理化学、应用物理学、硅酸盐物理化学、固体物理学、光学、电学、声学、无线电电子学等的发展密切相关，它们相互促进，从而在电子技术的飞跃发展中，使电子陶瓷也相应地取得了很大进展。
利用陶瓷材料的高频或超高频和低频电气物理特性可制作各种不同形状的固定零件、陶瓷电容器、电真空陶瓷零件、碳膜电阻基体等等，它们在通信、广播、电视、雷达、仪器仪表等电子设备中是不可缺少的组成部分；另外，随着激光、计算、集成、光学等新技术的发展，电子陶瓷的用途更日益扩大。
都说电子陶瓷是特种陶瓷家族中的新宠,是因为它应用广泛,有着无限的发展前途。
电子陶瓷主要有两大类,即电性能和功能性的电子陶瓷。
电性能方面,电子陶瓷是制造加热器、避雷设备、湿度计、光电池等产品的重要材料,因为它具有良好的“热敏、压敏、湿敏、气敏和光敏”性能。
电子陶瓷材料的特性在各种精密陶瓷中，以电子陶瓷的应用最多样，市场也最大，由於其优异的特性，且具有一些特殊的性能，如压电性、焦电性等，使它在电子工业上占有一个非常重要的地位，到底是哪些特性呢？分述如下：1. 具有范围极为宽广的电气特性：金属是导体，塑胶不导电是一般人耳熟能详的，但是陶瓷却具有极为宽广的电气特性，从一般的绝缘体，到半导体，导体、甚至超导体，都有不同的陶瓷具备此功能，且发展完整。
陶瓷电容传感器原理
陶瓷电容传感器原理
陶瓷电容传感器利用陶瓷材料的电容变化来实现压力、力量或形变的测量。
其原理基于以下两个关键点：
1. 电容原理：电容是电子元器件中常见的一种性质，是指导体间的电荷储存能力。
电容与导体间的距离和导体面积成正比，与介质介电常数成反比。
当两个导体之间的距离改变或介质的介电常数改变时，电容值也会相应改变。
2. 利用陶瓷材料的特性：陶瓷材料有一定的弹性和可压性。
当陶瓷材料受到外力作用时，会产生形变，从而改变材料的维度和形状。
基于以上原理，陶瓷电容传感器的工作过程如下：
1. 传感器结构：陶瓷电容传感器主要由两个电极板和中间的陶瓷介质构成，其中陶瓷介质可以为陶瓷膜或陶瓷片。
2. 电极板间的电容：在无外力作用时，电极板间的距离为一定值，陶瓷介质的介电常数也是一定的，因此电极板间的电容值是固定的。
3. 外力作用：当传感器受到外力作用（如压力、力量或形变）时，陶瓷材料发生形变，导致电极板间的距离发生变化，同时介质的介电常数也可能发生变化。
4. 电容变化：随着电极板间距离和介质介电常数的变化，电容
值也会相应变化。
这个变化可以通过测量传感器两端的电容值或电容的变化量来得到，并与外力的大小或形变程度建立对应关系。
总的来说，陶瓷电容传感器的原理是利用陶瓷材料的弹性和可压性，通过测量电容的变化来实现对压力、力量或形变等物理量的测量。
电子元器件识别及原理
电子元器件识别及原理电子元器件是我们生活中经常接触到的物件。
无论是我们使用的手机、电脑等电子设备，还是汽车、家庭电器等都离不开电子元器件。
电子元器件的种类繁多，如何正确识别电子元器件及了解其原理，对于学习电子技术、维修故障都是必不可少的。
本文将介绍一些电子元器件的识别方法及其原理。
一、电阻器电阻器的主要作用是限制电路中电流的流动，并在操作过程中发热。
根据电阻器的尺寸、电阻值、功率及材料等方面的不同，可分为不同的类型。
如：1. 炭膜电阻器：采用炭为材料的电阻器，具有比较高的精度和稳定性，但容易受潮，不耐高温。
2. 金属膜电阻器：金属膜电阻器是采用金属薄膜作为电阻材料的电阻器，外壳通常为光滑的蓝色或黄色塑料外壳，具有稳定性、精度高等优点。
3. 硅光电阻：硅光电阻是采用硅为材料的光电导电器，具有响应速度快、稳定性好、线性度高等优点。
二、电容器电容器是存储能量的一种电子元器件。
电容器的容量越大，储存的能量也就越大。
一般电容器分类如下：1. 陶瓷电容器：陶瓷电容器是一种常用、普遍的电容器，阻挡特性好，稳定性高，不易受温度影响。
2. 铝电解电容器：铝电解电容器是一种存储电能的器件，容量较大，工作电压在几伏特至几百伏特范围内，广泛应用于各种电路中。
3. 金属化聚丙烯膜电容器：金属化聚丙烯膜电容器是直流电容器的一种，具有结构简单、容量大、稳定性好等优点。
三、电感器电感器是承载着电磁场的电子元器件。
其中蕴含着时间、电流、磁通量等，使用频率范围广泛，分类如下：1. 铁芯电感：铁芯电感器是利用铁芯来达到电感器的目的，分为单层线圈、多层线圈、防干扰线圈等。
2. 铜线扇形电感器：铜线扇形电感器是一种纸铝扇形电感器，容量大、直径一般较小，广泛用于电子机械设备。
四、二极管二极管是一种有极性的电子元件，通过半导体材料组成的PN结。
二极管具有一个高电平和一个低电平，能够用于电流反向防护和选波等。
分类如下：1. 硅二极管：硅二极管是载流能力较强的二极管，主要用于直流电源电路中。
功能陶瓷材料_磁功能陶瓷
功能陶瓷材料_磁功能陶瓷磁功能陶瓷可以分为软磁性陶瓷和硬磁性陶瓷两类。
软磁性陶瓷是指具有高磁导率、低磁阻和低磁化消散的特性。
它广泛应用于电子设备中，如变压器、感应器、电磁线圈等。
软磁性陶瓷具有良好的磁导率和低磁化损耗，能够有效地承受高频信号的传导和传输，同时具有优良的电气绝缘性能，能够阻止电流泄漏和高频信号的干扰。
此外，软磁性陶瓷还具有良好的耐温性能，能够在高温环境下长时间稳定工作。
目前，软磁性陶瓷的主要材料有氧化锌、氧化镍、氧化镉等。
硬磁性陶瓷是指具有较高的磁化强度和矫顽力的特性。
它在电子设备、汽车、医疗器械等领域具有广泛的应用。
硬磁性陶瓷具有高矫顽力和良好的稳定磁性能，能够在外加磁场的作用下保持稳定的磁性，并能够承受较高的磁场强度。
此外，硬磁性陶瓷还具有优良的耐腐蚀性、抗磨损性和耐高温性能，能够在恶劣的工作环境中长时间稳定工作。
硬磁性陶瓷的常见材料有氧化铝、氧化体钨、氧化硅等。
除了软磁性陶瓷和硬磁性陶瓷外，磁功能陶瓷还具有其他一些特殊的功能和特性。
例如，压敏陶瓷具有压力敏感特性，能够随外界压力的变化而改变电阻值，广泛应用于传感器、开关和控制系统中。
热敏陶瓷具有随温度的变化而改变电阻值的特性，用于温度传感器、控温设备等。
超导陶瓷具有无电阻和完全排斥磁场的特性，广泛应用于磁共振成像、超导电力设备等领域。
总之，功能陶瓷材料的不断发展和应用使得陶瓷材料具备了更多的特殊功能和特性，为不同领域的应用提供了更多的选择。
特别是磁功能陶瓷作为一种重要的功能陶瓷材料，不仅具有磁导率、磁阻、磁化消散等优良的磁性能，还具备压力敏感、温度敏感、超导等特殊功能，为电子、汽车、医疗等领域的发展提供了重要支持。
平面线圈分类
平面线圈分类平面线圈是电子元器件中常见的一种电感元件，广泛应用于电力、通讯、航空航天、军事等各个领域。
在实际应用中，根据不同的要求，平面线圈可以分为多种不同的类型。
接下来，我们将从几个方面详细介绍平面线圈的分类。
一、按结构分类平面线圈按结构可分为片式平面线圈、有屏蔽平面线圈、芯式平面线圈等。
1.片式平面线圈：由一组平板状的玻璃纤维增强塑料、陶瓷或其他绝缘材料组成。
片式平面线圈适用于对于高频和高温的情况，因其体积小、频率响应快且效率高，广泛应用于各类通信设备。
2.有屏蔽平面线圈：通常在线圈周围加上铜箔或其他金属的屏蔽，以减少电磁干扰。
这种平面线圈适用于场强较强的环境，如在航空航天、军事等领域的操作中。
3.芯式平面线圈：将磁性材料作为线圈的芯材，使这种线圈具有较强的磁感应强度。
芯式平面线圈适用于各类电源设备、电机以及变压器等电力设备上，具有传输效率高和能够有效避免干扰等优点。
二、按应用领域分类平面线圈根据其在不同领域的应用可分为通信平面线圈、电力平面线圈、汽车平面线圈、纺织平面线圈等。
1.通信平面线圈：主要用于各种通信设备中的中高频电路中，具有高性能、准确度高的特点。
2.电力平面线圈：适用于各类电源设备、电机以及变压器等电力设备上，承载电流大。
3.汽车平面线圈：主要用于汽车发动机的点火装置的高压电源，以及其他汽车电气系统中，通常承载的电流不大。
4.纺织平面线圈：主要应用于电子织机和缝纫机等纺织生产设备上，所承载的电流较小。
三、按参数分类平面线圈按其参数可分为自感平面线圈、互感平面线圈、调谐平面线圈等。
1.自感平面线圈：对于自感性较高的用途，常常使用自感平面线圈。
这种线圈的电路中只有一个电感器件，电路稳定性好，现在应用较多。
2.互感平面线圈：由多个线圈组合构成，能够起到放大和过滤的效果。
这种线圈适用于各种电磁学设备和信号处理器等设备上。
3.调谐平面线圈：利用平面线圈的容量以及线圈本身的电感特性，可以对频率进行调谐。
电子元器件的认识
电子元器件的认识开关电源(SPS)是由众多的元器件构成，因此,要了解开关电源的原理，学会看电路图.首先必须掌握元器件的主要性能，结构，工作原理，电路符号,参数标准方法和质量检测方法，下面将作逐一介绍.一.电阻器电阻器简称电阻,英文Resistor1.电路符号和外形.(a) (b) (c)⑻ 国外电阻器电路符号.(b)国内符号.(c)色环电阻外形2.电阻概念:电阻具有阻碍电流的作用.公式R=U/I常用单位为欧姆(Q ),千欧(K Q ) 和兆欧(M Q).1 M Q =10 ‘K Q =10 “ Q3.种类电阻器的种类有:碳膜电阻，金属氧化膜电阻，绕线电阻，贴片电阻，可调电阻，水泥电阻.4.性能参数(1)标称阻值与允许误差(2)额定功率:指在特定(如温度等)条件下电阻器所能承受的最大功率，当超过此功率,电阻器会过热而烧坏.通用碳膜电阻Power Rating Curve (Figure 1)(3)电阻温度系数(4).工作温度范围Carbon Film :-55 °C ----+155 °C Metal Film :-55 C ----+155 C Metal Oxide Film :-55 C ----+200 C Chip Film :-55 C ----+125 C5. 标注方法 (1) 直标法 (2) 色标法色标法是用色环或色点来表示电阻的标称阻值 ，误差.色环有四道环和五道环两种.读色环时从电阻器离色环最进的一端读起 ，在色标法中色标颜色表示数字如下:金银-1 ~-2四色环中，第一,二道色环表示标称阻值的有效值，第三道色环表示倍 数,第四道色环表示允许偏差，五色环中，前三道表示有效值，第四到为倍 数,第五道为允许误差.精密电阻常用此法.，例1:有一电阻器，色环颜顺序为:棕，黑，橙，银，则阻值为：10x 10“ ± 10%(Q ) 6.误差代码Tolera nee± 1% ± 2% ± 2.5% ± 3%± 5%± 10% ± 20%Symbols FGHIJKM7.电阻的分类(1) .碳膜电阻 (2) .金属膜电阻(保险丝电阻)i EKE1EirEI]55T C颜色黑 数字0~棕 1" 4C加餉Ambient lemperaiure in degrees centigrade Figure l :De-rating fbr high ambient tempers lureS5UYH(3).金属氧化膜电阻(4).绕线电阻(5).保险丝二:电容器英文Capacitor1.电路符号+(a) (b)(a),(b) 分别表示为无极性，有极性的电容器的电路符号.2.电容慨念电容器是储存电荷的容器.电容器的容量C由下式决定:C=Q/U= 艺 S/4 n d,单位法拉(F).3.种类电容器可分为：陶瓷电容，电解电容，安规电容，贴片电容，塑料电容.4.主要性能参数(1)标准容量及允许偏差(2)额定电压(3)损耗系数DF值DF=P耗/ P总P耗为充放电损耗功率，P总为充放电总能量.(4)温度系数5.标注方法(1)直标法(2)色标法:类似电阻器之色标法，三色环无偏差表示，单位PF6.多层陶瓷电容器电介质分类NPO( COG：—类电介质，电气性能最稳定，基本上不随温度，电压与时间的改变而改变，适用于对稳定性要求高的电路.X7R(2X1): 二类电介质，电气性能较稳定，在温度，电压与时间改变时性能变化并不显著，适用于隔直，偶合旁路与对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路.由于X7R是一种强电介质，因而能造出容量比 NPC介质更大的电容器.丫5V(2F4): 二类电介质，具有较高的介电常数，常用于生产比容较大的/标称容量较高的大容量电容器产品，但其容量稳定性较X7R差,容量/损耗对温度，电压等测试条件较敏感.7.Plastic Film Capacitors⑴.Polystyrene Film Capacitor聚苯乙烯膜電容器）High precisi on of capacita nee.Low dissipati on factor and low ESR.High in sulati on resista neeHigh stability of capacita nee and DF VS temperature and freque ncy.⑵Polyester Film Capacitor聚乙烯膜電容器）High moisture resista neeGood solderabilityAvailable on tape and reel for automatic in serti onESR is mi ni mized.⑶Metallized Polyester Film Capacitor金屬化聚乙烯膜電容器）High moisture resista nee.Good solderability.Non-i nductive eon struct ion and sell-heali ng property.⑷ Polypropylene Film Capacitor 聚丙烯膜電容器）Low dissipatio n factor and high in sulati on resista nee.High stability of capacita nee and DF VS temperature and freque ncy.Low equivale nt series resista nee. Non-i nductive eon struct ion8.X電容9.Y電容三.电感器（英文Choke即线圈）1.电路符号（普通电感无极性）2.主要参数（1）电感量及允许偏差⑵品质因子（Q值）感抗X L=WL=2n fL Q=2 n fL/R Q即为品质因子3.种类可分为固定电感器，带磁心电感线圈，可变电感器四.半导体二极管（英文Diode）DIODE Test #1 2 3 VF IRBVRDescriptio nForward voltageReverse curre nt leakageBreakdow n voltage1.电路符号+j N—2.单向导电性二极管只能一个方向流过电流，即电能只能从它正极流向负极.在正常情况下，硅管的正向压降为 0.6〜0.7V,锗管0.2〜0.3V,即二极管正向压降基本保持不变，当外加正向电压达到一定程度，二极管正向电流会很大，将烧坏二极管.当加在二极管上的反向电压小于一个临界值时二极管的反向电流很小，即反向时二极管的内阻很大，相当于二极管截止.当二极管的反向电压大于临界值时，二极管会反向击穿.3.结构是由一个P型半导体和一个N型半导体构成，组成一个PN结,PN结具有单向导电性.4.种类(1) 普通二极管 (2)发光二极管 (3)稳压二极管(4)变容二极管(6)肖特基二极管 5. 主要参数(1)最大平均整流电流|F ：表征二极管所能流过的最大正向电流.在一个周期内的平均电流值不能超过I F,否则二极管将会烧坏.⑵最大反向工作电压V R(3) 反向电流|R ：是在最大反向工作电压下的二极管反向电流值(4) 工作频率:表示二极管在高频下的单向导电性能.2. 稳压原理 V FBV ZBV Z I RBVDescripti onForward voltageMinimum Zener voltage.(Use test #5) Maximum Zener voltage.(Use test #5) Reverse curre nt leakageBVz with programmable soak1.电路符号五.稳压二极管 ZENER Test #从(图二)稳压特性曲线可以看出，当稳压管反向击穿后，流过二极管的工作电流发生很大变化时，稳压二极管的电压降压/基本不变，所以稳压管稳压就是利用二极管两端的电压能稳定不变.若加在稳压管上的反向电压小于反向击穿电压值，那么稳压管处于截止状态，即开路.3.主要参数(1)稳定电压(2) 稳定电流:稳压管工作对参考电流值，电流小于该值，稳压效果会略差(3)额定功率损耗 (4) 电压温度系数⑸动态电阻六. 半导体三极管(又称晶体三极管)Descriptio n Forward-curre nt tran sfer ratio Baseemitter voltage(see also Appe ndix F) Emitter to base cutoff current Saturati on voltage Collector to base cutoff curre nt Collectorto emiter cutoff curre nt with base to emiter load, reverse bias,orshort(see also Appe ndix F) Breakdow n voltage,collector toemitter, with base to emiter load, reverse bias,or short(see alsoAppe ndix F) Breakdow n voltage,collector to base Breakdow nvoltage,emitter to base Base emitter saturati on voltage TRANSISTOR Test # h FE V BE |EBO V CESAT I CBO I CEO |CER, I CEX, I CES BV CEO BV CER BV CEX BV CES BV CBO BV EBO V BESAT(b)PNPNPN(b) PNP(a)NPN le e b结构如上图.三极管是由三块半导体组成，构成两个PN 结,即集电结 和发射结，基结3个电极,分别是集电极，基极,发射极,管子中工作电流有 集电极电流lc,基极电流 极管电流放大倍数. 3. 工作原理⑴ 放大区发射结正偏，集电结反偏,E1>E2,即NPN 型三极管V c >V b >V b, PNP 型三极管 V c <V b <V e.三极管处于放大状态.由于lc= p lb,即lc 受 lb 控制，而lc 的电流能量是由电源提供的，此时Ube=0.6~0.7V(NPN 硅 管)⑵截止lb 三0的区域称截止区,U BE <0.5V 时,三极开始截止，为了截止可靠，常使 L B E 三0,即发射结零偏或反偏,截止时,集电结也反向偏置.(3) 饱和区当V CE <V B E 即集电结正向偏置，发射结正向偏置时，三极管处于饱和区. 饱和压降 Ucgsat),小功率硅管 U cE (sat) = 0.3V,锗管 U cE (sat) = 0.1V4. 主要参数 _ _(1) 共发射极直流电流放大系数 p ,即H fe, p =l al B(2) 共发射极交流电流放大系数 p . p =△ l c / △ I B(3) 集电极,基极反向饱和电流I CBO(4) 集电极，发射极反向饱和电流I CEO 即穿透电流(5) 集电极最大允许功耗P CM(6) 集电极最大允许电流I CM lb,发射极电流 le,le=lb+lc lc= p lb, p 为三E2U b⑴NPN线U cU eE1⑺ 集电极，基极反向击穿电压U BR)CBO(8)发射极，基极反向击穿电压U BR)CBO(9)集电极,发射极反向击穿电压 U(BR)CBO七.可控硅(英文简称SCR也叫晶闸管)SC R t Test #1I GTDescripti onGate-trigger curre nt2 I GKO Reverse gate curre nt5 V GT Gate-trigger voltage1 6 BV GKO Reverse gaet breakdow n voltage7 I DRM Forward Block ing curre nt__________ 8 I RRM Reverse Block ing curre nt9 I L Latchi ng curre nt11 I H Holdi ng curre nt(see also Appe ndix F)13 VTM Forward on voltage15 V DRM Forward block ing voltage16 V RRM Reverse block ing voltage1.电路符号A K沐阳极G 控制极阴极2.工作原理(1)在阳，阴极间加上一个正电压，再在控制极和阴极之间加上正电压可控硅导通.(2)可控硅导通后，去掉控制极上的电压，可控硅仍然导通，所以控制极上的电压称为触发电压.(3)导通后,U AK=0.6~1.2V⑷要使导通的可控硅截止，得降低U AK同时阳极电流也下降，当阳极电流小于最小维持电流I H时,可控硅仍能截止.3.主要参数(1)正向转折电压UBO指在控制极开路，使可控硅导通所对应的峰值电压(2)通态平均电压 U F,约为0.6〜1.2V⑶ 擎住电流Ica -----—由断态至通态的临界电流.(4)维持电流I H从通态至断态的临界电流⑸ 控制极触发电压 U G —般1〜5V(6) 控制极触发电流一般为几十毫安至几百毫安八. 变压器变压器是变换电压的器件1. 电路符号(a)图中是带铁芯(或磁芯)的变压器的符号，它有两组线圈L1,L2, 其中L1为初级丄2为次级.圈中黑点表示线圈的同名端，它表明 是同名端的两端上的信号相位是同样的.1. 结构构成变压器的部件一般有初级线圈，次级线圈.铁芯线圈骨架，外壳 等组成.为了防潮，绝缘,坚固,有时还泡有几立水.铁芯是用来提供磁路 的.3.工作原理当给初级通入交流电时，交流电流流过初级，初级要产生交变磁场， 这一交变磁场的变化规律与输入初级的交流电变化规律一样 .初级的交 变磁场作用于次级线圈.次级线圈由磁励电，在次级两端便有感生电压， 这样初级上的电压便传输到次级了 .4. 主要参数(1) 变匝比:变压器初级匝数为Ni,次级匝数为N2,在初级上加信号电压 为Ui,次级上的电压为U 2,则有下式成立:L 2/U 1=N2/N 1=NN 为变压器的变压比 (2) 效率是在额定负载时，输出功率与输入功率之比值，即 n =P o /P i *100%(3) 电压,电流的关系若n =100%则有P2=P1,式中:P2为输出功率,P1为输入功率.因此︱2:-有:U/U I =I I /|2=N 2/N I =N光电藕合器主要由两个组件组成,一个发光二极管(LED),另一个是光 敏器件,它可以是光电池，光敏三极管，光敏单向可控硅等器件.1. 电路符号2. 工作原理当有电流流过LED 时,便产生一个光源，光的强度取决于激励电 流的强度，此光源照射到封装在一起的光敏三极管上后 ，光敏三极管产生一个与LED 正向电流成正比例，该比例称为CTR 即电流传输比.2 lDss Zero gate voltage drain curre nt. ------------------3 BVDGO Drain to gate breakdow n voltage.------------------ 4 IGSS Gate reverse curre nt.5 IDGO Drain to gate leakage.------------------ 6 IDOFF Drain cut-off curre nt.7 BVGSS Gate to source breakdow n voltage.8 VDSONDrain to source on-state voltage. VGSOFF Descripti onGate to source 十.场效应管JEFT Test # ------------------- 1 九 光电藕合器(英文PHOTO COUPLE )OPTOCOUPLER Test # 1LCOFF Collector to emitter dark curre nt2 LCBO Collector to base dark curre nt3 BVCEO Breakdow n voltage,collector to emitter4 BVCBO Breakdow n voltage,collector to base5 HFE Forward curre nt tran sfer ratio,tra nsistor6 VCESAT Saturation voltage,base driven7 IR Reverse curre nt8 VFForward voltage9 CTR Current tran sfer ratio,coupled10 VSATSaturati on voltage,coupled I C /I F =CTR场效应管是一种由输入信号电压来控制其输出电流大小的半导体三极管，是电压控制器件，输入电阻非常高.场效应管分为:结型场效应管（JFET）和绝缘珊场效应管（IGFET）两大类.结型应管一.结型场效应管有N型和P型沟道两种,电路符号如下二.工作原理结型场效应管有两个 PN结，在珊源极上加一定电压,在场效应管内部会形成一个导电沟道，当d,s极间加上一定电压时，电流就可以从沟道中流过，即通过源电压来改变导电沟道电阻，实现对漏极电流的控制.三.结型场效应管的主要参数1.夹断电压U Ds（off）,当U DS等于某一个定值（10v）,使Id等于某一个微小电流（如50uA）时，源极间所加的U G S即为夹断电压.U DS（off）一般为 1〜10V2.饱和漏极电流I DS当U G S=0时,场效应管发生预夹断时的漏极电流.3.直流输入电阻F G S4.低频跨导GM5.漏源击穿电压 U（BF）DS6.珊源击穿电压 U（BF）GS7.最大耗散功率P DM绝缘珊场效应管MOSFET Test #1 V GSTH Descripti on Threshold voltag2 IDss Zero gate voltage drain curre nt.lDSx with gate to Source reverse bias.3 BVDss Drain to Source breakdow n voltage.⑶ 耗尽型NMOS二.主要参数 4 VDSON Drain to Source on-state voltage. 5 IGSSF Gate to Source leakage curre nt forward. 6 IGSSRGate to Source leakage curre nt reverse. 7 VFDiode forward voltage. 8 VGSFGate to Source voltage (forward) 1required for specified In at specified Vos. 1 (see SISQ Appe ndix F)9 VGSR Gate to Source voltage (reverse)required for specified ID at specified VDS.(see also Appe ndix F)10 VDSON On-state drain curre nt11VGSON On-state gate voltage '•结构和符号它是由金属氧化物和半导体组成其工作原理类似于结型场效应管.符号和极性,故称为MOSFET 简称MOS 管,(1)增强型NMOS 增强型PMOSiD耗尽型PMOS iD b g d iDgb iD1.漏源击穿电压BV D S2.最大漏极电流I DMSX3•阀值电压V GS(开启电压)4.导通电阻F O N5.跨导(互导)(GM)6.最高工作濒率7.导通时间TON和关断时间十^一一.集成电路(英文Integraed Circuit 缩写为IC)集成电路按引脚分别为:单列集成电路，双列集成电路，园顶封装集成电路,四列集成电路，反向分布集成电路.下列介绍几种IC(一).TL431 它是一个基准电压稳压器电路，电路符号如图:阴极(K) 参考输入端?(a)TL431内部结构如图(b),其内部有一个2.5V的基准电压，当U>2.5 时，阳极(A)K,A极处于导通状态,当Lh<2.5V时,K,A极截止.2.5V ref(b)(二).PWM开关电源的集成电路(IC)片1.DNA1001DP共16 Pin,各Pin功能如下：1). CS 此脚做为电流模式控制，当此脚电压超过1.0V时,IC失去作用2). GND 电源地3).DRIVE 驱动MOSFE管的输出(方波输出)4).VCC 电源5).UREF +5V参考电压6).RT/CT 此脚接RT到Pin5接CT到地，从而设定振荡频率与最大占空比.7).FM 接电容到地，则会影响振荡频率，并且减少传导与辐射的电磁干扰，街地则无此功能.8).C0MP内部此脚接到电流比较器上，外部电路此脚一般接到光耦合器的集电极端做回授之用.9).SS 接一个电容到地.,可达到柔和起动功能.10).FAULT 此脚电压超过2.5V,则IC失去作用，一般此脚作保护作用.11). BROWN OUT此脚用来感应 BULK CAPACTIO上电压，若电压小于2.5V则IC失去作用.12).REX 此脚接一个电阻到地，用来作为电流产生器.13).ADC 此脚用来限制占空比，当此脚电压高于2.5V时，占空比控比例开始减少.当V=1.5V时，占空比减少到最大占空比的 65%. 14).POCP接一个电容到地，将提供OCP功能,当此脚有一连串1.2V臃冲时，此IC失去功能.15)CSLOPE此脚为振荡电路做电压补偿.160. GND信号地.2.UC3842⑴UC3842有8个Pin,其各Pin功能如下:1).内部误差放大器输出端2).反馈电压输入端3).电压供电端，当该脚电压超过1V时,6脚无臃冲输出4).接KT,CT产生f=1/RTG的振荡信号5).GND6).Drive,驱动臃冲输出7).Vcc8).+5v参考电压，由IC的内部产生⑵ 使UC3842输出端关闭的方法有三:1).关掉Vcc2).将3脚电压升至1V以上3).将1脚电压降至1V以下UC3843的7脚为电压输入端,其激活电压范围为16V~34V若电源起动时Vcc<16V,则8脚无+5V基准电压.3.TL494TL494 有16Pin,各Pin功能如下:1)采样电压2)从14脚分压得2.5V标准电压3)接阻容电路，作消振校正用4)死区时间控制输入端,该脚电平升高，死区时间达到最大，使IC输出驱动脉冲最窄5)CT6)RT7)GND8)Drire 驱动脉冲输出9)Drire 驱动脉冲输出10)Drire 驱动脉冲输出11)Drire 驱动脉冲输出12)Vcc13)输出方式控制，该脚接地，内部触器发失去作用14)+5v参考电压15)同相端16)反相端17)16Pin通常作回授用(三)U C3854ANUC3854是功率因子校正器(PFC)的集成电路，它有16个Pin,其各脚功能如下:1)GND 接地端2)PKLMT峰值限制端，接电流检测电阻的电压负端，当电流峰值过高时，电路将被关闭.3)CAOUT 电流放大器CA输出端4)ISENSE电刘检测端，内部接CA输入负端，外部经电阻接电流检测电组的电压正端5)Mult Out 乘法器输出端，即电流检测另一端，内部接乘法/除法器输出端和CA输入正端，外端经电阻接电流检测电阻的电压负端6)JAC 输入电流端,内部接乘法/除法器输入端,外部经电阻接整流输入电压的正端7)UA Out电压放大器UA输出端，内部接乘法/除法器输入端,外部接RC反馈网络.8)URMS有效值电源电压端,内部经平方器接乘法/除法器输入端,起前馈作用,URMS的数值范围为1.5〜4.77V9)REF 基准电压端,产生7.5V基准电压10)ENA 起动端,通过逻辑电路控制基准电压，振荡器,软起动等11)USENSE输出电压检测端，接电压放大器UA的输入负端12)RSET 外接电阻RSET端,控制振荡器充电电流及限制乘法/除法器最大输出13)SS 软起动端14)CT 外接电容CT端,CT为振荡器定时电容，使产生振荡频率为f=1.25/RSET*CT15)Vcc 集成电路的供电电压 Vcc,额定值22V16)GTDRV门极驱动端，通过电阻接功率 MOS^关管门极，该端电位钳在15V(四)D NA 1002 CP共16Pin,该IC有OUP,UVP功能,其各Pin功能如下:1)LATCH 当过电压欠电压时，此脚为高电平，此脚为低电平表示输出正常.2)COM 信号地3)PG 正常工作时此脚为高电平 PG信号输出.4)TDON 接个电容到地，产生PG延时.5)REMOTE REMOTE ON/OF端，为低贝U ON,为高贝U Pin1 高6)TDOFF 接个电容到地，起到延迟关机作用，产生PF7)DUV 接个电容到地，这样在电容充电电压小于 2.5V参考电压时，不做欠电压检测，而当充电电压大于2.5V参考电压时，欠电压检测恢复.8)BSENSE 在IC内部，此Pin是电压供应比较器的同相输入，当此Pin 电压低于2.5v时，则Pin3与Pin7会变低.9)V5 检测+5V的过电压与欠电压，其UUP点4.0〜4.24V,OVP点为6.0〜6.39V10)V12 检测+12V的过电压与欠电压，其UUP点为9.4~9.99V,OVP点为14.45 〜15.35V11)V-12 检测-12V的过电压与欠电压，此脚接参考电压，失去此功能12)V3.3 检测3.3V的过电压与欠电压，此脚接Vcc,则失去此功能，其UUP 点为 1.09〜1.16V,OVP 点为 1.43〜1.52V13)V-5 检测-5V的过电压与欠电压，此脚接参考电压，则失去此功能14)RCRNT 接个电阻到地，从而产生内部恒流15)VREF 2.5V 参考电压输出16)Vcc IC 电源。
电子产品分类
电子产品分类◆陶瓷电容器：片式电容、中高压、安规电容、可调电容、排容、高能电容◆正负温度系数热敏电阻、高精度可调电位器、高压电阻◆片状电感线圈：高频电感、功率电感、天线线圈◆静噪元件/EMI静噪滤波器(EMIFIL)、片状磁珠、磁珠排、DC/AC用共模扼流线圈、军工用复合型静噪滤波器；◆陶瓷振荡器( Resonators)：插脚、贴片谐振器(KHz、MHz)、汽车用谐振器、声表振荡器；◆通讯设备用滤波器、声表滤波器、射频滤波器、中频滤波器、鉴频器、介质/天线/收发共用器、介质带通滤波器；◆高频元件：高频用微型片状电容器、片状介质天线、介质谐振器、射频开关、同轴连接线；◆高频组件(Microwave Modules)PLL组件；射频开关；微波振荡器VCO ，Bluetooth蓝牙模块；◆电源(Power Supplies)开关电源，高压电源，超薄型电源，C&D 电源模组；◆传感器元件(Sensors)：陀螺仪，超声波、冲击、旋转、磁性识别、热电型红外、温度等传感器◆压电元件(Piezoelectric Sound Components)蜂鸣器，蜂鸣器振动板等。
电子污染的概念电子污染就是指电子产品对环境产生了污染，这是产生于近几十年来的一种新型污染，因为电子产品的产生较晚，但是如今电子污染已经是比较广泛。
电子污染包括电磁污染和电子垃圾污染，分别属于“物理性污染”和“固体废弃物污染”。
电磁污染的危害：1、高强度的电磁辐射可以让人体组织温度升高，导致身体发生机能性障碍和功能紊乱，严重时造成植物神经功能紊乱，表现为心动、血压和血象等方面的失调；2、对电器设备、飞机、建筑物等造成直接破坏，例如笔记本电脑的辐射有可能造成飞机导航电子设备的失常而引发空难；3、可以引燃爆炸。
电子垃圾的污染：1、电子垃圾一般很难处理，随意堆放会对土壤环境造成危害；2、电子垃圾在燃烧时会释放大量的有毒有害气体，威胁身体健康据统计，自2003年开始，中国进入了电子产品报废的高峰期。
电感 数据手册
电感数据手册【原创实用版】目录1.电感概述2.电感的分类3.电感的主要参数4.电感的应用领域5.电感的选择与使用注意事项正文一、电感概述电感，作为电子元器件的一种，主要用于电路中的信号滤波、振荡、延迟等。
它是一种储存磁场能量的被动元件，具有阻止电流变化的特性。
电感在电子设备中有着广泛的应用，如电源、通信设备、计算机、家电等。
二、电感的分类电感可以根据其制作材料、结构及功能进行分类。
常见的分类如下：1.按制作材料分类：主要有线圈电感和陶瓷电感等。
2.按结构分类：有固定电感、可调电感和变压器等。
3.按功能分类：有滤波电感、振荡电感、延迟电感等。
三、电感的主要参数电感的主要参数包括：电感量、额定电流、工作电压、温度范围、稳定性等。
1.电感量：电感的基本参数，单位为亨利（H）。
2.额定电流：电感能承受的最大电流值，超过该值可能导致电感损坏。
3.工作电压：电感在正常工作状态下所承受的电压值。
4.温度范围：电感能正常工作的环境温度范围。
5.稳定性：电感在不同环境条件下参数变化的程度。
四、电感的应用领域电感在各个电子领域都有广泛应用，如：1.电源滤波：用于抑制电源噪声，提高电源输出质量。
2.通信设备：用于信号滤波、调制等，提高通信质量。
3.计算机：用于电源、存储器等模块，提高系统稳定性。
4.家电：用于开关电源、马达驱动等，提高家电性能。
五、电感的选择与使用注意事项1.选择合适的电感量：根据电路需求选择合适的电感量。
2.注意电感的额定电流和工作电压：选择电感时，要确保其额定电流和工作电压符合电路要求。
3.考虑电感的稳定性：选择电感时，要考虑其在不同环境条件下的稳定性。
4.正确安装和使用：电感应正确安装在电路中，避免与其他元件短路或产生电磁干扰。
总之，电感作为电子元器件的一种，具有广泛的应用和重要的作用。
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一．无线充电技术（线圈）1.1定义无线充电技术，源于无线电力输送技术。
无线充电，又称作感应充电、非接触式感应充电，是利用近场感应，也就是电感耦合，由供电设备（充电器）将能量传送至用电的装置，该装置使用接收到的能量对电池充电，并同时供其本身运作之用。
由于充电器与用电装置之间以电感耦合传送能量，两者之间不用电线连接，因此充电器及用电的装置都可以做到无导电接点外露。
1.2共振原理1.2.1 定义当一个物体与另一个物体的固有频率一样时，就会产生震动。
当两个物体的振动频率相同时，它们传递能量的强度不会受到周围事物的影响。
1.2.2 工作原理利用物理学的“共振”原理——两个振动频率相同的物体能高效传输能量。
1.输电线中的电能传入用铜制造的天线中。
2.天线以10兆赫的波长振动，产生电磁波。
3.天线发出的能量传播到2米(6.5英尺)外。
4.同样以10兆赫的频率震动的膝上型电脑接收到电流，能量充入设备中5.没有转换成膝上型电脑的能量不会被天线重新吸收。
不能产生10兆赫共振的人和其他物体不会对它产生干扰。
1.3主流技术（1）Qi标准Qi是全球首个推动无线充电技术的标准化组织--无线充电联盟(Wireless Power Consortium,简称WPC)推出的“无线充电”标准，具备便捷性和通用性两大特征。
首先，不同品牌的产品，只要有一个Qi的标识，都可以用Qi无线充电器充电。
其次，它攻克了无线充电“通用性”的技术瓶颈。
现在，市场比较主流的无线充电技术主要通过三种方式，即电磁感应、无线电波、以及共振作用，而Qi采用了目前最为主流的电磁感应技术。
（2）Power Matters Alliance标准Power Matters Alliance标准是由Duracell Powermat公司发起的，而该公司则是由宝洁与无线充电技术公司Powermat合资经营，拥有比较出色的综合实力。
除此以外，Powermat还是Alliance for Wireless Power(A4WP)标准的支持成员之一。
PMA联盟致力于为符合IEEE协会标准的手机和电子设备，打造无线供电标准，在无线充电领域中具有领导地位。
（3）A4WP标准A4WP是Alliance for Wireless Power标准的简称，由美国高通公司、韩国三星公司以及前面提到的Powermat公司共同创建的无线充电联盟创建。
该联盟还包括Ever Win Industries、Gill Industries、Peiker Acustic和SK Telecom 等成员，目标是为包括便携式电子产品和电动汽车等在内的电子产品无线充电设备设立技术标准和行业对话机制。
1.4 线圈上述中提到，Qi采用了目前最为主流的电磁感应技术，而这个技术中线圈起了核心作用。
电路中的线圈是指电感器。
是指导线一根一根绕起来，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。
用L 表示，单位有亨利(H)、毫亨利(mH)、微亨利(uH),1H=10^3mH=10^6uH。
1.4.1 分类（1）按电感形式分类：固定电感、可变电感。
（2）按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。
（3）按工作性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。
（4）按绕线结构分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。
1.4.2 特殊线圈（1）色码电感器色码电感器是具有固定电感量的电感器，其电感量标志方法同电阻一样以色环来标记。
（2）阻流圈限制交流电通过的线圈称阻流圈，分高频阻流圈和低频阻流圈。
（3）偏转线圈偏转线圈是电视机扫描电路输出级的负载，偏转线圈要求：偏转灵敏度高、磁场均匀、Q值高、体积小、价格低。
针织物最基本的组成单元，呈空间曲线状.由两根圈柱，一个针编弧和一个沉降弧（或延展线）组成。
1.4.3 电磁感应方式和磁共振方式电磁感应方式采用了19世纪上半期发现的物理现象。
众所周知，电流流过线圈时，周围会产生磁场。
1820年，丹麦物理学家汉斯·奥斯特（Hans Oersted）发现了这种电磁效应。
图1 电磁感应方式图2 磁共振方式用没有通电的其他线圈接近该磁场，线圈中就会产生电流，由此点亮灯泡。
1831年，英国物理学家迈克尔·法拉第（Michael Faraday）发现了这个可从线圈向线圈供电的物理现象，并称之为电磁感应现象。
无线充电使用的充电座和终端分别内置了线圈，使二者靠近便开始从充电座向终端供电。
为提高供电效率，需要使线圈之间的位置对齐，不产生偏移。
1.5无线充电技术与有线充电技术对比有线充电技术的优点:1.能源转换一次性获得，电能损失小，节能环保；2.交直流转换一次性，不存在中高频电磁辐射；3.设备技术含量低，经济投入不大，维修方便；4.电功率的调节范围较宽，适合多种不同电压和电流等级的蓄电瓶储能补给。
有线充电技术的缺点：1.设备的移动搬运和电源的引线过长，主要是人工操作繁琐；2.设备以及在对电动汽车充电时其公共占地面积过大；3.在人工操作过程中，极易出现设备的过度磨损以及不安全性等因素。
无线充电技术的优点：1.利用无线磁电感应充电的设备可做到隐形，设备磨损率低，应用范围广，公共充电区域面积相对的减小，但减小的占地面积份额不会太大；2.技术含量高，操作方便，可实施相对来说的远距离无线电能的转换，但大功率无线充电的传输距离只限制在5米以内，不会太远；3.操作方便。
无线充电技术的缺点：1.虽然设备技术含量高，但设备的经济成本投入较高，维修费用大；2.因实现远距离大功率无线磁电转换，所以设备的耗能较高。
无线传输的距离越远，无用功的耗损也就会越大；3.无线充电技术设备本身实现的是二次能源转换，也就是将网电降压（或直接）变为直流电后在进行一次较高频率的开关控制交流变换输出。
由于大功率的交直交电流转换是进行电能的二次性无线传输原因，所以电磁的空间磁损率太大；4.因为采取无线传输，磁能的无用功耗损会随着《无线充电设备》的功率增高而上升。
二、电子陶瓷2.1陶瓷定义狭义的陶瓷概念：主要指无机非金属粉末烧结体，从这个意义上讲，可以认为陶瓷是有工艺而得名的，凡通过制粉、成型、烧结工艺获得的无机非金属固体材料均可成为陶瓷。
广义的陶瓷概念：扩展到整个无机非金属固体材料或无机化合物固体材料，在形态上除一般多晶烧体外，还包括单晶、玻璃、薄膜、纤维、粉末等，其制备方法也就不再局限于常规烧结法。
2.2 电子陶瓷概念电子陶瓷是以离子键及共价键为主要化学结合力的无机非金属固体，是利用其电、磁、声、光、热、弹等直接效应以及耦合效应所提供的一种或多种性质来实现某种使用功能的先进陶瓷材料。
2.3基本认识电子陶瓷——无机多晶体微观结构上，陶瓷是介乎单晶与玻璃之间的一类物质●电子陶瓷的主要化学结合力：离子键及共价键；●化学组成主要有：碳、氧化物、氮化物、碳化物以及硼化物等；●电子陶瓷晶相的晶体结构：单质材料主要有石墨和金刚石结构。
电子陶瓷作为其它材料不能取代的高技术陶瓷，以其独特的性能和日新月异的发展速度，广泛应用于各个领域。
陶瓷在电子技术发展中的应用，经历了电话的萌芽时代、真空管时代、晶体管大规模集成电路时代，已成为其它材料无可比拟的具有良好电学、热学和机械性能的特殊材料。
电子陶瓷工业是电子工业、航天、航空和核工业的基础之一，在高技术领域也异常活跃例如：某火箭，其中采用陶瓷材料制造的零部件占80％；一台彩电接收机，用陶瓷制造的材料约占75％。
目前，我国已有众多电子陶瓷厂、研究所和设计院。
电子陶瓷工业在我国已经形成了独立完整的工业体系。
2.4已投人批量生产的电子陶瓷a．高频绝缘零件瓷：主要用作高频绝缘支柱、绝缘板、绝缘管等各种绝缘子及紧固件；b．电阻基体和电感基体瓷：主要用作电阻器和电感器的基体；c．电真空瓷：主要用于真空电子器件中的绝缘、耐热、支承件、密封件、集成电路管壳和基片等；d．电容器瓷：用于低频、高频、脉冲储能电路等；e．铁电陶瓷：它除用作大容量电容器外，还可制造各种敏感器件、光学器件、微位移发生器等；f.半导体瓷：用于制造敏感性元件和传感器。
磐导电陶瓷：可作高温发热体、微波吸收材料、大功率电阻器等；h．压电陶瓷：它是一种将变化的力转换为电或将电转换为振动的功能陶瓷；i．磁性瓷：用于各种电声器件以及各种仪表和控制器件的磁芯等。
近年来取得重要进展的技术领域：高纯超微粉体技术；致密化成型及烧结技术；陶瓷薄膜制备技术；材料分析及测试技术等等。
2.5未来的发展趋势1.小型化与微型化随着移动通信和卫星通信的迅速发展，对器件小型化、微型化的要求越来越迫切，而电子元器件特别是大量使用的以电子陶瓷材料为基础的各类无源元器件，是实现整机小型化、微型化的主要瓶颈。
因此，小型化、微型化（包括片式化）是目前元器件研究开发的一个重要目标，市场需求也非常旺盛。
从技术方面看，MLCC正向着微型化、介质薄层化、大容量、高可靠和电极金属化（低成本）的方向发展。
其他功能陶瓷元器件也正向着片式化和微型化方向发展，如多层压电陶瓷变压器、片式电感类器件、片式压敏电阻、片式多层热敏电阻等。
这些片式化功能陶瓷元器件占据了当前电子陶瓷无源元器件的主要市场。
从材料角度而言，实现小型化、微型化的基础在于提高陶瓷材料的性能和发展陶瓷纳米晶技术和相关工艺，因此，发展高性能功能陶瓷材料及其先进制备技术是功能陶瓷的重要研究课题。
2.高频化与频率系列化对各类电子元器件中的陶瓷材料来说，如何适应高的工作频率是一个严峻挑战。
因此，寻找具有良好高频特性以及系列化工作频率的功能陶瓷材料，是目前新型电子元器件领域的研究热点，微波介质陶瓷材料及新型微波器件是其中重要的研究课题。
微波介质陶瓷指适合于微波应用的低损耗、温度稳定的电介质陶瓷材料，广泛应用于微波谐振器、滤波器、移相器、微波电容器以及微波基板等，是移动通信、卫星通信、全球卫星定位系统（GPS）、蓝牙技术以及无线局域网（WLAN）等现代微波通信技术的关键材料。
3．集成化与模块化当前，手机和笔记本电脑进一步向便捷化、多功能化、全数字化和高集成化及低成本方向发展，极大地推动了电子元器件的片式化、小型化和低成本及器件组合化、功能集成化的发展进程。
集成化功能陶瓷元器件是以低温共烧陶瓷（LTCC）为平台，采用多层陶瓷技术将电容、电感和电阻材料嵌入集成在低温共烧陶瓷基板中，形成无源集成陶瓷器件。
基于LTCC技术的功能陶瓷集成器件已开始应用于移动通信终端设备中，如片式多层Ｌｃ滤波器、片式微带滤波器、多层天线等已开始在手机中获得应用，而一些功能集成模块如收发前端模块、功率模块和蓝牙模块等也已开发成功，并将在3G手机中得到推广应用。
LTCC的多功能模块的巨大市场前景，使其成为众多企业竞争的焦点。