电子陶瓷2-3PPT课件

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损耗。
调节瓷料的组成,可以调节瓷料的介电 常数温度系数,得到一系列不同介电常 数温度系数的温度补偿电容器陶瓷材料
用途:高频温度补偿电容器陶瓷材料
3)、钙钛硅瓷
主晶相为硅钛酸钙(CaTiSiO5) 特点:当介电常数的温度系数接近于零时,
介电常数较大,且能够获得很大的正的温度 系数。 引入适当的加入物,可获得包括零温度系数 在内的一系列介电系数高的温度补偿用电容 器陶瓷 用途:高频温度补偿电容器陶瓷材料
用途:制造小型高压陶瓷电容器及温度补偿 电容器
4、微波介质瓷
BaO-TiO2系,Li2O-TiO2-Al2O3系, A(BxTi1-x)O3系等 其中,A:Ca、Sr、Ba;B:Zr和Sn
用途:制造微波集成电路基片和介质谐振器 介质谐振器材料特点:介电常数高(30~
200);在使用温度范围内,介电常数的温度 系数小;在工作频率范围内,介质损耗小。
4)、具有高介电常数的铁电陶瓷,可以制成 体积小、电容量大的电容器,用于低频、高频、 高脉冲储能电路;
5)、半导体陶瓷电容器材料,也称晶界 层电容器材料。具有介电常数大、受温度 影响小、可靠性高的特点,常用于要求稳 定性和可靠性高的电路;
1)、用于高频电路的温度稳定的电容器瓷, 如四钛钡质瓷、镁镧钛质瓷、钙钛硅质瓷等;
2)、用于高频电路起温度补偿作用的电容器 瓷,如金红石质瓷、钛酸钙质瓷、钛锶鉍质 瓷、锡酸盐和锆酸盐质瓷等;
3)、用于高频高功率电路、高压电路和高脉 冲电路的陶瓷,这是电子陶瓷中产量最大、品 种最多的一类陶瓷,包括许多钛酸钡质陶瓷及 复合物陶瓷材料;
具有较好的机械性能,起支撑、保护、隔离等作 用的电子陶瓷材料。
用于制造电子元件、器件、部件和电路中的基体、 外壳、固定件、绝缘零件等的陶瓷材料,又称为 装置瓷。
还可以分为真空瓷、电阻基体瓷和绝缘零件瓷等。
第一节功能型电子陶瓷
具有特殊的功电子陶瓷材料。
特点:介电常数比钛酸镁瓷高,在高温(150 度)下,仍具有良好的介电性能
调整各组分,可以获得一系列不同介电常数 和温度系数的瓷料
用途:制造高温使用的高频陶瓷电容器
6)、锡酸盐瓷
指钙、锶、钡等的锡酸盐,都具有优良的电 性能
MgSnO3、NiSnO3等介质损耗大,不易作高频 电容器材料。ZnSnO3、MnSnO3等具有高的 电子电导,属于半导体。
第二章电子陶瓷的种类及用途
第一节功能型电子陶瓷 第二节结构型电子陶瓷
什么是电子陶瓷
将用于电子技术领域中的陶瓷材料称为电 子陶瓷材料,即陶瓷质的电子材料。
1、功能陶瓷(电子) 具有特殊的功能,或者能实现光、电、
磁、热、气、力等不同形式的交互作用和
转换的非结构型电子陶瓷材料。
2、 结构陶瓷(电子)
4)、钛酸镁瓷
以正钛酸镁(2MgO· TiO2,又称二镁钛) 为主晶相
特点:介电常数温度系数不高。
将其与具有负介电常数温度系数的晶相 配合,可以获得一系列不同介电常数温 度系数的瓷料
烧成温度范围窄
5)、镁镧钛瓷
由偏钛酸镁(MgTiO3)和二钛镧 (La2O3.2TiO2)组成,属于MgO-La2O3-TiO2系
各种性能可根据使用要求调节。
要求:在温度、湿度、频率和电压等因 素变化时,电性能稳定。
1)、金红石瓷
二氧化钛瓷 主晶相为金红石(TiO2) 特点:介电常数较高,介电常数的温度
系数有较大的负值,介质损耗很小 用途:高频温度补偿电容器陶瓷材料
2)、钛酸钙瓷
主晶相为钛酸钙(CaTiO3) 特点:高的介电常数,较小的高频介质
氧化层型,在半导体瓷表面有控制地 氧化,形成很薄的绝缘层做介质层
晶界层型:发育较好的晶粒(20~ 100μm)之间具有的绝缘性边界层
3、高频介质瓷
用来制造第一类瓷介电容器的陶瓷 电介质,符合GB3663-83 。
组成:碱土金属和稀土金属的钛酸 盐,以钛酸盐为基的固溶体
特点:介电常数高(和装置瓷相比), 高频(1MHz)下的介质损耗小,介电 常数的温度系数值范围宽。
微波集成电路基片材料的特点: 相对介电常数高,且随频率的变化小; 介质损耗小; 结构均匀,各向同性,杂质含量低; 导热性、热稳定性好;
化学性能稳定,抗腐蚀性好; 有一定的机械强度,易于切割、研磨等; 与导体的粘附性好; 价格便宜,制造简单。
5 、其他电容器瓷
包括以下六类陶瓷材料。
分为:介质瓷、敏感陶瓷和特殊性能 陶瓷
一 、介质瓷
主要指用来制造电容器的陶瓷材料。 可分为铁电介质瓷,反铁电介质瓷,半
导体介质瓷,高频介质瓷,微波介质瓷 利用这种陶瓷材料,可以制作独石结构
电容器。
高频介质瓷
1、铁电介质瓷
包括钛酸钡质、钛酸铅质陶瓷,二元系 和三元系多组分材质的不含铁或极少含 铁的功能陶瓷
以钛酸钡(BaTiO3)或钛酸铅基固溶体为 主晶相的铁电陶瓷,是铁电介质瓷最重 要的类型。
主要用作大容量电容器,还可制造 各种敏感器件、光学器件、微位移 发生器等。
特点:在瓷体内存在自发的带电小 区域――电畴。
它具有许多的特殊功能
极高的介电常数,介电常数随温 度、电场的变化呈非线性,对光 的各向异性和双折射特性,电致 应变,伴随相变产生的各种变化 和耦合等性能。
2、半导体介质瓷
主要用于制造半导体电容器。
利用烧结半导体陶瓷的外表面或晶粒间 的内表面(晶界)形成的绝缘层为介质 制成电容器。
这种绝缘层很薄(十分之己微米~几十 微米),利于器件的小型化
表面层型(阻挡层型,氧化层型)和 晶界层型
阻挡层型,利用金属电极与半导体瓷 表面间的接触势垒做介质层
锡酸盐和钛酸盐很容易形成固溶体,常用来 作为BaTiO3基铁电电容器陶瓷的改性加入物
适合于作高频电容器瓷 在直流电场和还原气氛下具有较稳定的
性能(介电常数远低于钛酸钙)
7)、钛酸铋瓷
钛酸铋(Bi2O3· nTiO2,其中n可能为2、3、 4)
溶于钛酸锶的固溶体陶瓷材料
特点:在低于10MHz条件下;介电常数不变, 高于10MHz条件下,介电常数减小
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