DS18B20内部数据结构

1、光刻ROM——只读存储器
光刻——使用紫外光将数据存储进入寄存器64位序列号相当于每个DS18B20的身份证2、EEPROM——非易失性的可电擦除的随机存储器。

可读可写，掉电不丢失。

3个字节（DS18B20报警上下限和配置寄存器的值）
3、RAM——随机存储器（可读可写，掉电丢失）
DS18B20的RAM是一个高速暂存器，它有9个字节的内容，内部结构如下表。

①配置寄存器
R1、
②温度数据寄存器
a．两个字节的共同组成一个完整的数据；
b．最高的5位为符号位（正温度时为全0，负温度时为全1）
1)单片机控制DS18B20测量温度需要四个大致过程：
发送命令要求其转换温度→等待其测量温度→发送命令要求其将温度结果发送给单片机→接收温度数据。

2)四个大致过程可以分解成十个具体流程：
发送初始化信号→等待其应答及应答完成→发送ROM命令（0xcc）→发送RAM命令
（0x44）→延时等待→发送初始化信号→等待其应答及应答完成→发送ROM命令（0xcc）→发送RAM命令（0xbe）→接收温度数据。

3)十个流程中包含了三个单片机对DS18B20基本操作：初始化及等待应答；发送命令（写
操作）；接受数据（读操作）
5、时序要求及程序编写
1)初始化及等待应答
a)时序过程：发送480~960us低电平脉冲；检测DS18B20是否产生应答信号（低
电平）；检测DS18B20的应答信号是否结束（恢复高电平）。

b)按照初始化及等待应答的时间要求编写功能函数Init_DS18B20
u
2)写操作
a)写1位数据的时序过程：拉底数据线产生下降沿；将数据传递至数据线；保持
一段时间（60us）；拉高数据线保持高电平。

b)写1字节数据的时序过程：产生下降沿；将数据的最低位传递至数据线；保持
一段时间；拉高数据线保持高电平；数据右移一位；依次循环八次。

将1字节
数据按从低到高的顺序依次通过数据线发送出去。

c)解读Write_DS18B20函数运行过程
u
u
写“0”时序写“1”时序
3)读操作
a)读1位数据的时序过程：产生下降沿；延时1us；拉高数据线（释放数据线）；
读取数据线状态；延时（控制整个过程在60us左右）。

b)读1字节数据的时序过程：产生下降沿；将变量右移1位；拉高数据线；读取
数据线状态并保存在变量的最高位；延时；重复八次，可以将DS18B20发送
的8位数据存入变量中。

c)解读Read_DS18B20函数运行过程
u
u
读“0”时序读“1”时序
6、DS18B20测温函数
void GetTemperature() //温度转换函数
{
unsigned char teml,temh；//定义变量存储温度值的两字节数据
Init_DS18B20(); //初始化DS18B20及等待其应答
Write_DS18B20(0xCC); // ROM命令，含义：忽略ROM操作
Write_DS18B20(0x44); //RAM命令,含义：要求开始温度转换
delay_ms(750); //延时等待温度转换完成
Init_DS18B20(); //初始化DS18B20及等待其应答
Write_DS18B20(0xCC); //ROM命令，含义：忽略ROM操作
Write_DS18B20(0xBE); //RAM命令，含义：要求读取转换后的温度值
teml=Read_DS18B20(); //读取存储DS18B20发送的温度值的低8位
temh=Read_DS18B20(); //读取存储DS18B20发送的温度值的高8位
}
7、DS18B20温度转换函数
温度数据寄存器
a．两个字节的共同组成一个完整的数据；
b．最高的5位为符号位（正温度时为全0，负温度时为全1）
★实际温度值和温度数据寄存器中的值的换算
1．已知寄存器的值（T），找出实际温度t
步骤：
（1）观察T换算成二级制的高五位，如果高五位都为0，则表示温度为正值；如果都为1，则表示温度为负值；
（2）如果温度为正值，则t=T*0.0625（即：t=T / 16.0）；
如果温度为负值，首先计算出T的补码（先按位取反再加1），然后用该数据乘以0.0625可以得到温度的绝对数值，最后添加负号。

2．已知实际温度t，找出寄存器的值T
如果t为正值，T=t/0.0625，再将T换算为二进制即可。

如果t温度转换函数值，首先使用t的绝对数值除以0.0625，然后将结果进行取反加1的求补码操作，结果即为T。

3. 温度转换函数。