BTS7960中文资料
BTS7960的中文资料
BTS7960智能功率芯片中文资料BTS7960是NovalithIC家族三个独立的芯片的一部分:一是p型通道的高电位场效应晶体管，二是一个n型通道的低电位场效应晶体管，结合一个驱动晶片,形成一个完全整合的高电流半桥。
所有三个芯片是安装在一个共同的引线框,利用芯片对芯片和芯片芯片技术。
电源开关应用垂直场效应管技术来确保最佳的阻态。
由于p型通道的高电位开关，需要一个电荷泵消除电磁干扰。
通过驱动集成技术，逻辑电平输入、电流取样诊断、转换速率调整器，失效发生时间、防止欠电压、过电流、短路结构轻易地连接到一个微处理器上。
BTS7960可结合其他的BTS7960形成全桥和三相驱动结构。
图框如下：下图显示使用的数据表2引脚结构2.1引脚分配上视图是BTS 7960B and BTS 7960P的引脚结构引脚的定义和功能引脚的定义和功能PIN SYMBOL I/O 功能1 GND - 接地2 IN I 输入，高电位开关、低电位开关是否开启决定3 INH I 抑制，当设定为低电平进入睡眠状态4，8 OUT O 功率输出5 SR I 转换速率功率开关的转换速率通过SR和GND间连接的电阻调整6 IS O 电流取样诊断7 VS - 电源应用事例下图是智能功率芯片BTS7960是应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片上图是正常模式和故障模式下电流检测智能功率芯片BTS7960是应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片，它带有一个P沟道的高边MOSFET、一个N沟道的低边 MOSFET和一个驱动 Ic，如图 1所示。
集成的驱动Ic具有逻辑电平输入、电流诊断、斜率调节、死区时间产生和过温、过压、欠压、过流及短路保护的功能。
BTS7960通态电阻典型值为 16mQ，驱动电流可达 43A。
智能功率芯片BTS7960是应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片，它带有一个P沟道的高边MOSFET、一个N沟道的低边 MOSFET和一个驱动 Ic，如图 1所示。
TBS7960四路直流电机驱动板数据手册(创智科技)
BTS7960四路直流电机 驱动板
技 术 手 册
v1.0
创智科技
BTS7960四路直流电机驱动板
电气性能
型号：TBS7960 输入电压：5.5V-27.5V 最大瞬间电流： 43A 控制方式：PWM 或电平 占空比：0-100%
创智科技
板子特点：
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 12. 13. 14. 双 BTS7960最大电流（ 43A）H 驱动； 支持四路直流电机驱动； 跳帽使能控制，减少杜邦线的使用； 电源支持27.5V 电压； 单片机与驱动芯片使用芯片隔离； 采用进口芯片，保证原装、正规； 采用2P 插口减少接线麻烦； 单路电机仅需2根线控制； 72HC244采用直插形式，方便更换； 直插方式安装驱动芯片，半桥损坏后直接更换； 72HC244采用直插形式，方便更换； 驱动芯片配置散热片，更好的达到散热效果； 驱动芯片插在主板上，自然形成上下风道； 电机接口添加安规电容防止逆流损毁驱动；
4.
I 口使用杜邦线直接连接单片机即可
逻辑图
EN 高电平
Ix1 H L H/L 悬空 H L
Ix2 L H 悬空 H/L H L H/L H/L
电机状态 正转 反转 禁止 禁止 短路 停止 停止 禁止
低电平 悬空
H/L H/L
创智技
创智科技
BTS7960四路直流电机 驱动板
技 术
创智科技
红字部分是创智科技独创技术！ ！ ！
电机与电源接口
创智科技
电机驱动基本使用方法
1. 2.
最左侧5V、GND 为74HC244供电口 EN1是电机1号使能、EN2是电机2号使能、 EN3是电机3号使能、EN4是电机4号使能
BTS7960_v1.1_2004-12-07电机驱动中文版
4.2Power 阶段 该 BTS7960 的功率级包括一个 P 沟道垂直 DMOS 晶体管的 高侧开关和一个 N 沟道垂直 DMOS 晶体管的低侧开关。所有 保护和诊断功能都位于一个单独的顶级芯片。这两款交换机可以 操作高达 25 千赫，允许活跃随心所欲，从而降低功耗 耗散在集成二极管的正向操作。 开态电阻 RON 是依赖于电源电压 VS 以及对 结温 Tj 。在通电阻特性的典型显示在 图 4。 Figure4Typical 通电阻与电源电压 5 10 15 20 25 481216202428 VS RON（HS） MΩ V TJ =150°C TJ =25°C TJ =-40°C 高端开关
1 概述 该 BTS7960 是 NovalithIC 系列包含三种不同的芯片的一部分 包装：一个 P 沟道海赛德 MOSF1Overview 该 BTS7960 是 NovalithIC 系列包含三种不同的芯片的一部分 包装：一个 P 沟道海赛德 MOSFET 和一个 N 沟道 MOSFET 的低边 用驱动器 IC 一起，形成一个完全集成的高电流半桥。所有这三个 芯片被安装在一个共用的引线框架，使用该芯片上的芯片和芯片通过芯片 技术。电源开关采用垂直 MOS 技术，以确保最佳的上 态电阻。由于 P 沟道高侧开关需要一个电荷泵 从而最大限度地降低 EMI 消除。连接到微控制器是由简单的
4.4Control 和诊断。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.17
4.4.1Input。 。 。 ຫໍສະໝຸດ 。 。 。 。 。 。 。 17
4.4.2Dead 时间生成。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
4.4.3Adjustable 压摆率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
BTS7960B电机驱动使用说明
电机驱动板实物图如下如图所示：J1接电池；J5接电机；J6（黄色接头）提供5V电源；J6（白色接头）分别是1脚PWM口；2、3脚是控制方向和刹车单片机I/O口给01，是电机正转，10是电机反转，11是刹车。
注意：PWM是反逻辑，因为在单片机与电机驱动间加了反向驱动隔离，保护单片机。
所以占空比越小，方向后是越大，速度越快。
注意：PWM频率最大25KHZ，用在智能车上1KHZ就足够了。
I N H 3I N2I S 6V S 7O U T4G N D 1S R5J 3B T S 7960I N H3I N 2I S6V S 7O U T4G N D1S R5J 4B T S 7960R 31K R 4100R 71K R 8100R 101KR 61K 7.2V 7.2VO U T 2O U T 1R 5 1K R 91K C 5100u F C 7100u F C 6104C 810412J 5M O T O RO U T 1O U T 212J 1P O W E RC 40.1u FC 20.1u FC 3100u F /16V C 1100u F /25VV i n 1G N D2+5V 3U 2L M 2940T -5.05VD 1L E D 3R 117.2V E N A B L EE N A B L E I N 1I N 2R T 2R T 1E N A B L E 1B12B 23B 34B45B 56B67B78B8G N D 9C O M 108C 117C126C 135C 144C153C 162C 171C 18U 1U L N 2803A4132J 64P I N I N 1I N 2R 14K 7R 24K 75V R T 1R T 25V#include <hidef.h> /* common defines and macros */#include "derivative.h" /* derivative-specific definitions *//************************************************//*锁相环倍频*//************************************************/void pll_xs(void){SYNR=0x44;REFDV=0x81;//总线频率40Mwhile(!CRGFLG_LOCK);while(CLKSEL_PLLSEL!=1)CLKSEL_PLLSEL=1;}/***********************************************//*PWM初始化！*//************************************************/void PWM_int(void){PWMPOL|=0xaa;//PWM Polarity开始输出高电平,1、3、5、7 positive.PWMCLK|=0xaa;//Clock Select, Sn,B:7632.A:0145PWMPRCLK=0x22;//CLOCKA和CLOCKB是4分频是10MPWMCTL=0xf0;PWMSCLA=5;//1MPWMSCLB=5;//1MPWMCAE=0x00;PWMDTY01=900;PWMPER01=1000;PWME=0xaa; //PWM Enable,1、3、5、7 enable.}/************************************************/void main(void) {pll_xs();//倍频DDRB=0xff;PORTB|=0xff;PORTB&=0xfe;//PB0和PB1用来控制电机转向的EnableInterrupts;PWM_int();for(;;) {_FEED_COP(); /* feeds the dog */} /* loop forever *//* please make sure that you never leave main */}。
ucc5880的中文解析
UCC5880是三相无刷直流电机控制器的一种驱动芯片，属于BTS7960系列。
这种芯片常用于电动工具、水泵、汽车雨刷等设备中，其核心功能是控制电机的速度和方向。
UCC5880的主要特性包括：
1. 输入电压范围宽，可在3-40V之间工作；
2. 最大连续电流可达100A；
3. 集成保护功能，如过流保护、欠压保护和过热保护；
4. 死区时间可调，以防止电机短路时发生上下桥臂同时导通；
5. 内置的PWM限幅器可以限制最大输出电流。
在使用UCC5880时，需要将其与MCU或DSP等控制器配合，通过控制PWM信号的占空比来调节电机速度。
同时，为了实现电机的正反转控制，还需要对PWM信号进行相位调制。
总之，UCC5880是一种高效、可靠的电机控制器，可以广泛应用于各种需要驱动无刷直流电机的场合。
BTS7960中文数据手册
BTS7960智能功率芯片中文资料The BTS7960 is part of the NovalithIC family containing three separate chips in one package: One p-channel highside MOSFET and one n-channel lowside MOSFET together with a driver IC, forming a fully integrated high current half-bridge. All three chips are mounted on one common leadframe, using the chip on chip and chip by chip technology. The power switches utilize vertical MOS technologies to ensure optimum on state resistance. Due to the p-channel highside switch the need for a charge pump is eliminated thus minimizing EMI. Interfacing to a microcontroller is made easy by the integrated driver IC which features logic level inputs, diagnosis with current sense, slew rate adjustment, dead time generation and protection against overtemperature, overvoltage, undervoltage, overcurrent and short circuit. The BTS7960 can be combined with other BTS7960 to form H-bridge and 3-phase drive configurations.BTS7960是NovalithIC家族三个独立的芯片的一部分:一是p型通道的高电位场效应晶体管，二是一个n型通道的低电位场效应晶体管，结合一个驱动晶片,形成一个完全整合的高电流半桥。
SUL867070中文资料
r
celduc
e l a i
s
元器件交易网
celpac
Caractéristiques d'entrée / Control characteristics (at 25°C) Paramètre / Parameter Symbol Tension de commande / Control voltage Uc Courant de commande / Control current (@ Uc ) Ic Tension de non fonctionnement / Release voltage Uc off LED d'entrée / Input LED Tension Inverse / Reverse voltage Urv Tension de transil d'entrée / Clamping voltage (Transil) Uclamp Immunité / Input immunity : EN61000-4-4 Immunité / Input immunity : EN61000-4-5 Min 3 <10 2 DC Typ Max 5-12-24 32 <14 <14 jaune / yellow 32 36 2kV 2KV
Typical application: 10kW resistor (AC-51 load) on 400 VAC
(*) : Thermo Mechanical Stress Solution
Proud to serve you
All technical caracteristics are subject to change without previous notice. Caractéristiques sujettes à modifications sans préavis.
BTS7960连接线路图
BTS7960接口连线图图中的引脚7960INH1、与7960INH2接在一起7960IN1、7960IN2分别连接到XS1 28的I/0口。
BTS7960是应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片，它带有一个P沟道的高边MOSFET、一个N沟道的低边MOSFET和一个驱动IC。
P沟道高边开关省去了电荷泵的需求, 因而减小了EMI。
集成的驱动IC具有逻辑电平输入、电流诊断、斜率调节、死区时间产生和过温、过压、欠压、过流及短路保护的功能。
BTS7960通态电阻典型值为16mΩ，驱动电流可达43A。
因此即使在北方寒冷的冬天，仍能保证车窗的安全启动。
由于7960是单桥驱动芯片，要想让点击能够正反转，就必须使用两片7960构成全桥，上图就是两片构成的全桥驱动，IN1、IN2分别为方向控制端口，INH1、INH2为使能端，接在一起接上单片机PMW输出口，例如：IN1接高电平，IN2接低电平电机正传，反之则电机反转。
PWM脉冲也可由IN1、IN2输入，此时INH1、INH2就是方向控制端口。
接在5引脚的电容的作用是使7960的通断速度更快，接在各引脚的电阻主要作用是限流电阻，也可不加，但加上对跟安全，在电源端口的电容耐压必须注意，由于电机存在反向电动势，电容的耐压应是电源电压的两倍，更高则不需要，不仅增加成本还会占用更大体积，否则会导致电容发生击穿甚至爆炸，本人亲身经历，造成后果相当严重，望各位注意。
与7960差不多的驱动芯片7970，相比较7970驱动电流更大，其他参数大致相同。
在做飞思卡尔比赛中使用此芯片较多，在汽车车窗驱动也用的较多。
在做板布线时引脚4与引脚8都是输出端口，引脚8是芯片背面金属部分，输出电流很大如果只用引脚4的输出将会使布线烧毁，因此应将引脚4与引脚8接在一起并使用引脚8输出接至电机。
BTS7960中文资料[1]1
![BTS7960中文资料[1]1](https://img.taocdn.com/s3/m/b9945418d1f34693dbef3e28.png)
BTS7960中文资料[1]1BTS7960智能功率芯片中文资料The BTS7960 is part of the NovalithIC family containing threeseparate chips in one package: One p-channel highside MOSFET and one n-channel lowside MOSFET together with a driver IC, forming a fully integrated high current half-bridge. All three chips are mounted on one common leadframe, using the chip on chip and chip by chip technology. The power switches utilize vertical MOS technologies to ensure optimumon state resistance. Due to the p-channel highside switch the need for a charge pump is eliminated thus minimizing EMI. Interfacing to a microcontroller is made easy by the integrated driver IC which features logic level inputs, diagnosis with current sense, slew rate adjustment, dead time generation and protection against overtemperature, overvoltage, undervoltage, overcurrent and short circuit. The BTS7960 can be combined with other BTS7960 to form H-bridge and 3-phase drive configurations.BTS7960是NovalithIC家族三个独立的芯片的一部分:一是p型通道的高电位场效应晶体管，二是一个n型通道的低电位场效应晶体管，结合一个驱动晶片,形成一个完全整合的高电流半桥。
用摄像头循迹的智能车的硬件系统设计
用摄像头循迹的智能车的硬件系统设计孙宝法;张晓玲【摘要】The hardware designing idea of smartcar tracking with Camera is described. The following modules are discussed: power managing module, road information detecting module, road information treating module, direction controlling module, speed detecting module, engine controlling module and serial comunication module. A smartcar can be made with these modules.%介绍了用摄像头循迹的智能车的硬件系统设计的思路,重点说明电源管理模块、道路信息采集模块、道路信息处理模块、舵机控制模块、车速检测模块、电机控制模块、串口通信模块等的设计方法.综合各个模块的设计结果,构成一个完整的智能车硬件系统.【期刊名称】《价值工程》【年(卷),期】2012(031)030【总页数】2页(P201-202)【关键词】摄像头;循迹;智能车;硬件系统;设计【作者】孙宝法;张晓玲【作者单位】安徽三联学院计算机科学与技术系,合肥230601;安徽三联学院计算机科学与技术系,合肥230601【正文语种】中文【中图分类】TP391 智能车硬件系统的总体结构用摄像头循迹的智能车由硬件系统和软件系统两部分构成。
硬件系统包括电源管理模块、信息采集模块、数据处理模块、运动控制模块和串口通信模块等[1]。
其中，信息采集模块包括道路信息采集子模块和车速信息采集子模块；运动控制模块包括舵机控制子模块、直流电机控制子模块。
软件系统包括各模块的初始化、道路图像采集程序、数字信号处理程序、舵机方向控制程序和电机速度控制程序[2]。
基于单片机的电动变量施肥装置控制系统设计
基于单片机的电动变量施肥装置控制系统设计陈广大;夏凯;陈思睿;冯天祥【摘要】随着我国农业的不断发展,传统的施肥装置已不能满足生产需求,而近几年推出的变量施肥装置因操作复杂和价格昂贵等原因不适宜大面积推广.为此,设计一款操作简便、造价低和适用于大多数用户的新型电动变量施肥装置.该装置采用单片机作为控制核心,运用自动控制算法,根据需要调节施肥量,实现变量施肥,有效提高化肥的利用率,减少因化肥使用不当而造成的环境污染和食品安全问题.该装置采用汽车蓄电池供电和全电动的施肥过程,简化了复杂的机械传动机构,可完全取代传统纯机械式驱动的施肥装置.经实际应用证明,该电动变量施肥装置性能稳定可靠.【期刊名称】《农机化研究》【年(卷),期】2012(034)004【总页数】4页(P106-109)【关键词】变量施肥;施肥控制;单片机;自动控制【作者】陈广大;夏凯;陈思睿;冯天祥【作者单位】北华大学电气信息工程学院,吉林吉林 132021;北华大学电气信息工程学院,吉林吉林 132021;北华大学电气信息工程学院,吉林吉林 132021;北华大学电气信息工程学院,吉林吉林 132021【正文语种】中文【中图分类】TP368.2;S1260 引言变量施肥是精确农业的重要组成部分，也是农业工程领域中的新技术[1]。
实现变量施肥不但可以有效提高化肥利用率，而且可以减少因化肥使用不当而造成的环境污染和食品安全问题。
目前，我国农业生产中常见的施肥装置大多沿用地轮或变速箱通过机械传动机构驱动排肥器进行工作，性能落后，不能满足生产需要。
而近几年推出的变量施肥装置价格昂贵，操作困难，不适合我国农业现状，不宜大面积推广。
因此，尽快提高我国施肥装置技术水平，设计符合我国国情的施肥装置已成为当务之急。
随着农业机械化、智能化的发展和作业面积的不断增大，实行变量施肥技术(即根据不同肥料、不同农作物和不同生长时期而采取的不同施肥策略)是一种必然趋势，设计电动变量施肥装置具有重要的理论和现实意义。
智能循迹小车设计
智能循迹小车设计李伟龙【摘要】采用飞思卡尔16位微控制器MC9S12DG128B作为核心控制单元.详细地介绍了智能循迹小车控制系统的硬件设计和软件设计与实现,本循迹小车采用两排激光传感器来进行道路信息的采集和霍尔传感器采集速度信息,通过相应运算后,软件判断其有效性,结合控制算法控制随动舵机给出合理舵值,控制前轮舵机转向,单片机再给出合适的PWM波占空比以控制电机转速,并用H桥驱动电机的正反转运行.该智能小车能够较好地完成循迹任务,并且能够从较快的速度完成规定的路径,始终保持稳定运行.【期刊名称】《甘肃科技》【年(卷),期】2013(029)015【总页数】3页(P14-16)【关键词】智能小车;激光传感器;霍尔传感器;电机驱动;PWM【作者】李伟龙【作者单位】西北民族大学电气工程学院,甘肃兰州730030【正文语种】中文【中图分类】TP242.6本课题来源于“飞思卡尔”杯第七届全国大学生智能车竞赛，采用飞思卡尔16位微控制器MC9S12DG128B作为核心控制单元，自主构思控制方案及系统设计，包括传感器信号采集处理、控制算法及执行、动力电机驱动、转向舵机控制等，完成智能车的工程制作及调试。
最终完成后的智能车能够自主识别黑色导引线，巡线高速平稳行驶。
系统主要由道路识别模块、速度传感器模块、主控模块、舵机驱动模块、电机驱动模块。
框图如图1所示。
整个设计基于16位微控制器MC9S12XS128完成对采集数据的处理和各驱动的控制命令［1］，道路信息的采集为了使能够更多的采集到道路两边的赛道信息，又要避免相邻激光管互相干扰，于是采用两排各八对激光管且相邻激光管分时发光的方法来采集道路信息。
为了能快速完成赛道又使小车能够始终不偏离赛道，适应不同的赛道变化，除了调整好舵机转角，还应对速度采取闭环控制，选择霍尔传感器能够较好的完成测量任务并采用PID控制算法使小车能够在较短的时间内，快速达到设定值要求［2］。
电机模块利用4个场效应管作H桥驱动［3］。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
BTS7960智能功率芯片中文资料
The BTS7960 is part of the NovalithIC family containing three separate chips in one package: One p-channel highside MOSFET and one n-channel lowside MOSFET together with a driver IC, forming a fully integrated high current half-bridge. All three chips are mounted on one common leadframe, using the chip on chip and chip by chip technology. The power switches utilize vertical MOS technologies to ensure optimum on state resistance. Due to the p-channel highside switch the need for a charge pump is eliminated thus minimizing EMI. Interfacing to a microcontroller is made easy by the integrated driver IC which features logic level inputs, diagnosis with current sense, slew rate adjustment, dead time generation and protection against overtemperature, overvoltage, undervoltage, overcurrent and short circuit. The BTS7960 can be combined with other BTS7960 to form H-bridge and 3-phase drive configurations.
BTS7960是NovalithIC家族三个独立的芯片的一部分:一是p型通道的高电位场效应晶体管，二是一个n型通道的低电位场效应晶体管，结合一个驱动晶片,形成一个完全整合的高电流半桥。
所有三个芯片是安装在一个共同的引线框,利用芯片对芯片和芯片芯片技术。
电源开关应用垂直场效应管技术来确保最佳的阻态。
由于p型通道的高电位开关，需要一个电荷泵消除电磁干扰。
通过驱动集成技术，逻辑电平输入、电流取样诊断、转换速率调整器，失效发生时间、防止欠电压、过电流、短路结构轻易地连接到一个微处理器上。
BTS7960可结合其他的BTS7960形成全桥和三相驱动结构。
图框如下：
下图显示使用的数据表
2引脚结构
2.1引脚分配
上视图是BTS 7960B and BTS 7960P的引脚结构
引脚的定义和功能
引脚的定义和功能
PIN SYMBOL I/O 功能
1 GND - 接地
2 IN I 输入，高电位开关、低
电位开关是否开启决定3 INH I 抑制，当设定为低电平
进入睡眠状态
4，8 OUT O 功率输出
5 SR I 转换速率
功率开关的转换速率通
过SR和GND间连接的电
阻调整
6 IS O 电流取样诊断
7 VS - 电源
应用事例
下图是智能功率芯片BTS7960是应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片
上图是正常模式和故障模式下电流检测智能功率芯片BTS7960是应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片，它带有一个P沟道的高边MOSFET、一个N沟道的低边 MOSFET和一个驱动 Ic，如图 1所示。
集成的驱动Ic具有逻辑电平输入、电流诊断、斜率调节、死区时间产生和过温、过压、欠压、过流及短路保护的功能。
BTS7960通态电阻典型值为 16mQ，驱动电流可达 43A。
智能功率芯片BTS7960是应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片，它带有一个P沟道的高边MOSFET、一个N沟道的低边 MOSFET和一个驱动 Ic，如图 1所示。
集成的驱动Ic具有逻辑电平输入、电流诊断、斜率调节、死区时间产生和过温、过压、欠压、过流及短路保护的功能。
BTS7960通态电阻典型值为 16mQ，驱动电流可达 43A。
BTS7960的引脚Is具有电流检测功能，正常模式下，从Is引脚流出的电流与流经高边 MOS管的电流成正比，若RIS=lkQ，则 VIS=Iload／8．5；在故障条件下，从 Is引脚流出的电流等于IIS(1im)(约4．5mA)，最后的效果是 Is为高电平。
如图3所示，图3(a)为正常模式下Is 引脚电流输出，图3(b)为故障条件下IS引脚上的电流输出。