模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第5章 放大电路的频率响应
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案解析
WORD 文档下载可编辑模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D=0.7V 。
试画出i u 与ou 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流 ()/ 2.6DD I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第5章 放大电路的频率响应
第5章 放大电路的频率响应习题5.1在图P5.1所示电路中，已知晶体管的'bb r、C μ、C π，i be R r ≈。
填空：除要求填写表达式的之外，其余各空填入①增大、②基本不变、③减小。
(1)在空载情况下，下限频率的表达式L f ≈(112(//)s b be R R r C π+ )。
当R S 减小时，L f 将( ① )；当带上负载电阻后，L f 将( ② )。
(2)在空载情况下，若b-e 间等效电容为'C π，则上限频率的表达式H f ≈('''12[//(//)]b e bb b s r r R R C ππ+ )；当R S 为零时，H f 将( ① )；当R b 减小时, g m 将( ① ),'C π将( ① ), H f 将( ③ )。
图P 5.1 图P 5.25. 2已知某电路的波特图如图P5.2所示，试写出uA 的表达式。
解：设电路为基本共射放大电路或基本共源放大电路。
5532 3.210(1)(1)(1)(1)101010ujfA ff f j j j jf --≈≈++++5.3已知某共射放大电路的波特图如图P5.3所示，试写出uA 的表达式。
图P5.3 图P5.4解：观察波特图可知，中频电压增益为40dB ，即中频放大倍数为−100 ; 下限截止频率为1Hz 和10Hz ，上限截止频率为250kHz 。
故电路uA 的表达式为： 25510010110(1)(1)(1)(1)(1)(1)2.5101010uf A f f f j jf j j jf jf -+==++++++⨯5.4已知某电路的幅频特性如图P5.4所示，试问：(1)该电路的耦合方式；(2)该电路由几级放大电路组成；(3)当f =104H Z 时，附加相移为多少？当f =105H Z 时，附加相移又约为多少？（4）该电路的上限频率Hf 为多少？解：(1)因为下限截止频率为0 , 所以电路为直接耦合电路；(2)因为在高频段幅频特性为−60dB ／十倍频，所以电路为三级放大电路；(3)当f =104Hz 时，'00453135φ=-⨯=-； 当f =105Hz 时，'903270o o φ=-⨯=-。
模拟电子技术基础(第四版)第五章 童诗白主编
Fundamentals of Analog Electronics
华成英、童诗白 主编
—多媒体教学课件
华北科技学院 电子信息工程学院
主讲人：林亭生
第5章 放大电路的频率响应
重点：
1.频率响应的基本概念、波特图。 2.晶体管（场效应管）的高频等效模型
（混合模型）。 3.单管放大电路的频率响应。 4.多级放大电路的频率响应。
小结
（1）电路的截止频率决定于电容所在回路的时间 常数τ ，即决定了fL和fH。
（2）当信号频率等于fL或fH放大电路的增益下降 3dB，且产生+450或-450相移。
（3）近似分析中，可以用折线化的近似波特图 表示放大电路的频率特性。
5.2 晶体管的高频等效模型
5.2.1 晶体管的混合 模 型
20lg Au / dB
对数幅频特性：
0
0.1 fH fH 10 fH
f
3dB
20
20dB/十倍频
40
对数相频特性：
在高频段， 0
低通电路产生
45º
0~ 90°的滞后
相移。
90º
0.1 fH fH 10 fH
f
5.71º
45º/十倍频
5.71º
图 5.1.3(b) 低通电路的波特图
二、简化的混合模型 通常情况下，rce远大于c--e间所接的负载电
阻，而rb/c也远大于Cμ 的容抗，因而可认为rce和 rb/c开路。
Cμ 跨接在输入与输出回路之间，电路分析变得相当复杂。 常将Cμ 等效在输入回路和输出回路，称为单向化。单向 化靠等效变换实现。
因极型为总图负C（π载C＞）电＞。阻CRu/／/ Ｌ，，且C一u//般中情的况电下流。可C忽u// 略的不容计抗远，大得于简集化电模
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案解析
WORD 文档下载可编辑模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D=0.7V 。
试画出i u 与ou 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流 ()/ 2.6DD I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保R大的特点。
( √ )证其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。
五、电路如图T1.5所示，V CC=15V，β=100，U BE=0.7V。
模电第四版习题解答
模电第四版习题解答 YUKI was compiled on the morning of December 16, 2020模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √)GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
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模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础第四版第5章
20lg Au 20lg 2 3 dB, 45
20 lg Au
20 lg
f fL
20dB／十倍频
多级放大：
Au Au1 • Au2 • Au3
Au Au1 1 • Au2 2 • Au3 3
Au Au1 • Au2 • Au3
1 2 3 各级放大电路相频图的叠加
Ic c
gmUbe
RC
RE
Ce
•
RL Uo
ＲＣ高通或低通电路？
b rbb b rbe e
•
Ib
•
Ui
RB
oIb
c
e 1
RＥ
Ce
RＣ
RL
Reqe RE //[(rbb rbe ) /(1 0 )]
Ui
rbb
rbe
Ui (1
0 )RE
• (1
0 )RE
Reqe
U i
e Ce
ＲＣ低通电路
Req2 RC RL
f
90 45
0
45 90
m 180
0.1 fL2 fL2 10 fL2
0.1 fH fH 10ffH
Au
低频段
Aum
中频段
高频段
0.707 0.6
AAuumm
0
f1 fL2
0
fL2
–90º
–100º
– 180º
通频带
f2
fbw fH fL
-3dB带宽
fH
f
fL fL2
fH f
– 270º
Au
Uo Ui
R R 1
1 1 1
jC
j RC
《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
童诗白《模拟电子技术基础》(第版)笔记和课后习题(含考研真题)详解(5-8章)【圣才出品】
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时间常数，从而降低下限频率。然而这种改善是很有限的，因此在信号频率很低的使用场合， 应考虑采用直接耦合方式。
（2）“带宽增益积”为中频放大倍数与通频带的乘积，即
晶体管选定后，增益带宽积近似常量。当 fH fL 时， fbw f H ，由此可知，fH r 的提高与|Ausm|的增大是相互矛盾的。改善高频特性的根本办法是选择 bb 和 Cob 均小的管
5.1 在图 5.1 所示电路中，已知晶体管的 rbb’、Cμ、Cπ，Ri≈rbe。 填空：除要求填写表达式的之外，其余各空填入①增大、②基本不变、③减小。 (1)在空载情况下，下限频率的表达式 fL= 。当 Rb 减小时，fL 将 ；当带上负载 电阻后，fL 将 。 (2)在空载情况下，若 b-e 间等效电容为 C’π，则上限频率的表达式 fH= ；当 Rs 为零 时，fH 将 ；当 Rb 减小时，gm 将 ，C’π将 ，fH 将 。
子，同时尽量减小 C 所在回路的总等效电阻。 （3）场效应管的增益带宽积为
场效应选定后，增益带宽积近似常量。因此，改善高频特性的根本办法是选择 Cgb 小
的管子并减小 rg 的阻值。
四、多级放大电路的频率响应 1．多级放大电路频率特性的定性分析 设N级放大电路各级的电压放大倍数分别为Aul，Au2，…，AuN，则电路电压放大倍数：
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2．低通电路
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低通电路及其频率响应如图 5.2 所示。
图 5.2 低通电路及其频率响应
设输出电压Uo 与输入电压Ui
之比为
Au
，下限截止频率
模拟电电子技术基础第5章(第四版)童诗白 华成英
模拟电子技术基础
放大电路的频率特性包括两部分： 幅度频率特性
幅频特性是描绘输入信号幅度 固定，输出信号的幅度随频率变化 而变化的规律。即 i ∣= ∣Vo /V∣= f ( ) ∣A
相位频率特性
相频特性是描绘输出信号与输入 信号之间相位差随频率变化而变化 的规律。即 ∠A ∠Vo ∠Vi f ( )
Ic gm jC bc 所以 I b 1/rbe j (C be C bc )
Ib
Rb
Ic I b Rc
RL VO
Rb >> rbe
固定偏流共射极放大电路
100Hz
1kHz 10kHz 100kHz 1MHz
79.62
7.962 0.796 0.08 0.008
f Xc1 Ib AV f <100Hz Xc1 与rbe = 863 不能短路 f 100Hz Xc1 <<rbe = 863 可以短路
当输入信号的频率等于上限频率或下限频率时，放大电路的 增益比通带增益下降3dB,或下降为通带增益的0.707倍，且 在通带相移的基础上产生-45°或+45°的相移．
3． 工程上常用折线化的近似波特图表示放大电路的频率响应。
模拟电子技术基础
5 放大电路的频率响应
5.1频率响应概述 5.2晶体管的高频等效模型
s s 1/ R2C2
AVL 1 1 ( fL / f ) 2
幅频响应
相频响应
H arctg ( fL / f )
输出超前输入
模拟电子技术基础
RC低通电路的幅频响应
RC高通电路的幅频响应
RC低通电路+ RC高通电路的幅频响应？
模拟电路(童诗白第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础第四版课后答案-童诗白精编版
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第 1 章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第 2 章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第 3 章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第 4 章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第 5 章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50第 6 章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60第 7 章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74第 8 章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90第 9 章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114第 10 章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第 1 章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。
( √ )(2)因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
( √ )(6)若耗尽型 N 沟道 MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型 MOS 管C.耗尽型 MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电路童诗白第四版习题配套答案
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)R大的特(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS点。
( √)U大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
童诗白《模拟电子技术基础》(第4版)笔记和课后习题(含考研真题)详放大电路的频率响应)【圣才出品】
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2．场效应管的高频等效模型
（a）场效应管的高频等效模型
（b）简化模型 图 5.6 场效应管的高频等效模型
三、单管放大电路的频率响应 1．单管共射放大电路的频率响应 （1）中频电压放大倍数：
其中，
。
（2）低频电压放大倍数：
其中，fL 为下限频率，
fbw fH fL
3．波特图 （1）横坐标取频率，幅频纵轴取 20 lg | Au | dB ，相频纵轴取度数（°）。 （2）高通电路波特图，如图 5.3 所示。
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对数幅频特性：
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相频特性：f ? fL 时， =0°；f=fL 时， =+45°；f = fL 时， =+90°。
f fL
为 A&u 的相频特性。可知，当 f ?
fL 时，
| A&u | ，≈00；当 f=fL 时， | A&u | ，≈450；当 f = fL 时，| A&u | f / fL ，表示
f 每下降 10 倍， | A&u | 降低 10 倍；当 f 趋于零时， | A&u | 趋于零， 趋于+900。
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台
设一个N级放大电路各级的下限频率分别为
，上限频率分别为
，通频带分别为 率、上限频率和通频带分别为
，则该放大电路的下限频
2．截止频率的估算 （1）下限截止fL：
（2）上限截止fH：
5.2 课后习题详解
5.1 在图 5.1 所示电路中，已知晶体管的 rbb’、Cμ、Cπ，Ri≈rbe。
童诗白《模拟电子技术基础》(第4版)章节题库(放大电路的频率响应)
（1）计算电路的上限频率 fH，写出高频区电压放大倍数表达式；
（2）若将集电极电阻 RC 减小至 200Ω，试问参数的变化对高频特性的影响?
（3）丌改变电路连接，也丌更换晶体管，试问通过电路参数调整能增加带宽吗?
解：（1）画出高频混合 π 型等效电路如图 5-5（a）所示。
图 5-5（a） 用密勒定律将跨接在基极和集电极的结电容 C，折合到输入回路和输出回路，分别用 和 表示，可得单向化等效电路如图 5-5（b）所示，利用戴维南定理对输入回路进 行等效变换得图 5-5（c）。
高频特性的影响减弱，使上限频率提高。
以上结果表明，当集电极负载电阻减小时，虽然中频电压放大倍数减小，但却使上限频 率提高，放大器的频带加宽，高频特性得到改善。在大多数情况下，带宽的增加都是以放大 倍数的减小作为代价。
（3）根据以上分析可知，影响 fH 的主要因素是 Cπ 和 ，而
（b） 由图 5-5（a）可得：
图 5-5
其中
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（c）
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一般情况下， Cu 的容抗远大于集电极总负载，可忽略丌计。 图 5-5（a）等效时是从电容 C 向里看的电压、电阻： 其中， Rbe Rbb Rbe 。
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率 fH 为多少?
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图 5-3 对数幅频特性 解：当 f＝5kHz、10kHz、20kHz、30kHz、40kHz 时，AU＝100。在波特图中，坐 标都是以对数为坐标，即 AU＝100 时，20lgAU＝40。
图 5-2
故 C1、C2、C3 所确定的低频截止频率由其各自所在的回路中得到，其中的等效电容是由 电容向里看所得到的等效电容，则
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案
模拟电子技术根底第1章 常用半导体器件选择适宜答案填入空内。
(l)在本征半导体中参加( A )元素可形成N 型半导体，参加( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 电路如图P1.2 所示，10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示，t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8VV 。
试问： (1)假设将它们串联相接，那么可得到几种稳压值？各为多少？ (2)假设将它们并联相接，那么又可得到几种稳压值？各为多少？解：V ；14VVV 。
V ；6V 。
1.6 图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压6ZU V =，最小稳定电流min 5Z I mA =，最大稳定电流max 25Z I mA =。
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第5章 放大电路的频率响应习题5.1在图P5.1所示电路中，已知晶体管的'bb r、C μ、C π，i be R r ≈。
填空：除要求填写表达式的之外，其余各空填入①增大、②基本不变、③减小。
(1)在空载情况下，下限频率的表达式L f ≈(112(//)s b be R R r C π+ )。
当R S 减小时，L f 将( ① )；当带上负载电阻后，L f 将( ② )。
(2)在空载情况下，若b-e 间等效电容为'C π，则上限频率的表达式H f ≈('''12[//(//)]b e bb b s r r R R C ππ+ )；当R S 为零时，H f 将( ① )；当R b 减小时, g m 将( ① ),'C π将( ① ), H f 将( ③ )。
图P 5.1 图P 5.25. 2已知某电路的波特图如图P5.2所示，试写出uA 的表达式。
解：设电路为基本共射放大电路或基本共源放大电路。
5532 3.210(1)(1)(1)(1)101010ujfA ff f j j j jf --≈≈++++5.3已知某共射放大电路的波特图如图P5.3所示，试写出uA 的表达式。
图P5.3 图P5.4解：观察波特图可知，中频电压增益为40dB ，即中频放大倍数为−100 ; 下限截止频率为1Hz 和10Hz ，上限截止频率为250kHz 。
故电路uA 的表达式为： 25510010110(1)(1)(1)(1)(1)(1)2.5101010uf A f f f j jf j j jf jf -+==++++++⨯5.4已知某电路的幅频特性如图P5.4所示，试问：(1)该电路的耦合方式；(2)该电路由几级放大电路组成；(3)当f =104H Z 时，附加相移为多少？当f =105H Z 时，附加相移又约为多少？（4）该电路的上限频率Hf 为多少？解：(1)因为下限截止频率为0 , 所以电路为直接耦合电路；(2)因为在高频段幅频特性为−60dB ／十倍频，所以电路为三级放大电路；(3)当f =104Hz 时，'00453135φ=-⨯=-； 当f =105Hz 时，'903270o o φ=-⨯=-。
（4）该电路的33410(1)10uA f j ±=+；上限频率为' 5.2H f kHz ≈≈5.5已知某电路电压放大倍数：510(1)(1)1010u jfA j j -=++试求解：(1)umA = ? L f ≈？H f ≈？ (2)画出波特图。
解：(1)变换电压放大倍数的表达式，求出umA 、L f 和H f 。
∵551001010(1)(1)(1)(1)10101010ufjjfA f f f f j j j j -⋅-==++++∴100um A =- ；10L f Hz =；510Hf Hz =。
(2)波特图如解图P5.5所示。
解图P5.5 解图P5.65.6已知两级共射放大电路的电压放大倍数45200(1)(1)(1)510 2.510ujfA f f f j j j =+++⨯(1)umA = ? L f ≈？H f ≈？ (2)画出波特图。
解：(1) 变换电压放大倍数的表达式，求出umA 、L f 和H f 。
34545102005(1)(1)(1)(1)(1)(1)510 2.510510 2.510ufjjfA f f f f f f j j j j j j ⋅==++++++⨯⨯ ∴310um A = ；5L f Hz =；410Hf Hz ≈。
(2)波特图如解图P5.6所示。
5.7电路如图P5.7所示。
已知：晶体管的β、'bb r、C μ均相等，所有电容的容量均相等，静态时所有电路中晶体管的发射极电流I EQ 均相等。
定性分析各电路，将结论填入空内。
(a)(b)(c) (d)图P5.7(1)低频特性最差即下限频率最高的电路是( a )。
(2)低频特性最好即下限频率最低的电路是( c )。
(3)高频特性最差即上限频率最低的电路是( c )。
5.8在图P5.7(b)所示电路中，若要求C 1与C 2所在回路的时间常数相等，且已知r be = l k Ω，则12:C C =？若C 1与C 2所在回路的时间常数均为25ms , 则C 1、C 2各为多少？下限频率L f =?解：(1)求解12:C C 因为12()()si c L C R R C R R ⋅+=⋅+将电阻值代入上式，求出：12:5:1C C =。
(2)求解C 1、C 2的容量和下限频率112.5s iC F R R τμ=≈+；2 2.5c LC F R R τμ=≈+121 6.42L L f f Hz πτ==≈；110L L f Hz ≈≈5.9在图P5.7 (a)所示电路中，若C e 突然开路，则中频电压放大倍数usmA 、H f 和L f 各产生什么变化（是增大、减小、还是基本不变）？为什么？解：usm A 将减小。
因为在同样幅值的i U 作用下，bI 将减小，c I 随之减小，oU 必然减小。
L f 减小。
因为少了一个影响低频特性的电容。
H f 增大。
因为'C π会因电压放大倍数数值的减小而大大减小，所以虽然'C π所在回路的等效电阻有所增大，但时间常数仍会减小很多，故H f 增大。
5.10电路如图P5.10所示， 已知5gsgd C C pF ==,5m g mS=,1210s C C C F μ===。
试求H f 、L f 各约为多少，并写出usA 的表达式。
图P5.10 解：H f 、L f 和usA 的表达式分析如下： ''()12.4i usmm L m L i sR A g R g R R R =-≈-≈-+1162L s sf Hz R C π=≈''(1)72gs gs m L gd C C g R C pF =++≈''111.12(//)2H g s gs s gsf MHz R R C R C ππ=≈≈ 612.416(1)(1)16 1.110usfjA f fj j -⋅≈++⨯5.11在图5.4.7(a)所示电路中，已知2g R M =Ω，10d L R R k ==Ω，10C F μ=；场效应管的4gs gd C C pF == , 4m g mS =。
试画出电路的波特图，并标出有关数据。
解：'20,20lg 26um m L umA g R A dB =-≈-≈ ''(1)88gs gs m L gd C C g R C pF =++≈10.7962()L d L f Hz R R Cπ≈≈+'19042H g gsf Hz R C π≈≈ 其波特图参考解图P5.5。
5.12已知一个两级放大电路各级电压放大倍数分别为：11525(1)(1)410o u i U jf A f f U j j -==++ ；2252(1)(1)5010o u i U jf A f f U j j -==++ (1)写出该放大电路的电压放大倍数的表达式；(2)求出该电路的L f 和H f 各约为多少；(3)画出该电路的波特图。
解：(1)电压放大倍数的表达式：1222550(1)(1)(1)45010u u u A A A f f f f j j j =⋅-=+++(2)L f 和H f 分别为： 50L f Hz ≈；∵1H f ≈，∴64.3H f kHz ≈解图P5.12(3)根据电压放大倍数的表达式可知，中频电压放大倍数为104，增益为80dB 。
波特图如解图P5.12所示。
5.13电路如图P5.13所示。
试定性分析下列问题，并简述理由。
(1)哪一个电容决定电路的下限频率； (2)若T l 和T 2静态时发射极电流相等，且'bbr和'C π相等，则哪一级的上限频率低。
图P5.13解：(1)决定电路下限频率的是C e ，因为它所在回路的等效电阻最小。
(2)因为2341//////s R R R R R >，'2C π所在回路的时间常数大于'1C π所在回路的时间常数，所以第二级的上限频率低。
补充1在图P5.7(a)所示电路中，若β＝100 ,r be =1k Ω，C l = C 2= C e =100μF ，则下限频率L f =?解：由于所有电容容量相同，而C e 所在回路等效电阻最小，所以下限频率决定于C e 所在回路的时间常数。
∵e //R //2011be s b be sr R R r R Rββ++=≈≈Ω++∴1802L ef Hz RC π≈≈补充2在图P5.7(d)所示电路中，已知晶体管的'100bb r=Ω，1be r k =Ω，静态电流2EQ I mA =,'800C pF π=，2s R k =Ω，500b R k =Ω， 3.3c R k =Ω，10C F μ=。
试分别求出电路的H f 和L f ，并画出波特图。
解：(1)求解L f ：115.32()2()L s i s be f Hz R R C R r Cππ=≈≈++(2)求解H f 和中频电压放大倍数：''0.9b e be b b r r r k =-=Ω''''''113162[//(//)]2[//()]H b e bb b s b e bb s f kHz r r R R C r r R C ππππ=≈≈++ 77/EQ m TI g mA V U ≈≈''()76i b e usmm L i s beR r A g R R R r =⋅-≈-+20lg 37.6usm A dB ≈其波特图参考解图P5.5。