半导体技术-中国半导体分立器件分会
半导体监管体制、行业主要法律法规及政策
半导体监管体制、行业主要法律法规及政策
1、行业监管体制
半导体行业的管理体制是国家产业宏观调控下的市场调节机制，国家主管部门制定产业发展规划、发展政策，对行业进行宏观调控，行业协会对行业进行自律规范管理。
行业的主管部门是国家发改委、工信部以及全国半导体设备和材料标准化技术委员会。
行业自律管理机构为中国半导体行业协会。
中国半导体行业协会是半导体行业的自律规范组织，协会将会员分为六类，包括集成电路类、集成电路设计类、封装与测试类、半导体分立器件类、半导体支撑类、MEMS类。
具体行业管理体制如下：
2、行业的主要法律法规及政策
随着我国经济的持续高速发展，半导体制造行业对国民经济增长的推动作用越来越明显，半导体技术的发展及广泛应用极大地推动了科学技术进步和社会经济发展，为国家重点支持的行业。
近年来，国家相关部委出台了一系列的关于支持半导体制造行业结构调整、产业升级、促进下游应用市场消费、规范行业管理以及促进区域经济发展的政策法规。
行业主要的法律、法规和产业政策如下：。
中国半导体产业发展历史大事记
中国半导体产业发展历史大事记1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。
1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。
中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。
请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。
在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。
培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。
1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长）。
1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。
中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。
当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。
1958年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI（大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI（甚大规模集成电路），届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。
1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。
1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所（河北半导体研究所）。
1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。
1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。
1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。
半导体器件 分立器件 第3部分：信号、开关和调整二极管-最新国标
半导体器件分立器件第3部分：信号、开关和调整二极管1 范围本文件给出了下列器件的标准：——信号二极管（不包括设计工作频率在几百兆赫兹以上的二极管）；——开关二极管（不包括高功率整流二极管）；——电压调整二极管；——电压基准二极管；——电流调整二极管。
2 规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。
其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T 2900.66–2004 电工术语半导体器件和集成电路( IEC60050-521：2002，IDT)GB/T 17573-1998 半导体器件分立器件第1部分总则（IEC 60747-1:2006）3 术语、定义和图形符号GB/T 2900.66-2004和GB/T 17573-1998界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1 信号和开关二极管3.1.1正向恢复电压 forward recovery voltageV FR从零电压或某一规定的反向电压，瞬时转换到规定的正向电流之后, 在正向恢复时间内出现的变化差的电压。
3.1.2电压检波效率 detector voltage efficiencyηv在规定的电路条件下，直流负载电压与正弦输入的峰值电压之比。
3.1.3功率检波效率 detector power efficiencyηP当二极管在规定的条件下工作时，由交流信号在负载电阻上产生的直流功率变化量与正弦电压源输出的有用功率之比。
3.1.4重复脉冲能量 repetitive pulse energyE PR在一系列重复脉冲中一个单脉冲所包含的能量。
3.1.5总电容 total capacitanceC tot在规定的偏置条件下，在二极管两端之间测得的电容。
3.2 电压基准二极管和电压调整二极管3.2.1电压基准二极管在同一电流下，最小和最大电压均产生规定电压的二极管。
中国半导体产业发展历史大事记之二
中国半导体产业发展历史大事记之二◎分立器件发展阶段（１９５６--１９６５）１９５６年中国提出“向科学进军”，国家制订了发展各门尖端科学的“十二年科学技术发展远景规划”，明确了目标。
根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究发展半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。
从半导体材料开始，自力更生研究半导体器件。
为了落实发展半导体规划，中国科学院应用物理所首先举行了半导体器件短期训练班。
请回国的半导体专家内昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制技术和半导体线路。
参加短训班的约１００多人。
当时国家决定由五所大学-北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学半导体物理专来，共同培养第一批半导体人才。
五校中最出名的教授有北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德和吉林大学的高鼎三。
１９５７年就有一批毕业生，其中有现在成为中国科学院院士的王阳元（北京大学）、工程院院士的许居衍（华晶集团公司）和电子工业部总工程师俞忠钰等人。
之后，清华大学等一批工科大学也先后设置了半导体专业。
中国半导体材料从锗（Ｇｅ）开始。
通过提炼煤灰制备了锗材料。
１９５７年北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。
中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一研究所开发锗晶体管。
前者由王守武任半导体实验室主任，后者由武尔桢负责。
１９５７可国依靠自己的技术开发，相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。
为了加强半导体的研究，中国科学院于１９６０年在北京建立了半导体研究所，同年在河北省石家庄建立了工业性专业研究所-第十三研究所，即现在的河北半导体研究所。
到六十年代初，中国半导体器件开始在工厂生产。
此时，国内搞半导体器件的已有十几个厂点。
当时北方以北京电子管厂为代表，生产了ＩＩ－６低频合金管和ＩＩ４０１高频合金扩散管；南方以上海元件五厂为代表。
在锗之后，很快也研究出其他半导体材料。
１９５９年天津拉制了硅（Ｓｉ）单晶。
第十八届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨2024年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛会议通知
第十八届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨2024年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛会议通知
佚名
【期刊名称】《微纳电子技术》
【年(卷),期】2024(61)4
【摘要】中国半导体分立器件产业随着传统产业转型和技术升级,在新兴产业发展中发挥着不可或缺的重要作用。
新材料和新技术的不断发展应用,对半导体分立器件未来发展产生深远的影响。
全球经济复苏缓慢,消费预期下降,继续影响半导体分立器件行业的整体发展,但在5G通信、大数据中心、光伏风能储能、新能源汽车等应用市场增长的牵引下,半导体功率器件产业继续保持发展的态势。
在中低端功率器件领域国产化半导体功率器件已成为主要角色,伴随着技术的不断积累和资本的持续投入,在中高端市场也会逐渐成熟、壮大。
【总页数】1页(PI0001)
【正文语种】中文
【中图分类】F42
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周年高层论坛暨中国半导体行业协会集成电路设计分会2004年会将于上海举行5.抓住机遇迎接挑战促进我国半导体分立器件行业的健康发展——在“2004中国半导体分立器件产业发展战略研讨会暨中国半导体行业协会分立器件年会”上的讲话
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半导体硅片和半导体分立器件行业主管部门、监管体制、主要法律法规及政策
半导体硅片和半导体分立器件行业主管部门、监管体制、主要法律法规及政策根据《国民经济行业分类》（GB/T 4754-2017），半导体硅片行业属于“C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”之“C397 电子器件制造”，半导体分立器件行业行业属于“C39 计算机、通信和其他电子设备制造业”。
1、行业主管部门与行业监管体制半导体硅片行业和半导体分立器件行业属于半导体行业的细分行业，为国家重点鼓励、扶持的战略性新兴行业。
公司所处行业的主管部门为国家工业和信息化部，其主要职责为：提出新型工业化发展战略和政策，协调解决新型工业化进程中的重大问题，拟订并组织实施工业、通信业、信息化的发展规划，推进产业结构战略性调整和优化升级；制定并组织实施工业、通信业的行业规划、计划和产业政策；监测分析工业、通信业运行态势，统计并发布相关信息，进行预测预警和信息引导；指导行业技术创新和技术进步，以先进适用技术改造提升传统产业等。
中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会、集成电路材料和零部件产业技术创新战略联盟为本公司所处行业的自律组织和协调机构。
中国半导体行业协会成立于1990 年，是由全国半导体界从事集成电路、半导体分立器件、半导体材料和设备的生产、设计、科研、开发、经营、应用、教学的单位、专家及其它相关的支撑企、事业单位自愿结成的行业性的全国性的非营利性的社会组织，下设6 个分支机构：集成电路分会、半导体分立器件分会、半导体封装分会、集成电路设计分会、半导体支撑业分会、MEMS 分会。
其主要职能有：贯彻落实政府有关的政策、法规，向政府行业主管部门提出本行业发展的经济、技术和装备政策的咨询意见和建议；开展信息咨询工作，对行业与市场情况进行调查研究与分析预测；开展经济技术交流和学术交流活动；开展国际交流与合作；协助政府制（修）订行业标准、国家标准及推荐标准等。
中国电子材料行业协会成立于1991 年，是国内从事电子材料的生产、研制、开发、经营、应用、教学的单位及其他相关的企、事业单位自愿结合组成的全国性的行业社会团体，下设10 个分会：半导体材料分会、覆铜板材料分会、压电晶体材料分会、电子精细化工材料分会、真空电子与专用金属材料分会、磁性材料分会、电子陶瓷材料分会、电子锡焊料材料分会、电子铜箔材料分会、石英材料分会。
IEC_TC47
IEC TC47/SC47D 标准体系研究彭 博 崔 波 吴亚光 李丽霞 郑 镔（中国电子科技集团公司第十三研究所）摘 要：本文分析了国际电工委员会半导体器件封装标准化分技术委员会（IEC TC47/SC47D）标准体系和标准体系形成的过程，介绍了两类系列标准，介绍了IEC正在制定的标准的主要内容，以利于我国专家了解和参与国际标准化工作。
关键词：IEC TC47/SC47D，半导体器件封装，标准体系，系列标准Research on the Standards System of IEC TC 47/SC 47DPENG Bo CUI Bo WU Ya-guang LI Li-xia ZHENG Bin（The 13th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation）Abstract: This paper analyzes the standards system and its formation process of IEC TC 47/SC 47D on semiconductor devices packaging, and introduces two series of standards as well as the main contents of the standards under development, which is expected to encourage Chinese experts to understand and participate in the international standards development.Keywords: IEC TC 47/SC 47D, semiconductor devices packaging, standards system, series of standards1 IEC TC47/SC47D简介在半导体器件的标准化工作中影响最大的国际或国外先进标准组织有国际电工委员会（IEC）、国际半导体设备与材料组织（SEMI）、电子器件联合工程协会（JEDEC）、欧洲电工标准化委员会电子器件委员会（CECC）等 [1]。
半导体硅片和半导体分立器件行业主管部门监管体制主要法律法规及政策
半导体硅片和半导体分立器件行业主管部门监管体制主要法律法规及政策半导体硅片和半导体分立器件行业是全球信息技术和电子产业的核心支撑，也是许多国家重点发展的战略性产业之一、在不同的国家和地区，半导体硅片和分立器件行业都有相应的主管部门、监管体制、法律法规和政策来推动行业的发展和规范行业的运行。
首先，让我们来看一下一些重要国家和地区的半导体硅片和分立器件行业的主管部门和监管体制。
中国的主管部门是工业和信息化部（MIIT），负责制定和推动半导体硅片和分立器件行业的发展政策。
MIIT还通过颁发许可证、监管进出口等方式对行业进行监管。
美国的主管机构是国家半导体产业协会（SEMI），该协会代表了全球半导体产业链的利益，包括半导体硅片和分立器件等。
SEMI通过为产业提供市场研究、政策倡导等服务来推动行业发展。
韩国的主管部门是韩国半导体工业协会（KSIA），它代表了韩国半导体行业的利益，并负责协调行业内的合作和发展。
在欧洲，主要的监管机构是欧洲半导体产业协会（ESIA），它代表了欧洲半导体行业的利益，并推动行业的发展和合作。
以上只是一些国家和地区的主管部门和监管体制的例子，其他国家和地区也有类似的机构来管理半导体硅片和分立器件行业。
除了主管部门和监管体制外，主要法律法规和政策也对半导体硅片和分立器件行业的发展起着重要作用。
这些法律法规和政策主要包括：1.工业政策：各国针对半导体硅片和分立器件行业都制定了相关的工业政策，包括资金支持、税收优惠、人才培养等方面的支持措施。
2.知识产权保护：知识产权对于半导体硅片和分立器件行业的发展至关重要，各个国家都有相应的法律法规来保护知识产权。
3.进出口管制：半导体硅片和分立器件是高技术产品，许多国家对其进出口进行了一定的限制和监管，如设立进出口许可证制度等。
4.环境保护：半导体硅片和分立器件的制造过程中会产生一定的环境污染，各国都制定了相应的法律法规来保护环境。
5.产业标准：为了推动行业的发展和合作，各国都制定了相应的国家和行业标准，规范半导体硅片和分立器件的制造和使用。
第十届中国半导体行业协会半导体分_省略_电子技术交流与学术研讨会成功召开_
第十届中国半导体行业协会半导体分立器件分会年会（ＣＳＤＤ）第九届中国微纳电子技术交流与学术研讨会成功召开第十届中国半导体行业协会半导体分立器件分会年会、第九届中国微纳电子技术交流与学术研讨会于２０１６年７月２７－２９日在吉林省吉林市成功召开。
来自全国著名高校、各系统研究院所、半导体行业知名企业的专家和学者参加了本次大会。
会议由中国半导体行业协会半导体分立器件分会秘书长、《半导体技术》与《微纳电子技术》总编赵小宁主持。
中国半导体行业协会副理事长陈贤致开幕辞，对我国产业界、高校、研究所在半导体分立器件领域所取得的成绩给予了充分肯定。
工业和信息化部电子信息司副处长龙寒冰、吉林市副市长崔振吉百忙之中到会指导并致辞。
中国电子科技集团公司第十三研究所所长卜爱民出席会议并致欢迎辞，他代表会议主办单位欢迎各位专家学者的莅临，感谢中国半导体行业与微纳电子技术领域的各位学术报告专家不辞辛劳、千里迢迢从全国各地赶来参加会议进行交流。
国家集成电路产业投资基金股份有限公司总经理丁文武、中国电子科技集团公司原副总经理赵正平、北京大学张海霞教授、电子科技大学张波教授等专家做了特邀报告。
本届大会涉及新型材料与器件、宽禁带器件与技术、光电器件与技术、ＭＥＭＳ与传感器、微细加工工艺、电路设计与制作、封装与可靠性、检测与设备等领域，介绍了近年来我国半导体行业、微纳电子行业在新兴产品、创新技术和市场开拓等方面的最新进展，所取得的成果令人鼓舞。
此次会议得到了全国产、学、研各界的大力支持和广泛关注。
在与会专家和代表的共同努力和积极参与下，第十届中国半导体行业协会半导体分立器件分会年会、第九届中国微纳电子技术交流与学术研讨会取得了圆满成功。
时间虽然短暂，但收获颇丰。
专家和代表们不仅交流了各自的研究成果，且深入了解了当前我国半导体行业、微纳电子技术领域的发展动态。
最后，对于各位与会专家和代表的大力支持和无私帮助表示衷心的感谢。
６３６。
半导体分立器件和集成电路装调工(汽车芯片开发应用)赛项广东省选拔赛技术方案
附件12023年全国行业职业技能竞赛一第二届全国工业和信息化技术技能大赛半导体分立器件和集成电路装调工（汽车芯片开发应用）赛项广东省选拔赛日程安排和技术方案一、大赛时间10月27日-29日二、大赛地点广州市工贸技师学院中心校区三、举办单位主办单位：广东省工业和信息化厅、广东省人力资源和社会保障厅、广东省教育厅、广东省总工会、共青团广东省委承办单位：工业和信息化部电子第五研究所协办单位：广州市工贸技师学院技术支持单位：广州慧谷动力科技有限公司四、日程安排注：以上日程安排如有调整，另行通知。
五、大赛内容、形式和成绩计算本次竞赛内容包含理论知识和实际操作两部分。
本赛项分为职工组和学生组两个竞赛组别，各组别均为双人组队参赛，不得跨单位组队。
所有通过报名资格审核的选手，首先参加理论考试，根据理论考试团队总成绩排名，职工组、学生组分别选拔前30队参赛选手参加实践操作比赛（理论考试团队总成绩如相同者，团队总用时少的排名靠前）。
理论知识竞赛满分为100分，按20%的比例折算计入竞赛总成绩。
赛题均为客观题，采用计算机考试方式实现。
实际操作竞赛满分为100分，按80%的比例折算计入竞赛总成绩。
折算后的理论知识竞赛成绩与实际操作竞赛成绩相加得出参赛选手竞赛总成绩，满分为100分（竞赛总成绩如相同者，理论考试团队总成绩高的排名靠前）。
六、命题原则大赛覆盖汽车芯片的真实应用场景，紧跟汽车芯片设计前沿发展，结合技能竞赛评价标准。
其中，职工组可参照《半导体分立器件和集成电路装调工国家职业技能标准》（国家职业资格二级）、《集成电路工程技术人员国家职业标准》（国家专业技术等级高级）要求，学生组可参照《半导体分立器件和集成电路装调工国家职业技能标准》（国家职业资格三级）、《集成电路工程技术人员国家职业标准》（国家专业技术等级中级）要求，同时结合汽车芯片所涉及的相关技术、应用技术发展状况和企业生产实际命题。
竞赛命题主要遵循以下标准：一是覆盖汽车芯片的实际应用场景，对多种汽车芯片整合到竞赛中，需要结合汽车的各个方向领域知识，考察参赛者对多种汽车芯片的了解，符合我国现阶段对复合型人才的需求；二是跟进汽车芯片设计前沿应用技术发展，聚焦汽车芯片的智能化技术应用，结合技术技能人才培养要求和企业岗位需要；三是技能竞赛结果主要以客观准确率作为评价标准，保证竞赛的公平、公正原则。
2024年半导体分立器件芯片企业组织架构和部门职能
一、组织架构
1、半导体分立器件芯片企业的组织架构
半导体分立器件芯片企业的组织架构包括董事会、高管层、总经理、
技术部门、生产部门、财务部门、质量部门、销售部门、行政部门和工程
部门等部门。
董事会是企业决策者，负责制定公司的战略方向，确立公司的基本方针，指导、监督公司的运营情况，负责企业内部治理。
高管层由总经理、副总经理和总经理助理组成，负责企业日常运营管理，制定公司的战略方向，制定公司的各项工作规划和落实，负责企业的
内部治理。
技术部门是企业的核心部门，负责研发新产品、开发技术、创新技术、改进产品质量，满足客户的需求。
生产部门负责生产芯片，并按照规定的质量标准，使产品符合要求，
保证产品的质量。
财务部门负责制定公司财务政策和决策，审核公司财务报表，按照计
划管理公司资金。
质量部门负责管理质量，检查产品的质量把关，规定产品的测量标准，确保产品符合行业的质量标准。
销售部门负责开发新市场，提高销售业绩，维护客户，提供技术支持，确保按时交货，满足客户需求；。
中国半导体分立器件型号的命名法
中国半导体分立器件型号的命名法中国半导体分立器件型号的命名法中国晶体管和其他半导体器件的型号,通常由以下五部分组成:第一部分:用阿拉伯数字表示器件的有效电极数目. 例如:3AX81-81的3第二部分:用汉语拼音字母表示器件的极性和材料. 例如:3AX81-81的A第三部分:用汉语拼音字母表示器件的类型. 例如:3AX81-81的X第四部分:用阿拉伯数字表示器件的序号. 例如:3AX81-81的81第五部分:用汉语拼音字母表示规格. 例如:3AX81-81的-81但是,场效应晶体管,半导体特殊器件,复合管,PIN型二极管(P区和N区之间夹一层本征半导体或低浓度杂质半导体的二极管.当其工作频率超过100MHz时,由于少数载流子的存储效应和I层中的渡越时间效应,二极管失去整流作用,而成为阻抗元件,并且,其阻抗值的大小随直流偏置而改变)和激光器件等型号的组成只有第三,第四和第五部分.例如:CS2B是表示:B规格2号场效应管.中国半导体分立器件型号的组成符号及其意义用数字表示器件的有效电极数目用汉语拼音字母表示器件俄材料和极性用汉语拼音字母表示器件的类型用阿拉伯数字表示器件的序号用汉语拼音字母表示规格2二极管AN型,锗材料P 普通管D 低频大功率管B P型,锗材料V 微波管A 高频大功率管C N型,硅材料W 稳压管T 半导体闸流管D P型,硅材料C 参量管Y 体效应器件3三极管APNP型,锗材料Z 整流管B 雪崩管B NPN型,锗材料L 整流堆J 阶跃恢复管C PNP型,硅材料S 隧道管CS 场效应管D NPN型,硅材料N 阻尼管BT 半导体特殊器件U 光电器件FH 复合管E 化合物材料K 开关管PIN PIN型管X 低频小功率管JG 激光器件G 高频小功率管。
半导体分立器件、集成电路装调工国家职业标准
半导体分立器件、集成电路装调工国家职业标准1. 职业概况1．1 职业名称：半导体分立器件、集成电路装调工。
1．2 职业定义：使用设备装配、测试半导体分立器件、集成电路、混合集成电路的人员。
1．3 职业等级：本职业共设四个等级，分别为：初级（国家职业资格五级）、中级（国家职格四级）、高级（国家职业资格三级）、技师（国家职业资格二级）。
1．4 职业环境：室内、常温（部分高温），净化。
1．5 职业能力特征：有一定的分析、判断和推理能力，手指灵活、手臂灵活、动作协调。
知觉好。
1．6 基本文化程度：高中毕业（或同等学历）。
1．7 培训要求：1．7．1 培训期限：全日制职业学校教育，根据其培养目标和教学计划确定。
晋级培训：初级不少于400标准学时；中级不少于300标准学时；高级不少于150标准学时；技师于150标准学时。
1．7．2 培训教师：培训初、中、高级的教师应具有本职业技师职业资格证书或相关专业8级专业技术职务任职资格；培训技师的教师具有本职业技师职业资格证书3年以上或专业高级专业技术职务任职资格。
1．7．3 培训场地设备：理论培训场地应具有可容纳20名以上学员的标准教室，并配备设备。
实际操作培训场所应具备必要的实验设备和产品测试仪器的实践场所。
1．8 鉴定要求：1．8．1 适用对象：从事或准备从事本职业的人员。
1．8．2申报条件：——初级（具备下列条件之一者）（1）经本职业初级正规培训达规定标准学时数，并取得结业证书。
（2）在本职业连续见习工作2年以上。
（3）本职业学徒期满。
——中级（具备以下条件之一者）（1）取得本职业初级职业资格证书后，连续从事本职业工作3年以上，经本职业中级正训达规定标准学时数，并取得结业证书。
（2）取得本职业初级职业资格证书后，连续从事本职业工作5年以上。
－121一（3）连续从事本职业工作7年以上。
（4）取得经劳动保障行政部门审核认定的、以中级技能为培养目标的中等以上职业学校础业（专业）毕业证书。
第1章 基本半导体分立体器件
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第1章 基本半导体分立器件
2． P型半导体 在四价的本征硅（或锗）中掺入微 量的三价元素硼（B）之后， 参照上述 分析， 硼原子也和周围相邻的硅原子组 成共价键结构， 如图1-7所示。
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第1章 基本半导体分立器件
图1-7 P型半导体
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第1章 基本半导体分立器件
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第1章 基本半导体分立器件
图1-2 本征硅（或锗）的晶体结构 （a） 结构图； （b） 平面示意图与共价键
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第1章 基本半导体分立器件
从图1-2（b）的平面示意图可以看 出， 硅和锗原子组成单晶的组合方式是 共价键结构。 每个价电子都要受到相邻 的两个原子核的束缚， 每个原子的最外 层就有了八个价电子而形成了较稳定的 共价键结构。 所以， 半导体的价电子既 不像导体的价电子那样容易挣脱成为自 由电子， 也不像在绝缘体中被束缚的那 样紧。 由于导电能力的强弱， 在微观上 看就是单位体积中能自由移动的带电粒 子数目的多少， 因此， 半导体的导电能 力介于导体和绝缘体之间。
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第1章 基本半导体分立器件
1） 多子的扩散运动建立内电场 如图1-8（a）所示， 和 分 别代表P区和N区的受主和施主离子（为 了简便起见， 硅原子未画出）， 由于 P 区的多子是空穴， N区的多子是自由电 子， 因此在P区和N区的交界处自由电子 和空穴都要从高浓度处向低浓度处扩散。 这种载流子在浓度差作用下的定向运动， 叫做扩散运动。
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第1章 基本半导体分立器件
1．本征激发与复合 在绝对零度（－273 ℃）时， 半导 体中的价电子不能脱离共价键的束缚， 所以在半导体中没有自由电子， 半导体 呈现不能导电的绝缘体特性。
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“半导体技术”2011年第11期摘要”材料与器件P817- 宽带隙半导体材料光电性能的测试P821- GaN薄膜的椭偏光谱研究P826- 集成电路互连线用高纯铜靶材及相关问题研究P831- GaAs同质外延生长过程的RHEED分析制造工艺技术P836- 300nm铜膜低压低磨料CMP表面粗糙度的研究P840- 沟槽型VDMOS源区的不同制作方法研究集成电路设计与应用P844- 一种用于角度传感器中的仪表放大器P848- FPGA芯片内数字时钟管理器的设计与实现P853- 一种高功率馈线合成器的设计P857- 一种宽带OFDM信号接收电路的设计与实现P862- 2~18GHz宽带ALC放大器P866- 20GHz镜频抑制谐波混频器P871- 双极型LDO线性稳压器的设计封装、检测与设备P875- 全自动LED引线键合机焊点快速定位方法的研究P880- 铜线键合Cu/Al界面金属间化合物微结构研究P885- 多线切割张力控制系统研究P890- 汽车轮胎压力感应器产品的可靠性评估材料与器件P817- 宽带隙半导体材料光电性能的测试郭媛1,陈鹏1,2,孟庆芳1,于治国1,杨国锋1,张荣1,郑有炓1 (1．南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093;2．南京大学扬州光电研究院,江苏扬州225009)摘要:主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实验中发现多量子阱的光致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的额外的发光峰。
在任何温度大功率激发条件下,自由激子的带边复合占主导地位,并且带边复合的强度随温度或激发功率的下降而减弱;在室温以下小功率激发条件下,局域化能级引入的束缚激子复合占主导地位,其复合强度随温度的下降而单调上升,随激发功率的下降而上升。
带边复合在样品温度上升或者激发功率变大时发生蓝移,而局域的束缚激子复合辐射的峰值波长,随样品温度和激发功率的变化没有明显变化。
关键词:光致发光;深能级;自由激子;束缚激子;多量子阱;蓝移P821- GaN薄膜的椭偏光谱研究余养菁,张斌恩,李孔翌,姜伟,李书平,康俊勇(厦门大学物理系教育部微纳光电子材料与器件工程研究中心福建省半导体材料及应用重点实验室,福建厦门361005)摘要:采用椭圆偏振光谱法,在1.50~6.50eV光谱内,研究了在蓝宝石衬底(0001)面上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法制备的非掺杂纤锌矿结构GaN薄膜的光学性质。
建立GaN表面层/外延层/缓冲层/衬底四层物理结构模型。
与Cauchy和Sellmeier色散公式比较后选择了Tanguy Extended色散公式来分析GaN薄膜的光学性质。
椭圆偏振光谱拟合结果表明,Tanguy Extended色散公式能更准确、方便地描述GaN薄膜在全波段(特别是带隙及带隙之上波段)的色散关系。
提供了GaN薄膜在1.50~6.50eV光谱范围内的寻常光(o光)和非寻常光(e光)折射率和消光系数色散关系,为定量分析GaN薄膜带边附近各向异性的光学性质提供了依据。
关键词:GaN薄膜;椭圆偏振光谱;光学各向异性;色散关系;纤锌矿结构P826- 集成电路互连线用高纯铜靶材及相关问题研究高岩1,2,王欣平1,2,何金江1,2,董亭义1,2,蒋宇辉1,2,江轩1,2(1.北京有色金属研究总院,北京100088;2.有研亿金新材料股份有限公司,北京102200)摘要:随着半导体技术的发展,芯片特征尺寸缩小到深亚微米和纳米时,铜互连技术在集成电路的设计和制造中成为主流技术,从而对高纯铜靶材的要求越来越高。
从靶材制造的角度利用材料学的知识对铜靶材的晶体结构、纯度、致密度、微观组织及焊接性能等方面作了分析,并且较全面地分析了可能影响靶材溅射性能的很多关键因素,从而为靶材供应商和集成电路制造商对于铜靶材的了解搭建了桥梁,为进一步开发超大尺寸的高纯铜靶材打下基础。
关键词:集成电路IC;互连线;焊接强度;铜靶材;溅射P831- GaAs同质外延生长过程的RHEED分析熊政伟1,2,王学敏2,张伟斌1,姜帆1,吴卫东2,孙卫国1(1.四川大学原子与分子物理研究所,成都610064;2.中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川绵阳621900)摘要:采用激光分子束外延方法(L-MBE),在GaAs(001)衬底上同质外延GaAs薄膜。
利用反射式高能电子衍射(RHEED)研究了材料沉积过程中的各级条纹及其强度的变化,进而得出GaAs薄膜外延生长的适宜激光能量和沉积温度分别为500mJ和570℃。
RHEED强度随时间的变化曲线表明,GaAs为良好的层状外延生长模式,并随着沉积时间延长,层状生长模式逐渐向岛状模式转变。
实验研究还表明层状生长的GaAs薄膜经表面弛豫后,可以得到更好的平整表面,并出现GaAs(001)-(2×4)的表面重构。
原位X射线光电子能谱仪(XPS)研究表明沿(001)面外延的GaAs薄膜表面Ga:As化学计量比约为52:48,出现Ga的聚集。
关键词:激光分子束外延;反射式高能电子衍射;生长模式;表面驰豫;表面重构制造工艺技术P836- 300nm铜膜低压低磨料CMP表面粗糙度的研究田雨,王胜利,刘玉岭,刘效岩,邢少川,马迎姿(河北工业大学微电子研究所,天津300130)摘要:随着集成电路特征尺寸的减小、低k介质的引入及晶圆尺寸的增加,如何保证在低压无磨料条件下完成大尺寸铜互连线平坦化已经成为集成电路制造工艺发展的关键。
采用法国Alpsitec公司的E460E抛光机在低压低磨料的条件下,研究了12英寸(1英寸=25.4mm)无图形(blanket)铜膜CMP工艺和抛光液配比对抛光表面质量的影响。
实验结果表明,在压力为0.65psi(1psi=6.89×103Pa),抛光液主要成分为体积分数分别为5%的螯合剂、2%的氧化剂和3%的表面活性剂。
抛光后表面无划伤,表面非均匀性为0郾085,抛光速率为400nm·min-1,表面粗糙度为0.223nm,各参数均满足工业化生产的需要。
关键词:铜互连线;低磨料;低压;粗糙度;化学机械抛光P840- 沟槽型VDMOS源区的不同制作方法研究马万里,赵文魁(深圳方正微电子,广东深圳518116)摘要:沟槽VDMOS产品为满足电性能力要求,源极区域必须与p型体区短接,为了达到此目的,传统的做法是,源极需要进行一次光刻,在p型体区中做出阻挡源区注入的胶块,然后再进行源区注入。
提出几种其他的制作方式,可以省去源区光刻,但同样可以达到原来的目的。
诸如,通过刻蚀Si孔将源区与p型体区短接;或者利用刻蚀出的沟槽侧壁做屏蔽进行源区注入;利用凸出沟槽的多晶硅做屏蔽进行源区注入。
这些办法都可简化工艺流程,缩短制造周期,节约制造成本,增强器件可靠性,提高产品的竞争力。
关键词:沟槽;垂直双扩散晶体管;源极;单脉冲雪崩击穿能量;硅孔集成电路设计与应用P844- 一种用于角度传感器中的仪表放大器马迎姿1,檀柏梅1,赵毅强2,宋益伟2,田雨1(1.河北工业大学微电子研究所,天津300130;2.天津大学专用集成电路设计中心,天津300072)摘要:主要设计了一种用于角度传感器系统中的仪表放大器。
为了满足角度传感器系统中对信号频率的要求,需要仪表放大器的带宽足够宽能够达到3.3 MHz。
该电路采用标准三运算放大器结构电路,以折叠共源共栅结构的放大器为基础,对共模信号进行抑制,对差分信号进行放大,提高了放大器的精度,增大了仪表放大器的带宽。
采用Chartered 0.35μm CMOS双栅工艺对电路进行仿真和流片验证,测试结果表明:在0.8~2.85V内,仪表放大器的共模抑制比达到了102dB,带宽能够达到3.3MHz,输出摆幅为1.7V,电路功能良好,达到了设计要求,该电路可用于汽车电子以及医疗设备系统。
关键词:仪表放大器;角度传感器;共模抑制比;高带宽;折叠共源共栅P848- FPGA芯片内数字时钟管理器的设计与实现李文昌1,李平1,2,杨志明2,李威1,王鲁豫1(1．电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;2．成都华微电子科技有限公司,成都摇610041)摘要:在FPGA芯片内,数字时钟管理器(DCM)不可或缺,DCM主要完成去时钟偏移、频率综合和相位调整的功能,其分别由延迟锁相环(DLL)、数字频率合成器(DFS)以及数字相移器(DPS)三个模块来实现。
对这三个模块的原理及设计进行了详细地阐述,并给出了仿真结果,该DCM电路通过了0.13μm工艺流片。
测试结果表明,在低频模式下,该DCM 能工作在24~230MHz之间;在高频模式下,该DCM能工作在48~450MHz之间, 其输入及输出抖动容忍度在低频模式下能达到300ps,在高频模式下能达到150ps。
关键词:FPGA芯片;数字时钟管理器;延迟锁相环;数字频率合成器;数字相移器P853- 一种高功率馈线合成器的设计由利人(中国电子科技集团公司第十三研究所, 石家庄050051)摘要:讨论了一种应用宽边耦合线技术设计和制造的功率合成器,介绍了其基本应用原理和工作模式。
以一种L波段的高功率合成器为例,应用计算机CAD技术进行模拟仿真,并将仿真结果与实测结果进行了对比,结果表明,仿真结果与实测结果相差小于0.3dB,满足使用要求。
讨论了设计方法和实际应用要求之间的关系,并在实际应用中取得了较好的效果。
这种功率合成器在高功率合成中,具有插入损耗小、两端口相位和幅值均衡度好、功率容量大、体积小、便于装配和调试的特点,是一种很好的高功率合成方式。
关键词:宽边耦合带状线;高功率;损耗小;体积小;功率合成P857- 一种宽带OFDM信号接收电路的设计与实现刘煜1,2,周丽丽2,张其善1(1.北京航空航天大学,北京100083;2.中国电子科技集团公司第五十四研究所,石家庄050081)摘要:针对无线局域网(WLAN)系统中的宽带OFDM信号接收,提出了一种OFDM信号接收电路设计。
设计的接收电路主要包括正交下变频电路和全直流耦合驱动电路两个部分,电路采用差分结构,能够有效抑制直流漂移和偶次谐波,满足对宽带OFDM信号的正交下变频接收、采样要求。
其中提出的宽带信号全直流耦合驱动电路设计方法,可应用于其他宽带信号的采样驱动,特别是在高速采样驱动电路设计中,适应信号带宽可达到DC~1GHz。
通过实际测试结果,验证了设计方法的正确性和工程实用性。
关键词:无线局域网;正交频分复用;正交下变频;全直流耦合驱动;高速采样P862- 2~18GHz宽带ALC放大器高长征(中国电子科技集团公司第十三研究所, 石家庄050051)摘要:介绍了自动电平控制(ALC)放大器的工作原理,研究了组成ALC系统的放大器、衰减器及检波器的特性。