半导体技术-中国半导体分立器件分会

“半导体技术”2011年第11期摘要”

材料与器件

P817- 宽带隙半导体材料光电性能的测试

P821- GaN薄膜的椭偏光谱研究

P826- 集成电路互连线用高纯铜靶材及相关问题研究

P831- GaAs同质外延生长过程的RHEED分析

制造工艺技术

P836- 300nm铜膜低压低磨料CMP表面粗糙度的研究

P840- 沟槽型VDMOS源区的不同制作方法研究

集成电路设计与应用

P844- 一种用于角度传感器中的仪表放大器

P848- FPGA芯片内数字时钟管理器的设计与实现

P853- 一种高功率馈线合成器的设计

P857- 一种宽带OFDM信号接收电路的设计与实现

P862- 2~18GHz宽带ALC放大器

P866- 20GHz镜频抑制谐波混频器

P871- 双极型LDO线性稳压器的设计

封装、检测与设备

P875- 全自动LED引线键合机焊点快速定位方法的研究

P880- 铜线键合Cu/Al界面金属间化合物微结构研究

P885- 多线切割张力控制系统研究

P890- 汽车轮胎压力感应器产品的可靠性评估

材料与器件

P817- 宽带隙半导体材料光电性能的测试

郭媛1,陈鹏1,2,孟庆芳1,于治国1,杨国锋1,张荣1,郑有炓1 (1．南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093;

2．南京大学扬州光电研究院,江苏扬州225009)

摘要:主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实验中发现多量子阱的光致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的额外的发光峰。在任何温度大功率激发条件下,自由激子的带边复合占主导地位,并且带边复合的强度随温度或激发功率的下降而减弱;在室温以下小功率激发条件下,局域化能级引入的束缚激子复合占主导地位,其复合强度随温度的下降而单调上升,随激发功率的下降而上升。带边复合在样品温度上升或者激发功率变大时发生蓝移,而局域的束缚激子复合辐射的峰值波长,随样品温度和激发功率的变化没有明显变化。

关键词:光致发光;深能级;自由激子;束缚激子;多量子阱;蓝移

P821- GaN薄膜的椭偏光谱研究

余养菁,张斌恩,李孔翌,姜伟,李书平,康俊勇

(厦门大学物理系教育部微纳光电子材料与器件工程研究中心

福建省半导体材料及应用重点实验室,福建厦门361005)

摘要:采用椭圆偏振光谱法,在1.50~6.50eV光谱内,研究了在蓝宝石衬底(0001)面上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法制备的非掺杂纤锌矿结构GaN薄膜的光学性质。建立GaN表面层/外延层/缓冲层/衬底四层物理结构模型。与Cauchy和Sellmeier色散公式比较后选择了Tanguy Extended色散公式来分析GaN薄膜的光学性质。椭圆偏振光谱拟合结果表明,Tanguy Extended色散公式能更准确、方便地描述GaN薄膜在全波段(特别是带隙及带隙之上波段)的色散关系。提供了GaN薄膜在1.50~6.50eV光谱范围内的寻常光(o光)和非寻常光(e光)折射率和消光系数色散关系,为定量分析GaN薄膜带边附近各向异性的光学性质提供了依据。

关键词:GaN薄膜;椭圆偏振光谱;光学各向异性;色散关系;纤锌矿结构

P826- 集成电路互连线用高纯铜靶材及相关问题研

究

高岩1,2,王欣平1,2,何金江1,2,董亭义1,2,蒋宇辉1,2,江轩1,2

(1.北京有色金属研究总院,北京100088;2.有研亿金新材料股份有限公司,北京102200)摘要:随着半导体技术的发展,芯片特征尺寸缩小到深亚微米和纳米时,铜互连技术在集成电路的设计和制造中成为主流技术,从而对高纯铜靶材的要求越来越高。从靶材制造的角度利用材料学的知识对铜靶材的晶体结构、纯度、致密度、微观组织及焊接性能等方面作了分析,并且较全面地分析了可能影响靶材溅射性能的很多关键因素,从而为靶材供应商和集成电路制造商对于铜靶材的了解搭建了桥梁,为进一步开发超大尺寸的高纯铜靶材打下基础。

关键词:集成电路IC;互连线;焊接强度;铜靶材;溅射

P831- GaAs同质外延生长过程的RHEED分析

熊政伟1,2,王学敏2,张伟斌1,姜帆1,吴卫东2,孙卫国1

(1.四川大学原子与分子物理研究所,成都610064;

2.中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川绵阳621900)

摘要:采用激光分子束外延方法(L-MBE),在GaAs(001)衬底上同质外延GaAs薄膜。利用反射式高能电子衍射(RHEED)研究了材料沉积过程中的各级条纹及其强度的变化,进而得出GaAs薄膜外延生长的适宜激光能量和沉积温度分别为500mJ和570℃。RHEED强度随时间的变化曲线表明,GaAs为良好的层状外延生长模式,并随着沉积时间延长,层状生长模式逐渐向岛状模式转变。实验研究还表明层状生长的GaAs薄膜经表面弛豫后,可以得到更好的平整表面,并出现GaAs(001)-(2×4)的表面重构。原位X射线光电子能谱仪(XPS)研究表明沿(001)面外延的GaAs薄膜表面Ga:As化学计量比约为52:48,出现Ga的聚集。

关键词:激光分子束外延;反射式高能电子衍射;生长模式;表面驰豫;表面重构

制造工艺技术

P836- 300nm铜膜低压低磨料CMP表面粗糙度的研究

田雨,王胜利,刘玉岭,刘效岩,邢少川,马迎姿

(河北工业大学微电子研究所,天津300130)

摘要:随着集成电路特征尺寸的减小、低k介质的引入及晶圆尺寸的增加,如何保证在低压无磨料条件下完成大尺寸铜互连线平坦化已经成