SiC粉末混合放电加工对AISI D2模具钢的白色层厚度,热通量和疲劳寿命的影响-中文翻译
SiC颗粒增强铝基复合材料磨削温度的研究

响, 为进一步深入研究颗粒增强铝基复合材料磨削 加工技术及其应用奠定基础.
1 实验 设 计
采用人工热电偶法测量磨削温度. 实验时在工 件 上加 工 直径为 3m 的盲孔 , 底 距 离被 加 工 表 m 孔
磨削是加工金属和陶瓷材料的重要方法 , 但应 用于颗粒增强金属基复合材料加工的研究较少 , 在 磨削温度 、 磨削加工机理等方面有待于进行系统深 入 的 研 究 . 文 通 过 人 工 热 电 偶 法 测 量 本
第2卷 第4 7 期
2 1 年8月 0 1
哈 尔 滨 商 业 大 学 学 报( 自然科 学版 )
J u n l fHabnUnv ri fC mmec Nau a S i c s dt n o r a r i iesy o o o t re( trl c n e io ) e E i
面 05m 将 K类 热 电偶 装 入 孔 中 , 证 热 电偶 . m. 保
口 , 图 1所示 . 如
金属丝 与孔 底 紧密接触 , 室温 固化胶 35封 闭 孔 用 0
热电势信号采集装置由计算机 、 / A D卡 , 采集
A2 2/ ip 1 4 S 复合材料的磨削温度 , 0 C 分析加工参数
卡.
越
赠
距离/ m m 图 1
户 50rm/ i,p O0 0 a r na = . a 5mm
、
实验材料主要参数见表 1 电镀金刚石砂轮参 .
图 3 主轴 转 速 对 磨 削 温 度 的 影 响
数见 表 2 .
增大进 给 速度 , 磨屑 厚 度 增 大 , 形 力 和 摩 擦 变
.
s ls i dc td t tt e g i d n e e aur n ra e t n r a i g o p n l p e , f e u t n iae ha h rn i g t mp r t e i c e s d wih i c e sn fs i d e s e d e d
电解质对钛合金微弧氧化放电方式和耐磨性能的影响

表面技术第52卷第8期电解质对钛合金微弧氧化放电方式和耐磨性能的影响章浩,谢凤宽,刘谦(陆军装甲兵学院 装备保障与再制造系装备防护教研室,北京 100072)摘要:目的通过比较添加微量磷酸盐对放电方式的影响,表征各膜层的微观结构与成分组成,研究分析放电方式差异对膜层耐磨性能的影响。
方法在3组电解液中分别进行TC4钛合金微弧氧化,以磨损率为指标判定每组的最优配比。
通过扫描电子显微镜(SEM)观察膜层表面与截面微观形貌。
使用X射线能量色散谱仪(EDS)分析膜层表面和磨损区域的元素分布情况。
使用X射线衍射仪(XRD)表征膜层物相结构组成,通过维氏显微硬度计测量膜层的硬度,使用摩擦磨损试验机进行膜层摩擦学性能测试,并通过三维形貌仪分析磨痕轮廓。
结果在铝酸盐电解液中添加磷酸盐电解质后会增强A、C型放电,减弱B型放电,使制得膜层的缺陷(微孔与微裂纹)明显增多,产生了较厚的疏松层,并且随着电解液中磷酸根离子的增多,放电方式进一步受影响,膜层磨损率也大幅增加。
而不添加磷酸盐的20 g/L铝酸盐浓度制备的钛合金微弧氧化膜层在15 N高载荷滑动干摩擦下的摩擦系数为0.6~0.7,磨痕窄且浅,磨损率仅为基体的7.22%。
结论磷酸盐电解质极易引起杂质放电,导致微弧氧化反应时B型放电显著减弱,A、C型放电大幅增加,导致膜层致密性显著降低,严重降低了微弧氧化膜层的耐磨性能。
20 g/L铝酸盐电解液制备的钛合金微弧氧化膜层缺陷少、硬度高、厚度大,显著改善了高载荷下钛合金的耐磨性能。
关键词:TC4钛合金;微弧氧化;放电方式;膜层缺陷;耐磨性能中图分类号:TG174.451文献标识码:A 文章编号:1001-3660(2023)08-0216-10DOI:10.16490/ki.issn.1001-3660.2023.08.016Effect of Electrolyte on Micro-arc Oxidation Discharge Modeand Wear Resistance of Titanium AlloyZHANG Hao, XIE Feng-kuan, LIU Qian(Department of Equipment Protection, Department of Equipment Support and Remanufacturing,Army Academy of Armored Forces, Beijing 100072, China)ABSTRACT: Micro-arc oxidation technology is an advanced surface treatment technology for in-situ growth of oxide ceramic coating on the substrate surface. It can improve the surface properties such as wear resistance, corrosion resistance and high temperature oxidation resistance without changing the properties of the substrate material. Because different discharge modes收稿日期:2022-07-27;修订日期:2022-10-11Received:2022-07-27;Revised:2022-10-11作者简介:章浩(1998—),男,硕士研究生。
SiCp/Al,SiCw/Al复合材料加工的切削温度与刀具磨损的试验研究

SiCp/Al,SiCw/Al复合材料加工的切削温度与刀具磨损的
试验研究
韩荣第
【期刊名称】《宇航材料工艺》
【年(卷),期】1997(027)003
【摘要】通过对SiCp/Al、SiCw/2024复合材料的外圆切削加工试验得出,K类硬合金刀具优于P类,PDC刀具优于其他各种刀具材料;并证明复合材料颗粒含量越高,粒度越粗,刀速越高,等是其主要原因。
【总页数】4页(P36-39)
【作者】韩荣第
【作者单位】哈尔滨工业大学
【正文语种】中文
【中图分类】TB332
【相关文献】
1.金刚石磨头刀具磨铣加工对高体份SiCp/Al复合材料加工表面质量的影响 [J], 崔岩;刘书奎;王理华;杨越;刘峰斌
2.钻削 SiCw/LD2、 SiCp/LD2复合材料的刀具磨损和表面质量的试验研究 [J], 倪俊芳;韩荣第
3.SiCw/Al复合材料切削温度的试验研究 [J], 韩荣第;严春华
4.硬质合金涂层刀具铣削SiCp/Al复合材料刀具磨损研究 [J], 牛秋林;唐玲艳;向道辉;李鹏南;刘晓;邱新义
5.SiCp/Al复合材料加工损伤及刀具优选研究进展 [J], 荆露; 牛秋林; 李树健; 邱新义; 李鹏南
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瑞典模具钢

X13T6W(236)电渣重溶模具材料详细介绍:X13T6W(236H)电渣重溶模具钢材详细介绍:MEK4/DIN1.8523高耐磨塑胶模具钢详细介绍:高温热作模具用合金BC-3详细介绍:高温热作模具用合金BC-3材料介绍热挤压材料BC-3是一种新型特种合金材料,适应于800℃以上应用的热加工领域。
具有良好的稳定性和耐磨性及红硬性,同时具有优良的抗急冷急热和抗高温氧化性能,在温度650℃时具有良好的综合性能,是一种理想的热挤压材料。
现用于制作有色金属铜及铜金合金的挤压。
其使用寿命比一般热作模具钢可提高五到十倍,并且挤制的产品表面质量好,尺寸精确度高,而且使用寿命长,应用到铜加工行业已有多年的历史。
一、新型特种钢BC-3热挤压材料的主要性能1、机械性能2、持久性能3、蠕变和疲劳性能4抗氧化数据5、长期时效性能热挤压模具是有色金属挤压生产中使用的关键工具,热挤压模具的使用寿命和质量,极大影响着挤压制品的质量、挤压制品表面质量不好,尺寸精度差,因而需要频繁更换模具,生产效率太低,产品成品率低,磨具消耗量大。
我们开发研制的BC-3合金材料已经解决了铜及压的多种难题。
几年来,已经在全国铜挤压领域肿,去得了显著的经济效益和社会效益并充分显示了这种新型材料的显著优越性。
1、提高生产效率BC-3材料使用寿命长。
使用寿命是H13钢的5-10倍,可以为企业减少大量热停修模的时间。
2、提高产品质量BC-3的红硬性高,耐磨性好。
使用中不变形,不氧化,表面光滑不沾铜。
所挤制的产品表面质量好,尺寸精确度高,为拉伸工序和定尺控制提供了良好条件。
消除了使用热作钢模具时的粘铜、划伤等现象。
3、提高产品成品率使用BC-3材料挤压出的铜材表面光洁,成品率高。
4、减低模具费用热挤压生产中,挤压模消耗量大,占生产的比重也高,使用BC-3材料是热作钢模具使用寿命的5-10倍,并且减少大量的模具机加工费用。
其经济效益和社会效益显著。
为实现热挤压产品高产、优质、低耗提供了保证,为有色金属加工业的可持续发展创造了良好的条件。
纳米SiC作为润滑油添加剂在钢-铝摩擦副中的摩擦学研究

第19卷第4期河北工业大学成人教育学院学报V oL l9№.4 1111笙!;旦』21婴!垡丛!!!旦!翌堂量堕121旦!堕型翌i翌熊z丛里!堕!型堡垒!!!!纳米Si C作为润滑油添加剂在钢一铝摩擦副中的摩擦学研究贾鹏王铁宝王晓东杜金星1(河北工业大学天津3∞l∞)摘要采用表面修饰法制备了聚合物包覆的纳米Si C颗粒,采用M一200环块试验机进行摩擦学试验,研究了表面修饰的纳米Si C颗粒添加剂在钢一铝摩擦副中对发动机润滑油(15W/40)减摩性能的影响,并利用扫描电子显微镜对磨块的磨损表面形貌进行观察,分析了润滑剂的减摩机理。
结果表明:当载荷为700N、1000N时,以纳米油作润滑剂的磨块磨痕宽度低于以基础油作润滑剂的磨块磨痕宽度;以纳米润滑油作润滑剂的磨块磨损表面出现了大量的表面膜,减少了磨损。
关键词Si C;纳米颗粒;润滑油;添加剂;钢一铝摩擦副;摩擦学特性0前言铝质材料是一类用量仅次于钢铁的重要金属材料,在现代工业中获得了越来越广泛的应用。
但其柔软、摩擦系数高、磨损大、易拉伤且难以润滑等致命弱点限制了其在机械工业上的进一步应用r1]。
润滑油能够减少磨损,但是近年来随着机器工作条件的日益恶化,对润滑油提出了越来越高的要求,传统的润滑油难以满足要求。
近年来随着纳米技术的发展,纳米微球在摩擦副中的微观“滚动”特性,使得有机一无机复合纳米微粒摩擦学性能的研究日益受到关注[2~挈,并且作为润滑油添加剂拥有非常广阔的应用前景。
本文对纳米Si C颗粒进行了表面修饰,研究了其作为润滑油添加剂的摩擦学性能,对其减摩机理进行了视步讨论。
1试验部分1.1实验原料试验采用中国石油化工股份有限公司长城润滑油分公司生产的长城牌SE l5W/40型汽车机油(以下简称基础油)和河北省石家庄市华泰超细粉末制品厂生产的平均粒径为70纳米的纳米Si C颗粒(如图1所示),表面修饰采用K H570型硅烷偶联剂。
1.2纳米S汜颗粒的表面修饰及其在润滑油中的添加纳米Si C颗粒的表面修饰过程如下:将无水乙醇与蒸馏水按一定的比例混合,在水浴中加热使其温度保持在80℃,将硅烷和纳米si C颗粒按一定比例添加到混合液中,超声震荡并搅拌反图1纳米Si C的透射照片应约60分钟后,除去溶剂,烘干(烘干温度为50℃,时间为4小时)、研磨。
模具材料及表面强化技术(何柏林)习题解析

第三章5、Cr8MoWV3Si(ER5)钢是在美国专利钢种成分的基础上研制的新型冷作模具钢。
与基体钢相比,ER5钢提高了碳含量、钒含量以及Cr、Mo、W等碳化物形成元素的含量,因而ER5钢具有高耐磨性及高韧性,耐磨性比GM钢好,强韧性优于Cr12MoV钢,且耐磨性远远超过Cr12MoV钢。
ER5钢应用于冷镦、冷冲模具,使模具寿命显著提高。
7、Cr4W2MoV钢是一新型中合金钢冷作模具钢,性能比较稳定,其模具的使用寿命较Cr12、Cr12MoV钢有较大的提高。
Cr4W2MoV钢的主要特点是共晶碳化物颗粒细小,分布均匀,具有较高的淬透性和淬硬性,并具有较好的耐磨性和尺寸稳定性。
该钢热加工温度范围窄,变形抗力较大。
经实际使用证明Cr4W2MoV钢是性能良好的冷作模具钢,可用来制造各种冲模、冷镦模、落料模、冷挤压凹模及挫丝板等工模具。
5CrW2Si合金工具钢耐冲击工具用钢,成分、性能和4CrW2Si相近。
5CrW2Si在铬硅钢的基础上加入 2.00%~2.50%(质量分数)的钨而成的,由于加入了钨而有助于在淬火时保持比较细的晶粒,这就有可能在回火状态下获得较高的韧性,并提高回火稳定性。
该钢还有一定的淬透性和高温力学性能。
用于制造冷剪金属的刀片、铲搓丝板的铲刀、冷冲裁和切边的凹模和和期工作的木工工具,以及手用或风动凿子、空气锤工具、锅炉工具、顶头模和冲头、剪刀(重震动)、切割器(重震动)、混凝土破裂器等。
8、简述铬钨硅系抗冲击冷作模具钢的特性及应用特点?答:4CrW2Si:外国近似钢号:SKDS41(日本JIS) 、4XB2C(俄罗斯ГОСТ)等;4CrW2Si钢是在铬硅钢的基础上加入一定量的钨而形成的钢种,由于加入了钨而有助于在进行淬火时保存比较细的晶粒,这就有可能在回火状态下获得较高的韧性。
4CrW2Si钢还具有一定的淬透性和高温强度,该钢多用于制造高冲击载荷下操作的工具,如风动工具、錾、冲裁切边复合模、冲模、冷切用的剪刀等冲剪工具,以及部分小型热作模具。
碳化硅陶瓷的制备和导热性能研究

摘要SiC陶瓷具有密度小,机械强度高,热膨胀系数小,导热率高的优异性能,除了在微电子领域,也被广泛应用在发动机、喷嘴、热交换器、天文望远镜系统中的反射镜等。
这些应用均和SiC陶瓷的优良导热性能密切相关。
因此高导热率作为SiC陶瓷广泛应用的基础之一,需要加大研究的力度。
本课题利用液相烧结原理,采用热压烧结方法制备得到碳化硅陶瓷,研究了烧结助剂种类和含量对其致密度、物相组成、微观结构、力学性能和导热率等一系列性能的影响,通过调整烧结助剂配比和含量,发现复相烧结助剂Y2O3+AlN相比单相烧结助剂能够获得更高致密度的SiC陶瓷,随着Y2O3+AlN添加量从1.0 wt.%逐渐增加到11.6 wt.%,陶瓷的致密度先增加后减小,当添加3 wt.%Y2O3+2 wt.%AlN作为烧结助剂时,获得SiC陶瓷致密度最高为99.72%,导热率最高达到73.53 W/(m·K),之后经过进一步热处理,导热率提高为102.78 W/(m·K)。
探讨了SiC声子导热机制中,对声子散射的主要影响因素为:晶界、晶界处存在的第二相以及晶粒内固溶的杂质原子。
在此基础上添加石墨烯制备了GNPs/SiC陶瓷基复合材料,研究了石墨烯在SiC基体中的分散行为和结合方式,探究石墨烯质量分数对复合材料各项性能的影响规律。
实验中发现大部分石墨烯的分布方向均与加压方向垂直,随着石墨烯添加量由0逐渐增加到5 wt.%时,GNPs/SiC致密度在不断下降,弯曲强度则先增大后减小,当添加1.0 wt.%的石墨烯时,复合材料的力学性能最优,弯曲强度达632.75 MPa,比未添加石墨烯时的SiC基体增加了12.43%。
由于石墨烯的择优取向,使得GNPs/SiC复合材料的导热率在轴向压力的垂直方向和平行方向出现明显的差异。
垂直方向导热率随着石墨烯添加量增多先增大达到最大值84.98 W/(m·K),另一个方向后减小,添加量为 3 wt.%时,导热率λ⊥导热率随石墨烯的加入不断减小。
工具钢经超深冷处理后.

前言
高合金工具鋼因含有大量的合金元素而造成淬火過程 中沃斯田體之安定化,使一般傳統深冷處理的溫度 無法有效消除其殘留沃斯田體,因此利用液態氮將深 冷處理的溫度降至-196℃附近。 深冷處理可有效減少殘留沃斯田體,以增進尺寸之安 定性及耐磨耗性。
超深冷處理對於耐磨耗性之提升機制至今仍眾說紛紜, 許多文獻指出,超深冷處理提升耐磨耗性之主要原因 有二:殘留沃斯田體的消除,以及因過冷度造成晶格 的扭曲所形成的缺陷,而有利於碳原子自過飽和的麻 田散體中析出,與鐵原子形成微細碳化物。 本實驗利用TEM,探討高合金工具鋼AISI D2經傳統 熱處理、一般深冷處理以及超深冷處理所析出之微細 碳化物對其耐磨耗性之影響。
TEM 組織
(a)為鋼只經淬火後之顯微組織, 由圖可知其顯微組織中含有大量 的雙晶麻田散體。 (b)、(c)、(d)為利用TEM 選區繞 射(SADP)所得之pattern、暗視野 成像以及對其pattern 之解析。 將電子束集中在殘留沃斯田鐵的 擇區繞射點上,利用暗視野成像 將殘留沃斯田體顯露出來如 (b)所 示。由此可知高合金工具鋼經淬 火後其殘留沃斯田體存在於雙晶 麻田散體之中。
試片分析
本實驗之試片以HRC 檢測其硬度,並以X-ray 繞射分析儀分析計算其殘留沃斯田體的含量, 利用可捨棄車刀試片之側面磨損評估其耐磨耗 性,並利用TEM觀察其顯微組織以及分析析出 碳化物之型態。
TEM 試片製備
試片分別經傳統熱處理、一般深冷處理及超深 冷處理後,經由線切割切成0.2mm 的厚度, 接著利用砂紙兩面均勻磨到100μm 厚度。 之後利用電解拋光製作薄區,電解液為35ml HClO4+450ml ethanol,在20℃、60V 下進 行拋光製作薄區,以TEM 進行觀察。
搅拌摩擦加工加入SiC粒子的TA2纯钛表面改性

在_ r A 2 工业纯钛表 面通过搅拌 摩擦加 工,利用搅 拌旋转 产生的纯钛表 面塑形 变形过程使s i c 粒子 导 进入 材料表 面基体组织 ,实现改善工业纯钛表 面硬度及其 耐磨性 的 目的 文章研 究了搅拌摩擦 加工后
读 T A 2 X - 业纯钛 显微组 织特征 ,对 比分析 了T A 2 - Z - 业纯钛) 5  ̄ S i C 粒子的搅拌摩擦 加工 区与未h  ̄ e kS i C 粒
烈的搅拌 和 1 旋转作用下 ,加  ̄ : l x l 域的组织会发乍 烈 的塑性 变形 ,进 而产生再 结品现象 ,从 实现表 面组 水义利J 4 : 1 F S P 技 术同 H g ' D I : I 入S i c 粒子 ,利川搅拌旋转过程f  ̄ s i c 粒子在 塑形 变形过程 『 l 进 入材料表面基体组织 收 薄T A2 _ r 业纯钛
慢 插 入被 加 1 材 料 丧面 ,直 搅 拌 的 轴 会 与 7 J f 】
实验 材料 及 方法
实 验材 料 为宝 鸡钛 业 股份 有 公 卜 产的1 0 0 ml T l x
安 7 l 0 0 5 5
1 . 材 表 向 产 J l i j .接 触 面 高 速 旋 转 所 产 , 卜 的 热 量 会
损性 能明显提 高,但 电化学腐蚀性 能有小幅下降
T A 2 工、 l 纯 钛足 一种 高 比强度 、耐 蚀性 和 耐热 使被加 r 金属表面温度升高至 一定濉度 ;存搅 拌 剧
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天工模具钢cr12mov内部标准

天工模具钢cr12mov内部标准天工模具钢CR12MOV是一种优质的模具钢材料,被广泛应用于模具制造行业。
它具有出色的耐磨性、抗弯性和硬度,使其在模具制造中得到了广泛的认可和应用。
CR12MOV钢是一种冷作模具钢,具有优异的切削性能和综合机械性能。
该材料的化学成分含有:碳(C)0.95-1.05%、硅(Si)0.20-0.40%、锰(Mn)0.20-0.40%、磷(P) 0.03%以下、硫(S)0.03%以下、铬(Cr)11.5-12.5%、钼(Mo)0.40-0.60%、钴(Co)0.30%以下。
这些元素的合理配比使得CR12MOV具有极高的硬度和优异的耐磨性,可以满足模具在使用过程中对于切削力和磨损的要求。
CR12MOV钢经过适当的热处理工艺,可以得到高硬度和优良的机械性能,如抗拉强度、屈服强度和韧性等。
热处理工艺一般包括淬火和回火两个步骤。
淬火温度一般在980-1040摄氏度之间,使其组织形成马氏体,提高硬度和耐磨性。
回火温度一般在200-300摄氏度之间,使其组织发生细化和回复,提高韧性和抗冲击性。
适当的热处理工艺可以使CR12MOV钢获得理想的综合性能,提高模具的使用寿命和工作效率。
在模具制造中,CR12MOV钢主要用于制造模具刀具、冲头、冲模、剪刀、冷剪刀、冲模等,广泛应用于冲压、模锻、挤压、剪切和切割等工艺中。
它具有很高的切削硬度和强度,可以在高速冲压和重负荷工况下保持较好的稳定性和切削精度。
另外,CR12MOV还具有较好的抗疲劳性能,能够有效延长模具的使用寿命。
在使用CR12MOV钢制造模具时,需要注意以下几点。
首先,要控制好热处理工艺,保证在合适的温度范围内进行淬火和回火处理,以获得理想的机械性能。
其次,要注意合理的刀具选择和使用,避免过度使用或不当使用导致切削刃的磨损和损坏。
同时,要保持模具表面的清洁和光滑,避免杂质和氧化物的沉积,影响切削性能和使用寿命。
总结来说,天工模具钢CR12MOV是一种优质的模具钢材料,具有出色的耐磨性、抗弯性和硬度。
2024年【熔化焊接与热切割】模拟考试及答案

2024年【熔化焊接与热切割】模拟考试及答案1、【单选题】C02气体保护内圆孔自动立堆焊机不能用于修复0。
(C)A、机车摇连杆孔B、机车车轮轮毂孔C、火车车轮轮缘2、【单选题】MZTOOO焊机送丝速度与电弧电压()。
(C)A、无关系B、成反比C、成正比3、【单选题】下列()不是电子束焊接时产生的有害物质。
(B)A、金属蒸气B、二氧化碳C、臭氧4、【单选题】下列()适合盛装易燃液体。
(C)A、玻璃容器B、瓷器C、具有防腐功能的金属容器5、【单选题】下列关于热丝等离子焊接说法错误的是()。
(八)A、热丝焊接可提高焊接速度、增加稀释率B、填充焊丝在进入熔池之前通过电流流过焊丝时产生的电阻热对其加热C、热丝等离子电弧焊接一般用在大电流熔透焊中6、【单选题】下列物质中燃点最高的是()。
(八)A、豆油B、蜡烛C、煤油7、【单选题】不属于自动振动堆焊机控制箱的组成部分是()。
(C)A、控制器B、电感器8、【单选题】不属于预防物体打击事故的措施是()。
(C)A、拆除工程应有施工方案,并按要求搭设防护隔离棚和护栏,设置警示标志和搭设围网B、安全防护用品要保证质量,及时调换、更新C、增设机械安全防护装置和断电保护装置9、【单选题】不能防护直接触电的是()。
(B)A、装剩余电流动作保护器B、装高电流插座C、装漏电开关10、【单选题】与其他焊接方法相比,熔化极气体保护电弧焊用焊丝直径()。
(C)A、粗细相差不大B、较粗C、较细11、【单选题】为加强职业安全卫生管理,1999年10月国家经贸委颁布了()。
(B)A、《职业安全卫生管理体系规范及使用指南》B、《职业安全卫生管理体系试行标准》C、职业安全健康管理体系12、【单选题】二氧化碳气体保护焊时,为了控制熔深,一般调节O。
(B)A、电流大小B、燃弧时间C、焊丝粗细13、【单选题】支设高度在O以上的柱模板,四周应设斜撑,并应设立操作平台。
(C)A、2mB、2.5mC^3m14、【单选题】关于氮的描述错误的是()。
有限氧化物粉末润滑下Ti3SiC2自配副在空气中的摩擦系数-温度特性

有限氧化物粉末润滑下Ti3SiC2自配副在空气中的摩擦系数-温度特性本文旨在研究Ti3SiC2自配副在限氧化物粉末润滑下,在空气中摩擦系数跟温度间的关系。
本研究考虑影响摩擦系数的各因素,包括材料结构、表面处理、微观磨损、载荷大小、润滑介质以及温度等。
实验方法使用了一种气动旋转磨摩机,并在室温、400℃、500℃、600℃四个温度下测试了Ti3SiC2自配副的摩擦系数与载荷的关系。
结果表明,随着温度的升高,Ti3SiC2自配副的摩擦系数逐步降低,最低可以达到0.05。
另外,摩擦系数也会受载荷的影响而发生变化。
实验还发现,在500℃、600℃时,Ti3SiC2自配副的摩擦表面容易碳化,导致摩擦系数发生显著变化。
本文成果可为有限氧化物粉末润滑剂的开发应用提供一定的参考。
在本研究中,采用了若干实验方法来分析Ti3SiC2自配副在有限氧化物粉末润滑下的摩擦系数随温度变化的关系。
实验数据的分析表明,Ti3SiC2自配副在限氧化物粉末润滑下,摩擦系数随温度的升高而逐步减小,最低可以降至0.05。
同时,摩擦系数会随载荷的大小而发生变化,载荷越大,摩擦系数也越高。
此外,温度过高时,Ti3SiC2自配副摩擦表面容易碳化,从而使摩擦系数发生剧烈变化。
因此,为了达到理想的摩擦性能,应根据不同的温度调整载荷和润滑剂比例。
本文研究的结果可以指导实际应用Ti3SiC2自配副在限氧化物粉末润滑下时,如何优化摩擦系数和润滑油的比例以及载荷,从而提高工作性能。
未来的工作将针对不同的温度和条件,利用基于有限元分析的数值模拟以及力学试验等方法,进一步研究Ti3SiC2自配副的磨损性能。
尽管本文提供了一些关于Ti3SiC2自配副在限氧化物粉末润滑下的摩擦系数-温度特性的初步研究结果,但还存在一些问题没有得到解决。
首先,Ti3SiC2自配副的微观磨损行为并没有被深入研究,也没有考虑润滑剂对Ti3SiC2自配副磨损行为的影响。
其次,实验中只考虑了四种温度下Ti3SiC2自配副的摩擦系数,没有考虑更高或更低的温度情况。
核电安全端异种金属焊接接头的局部力学性能及断裂行为

(1)接头强度高:由于扩散焊接过程中原子间的相互扩散作用,使得接头 界面形成高度致密的冶金结合,从而具有较高的接头强度。
(2)适用范围广:扩散焊接可以适用于不同材料体系,包括金属、陶瓷、 复合材料等。
(3)接头性能稳定:扩散焊接形成的接头界面具有较好的稳定性,能够在 高温、高压等恶劣环境下保持较高的可靠性。
总的来说,214N4Cr9Si2合金的异种金属惯性摩擦焊接技术是一种有效的连 接方法,能够实现高性能接头的制备。接头的优异组织特性和力学性能表明,这 种方法在高温和腐蚀环境下的应用具有广阔的前景。然而,还需要进一步的研究 来优化焊接工艺参数,提高焊接效率,同时对接头的疲劳性能、蠕变性能等进行 深入研究,以便更全面地评估接头的性能。
通过对焊接接头的微观组织观察,我们可以发现,接头中的金属晶粒细化, 位错密度增加,这有利于提高接头的力学性能。此外,由于两种金属在焊接过程 中相互扩散,接头处的元素浓度梯度变小,有利于降低应力腐蚀开裂的风险。
力学性能测试表明,214N4Cr9Si2合金的惯性摩擦焊接接头具有较高的抗拉 强度和屈服强度,同时具有良好的塑性和韧性。此外,接头的耐腐蚀性能也得到 了显著提高。
(2)成本较高:由于扩散焊接需要高温高压的设备条件和较高的工艺成本, 使得其应用成本相对较高。
(3)难以实现自动化:由于扩散焊接的操作过程较为复杂,难以实现自动 化生产。
3、3扩散焊接异种金属及陶瓷金 属的发展趋势和前景
(1)新材料的开发:随着新材料的不断涌现,未来将会有更多新型材料体 系需要采用扩散焊接进行连接,从而推动扩散焊接技术的发展。
在惯性摩擦焊接过程中,214N4Cr9Si2合金与其他金属在高速旋转的轴向压 力作用下,界面处的金属发生塑性变形,形成焊接接头。接头组织由母材金属、 热影响区和焊接接头组成。其中,母材金属保持了原有的金属特性,热影响区则 由于焊接过程中的热循环而发生了组织变化,焊接接头则是由两种金属在摩擦热 的作用下相互扩散形成的。
SiC颗粒增强铝基复合材料的摩擦磨损性能

SiC颗粒增强铝基复合材料的摩擦磨损性能
李俊宪;孙保良;邵光杰
【期刊名称】《机械工程材料》
【年(卷),期】2006(030)005
【摘要】制备了不同粒度和含量SiC的铝基复合材料,与Santana2000轿车用HFM605型非金属摩擦片材料配成摩擦副,于不同压力和速度条件下在MM-200型摩擦磨损试验机上进行干摩擦试验,研究了其摩擦磨损性能.结果表明:摩擦因数随摩擦压力的增大而下降;比较而言,在高速高压时摩擦因数最低;复合材料中SiC粒度和含量对摩擦因数影响不大;随着SiC粒度减小、含量增大,复合材料的耐磨性能逐渐提高;热处理可以明显提高复合材料的摩擦因数和耐磨性能.
【总页数】4页(P62-65)
【作者】李俊宪;孙保良;邵光杰
【作者单位】上海大学材料科学与工程学院,上海,200072;上海汇众汽车制造有限公司,上海,200122;上海大学材料科学与工程学院,上海,200072
【正文语种】中文
【中图分类】TB331
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4.SiC颗粒增强铝基复合材料中增强体含量的超声检测 [J], 杨平华;何方成;梁菁;唐鹏钧
5.SiC颗粒增强铝基复合材料制动盘车削工艺研究 [J], 吴虎;齐增强;崔清岩;周健因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。
2022年四川省熔化焊接与热切割资格考试培训考试(含答案)

2022年四川省熔化焊接与热切割资格考试培训考试(含答案)一、判断题(60题)1.采用散焦电子束对难熔金属铌合金对接缝进行预热,有清理和除气作用,有利于消除气孔。
A.正确B.错误2. 硝酸对铁有钝化作用,能减慢腐蚀。
A.正确B.错误3.碳弧刨割条工作时需交、直流弧焊机,以及空气压缩机。
A.正确B.错误4.发泡倍数在20-200之间的泡沫称为高倍数泡沫。
A.正确B.错误5.二氧化碳焊可用于汽车船舶机车车辆集装箱矿山及工程机械等。
A.正确B.错误6.开启瓶阀时,操作者必须站在瓶嘴正面。
A.正确B.错误7. 重大危险源申报登记的类型分为:易燃、易爆、有害物质的储罐区(储罐),易燃、易爆、有毒物质的库区(库),具有火灾、爆炸、中毒危险的场所,压力管道,锅炉,压力容器,企业危险建(构)筑物。
A.正确B.错误8.二氧化碳焊的生产率比焊条电弧焊高。
A.正确B.错误9.熔化焊大电流测量仪可显示出电流值及时间值。
A.正确B.错误10.焊接处工作地点通道宽度应大于1m。
A.正确B.错误11.汽车制造业中,激光焊接技术主要用于车身拼焊、框架结构和零部件的焊接。
A.正确B.错误12.长时间接触红外线会导致眼睛失明。
A.正确B.错误13.氩弧焊作业时,尽可能采用放射剂量低的铈钨极。
A.正确B.错误14.《 安全生产许可证条例》主要内容不包括目的、对象与管理机关,安全生产许可证的条件及有效期。
A.正确B.错误15.等离子弧焊接(小孔技术)可以一次焊透15mm厚的低碳钢板。
A.正确B.错误16.气瓶使用时,严禁敲击碰撞,特别是乙炔瓶不应遭受剧烈振动或撞击,以免填料下沉而形成净空间影响乙炔的贮存。
A.正确B.错误17.电渣焊时没有电弧辐射。
A.正确B.错误18.盐酸是清除水垢、锈垢最常用的溶液。
A.正确B.错误19.泡沫灭火剂指能够与水混溶,并可通过机械或化学反应产生灭火泡沫的灭火剂。
A.正确B.错误20.职业病管理依据有《 中华人民共和国职业病防治法》、 职业病诊断与鉴定管理办法》。
碳/碳复合材料SiC_HfSi_2_TaSi_2抗烧蚀复合涂层

硅酸盐学报· 804 ·2009年碳/碳复合材料SiC–HfSi2–TaSi2抗烧蚀复合涂层李淑萍,李克智,郭领军(西北工业大学材料学院,西安 710072)摘要:采用包埋技术在碳纤维增强碳(carbon fiber reinforced carbon, C/C)复合材料表面制备了碳化硅–硅化铪–硅化钽(SiC–HfSi2–TaSi2)抗烧蚀复合涂层。
采用氧乙炔火焰烧蚀试验评价了C/C复合材料样品的抗烧蚀性能。
通过X射线衍射分析、扫描电镜观察及能谱分析研究了SiC–HfSi2–TaSi2作为C/C复合材料抗烧蚀涂层的表面和断面相组成、元素分布及形貌。
结果表明:由于烧蚀过程中生成的HfO2,Ta2O5具有高温稳定性,使得该涂层表现出良好的抗烧蚀性能,在3000℃下烧蚀20s后,线烧蚀率为0.009mm/s,质量烧蚀率为0.00385g/s。
关键词:碳纤维增强碳复合材料;抗烧蚀;涂层;碳化硅–硅化铪–硅化钽中图分类号:TB332 文献标志码:A 文章编号:0454–5648(2009)05–0804–04SiC–HfSi2–TaSi2 HIGH TEMPERATURE ANTI-ABLATION COMPOUND COATINGON CARBON/CARBON COMPOSITESLI Shuping,LI Kezhi,GUO Lingjun(School of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, China)Abstract: To prevent the ablation of carbon fiber reinforced carbon (C/C) composites from high temperature, a silicon carbide– haf-nium silicide–tantalum disilicide (SiC–HfSi2–TaSi2) compound coating with high temperature anti-ablation ability was prepared on the surface of C/C composites by a calcining technique of pack cementation. The anti-ablation behavior of C/C composites was evaluated by an oxyacetylene flame. The morphologies, element distribution and phase composition of the surface and cross-sections of the SiC–HfSi2–TaSi2 coating before and after ablation were investigated by X-ray diffraction, scanning electron microscopy and energy dispersive spectroscopy. The results show that, because of the good stability of the HfO2 and Ta2O5 formed during ablation, the SiC–HfSi2–TaSi2 coating exhibits favorable anti-ablative properties. The linear ablation rate of C/C composites with the SiC–HfSi2– TaSi2 coating is 0.009mm/s, and the mass ablation rate is 0.00385g/s at 3000 after abl℃ation for 20s.Key words: carbon fiber reinforced carbon composites; anti-ablation; coating; silicon carbide–hafnium silicide–tantalum disilicide碳纤维增强碳(C/C)复合材料是以碳纤维为增强体,热解碳为基体的一种新型耐高温复合材料。
d2钢化学成分

d2钢化学成分D2钢是一种常用的冷作模具钢,具有优异的硬度和耐磨性。
下面将介绍D2钢的化学成分。
D2钢的化学成分主要包括碳(C)、硅(Si)、锰(Mn)、铬(Cr)、钼(Mo)和钒(V)等元素。
其中,碳是D2钢的主要合金元素,它能够提高钢的硬度和耐磨性。
硅的添加可以提高钢的强度和硬度,同时还能够提高耐磨性和耐蚀性。
锰的加入可以提高钢的硬度和韧性,同时还能够提高钢的抗疲劳性能。
铬的存在可以提高钢的硬度、耐磨性和耐腐蚀性,同时还能够提高钢的热稳定性。
钼的添加可以提高钢的硬度、强度和韧性,同时还能够提高钢的耐热性和耐蚀性。
钒的加入可以提高钢的硬度和强度,同时还能够提高钢的耐热性和耐磨性。
D2钢的化学成分如下:- 碳(C):1.40-1.60%- 硅(Si):0.10-0.60%- 锰(Mn):0.20-0.60%- 铬(Cr):11.00-13.00%- 钼(Mo):0.70-1.20%- 钒(V):0.90-1.10%D2钢的化学成分经过精确控制,使得该钢具有优异的性能。
其中,碳的含量较高,能够提供较高的硬度和耐磨性,适合用于制造冷作模具。
同时,硅、锰、铬、钼和钒等元素的合理添加,使得D2钢具有较高的强度、韧性和耐蚀性,能够满足模具在使用过程中的各种要求。
D2钢的化学成分对其性能具有重要影响。
在热处理过程中,合理控制钢的成分可以使得其具有良好的硬化深度和均匀性,从而提高钢的使用寿命和稳定性。
此外,D2钢的化学成分还会影响其加工性能和热处理工艺的选择。
因此,在制造和使用D2钢的过程中,合理控制其化学成分是非常重要的。
总结起来,D2钢的化学成分包括碳、硅、锰、铬、钼和钒等元素。
这些元素的合理添加使得D2钢具有优异的硬度、耐磨性、强度、韧性和耐蚀性。
控制好D2钢的化学成分,可以使得其性能更加出色,满足不同领域的使用需求。
同时,了解D2钢的化学成分有助于更好地选择和应用该钢材。
碳化硅dmp2工艺和品质要求

碳化硅dmp2工艺和品质要求
碳化硅(SiC)DMP2工艺是指在碳化硅材料的制备过程中使用的一种特定工艺。
DMP2工艺通常用于制备高质量的碳化硅晶体,具有较高的晶体质量和较低的杂质含量。
碳化硅DMP2工艺的主要步骤包括:
1. 原料准备:选择高纯度的碳化硅粉末作为原料,并进行粉末筛分和清洗处理。
2. 混合和球磨:将碳化硅粉末与添加剂混合,并进行球磨处理,以获得均匀的混合物。
3. 制备绿体:将混合物压制成具有所需形状的绿体。
4. 烧结:将绿体进行高温烧结处理,以使其形成致密的碳化硅晶体。
在碳化硅DMP2工艺中,要求具有高度纯净的原料,以保证最终制备的碳化硅晶体的纯度。
此外,工艺中的各个步骤都需要控制严格的工艺参数,以确保制备的晶体具有良好的晶体结构和致密度。
碳化硅DMP2工艺的品质要求包括:
1. 晶体结构:制备的碳化硅晶体应具有良好的晶体结构,即具有较低的缺陷密度和较高的晶体完整性。
2. 纯度:碳化硅晶体应具有高纯度,即较低的杂质含量,以确保其电学和热学性能的稳定性。
3. 致密度:碳化硅晶体应具有高致密度,以确保其力学性能和热导率的稳定性。
4. 尺寸和形状:制备的碳化硅晶体应符合预定的尺寸和形状要求,以满足具体应用的需求。
碳化硅DMP2工艺和品质要求涉及原料纯度、工艺参数控制、晶体结构、纯度、致密度以及尺寸和形状等方面。
这些要求对于制备高质量的碳化硅晶体至关重要。
刻划的富硅二氧化硅_p_Si结构的光致发光和电致发光

第22卷第5期半 导 体 学 报V o l.22,N o .5 2001年5月CH I N ESE JOU RNAL O F SE M I CONDU CTOR SM ay ,20013国家自然科学基金资助项目. 2000204205收到,2000207206定稿○c 2001中国电子学会刻划的富硅二氧化硅 p -Si 结构的光致发光和电致发光3孙永科1 崔晓明1 张伯蕊1 秦国刚1 马振昌2 宗婉华2(1北京大学物理系,北京 100871)(2信息产业部第十三研究所GaA s 集成电路国家实验室,石家庄 050051)摘要:以磁控溅射方法于p 2Si 上淀积富硅二氧化硅,形成富硅二氧化硅 p 2Si 结构,用金刚刀在其正面刻划出方形网格后在N 2气氛中退火,其光致发光(PL )谱与未刻划的经同样条件退火的对比样品的PL 谱有很大不同.未刻划样品的PL 谱只有一个峰,位于840nm (1148eV ),而刻划样品的PL 谱是双峰结构,峰位分别位于630nm(1197eV )和840nm .800℃退火的刻划富硅二氧化硅 p 2Si 样品在背面蒸铝制成欧姆接触和正面蒸上半透明金电极后在正向偏压10V 下的电致发光(EL )强度约为同样制备的未经刻划样品在同样测试条件下的EL 强度的6倍.EL 谱形状也有明显不同,表现在:未经刻划样品的EL 谱可以分解为两个高斯峰,峰位分别位于1183eV 和2123eV ;而在刻划样品EL 谱中1183eV 发光峰大幅度增强,还产生了一个新的能量为310eV 的发光峰.认为刻划造成的高密度缺陷区为氧化硅提供了新的发光中心并对其中某些杂质起了吸除作用,导致PL 和EL 光谱改变.关键词:磁控溅射;光致发光;电致发光;高斯峰;密度缺陷区;发光中心;吸除作用PACC :7855;7860F中图分类号:TN 383 文献标识码:A 文章编号:025324177(2001)05205732071 引言自从1990年Canham 报道了室温下多孔硅强的光致发光后[1],硅基纳米半导体体系的发光因其在光电子学方面的可能应用前景而引起人们的广泛兴趣.许多作者在研究如何提高硅基发光的效率和稳定性及阐明其发光机理方面作了有益的探讨[2].硅基电致发光研究可以追溯到1984年D i m aria 等的报道.半透明A u 膜 Si O 2(50nm ) 富硅二氧化硅(20nm ) n 2Si 结构在1000℃退火后正向偏压大于15V 下的电致发光[3].他们将电致发光归结于纳米硅粒中电子2空穴对在因量子限制效应而带隙增宽的带2带间的辐射复合;类似地,Canham 认为多孔硅的光致发光可归结于光激发的电子2空穴对在纳米硅粒内的因量子限制效应而带隙增宽的带2带辐射复合.我们曾报道了半透明A u 膜 超薄纳米硅镶嵌二氧化硅层 p 2Si 结构的电致发光[4].这种结构电致发光的特点是:介质层都非常薄,仅为3—12nm ;发光的阈值电压很低(~3V );不退火就能发光.最近,Yuan 等报道了机械损伤的Si O 2(4002600nm ) p 2Si 上面蒸上半透明A u 膜后的电致发光现象[5],认为A u Si O 2 p 2Si 结构的电致发光强度是Si O 2层厚度的函数,损伤样品的电致发光之所以能够被观察到的原因是:机械损伤使二氧化硅层的厚度变得接近或达到了电致发光强度极大所对应的厚度.本文报道:金刚刀正面刻划使富硅二氧化硅(6—30nm ) p 2Si 结构的光致发光和在背面制备欧姆接触和正面蒸镀半透明金电极后在正向偏置下的电致发光都比未刻划样品明显增强,光谱形状也明显变化;指出:光致发光和电致发光改变的原因是刻划造成的高密度缺陷区为氧化硅提供了新的发光中心并对其中某些杂质起了吸除作用.2 实验以Si和Si O2作为复合靶(Si靶和Si O2靶的面积比约为3∶7),在电阻率为6—98・c m的(100)p2 Si衬底上用磁控溅射方法淀积富硅二氧化硅膜形成富硅二氧化硅 p2Si结构.溅射生成的富硅二氧化硅膜的厚度有6、15和30nm三种.根据退火温度小于和大于600℃的两种情况,我们采用了不同的工艺.对于退火温度小于600℃的富硅二氧化硅 p2Si 样品,在溅射之前,样品背面已经蒸铝,并在530℃下N2气氛中合金7m in,形成了良好的欧姆接触;对于退火温度等于或高于600℃的情况,先将样品退火,然后再背面蒸铝,并在530℃下N2气氛中合金7m in,形成良好的欧姆接触.在富硅二氧化硅 p2Si样品的二氧化硅一面用金刚刀刻划出间隔为115mm的平行线系,再刻划出与之垂直的平行线系,形成方形网格.一部分样品不退火,其余的在N2气氛中退火15m in,退火温度分别为300、600、700、800、900和1100℃.然后用掩膜在样品正面蒸上一系列厚度约为20nm直径为3mm的圆形金膜形成半透明电极,用来做电致发光测量.不制备铝和金电极的样品用来作光致发光测量.同时制备了电致发光和光致发光的对比样品,它们与上述样品的惟一差别是未经金刚刀刻划.电致发光的测量在室温下进行.考虑到Si O2层太薄的样品的光致发光强度太弱,所以我们只对Si O2层厚为30nm的样品进行了光致发光测量.激发光源采用波长为488nm的氩离子激光器.测量时样品放置于液氮中.3 实验结果图1是富硅二氧化硅 p2Si结构的刻划和对比样品在300℃退火后的光致发光谱,图2是该结构的刻划和对比样品在800℃退火后的光致发光谱.由图1和图2可见,对比样品的PL谱只有一个发光峰,位于840nm(1148eV)附近,而刻划样品的PL谱则具有双峰结构.一个发光峰位于840nm(1148eV)附近,另一个峰位于630nm(1197eV)左右.刻划样品的PL 的积分强度约为对比样品的4—5倍.图3是刻划和未刻划的富硅二氧化硅(15nm)图1 300℃退火的刻划和未刻划的富硅二氧化硅 p2Si的光致发光谱 实线:刻划样品的PL谱;虚线:对比样品的PL谱.F IG.1 PL Spectra of Sco red and U nsco red Si2R ichSi O2 p2Si A fter A nnealing at300℃ So lid L ine:fo r Sco red Samp le,Do tted L ine:fo r U nsco red Sample图2 800℃退火的刻划和未刻划的富硅二氧化硅 p2Si的光致发光谱 实线:刻划样品的PL谱;虚线:对比样品的PL谱F IG.2 PL Spectra of Sco red and U nsco red Si2R ichSi O2 p2Si A fter A nnealing at800℃ So lid L ine:fo r Sco red Samp le,Do tted L ine:fo r U nsco red Samp le半透明A u膜 刻划富硅二氧化硅(15nm) p2Si样品与对比样品的I2V曲线.在同样的偏压下,无论是在正向还是反向,刻划样品的电流都比对比样品的电流为大.无论对于刻划或对比样品,800℃退火样品的电流都比300℃为大.475半 导 体 学 报22卷 图3 I 2V 曲线 实心三角线:300℃退火的刻划样品;空心三角线:300℃退火的对比样品;实心圆线:800℃退火的刻划样品;空心圆线,800℃退火的对比样品F IG .3 I 2V Curves fo r Sco red Samp le A fter A n 2nealing at 300℃图4 300℃退火刻划和未刻划的富硅二氧化硅 p 2Si 结构在正面蒸上半透明A u 膜后,在正向10V 下测量的电致发光谱 实线:实测谱;虚线:高斯型发光谱;点线:诸高斯型发光峰的合成谱F IG .4 E lectro lum inescence Spectra of Sco red and U nsco red Si 2R ich Si O 2 p 2Si A fter A nnealing at 300℃刻划富硅二氧化硅(15nm ) p 2Si 样品和未刻划的对比样品在300℃退火15m in 并在正面蒸上A u 膜后,在10V 正向偏压下的电致发光谱示于图4,而800℃退火后上述两种样品在10V 正向偏压下的电致发光谱示于图5.和对比样品相比,刻划样品的EL 谱有明显不同.800℃退火的刻划样品的EL 强度约为对比样品的6倍.刻划样品与对比样品的电流分别为200mA 和145mA ,前者的发光功率效率约为后者的4倍.但300℃退火后,前者的发光仅比后者略强.至于电致发光的谱形,刻划样品与对比样品也明显不同.经不同温度(300—1100℃)退火,不同对比样品的EL 峰位略有差异,分布在630—670nm (1197—1185eV )之间,而损伤样品的EL 峰几乎都位于680nm (1183eV ).图5 800℃退火刻划和未刻划的富硅二氧化硅 p 2Si 结构在正面蒸上半透明A u 膜后,在正向10V 下测量的电致发光谱 实线:实测谱;虚线:高斯型发光谱;点线:诸高斯型发光峰的合成谱F IG .5 E lectro lum inescence Spectra of Sco redand U nsco red Si 2R ich Si O 2 p 2Si A fter A nnealing at 800℃ 图6示出在同一正向偏压10V 下,刻划样品和对比样品的电致发光强度随退火温度的变化.可以看出,在不退火和300℃退火的情况下,刻划样品的电致发光强度仅比对比样品稍强一点,但在600和575 5期孙永科等: 刻划的富硅二氧化硅 p 2Si 结构的光致发光和电致发光800℃温度退火后,前者比后者明显较强.在退火温度高于800℃的情况下,两种样品的电致发光强度都随退火温度升高而急剧下降,又变得相差不大了.图6 实线和虚线分别表示在正向10V 下测量的刻划和未刻划的富硅二氧化硅 p 2Si 结构的电致发光强度对退火温度的依赖关系F IG .6 D ependence of E lectro lum inescence vs A nnealing T emperature fo r Sco red and U nsco red Si 2R ich Si O 2 p 2Si at 10V4 讨论与对比样品相比,刻划样品的光致发光谱除了原有的1148eV (840nm )发光峰外,在1197eV (630nm )处出现了一个新峰.量子限制模型认为,当纳米硅镶嵌二氧化硅中的纳米硅的尺寸足够小时,由于量子限制效应,纳米硅的能隙就会显著增宽,光激发的电子2空穴对在带间辐射复合而发射可见光,因此发射光子的能量应和纳米颗粒的尺寸密切相关.很难想象,刻划会在二氧化硅膜中产生尺寸较原来纳米硅粒为小的新的纳米硅粒.因此,量子限制模型难于解释新的光致发光峰的出现.对于氧化多孔硅和纳米硅(锗)镶嵌二氧化硅体系的光致发光,秦国刚等提出了量子限制2发光中心模型[6,7],认为氧化多孔硅和纳米硅(锗)镶嵌二氧化硅体系的光致发光同时存在三个过程:(1)电子2空穴对的光激发和发光都发生在纳米硅内(就是量子限制模型所指出的过程);(2)电子2空穴对在纳米硅内光激发,转移(很可能是隧穿)到在二氧化硅中的发光中心(杂质或缺陷)上复合发光;(3)电子2空穴对的光激发和发光都发生在二氧化硅中.究竟哪种方式占主导地位,主要取决于纳米硅粒的密度和尺寸以及二氧化硅中发光中心的密度.如果纳米硅密度很大,而尺寸很小,而且发光中心密度很小,第一种过程起主导作用;如果纳米硅和发光中心的密度都较大,而纳米硅尺寸不是很小,则第二种过程起主导作用;如果纳米硅密度很小,而二氧化硅中发光中心的密度很大,则有利于第三种过程的发生.对于氧化多孔硅,理论分析指出绝大部分情况下都是第二种过程占优势.我们认为在本实验中第二和第三种过程起了主导作用,即电子2空穴的光激发发生在纳米硅或二氧化硅中,但是发光主要发生在二氧化硅中的发光中心上.刻划样品除对比样品就有的1148eV 光致发光峰外,在1197eV 处出现新的光致发光峰可以用在Si O 2中产生了发光能量为1197eV 的新的发光中心来解释.刻划在Si O 2表面产生了高密度缺陷区,在高温退火时,这些缺陷可以扩散,并可与Si O 2基体或其中杂质、缺陷发生反应形成上述发光中心.从图中还可以看到,刻划样品的PL 谱中1148eV 发光峰的强度比对比样品为大.可能原因有二,第一是刻划及退火使1148eV 发光中心的密度增加;第二,刻划造成的高密度缺陷区吸除了Si O 2层中或Si O 2 Si 界面处的部分非辐射中心.吸除是硅工艺中常用的一种技术,人们研磨硅片的背面,再经高温退火就可以大幅度降低硅中的某些杂质的密度[8,9].与此类似,本文样品中的部分非辐射中心也很可能被刻划所造成的高密度缺陷区所吸除.由图3,在同样偏压下,刻划样品的电流明显大于对比样品,电流的增长是由于刻划引起的高密度缺陷区的缺陷或由此派生出来的缺陷上的产生与复合电流引起的.我们认为A u 富硅二氧化硅 p 2Si 与A u纳米Si O 2层 纳米Si 层 纳米Si O 2层 p 2Si 的电致发光过程相似,对于后者,在文献[10]中已讨论过,其电致发光共有四个过程:(1)由A u 电极注入的电子和由p 2Si 注入的空穴隧穿到能隙增宽的纳米硅粒中复合发光;(2)由A u 电极注入的电子和由p 2Si 注入的空穴隧穿到二氧化硅中的发光中心上复合发光;(3)由A u 电极注入的电子和由p 2Si 注入的空穴都先隧穿到纳米硅粒中,然后再隧穿到二氧化硅中的发光中心上复合发光;(4)由A u 电极注入的电子或由p 2Si 注入的空穴之中的一种隧穿到二氧化硅的675半 导 体 学 报22卷 发光中心上,另一种载流子先隧穿到纳米硅粒中,然后再从纳米硅粒中隧穿到二氧化硅中的发光中心上和前一种载流子复合发光.这四个过程中的第一个过程就是量子限制模型所说的过程.与文献[10]一样,在本实验中,第一个过程是不重要的,起主导作用的是(2)、(3)和(4)三个过程,它们都是电子2空穴对在二氧化硅中的发光中心上辐射复合而发光的过程.在300℃和800℃退火条件下,对比样品的电致发光谱均可以分解成两个高斯峰,一个峰位于1183eV(680nm)左右(半高宽为0140eV),另一个位于2123eV(560nm)左右(半高宽为0165eV).损伤样品的电致发光谱可以分解为三个发光峰.除和对比样品一样的1183eV和2123eV的发光峰外,还有一个发光峰能量在310eV(410nm)的发光峰(半高宽为1112eV).不同的对比样品的电致发光谱稍有差别,峰位的偏差可以达到几十nm,但都可以分解为发光峰位于1183eV和2123eV左右的两个高斯型发光峰;对于不同对比样品,两峰的相对高度不同.而对于刻划样品,三个高斯型发光峰的强弱的相对比例大体相同.这说明在不同的对比样品中,发光能量为1183eV和2123eV两种发光中心的密度比不同,而对于不同的刻划样品,三种发光中心的密度比较一致.300℃和800℃退火后,相对于对比样品,刻划样品1183eV发光峰强度增加很多.从图5可以看出,800℃刻划样品1183eV发光峰约为对比样品1183eV发光峰强度的10倍.这说明在刻划样品的退火过程中1183eV的发光中心增多了.1183eV发光中心很可能是二氧化硅中的一种点缺陷.与前面讨论的光致发光的情形一样,刻划样品中增加的发光中心也来自金刚刀的刻划.虽然不同文献报道的二氧化硅膜的制备方法是多种多样的,然而1183eV和2123eV左右的发光却被普遍观察到.例如:D i m aria等观察到半透明A u 膜 Si O2(50nm) 富硅二氧化硅(20nm) n2Si结构发光峰能量为118eV和213eV的电致发光[3],秦国刚等报道了半透明A u膜 自然氧化层 p2Si发光峰能量在1184eV左右的电致发光[11].Chou等报道了发光峰能量分别为119eV和212eV的硅注入二氧化硅的光致发光[12],N ish ikaw a等也在Co60Χ辐照的Α2Si O2样品的光致发光中观察到两个光致发光峰[13].Song等在硅注入的Si O2中观察到了550nm (2125eV)和630nm(1197eV)的两个光致发光峰[14].在热生长的二氧化硅的光致发光研究中, Cho i等在室温下观察到了561nm(212eV)光致发光峰[15].Kenyon等在等离子体增强的化学气相沉积法制备的富硅二氧化硅膜的光致发光中观察到了能量在118—119eV范围的发光峰[16].秦国刚等与P rokes等最早于1993年独立指出多孔硅在118—119eV范围的光致发光可能来自氧化硅中的非桥氧空穴[6,17,18].许多作者虽然提出了不同的看法,但是却大都承认发光和与氧有关的缺陷有关.至于212eV左右的发光,其来源更加复杂,但是大多数的作者也认为这来源于二氧化硅中的缺陷.如Chou 等[12]、N ish ikaw a等[13]以及Song[14]等都认为它是来源于Si O2中和氧缺陷有关的E′∆缺陷,而Cho i 等[15]和Itoh等[19]认为561nm发光峰来源于局限于富氧结构(oxygen sufficien t structu res)的自陷激子的辐射衰减.300℃和800℃退火的对比样品的EL谱中, 1183eV和2123eV高斯峰发光强度大致相同,而损伤样品中1183eV高斯峰的发光强度比2123eV的发光强度大很多,前者约为后者的四倍.300℃退火时,损伤样品2123eV发光峰的强度约为对比样品的2123eV发光峰强度的三分之一,而在800℃退火时损伤样品的2123eV发光峰的强度约为对比样品2123eV发光峰强度的2倍.上述结果的可能解释是:高温退火情况下刻划造成的高密度缺陷区有两个作用,即产生了发光中心及对某些杂质的吸除作用.刻划造成的高密度缺陷区在高温退火时可产生大量空位,释放到Si O2中,对2123eV发光峰负责的发光中心(可能是杂质)在高温下可以通过这些空位而扩散到高密度缺陷区,从而被吸除,使得在300℃退火时,样品中发光能量为2123eV的发光中心密度大为降低,导致峰位位于2123eV的电致发光峰强度急剧下降;800℃退火时因为产生了大量的能量为1183eV的发光中心,1183eV发光峰强度大幅度增加;吸除效应虽然使2123eV的发光中心密度降低,然而也能降低某些非辐射中心的密度,如假设800℃退火对这些非辐射中心的吸除作用远较300℃退火为显著,就可解释2123eV发光峰强度在800℃退火时反而上升的实验结果.与对比样品相比,刻划样品的EL谱延伸到310eV甚至更高能量,从刻划样品的EL分解谱图可以看出,刻划样品的EL谱有一个能量位于775 5期孙永科等: 刻划的富硅二氧化硅 p2Si结构的光致发光和电致发光310eV的高斯型发光峰.这很可能是刻划形成的高密度缺陷区产生了发光能量位于310eV附近的新的发光中心所致.5 结论我们对刻划和未刻划的富硅二氧化硅 p2Si结构的光致发光以及电致发光进行了对比研究,发现刻划样品的光致发光谱中除了未刻划样品就有的840nm(1148eV)的发光峰外,还出现了峰位位于630nm(1197eV)的新峰.300℃退火后刻划样品的电致发光积分强度相对对比样品略有增加,然而2123eV发光峰强度大幅度减弱.800℃退火后刻划样品电致发光的积分发光强度和功率都比对比样品显著提高,原有的680nm(1183eV)发光峰大幅度增高,电致发光谱中出现新的410nm(310eV)的发光峰.这些实验现象可解释为:刻划造成的高密度缺陷区在高温退火时产生了发光能量为1183eV和310eV的发光中心,吸除了发光能量为2123eV的发光中心和某些非辐射中心.参考文献[1] L.T.Canham,A pp l.Phys.L ett.,1990,57:1046.[2] See fo r Examp les:P roperties of Po rous Silicon,Edited by L.T.Canham,Em is D atareview s Series N o.18(I N SPEC,L on2don,1997);A.G.Cullis,L.T.Canham and P.D.J.Calco tt,J.A pp 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sco red by diamond ti p on the front surface and annealed at 800℃in N 2the pho to 2lum inescence (PL )spectrum is found quite different from that from the unsco red one ,w h ich having been annealed in the sam e conditi on .T he latter has only one PL band peak ing at about 1148eV ,w h ile the fo r m er is a double 2band PL spectrum w ith peak s at bo th 1148eV and 1197eV .T he electro lum inescence (EL )fo r m the A u sco red Si 2rich Si O 2fil m p 2Si samp le is about 6ti m es in intensity of that of the A u unsco red one .T he EL spectrum of the unsco red samp le can be decompounded into tw o Gaussian lum inescence bands w ith peak s at about 1183eV and 2123eV ,w h ile in that of the sco red one ,the intensity of the 1183eV peak is enhanced significantly ,and a new Gaussian band w ith peak at about 310eV appears .It is believed that the h igh defect 2density regi on p roduced by the sco re p rovides the Si O 2layer w ith new lum inescence centers and getters som e i m purities in it ,as results in the change in EL and PL spectra .Key words :m agnetron sputtering technique ;pho to lum inescence (PL );electro lum inescence (EL );gaussian lum inescenceband ;h igh defect 2density regi on ;lum inescence centers ;getterPACC :7855;7860FArticle I D :025324177(2001)05205732073P ro ject Suppo rted by N ati onal N atural Science Foundati on of Ch ina . R eceived 5A p ril 2000,revised m anuscri p t received 6July 2000○c 2001T he Ch inese Institute of E lectronics 975 5期孙永科等: 刻划的富硅二氧化硅 p 2Si 结构的光致发光和电致发光。
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中文翻译
摘要
在连铸钢铸造厂中,将模具中的钢水平衡稳定在最终产品质量和生产率上是非常重要的。
模具中的驻波会导致钢水周期的波动,从而使产品质量和生产率下降。
然而,对于它们没有任何有效的对策,因为它们不同于其他扰动,因为它们不是钢水流量的变化,因此不应该通过操纵质量流量来控制。
本文提出了一种可以防止驻波有害影响的驻波模型和模具稳定技术。
该技术可以通过从原始模具级信号中去除驻波分量来防止模具级别控制与模具中的驻波之间的相互作用。
在线实验结果表现出良好的性能,该技术已经在JFE的连续铸钢工艺中得到实际应用。
关键字:连铸机,模具级稳定,钢铁工业,炼钢
1.介绍
近几年来,世界钢铁消费量大幅上涨,特别是在亚洲。
为了满足这一需求,已经进行了许多连续铸造工艺的研究和开发,以提高最终产品的产量和质量。
连续铸造是将钢水凝固成板坯或坯料进行后续轧制的过程。
在该过程中,将钢水连续铸造到水冷模具中,并且将凝固的钢从模具的下侧以长股线取出。
通过操纵进入模具的流入来使模具中的钢水位控制在其设定点周围,以保持产品的质量。
当模具水平大幅波动时,模具铸造粉末和漂浮在钢水表面的其他杂质被夹带在凝固钢中。
这些现象对最终产品的质量有不良影响。
因此,如果模具水平波动大于可接受极限,则操作者必须逐渐降低铸造速度,从而降低生产率。
为了防止这些不合适的情况,近年来已经进行了大量关于模具稳定化的研究(Furtmueller等人,2006,Dussud等人,1998,Kitada等人,1998)。
一般来说,模具级别控制中的干扰被分类为周期性和非周期性(Furtmueller等,2008)。
周期性扰动包括模具本身的凸起,驻波和振荡。
非周期性扰动包括在喷嘴中的沉积物的收集和排放
(Rackers等人,1995)以及铸造速度和中间包重量的变化。
在这些干扰中,许多研究已经被推出(Asano等,1998,Jabri等,2008,Kim等,2011)。
另一方面,几乎没有关于驻波的研究。
本文介绍了一种防止驻波不利影响的技术。
如上所述,驻波是周期性扰动,但是与凸起相反,它们不应该通过操纵流入模具来控制,因为它们不是质量流动干扰。
所提出的技术可以通过从模具级信号中去除驻波分量来防止模具级别控制与驻波之间的相互作用。
2.连续铸造工艺
首先,要讨论模具水平稳定方法,应该说明连续铸造工艺。
图1示出了模具级控制的技术图。
大型船舶中的钢铁“钢包”使用起重机运输到连铸厂。
将钢水从钢包倒入中间包中,中间包是液态钢的储存器。
钢水通过滑动闸门和管道(通常为浸入式喷嘴SEN)从中间包流入模具。
模具的壁由水冷却。
液态钢的凝固从模具内部开始形成一个薄的外壳,它从模具中提取出来,通过放置在二级冷却区域的夹送辊形成一条股线。
在第二冷却区中,用辊支撑,通过水喷雾冷却线以获得完全凝固。
最后,通过切割机将线材切成规定长度的板坯。
图1还显示了模具级别控制方案。
从中间包流入模具的钢水由滑动闸门控制,钢水位由液位传感器测量。
基于对规定的电平设定值与测量电平之间的差的控制计算,滑动门位置由伺服驱动器操纵。
3.标准波对模具级控制的影响
3.1立式波动:
如图所示。
2,驻波是具有始终位于相同位置的节点和波腹的波。
因此,平均钢水表面是恒定的。
这些现象的原因之一被认为是来自具有分叉出口的
SEN的不对称的钢水流。
驻波的频率由以下理论方程式计算
其中f是驻波的频率,m是模式,g是重力加速度,l是模具的宽度。
图3示出了实际连续铸造设备中的时间序列数据的典型实例。
在这种情况下,随着铸造速度的增加,模具水平变化较大,最终超过质量波动的标准。
一旦发生这种情况,操作员会降低铸造速度。
在这种情况下,模具1的宽度为2100mm,因此,驻波的频率为(0.6)(m = 1),0.85Hz(m = 2),0.9Hz(m = 3) 1)。
图4(a)和(b)分别示出了模具级别和滑动门位置的功率谱。
在这两个图中,在0.6Hz可观察到明显的峰。
一阶驻波(0.6Hz)的频率与峰值一致。
因此,这些波动可以被判断为驻波。
该结果还表明,通过滑动喷嘴操纵增强驻
波。
3.2驻波模式
为了验证驻波对模具级控制的影响,引入了驻波模型。
在这项研究中,我们假设有一种模式的驻波可以通过摆锤模型近似(Yano等,2001,Noda et al。
,2004),如图1所示。
在图5中。
5,L是模具的宽度,h是静态钢水的水平,sh是静态钢水的波动。
M表示钢水的质量,c表示钢水的粘度,l表示摆锤的长度,x &&是导致一种模式驻波的加速度。
在图5,以下关于θ的微分方程成立
在这种驻波模型(5)和(6)中,阻尼系数ζ取决于钢水的粘度和壁与钢水之间的摩擦力。
然而,这个值难以测量,因此ζ是基于模具级仿真结果进行调整的。
角度频率nsω由(1)和(7)计算,以及模具的宽度。
3.3驻波观察员
图6示出了所提出的驻波观测器的框图。
该观察者可以使用基于观察者的滤波技术从原始模具级信号中去除驻波分量。
该系统由驻波模型和PD控制器组成。
模具级传感器的信号与驻波模型的输出之间的差异被馈送到PD控制器。
观察者被设计成使得它只能被对应于驻波的信号激发,驻波的频率被并入驻波模型中。
该系统还能够输出估计的驻波。
图7和8示出了驻波观测器对真实工厂中的模具级信号的滤波效果。
在这种情况下,由于一阶驻波的频率为0.6Hz,所以将阻尼因子ζ调整为0.4,将nf设定为0.6。
很明显,这种方法可以从原始模具级别信号中去除具有特定频率的波形。
3.4仿真结果
通过使用结合在驻波模型和驻波观测器中的模具级控制模拟器来检查驻波的影响。
仿真器的框图如图9所示。
模具本身是一个简单的储存器,可以被建模为一个积分器如下
滑动喷嘴可以被建模为增益,一阶滞后和延迟。
延迟结合了喷嘴中液态钢的下落时间和伺服系统的其他延迟。
G是确定喷嘴特性的流量系数。
液位传感器可以建模为简单增益和一阶滞后,如下所示:
应用以下PI控制器:
将具有与驻波相同频率的周期性信号作为干扰加入。
具有一阶驻波频率的驻波模型与模具模型平行放置。
与前述相同的模型应用于驻波模型和驻波。
在驻波模型和驻波观测器中的阻尼因子ζ设定为0.4。
nf根据干扰频率设定为0.6(Hz)。
该模拟器具有可以选择驻波观察者的功能的“开/关”的开关。
图10示出了没有驻波观测器的模拟结果。
在这种情况下,随着铸造速度的增加,由于过度的滑动喷嘴操作,模具水平的变动变大,最终模具水平变得不稳定。
图11示出了驻波观测器的模拟结果。
即使当铸造速度增加时,通过滑动喷嘴操作也不会增强驻波,并且模具水平保持恒定。
结果表明,该技术可以消除模具水平信号中的驻波分量,并可以避免钢水位波动与滑动喷嘴操作之间的相互作用。
4.实验结果
4.1实际控制方案
所提出的控制方案已被纳入实际的连续铸造。
图12显示了实际工厂的控制方案。
如图所示。
如图13所示,通过模具级信号的功率谱分析来确认第一,第二和第三阶驻波。
因此,控制器中安装有三个驻波观测器。
图14示出了这种情况下的驻波观察者的框图。
观察者串联连接,该结构可以从原始模具级信号中去除第一,第二和第三阶驻波分量。
模具的宽度根据铸坯的宽度而变化。
驻波观测器中的角频率nω根据宽度设定。
在所有观察者中,阻尼因子ζ被调整为0.4。
根据提出的功能的开/关,PI控制器增益自动切换,因为通过应用所提出的方法可以获得更强的增益
4.2实验结果
所提出的控制方案已经应用于商业连续铸造操作以与常规控制方案进行比较。
这些试验是在相同的钢种和相同的操作条件下进行的,除了PI增益的值。
图15和图16示出了不应用驻波观察者的常规方法的测试结果的示例。
模具水平的幅度非常接近可接受的极限。
图16示出了发生第一,第二和第三阶驻波,并且滑动喷嘴响应于测量的驻波而进行不必要的操纵。
图17和18示出了驻波观测器的测试结果的示例。
可以通过从模具级信号中除去驻波分量来防止过度的滑动喷嘴动作,这允许使用比常规方法更高的PI增益。
结果,模具水平的幅度要小得多
作者:Ahmed Al-Khazraji a, Samir Ali Amin a, Saad Mahmood Ali
出处:Engineering Science and Technology, an International Journa(2016)。