TFT-LCD Array Test理论知识考试

北京市第三届职业技能大赛
液晶显示器件制造工竞赛理论知识试卷（初赛） (阵列检测)A 卷 注 意 事 项 1、本试卷依据《液晶显示器件制造工国家职业技能标准》命制。

2、请首先按要求用蓝色（或黑色）钢笔（或圆珠笔）填写在左侧填写您的姓名、单位名称、准考证号等信息。

3、请仔细阅读题目的要求后，再进行操作。

4、不要在试卷内填写与答题无关的内容。

5、考试试题共100道。

6、考试时间120分钟。

一、单项选择题（共80道题，每题1分，计80分） 1. AOI 设备检测的基本原理是：（ ）。

A. 待测像素作为一个整体与周边几个像素进行灰度级比较。

B. 待测像素作为一个整体与周边几个像素进行色相比较。

C. 待测像素被分为一个个“小块”与周边几个像素进行灰度级比较。

D. 待测像素被分为一个个“小块”与周边几个像素进行色相比较。

2. AOI 无法捕捉到的不良特征是：（ ）。

A. 不良大小。

B. 不良灰度。

C. 不良位置。

D. 不良对像素的影响。

3. AOI 成像元件中，下面哪一项是TDI 相对于普通CCD 的优点：（ ）。

A. 耗电量小。

B. 扫描拍照速度快，信噪比高。

C. 制造工艺简单。

D. 扫描速度不稳定时也能保持较高的图像清晰度。

4. AOI 照明光源中，用LED 替代Metal Halide lamp 是大势所趋，目前影响这种替代进程的主要技术难题是：（ ）。

A. LED 波长范围狭窄，光的focus ，均匀性难于控制。

B. LED 光源寿命短，需要经常更换，维护成本高。

C. LED 光源发热量高，必须使用冷却水冷却，冷却系统庞大。

D. LED 光源亮度尚达不到要求。

5. Metal Halide lamp 的官方标称使用寿命一般为：（ ）。

A. 几十小时。

B. 几百小时。

C. 几千小时。

D. 几万小时。

6. 以下不良中，同等大小的情况下，AOI 设备最难检出的是：（ ）。

A. Gate remain 。

B. ITO remain 。

C. PVX Open 。

D. Floating Particle 。

7. 适用于检测SD 层channel 处不良的AOI 设备的分辨率一般为：（ ）。

A. 3um 。

B. 5um 。

C. 7um 。

D. 10um 。

8. 以下因素中，不会明显影响AOI 彩图拍照数量的是：（ ）。

A. Tact time 的长短。

B. 不良的数量和分布情况。

C. 是否进行分类或定
制化拍照。

D. 是否拍照TDI 黑白图片。

考
生
答
题
不
准
超
过
此
线
9.OS设备采用sensor to sensor方式检测不良，以下那一项不是其相对于pin to
pin 方式的优点：（）。

A. 检测速度快。

B. 测量电阻精度高。

C. 无损检测。

D. 运营成本
低。

10.以下panel设计要素中，与OS检出能力不相关的是：（）。

A. Gate/Data线的线的长短和粗细。

B. 线与线的间距。

C.采用双TFT还
是单TFT像素设计。

D.采用FFS模式还是TN模式像素设计。

11.对于OS在像素区的检出能力，Shorting bar采用all floating设计，相对于采
用all shorting设计，在理论上是有差别的，以下说法正确的是：（）。

A. 前者Short不良检出能力提高。

B. 前者Open、short、Cross short检出
能力均提高。

C. 前者Short不良检出能力降低。

D. 前者Open、short、Cross short检出能力均降低。

12.OS检测的不良在Repair设备上确认时，invisible不良时常发生，以下不会造
成该invisible现象的是：（）。

A. OS Line Scan过程报出的false defect。

B. 该Line不良由非常小的ITO
Remain造成，OS Position Scan没有探测到。

C. OS NG capture偏差，导致拍图位置不是不良的实际位置。

D. 不良发生在外围电路，OS无法准确给出坐标。

13.OS sensor在测试时与玻璃基板表面的距离一般为：（）。

A. 15~20um。

B. 100um左右。

C. 1mm左右。

D. 100mm左右。

14.OS检测的动作顺序是：（）。

A. Line Scan->Position Scan->NG Capture。

B. Line Scan ->NG
Capture->Position Scan。

C. NG Capture->Line Scan -> Position Scan。

D.
Position Scan->Line Scan-> NG Capture。

15.OS检测过程中，在哪一步完成后能够完整的得到不良坐标：（）。

A. Line Scan。

B. Position Scan。

C. NG capture。

D. Glass Alignment。

16.关于SD OS设备的Tact time长于Gate OS的原因，解释正确的是：（）。

A. SD line较细且多，发生不良的概率更大，导致line scan时间大大增加。

B.
不良种类相对更多，既要检测DO、DDS，又要检测GO、GCS等不良。

C. SD line较长，Position Scan需要更多的时间。

D. SD line较细，信号微弱，为了保证检出能力，scan速度受到限制。

17.Array Tester设备能够自动保存到file server的信息是：（）。

A. 不良real图像。

B. 不良电压图像。

C. 不良分布map。

D. 不良灰
度图象。

18.Array Tester设备无法检测的不良是：（）。

A. SD remain。

B.ESD。

C. 浮动的Particle。

D. Scratch引起的DO。

19.Array Tester设备ESS测试时不能检出的不良是：（）。

A. DO。

B. DDS。

C. DGS。

D. DCS。

20.Array Tester设备上，判断像素不良真假的方法是：（）。

A. 电压图像上是否存在LCD像素整数倍形状的异常电压区域。

B. 是否在
多个panel或glass相同位置repeat发生。

C. 是否重新测试后消失。

D.
是否能在DRC镜头下看到实际不良现象。

21.以下哪一项不是Orbotech与AKT厂家AT设备的共同点：（）。

A. 都进行Contact test与ESS test并根据ESS测试结果采用不同测试pattern。

B. 都在panel周边应用shorting bar的测试电路设计。

C. 测试原理中都包
含了把LCD像素上方的电场强度直接或间接转化为光强变化的过程。

D.
由于sensor大小的限制，都无法一次性检完一张panel，需要逐个像素检测。

22.对于Orbotech AT设备，哪种测试pattern用于调整DPM使用：（）。

A. Checkboard。

B. Gate inversion。

C. DatA.inversion。

D. PN。

23.Array Tester目前采用的量产测试pattern是：（）。

A. Checkboard。

B. Gate inversion。

C. DatA.inversion。

D. PN。

24.当AT设备的DPM偏移1/2像素时，对检测结果的影响是：（）。

A. 仅导致检出率下降。

B. 仅导致不良大小或数量增加。

C. 可能导致检
出率下降，也可能导致不良大小或数量增加。

D. 导致不良性质判断错误。

25.当AT的DPM偏移像素大小的整数倍时，对检测结果的影响是：（）。

A. 导致检出率下降。

B. 导致不良大小或数量增加。

C. 导致不良性质判
断错误。

D. 导致report的不良坐标偏移不准确。

26.以下哪一项不是AT测试系统PCS (auto probe bar)的特点：（）。

A. 由robot自动进行model change工作。

B.不同model的pad在glass上
的位置需要预先输入到设备参数库里。

C. 每次只为一行panel加载测试信号，随着测试的进行，PCS会不断移动到下一行待测的panel。

D. 同一行panel测试时，需要Mux切换到正在测试的panel。

27.在Array Tester的测量结果中，Panel fanout区的不良，哪一种一般在像素区
无法找到相关迹象：
A. metal open引起的GO。

B. metal open引起的DO。

C. remain引起的
GGS。

D. shorting bar ESD引起的断路。

28.关于Invisible不良检测，以下描述正确的是：（）。

A. AOI采用图像识别原理，检测结果中不会有Invisible不良。

B. AT采用电
学原理，检测结果中会有Invisible不良，而且是真不良。

C. AT，AOI都可能检测出Invisible不良，前者检测得到的是真不良，后者检测得到的是假不良。

D. AT，AOI都可能检测出Invisible不良，前者检测得到的可能为真不良，也可能为假不良，后者检测得到的一般是假不良。

29.EPM prober为保证probe tip接触的可靠性，对pad尺寸要求最大的是：
（）。

A. Gate Pad。

B. DatA.Pad。

C. Pixel Pad。

D. TEG Pad。

30.EPM日常维护项目中，哪一项用来检验多次测量结果的重复性：（）。

A. Pin to pin leakage test。

B. Diagnostics。

C. Calibration。

D. MSA。

31.EPM设备对系统漏电流大小的要求是：（）。

A. < 0.01pA。

B. < 0.1pA。

C. < 1pA。

D. < 10pA。

32.EPM测试项目中，哪一项必须使用三个head协同进行：（）。

A. TEG Test。

B. Real Pixel Test。

C. Cap Test。

D. Resistance Test。

33.EPM TEG的I-V特性参数中，哪一项代表TFT的反向截止特性：（）。

A. Ion。

B. Ioff。

C. Vth。

D. Mob。

34.EPM TEG测试时，如果加载背光，测试结果中变化最明显的是：（）。

A. Ion。

B. Ioff。

C. Vth。

D. Mob。

35.作为量产监控，EPM测试结果的反馈主要面向的工艺对象是：（）。

A. Sputter。

B. PECVD。

C. Track。

D. Wet etch。

36.Cut Repair设备Laser Head上Attenuator的作用是：（）。

A. 将出射激光倍频，生成另外一种波长的激光。

B. 调节激光能量。

C.
扩展激光光斑大小。

D. 调节最终出射激光光斑的形状。

37.关于Repair Analysis code的描述，下列错误的选项是：（）。

A. Analysis code是Repair工位对defect的编码。

B. Analysis code中一般含
有不良种类，大小，成因的信息。

C. Analysis code是工程师对不良发生情况进行统计的依据。

D. Analysis code每一位都是由作业员输入的。

38.AR作业员对不良review时，无法作为不良种类判断依据的是：（）。

A. 根据位置判断。

B. 根据走线判断。

C. 根据厚度判断。

D. 根据颜色
判断。

39.CVD repair的沉积材料中，仅从沉积效果和信赖性考虑，目前理论上不可以使
用的是：（）。

A. Cr的化合物。

B. Fe的化合物。

C. Mo的化合物。

D. W的化合物。

40.以下哪一种气体是CVD.Repair用到而Cut Repair不使用的：（）。

A. H2。

B. N2。

C. CDA。

D. Ar。

41.CVD Repair工艺在SD strip后进行DO不良的维修，相对于Array Final必然节
省的维修步骤是：（）。

A. Zapping and Contact。

B. Cutting。

C. Wiring。

D. Decap。

42.CVD.Repair沉积形成的引线不需要定期进行的检验项目是：（）。

A. 膜厚及均匀性。

B. 成膜成分。

C. 成膜黏附性。

D. 成膜电阻。

43.Array Test使用的Robot 共有几种stroke：（）。

A. 2种。

B. 3种。

C. 4种。

D. 5种。

44.Indexer上的Mapping sensor的作用：（）。

A. 感知Cassette有无。

B. 读取Cassette ID。

C. 感知每个slot glass有
无。

D. 读取每个slot glass ID。

45.以下inline设备unit用来旋转glass的是：（）。

A. Diverter。

B. Turn Stage。

C. Lift。

D. Pin Up Conveyor。

46.Array Test process中，能够旋转glass的设备是：（）。

A. AOI。

B. Array Tester。

C. EPM。

D. Cut Repair。

47.Array Test设备中在切换产品型号时需要切换硬件的设备是：（）。

A. AOI。

B. Array Tester。

C. EPM。

D. OS。

48.能够检测并给出周边电路不良完整坐标的设备是：（）。

A. AOI。

B. Array Tester。

C. EPM。

D. OS。

49.Array Test设备中的抽样检查设备是：（）。

A. AOI。

B. Array Tester。

C. EPM。

D. OS。

50.以下检测设备中，在像素区测试项目中没有检测死区的是：（）。

A. AOI。

B. Array Tester。

C. EPM。

D. OS。

51.我们通常所说的PVX Open、ITO remain、ESD、Scratch等，是基于以下哪种分
类方法：（）。

A. 根据不良大小。

B. 根据不良形状。

C. 根据不良性质。

D. 根据不良
成因。

52.关于Array Test Grade，以下说法错误的是：（）。

A. Array Test Grade可分为P、S、Q、N四个级别。

B. Grade判定基于不良大
小及数量。

C. Array Test Grade必须与Cell Test的判级标准严格一致。

D. 不
同model，Grade基准会有所不同。

53.关于Array Daily Yield Report的描述，以下错误的是：（）。

A. Yield、Grade及各不良发生率区分成Before、After Repair两部分。

B. Before
Repair的数据直接来自于AT设备检测得到的结果。

C. 不良率采用Double count计算方法。

D.反馈对象不仅限于Array，需要包含Cell Test等工艺。

54.以下现象不属于Abnormal发送范围的是：（）。

A. 不同glass在相同位置发生不良。

B. 奇数glass同种不良高发。

C. 单
个panel不良严重。

D. 多张glass Alignmark或Vericode处有remain导致设备报警。

55.以下关于ESD消除知识的描述中错误的是：
A. 通过各种方法防止滑动摩擦的产生。

B. 通过ionizer生成正负离子，可
中和、消除静电。

C. 接触面采用导静电材料，可有效消除静电。

D. 为了防止静电放电，要保持空气干燥。

56.以下措施不能明显提高设备产能的是：（）。

A. 加强对Hold lot的管理。

B. 提高设备稼动率。

C. 减少waiting time。

D.
提高设备tact time。

57.生产名词Movement的含义是：（）。

A. 某一process step前等待的产品数量。

B. 某一process step某一时间段
完成的产量。

C. 生产线某一时间点同时正在进行的产量。

D. 整个生产线的产品总量。

58.设备稼动率指的是：（）。

A. 设备run time占总时间的比例。

B. 设备run time和idle time的总和占
总时间的比例。

C. 设备run time、idle time、PM time的总和占总时间的比例。

D. 设备down time以外的时间总和占总时间的比例。

59.同一Panel，Array shipping时的grade为P，Cell Test检查出DO不良，原因是：
（）。

A. 该DO应该是Array Test及以后工艺产生。

B.该DO应该是Array工艺产
生，Array Test漏检。

C. 该DO应该是因为Array Repair维修失败造成。

D.
以上原因都有可能。

60.Lot ID“8AWX260001”中，数字“6”的含义是：（）。

A. 年份。

B.月份。

C. glass厚度。

D. 第6代生产线。

61.Product ID“B4A320WX7T401”中，数字“7”的含义是：（）。

A. 年份。

B.月份。

C. glass厚度。

D. 第7代生产线。

62.设备Online和offline测试的差别在于：（）。

A. Online测试能够自动将测试结果上传到file server。

B. Online测试可以自
动读取CST ID。

C. Online测试设备与host通信，接收host指令。

D. Online 测试完全不接受人工干预，自动化水平高。

63.为了满足月产能120K玻璃基板的需求，假设设备数量为3个，合理的Tact time
应该为：（）。

A. 58s。

B.118s。

C. 232s。

D. 306s。

64.当我们希望一个lot在测试时以自定义的lot ID保存结果时，VCR应该设置的
状态是：（）。

A. VCR ON / manually input while fail。

B. VCR off / manually input。

C. VCR
ON / skip input while fail。

D. VCR off / skip input。

65.当Stocker携带CST到达并对准indexer Port口后无法搬入CST，我们的调查
方向应该是：（）。

A. EQ和host之间的通信及各自状态。

B. EQ和indexer之间的通信及各自
状态。

C. indexer和Stocker之间的通信及各自状态。

D. Host和Stocker 之间的通信及各自状态。

66.关于DFS step ID，以下匹配错误的是：（）。

A. Gate OS：2X4000，。

B. SD AOI：58000。

C. Final AT：9X6000。

D. Final
CVD Repair：9X8000。

67.关于Operation ID与Dfs Step ID的区别，以下说明错误的是：（）。

A. Operation ID为2X4000时，对应的Dfs Step ID共有三个：2X4000，2X7000，
2X8000。

B. Operation ID是与CIM通信的主体EQ，例如，整条inline的ID 编码。

C. Dfs Step ID是各Unit与CIM通信的ID编码。

D. Dfs Step ID规定了测试和维修数据上传和下载的路径。

68.不同model的测试Tact time差异较大的两种设备是：（）。

A. OS及AT。

B. OS及EPM。

C. AOI及AT。

D. AOI及EPM。

69.32inch glass的glass baseline位于：（）。

A. A6 panel附近。

B. C6 panel附近。

C. A1 panel附近。

D. C1 panel附近。

70.32inch glass的C1 panel上发生的不良点，其glass坐标极性为：（）。

A. X正，Y正。

B. X正，Y负。

C. X负，Y负。

D. X负，Y正。

71.File server上，不包含在.glass文件中的信息是：（）。

A. lot information。

B. glass information。

C. panel information。

D. defect
information。

72.在Defect file中，defect的“Data1，Gate1”指：（）。

A. 不良左上角的坐标。

B. 不良右下角的坐标。

C. 不良左下角的坐标。

D.
不良中心点的坐标。

73.以下Unit ID书写正确的是：（）。

A. 8AXGT01-OST1。

B. AXGT01-OST1。

C. OST1。

D. AXGT01。

74.对于Gate、SD、Final Test process，为了得到完整的after repair数据，我们需
要：（）。

A. CVD repair的结果。

B. Cut repair的结果。

C. CVD repair + Cut Repair合
并的结果。

D. CVD repair + Cut Repair + Test设备合并的结果。

75.90K产能时，EPM的抽检频率大概为：（）。

A. 每10张glass抽取1张。

B. 每100张glass抽取1张。

C. 每1000张
glass抽取1张。

D. 每10000张glass抽取1张。

76.在MES Report的WIP列表里，有显示为粉色、字体加粗的Hot lot，其含义是：
（）。

A. 因工艺设备调查需要，需要暂时保留的lot。

B. 专属某个部门用于测试
的lot。

C. 因紧急任务需要快速进行的lot。

D. 新产品验证用的lot。

77.为了调查Array不良在Cell的表现，Cell Test哪步工艺能够得到比较全面的测
试结果：（）。

A. Cell Test VAP。

B. Cell Test AP。

C. Cell Test Retest。

D. Cell Repair。

78.Modulator测试时距离玻璃基板之间的距离大概为：（）。

A. 5um。

B. 50um。

C. 200um。

D. 50mm。

79.Array Tester设备的测试动作顺序为：（）。

A. Contact test -> ESS test -> Gapping Test。

B. Contact test -> Gapping Test ->
ESS test。

C. ESS test -> Contact test -> Gapping Test。

D. Gapping Test->
Contact test -> ESS test。

80.不可能造成Array Tester设备contact test fail的原因是：（）。

A. Contact Pad位置glass有裂纹。

B. Contact pin折断。

C. Contact位置偏
移。

D. Contact Pad位置没有ITO层。

二、判断题（共20道题，每题1分，计20分）
1.通过光学系统优化，AOI能检出比其光学系统分辨率更小的不良。

（）。

2.AOI照明光源采用垂直入射代替斜入射的主要好处是可以避免“峡谷”效应，检
出channel处不良。

（）。

3.当Gate AOI检出的不良被成功维修后，Final AOI不会再次检出。

（）。

4.AOI scan动作方式包括gantry camera移动方式，以及采用气浮技术的glass
移动方式。

（）。

5.OS设备通过线与线之间的漏电流大小来判断短路不良是否存在。

（）。

6.OS设备主要检测open和short不良，例如，Gate open，ITO open，DGS等。

（）。

7.OS周边测试电路设计中，floating pattern与shorting pattern在不良检测效果
上的唯一差别是，由于引线在外围短接造成干扰，后者检测short类不良的效果较差。

（）。

8.Orbotech AT每个site测试前进行calibration的目的是：针对每一个具体的位
置找出光强随电场强度变化的斜率，便于根据测得的光强值推测Pixel上的电场强度。

（）。

9.Orbotech AT Modulator low air的作用是在site to site移动时防止modulator划
伤。

（）。

10.ESS test是向一个信号通道（例如GE）加载信号，其余测试通道接收到的信
号如果大于某一阈值，则判定这两个信号通道对应的信号线之间发生了短路。

经过ESS测试，我们即可以得到各种短路不良的坐标。

（）。

11.Orbotech厂家的AT测试系统中需要经常更换的易损件为卤素灯。

（）。

12.Orbotech AT设备的基本原理是：利用液晶分子在电场中的偏转，以及对入射
光的偏振作用，将像素表面电场强度的分布转化为光强的分布，再通过CCD 接收并显示出来。

（）。

13.EPM prober使用edge sensor感知probe tip是否已经接触glass，其中包含光
学原理。

（）。

14.TEG和Real pixel检测是EPM每天进行的常规检测项目。

EPM进行TEG检测
时，需要带有TEG探针的Pixel head，real pixel测量时则需要3个head协力完成。

（）。

15.Repair设备进行维修时，一般采用较长波长的激光进行cutting操作，采用较
短波长的激光进行CVD沉积和ITO decap。

（）。

16.AR作业员维修方法中，remain cut是基于激光的热效应进行的，而对No Via
不良的维修是基于激光的化学效应进行的。

（）。

17.CVD repair设备的化学反应过程在chamber内进行，为防止反应气体和金属
粉末泄露，采用Air curtain隔离技术。

（）。

18.Indexer上可以使用PIO sensor与Stocker或AGV通信。

（）。

19.Array Test process中，需要通过air flow来维持测试sensor与玻璃基板之间距
离的设备主要有Array Tester、OS、EPM。

（）。

20.Test & Repair安排在Array制程中间的好处是：可以尽早知道不良发生趋势，
提前反馈；维修方法简单。

（）。

标准答案：
1-80
CDBAC,BADBC,BCBAB,DCCAA,DADCD,DDCDD,BBBBB,BDCBD,ABCCB,CBACA,DCBCD,ABB DB,CCABC,BCACC,ADADC,CBBAD
80-100
√√×√×,××√××,××√×√,×√√×√。