半导体超晶格界面附近的电荷转移
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半导体超晶格界面附近的电荷转移
王仁智;黄美纯
【期刊名称】《半导体学报：英文版》
【年(卷),期】1991(12)9
【摘要】本文采用LMTO能带从头计算方法,研究了(GaAs)_1(AlAs)_1(001)和(GaAs)_2(AlAs)_2(001)超晶格界面附近的电荷转移状况,分析了引起电荷转移的电负性和对称性因素,给出了电荷转移方向的判据.
【总页数】6页(P530-535)
【关键词】半导体超晶格;界面;电荷转移
【作者】王仁智;黄美纯
【作者单位】厦门大学物理系
【正文语种】中文
【中图分类】O471.4
【相关文献】
1.应变层超晶格界面电荷转移效应和应变效应的能带计算 [J], 黄美纯
2.金属-半导体超晶格中界面电荷的生成机理 [J], 李书平;王仁智
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