大连东软信息学院模拟电路课件第十章
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模拟电路
o
3
ɺ U
(23)
小 结
1. 单一参数电路中的基本关系
电路参数
R
基本关系 复阻抗
u = iR
R
ɺ I
ɺ U
Uɺ
电路参数
L
基本关系 复阻抗
jX L = jω L
di u=L dt
Iɺ Iɺ
Uɺ
(24)
电路参数
C
基本关系 复阻抗
1 − jXc = − j ωc
du i=C dt
2. 单一参数电路中复数形式的欧姆定律
电压与电流的关系 u = 2U sin ω t
i=
2U ω C ⋅ sin( ω t + 90 ° )
i
90 0 ）
1. 频率相同 2. 相位相差 o （u 落后 相位相差90
u
Iɺ
i
UωC
90°
ωt
U
ɺ U
(13)
u = 2U sin ωt
i = 2Uω C ⋅ sin(ωt + 90°)
I
1 I 3. 有效值 I = U ⋅ω C 或 U = ωC
表示, 元件参数用复数阻抗表示， 表示 元件参数用复数阻抗表示，则电路 方程式的形式与直流电路相似。 方程式的形式与直流电路相似。
(33)
二
１.
关于复数阻抗 Z 的讨论
Z和总电流、总电压的关系 和总电流、 和总电流
由复数形式的欧姆定律
ɺ ɺ U = IZ
可得： 可得：
ɺ U U∠ϕ u U = Z ∠ϕ = ∠ϕ u − ϕ i Z= = ɺ I∠ϕ I I i
(32)
说明： 说明：
♣
Z = R + j( X L − X C )
3
ɺ U
(23)
小 结
1. 单一参数电路中的基本关系
电路参数
R
基本关系 复阻抗
u = iR
R
ɺ I
ɺ U
Uɺ
电路参数
L
基本关系 复阻抗
jX L = jω L
di u=L dt
Iɺ Iɺ
Uɺ
(24)
电路参数
C
基本关系 复阻抗
1 − jXc = − j ωc
du i=C dt
2. 单一参数电路中复数形式的欧姆定律
电压与电流的关系 u = 2U sin ω t
i=
2U ω C ⋅ sin( ω t + 90 ° )
i
90 0 ）
1. 频率相同 2. 相位相差 o （u 落后 相位相差90
u
Iɺ
i
UωC
90°
ωt
U
ɺ U
(13)
u = 2U sin ωt
i = 2Uω C ⋅ sin(ωt + 90°)
I
1 I 3. 有效值 I = U ⋅ω C 或 U = ωC
表示, 元件参数用复数阻抗表示， 表示 元件参数用复数阻抗表示，则电路 方程式的形式与直流电路相似。 方程式的形式与直流电路相似。
(33)
二
１.
关于复数阻抗 Z 的讨论
Z和总电流、总电压的关系 和总电流、 和总电流
由复数形式的欧姆定律
ɺ ɺ U = IZ
可得： 可得：
ɺ U U∠ϕ u U = Z ∠ϕ = ∠ϕ u − ϕ i Z= = ɺ I∠ϕ I I i
(32)
说明： 说明：
♣
Z = R + j( X L − X C )
模拟电路(大连理工大学)
A( j ) —— 模，幅频响应
( )
时延响应为
d ( ) ( ) ( s) d
2. 分类——按幅频特性分
Av
通
Av
阻
ω
低通（LPF）用于工作信号为低频（或直流），并且需 要削弱高次谐波或频率较高的干扰和噪声等场合——整 流后滤波。 高通（HPF）用于信号处于高频，并且需要削弱低频 的场合——阻容放大器的耦合。
第九章
9.1 9.2 9.3 9.4 9.5 9.6 9.7 9.8
信号处理与信号产生电路
基本线性运放电路 同相输入和反相输入放大电路的其他应用 模拟乘法器及应用 有源滤波电路 正弦波振荡电路的振荡条件 RC正弦波振荡电路 LC正弦波振荡电路 非正弦信号产生电路
9.1 基本线性运放电路
9.1.1反相放大电路
_ +
RW
A3 +
vo
A2 +
R
Rt
R
R1
R2
Rt ：热敏电阻
集成化:仪表放大器
比例运算电路与加减运算电路小结
1. 它们都引入电压负反馈，因此输出电阻都比 较小 。
2. 关于输入电阻：反相输入的输入电阻小，同 相输入的输入电阻高。 3. 同相输入的共模电压高，反相输入的共模电 压小。
9.2.3 积分电路和微分电路
R
1 其中 0 RC
当
u0 ui
缺点：带负载的能力差，例如 R=27k，RL=3k，对于直流而言， vo只有vi的十分之一，而当RL断开时，vo=vi， 为了提高带负载的能力，可以减小R，提高C，但这不现实， 此时可以加电压跟随器，以提高带负载的能力。
9.4.2 一阶有源滤波电路
电子课件-《模拟电子电路》-B02-9106 3-1
4．共模抑制比
共模抑制比用KCMR表示，其定义为差分放大 电路的差模电压放大倍数Ad与共模电压放大倍数Ac之 比，即差模电压放大倍数
K CMR
A ud A uc
第三章 集成运算放大器及其应用
5．差分放大电路的四种连接方式
接法
电路原理图
特点
双端 输入
双端 输出
1.放大倍数与单管放大电路相同 2.当电路对称时，共模抑制比KCMR =∞ 3.适用于对称输入、对称输出情况
集成运放图形符号
∞
uN _
uN _ uo
uo
uP +
uP +
第三章 集成运算放大器及其应用
二、集成运放的内部结构
同相输入uN 反相输入uP
差分放大 输入级
中间级 偏置电路
输出级
输出uo
第三章 集成运算放大器及其应用
三、差分放大器
1. 对称的电路结构 带有公共射极电阻的差分放大电路
第三章 集成运算放大器及其应用
六、集成运放的理想化
集成运放理想特性： （1）开环差模电压放大倍数 Ad （2）开环差模输入电阻 ri （3）开环输入电阻 ro 0 （4）共模抑制比 KCMR （5）没有失调现象，即当输入信号为零时，输出信号也为零
பைடு நூலகம்
2.灵活的输入输出方式
（1）输入方式 ①差模输入方式 从差分放大电路的两个输入端分别输入一对大小相等、极性 相反的信号。 ②共模输入方式 从差分放大电路的两个输入端分别输入一对大小相等、极性 相同的信号。 ③任意输入方式（比较输入方式） 从差分放大电路的两个输入端输入的信号既非差模又非共模， 这时可将其分解为一对共模信号和一对差模信号。 （2）输出方式 可以单端输出，也可以双端输出。
模拟电子技术基础课件(童诗白)!超级给力!我已经看过了!
14
1.1.2 杂质半导体
杂质半导体有两种
N 型半导体 P 型半导体
一、 N 型半导体(Negative)
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如
第 四 版 童 诗 白
磷 、 锑 、 砷 等 ， 即构 成 N 型 半 导体 ( 或 称 电 子 型
半导体)。
常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
模拟电子技术基础
Fundamentals of Analog Electronics
童诗白、华成英 主编
—多媒体教学课件
第 四 版 童 诗 白
1
导
1. 本课程的性质
电子技术基础课
言
2. 特点
非纯理论性课程
实践性很强
以工程实践的观点来处理电路中的一些问题
3. 研究内容 第 四 版 童 诗 白
以器件为基础、以电信号为主线，研究各种模拟电子电路的工作 原理、特点及性能指标等。
16
第 四 版 童 诗 白
+4
+4
+4 自由电子
+4
+5 +4
+4 施主原子
第 四 版 童 诗 白
+4
+4
+4
图 1.1.3
N 型半导体
17
二、 P 型半导体
在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如 硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体。 3 价杂质原子称为受主原子。
第 四 版 童 诗 白
空穴浓度多于电子浓度，即 p >> n。空 穴为多数载流子，电子为少数载流子。
ni= pi= K1T3/2 e -E /(2KT)
GO
1.1.2 杂质半导体
杂质半导体有两种
N 型半导体 P 型半导体
一、 N 型半导体(Negative)
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如
第 四 版 童 诗 白
磷 、 锑 、 砷 等 ， 即构 成 N 型 半 导体 ( 或 称 电 子 型
半导体)。
常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
模拟电子技术基础
Fundamentals of Analog Electronics
童诗白、华成英 主编
—多媒体教学课件
第 四 版 童 诗 白
1
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1. 本课程的性质
电子技术基础课
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2. 特点
非纯理论性课程
实践性很强
以工程实践的观点来处理电路中的一些问题
3. 研究内容 第 四 版 童 诗 白
以器件为基础、以电信号为主线，研究各种模拟电子电路的工作 原理、特点及性能指标等。
16
第 四 版 童 诗 白
+4
+4
+4 自由电子
+4
+5 +4
+4 施主原子
第 四 版 童 诗 白
+4
+4
+4
图 1.1.3
N 型半导体
17
二、 P 型半导体
在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如 硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体。 3 价杂质原子称为受主原子。
第 四 版 童 诗 白
空穴浓度多于电子浓度，即 p >> n。空 穴为多数载流子，电子为少数载流子。
ni= pi= K1T3/2 e -E /(2KT)
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2. 论文具体内容的你论文具 体内容的你论文具体内容的 小北京师范大
1. 论文具体内容的你论文具体内容 的你论文具体内容的你论文具体内 容的小北京师范大
目录
结论与建议
选题背景
研究方法
结果与分析
结论与建议
1.论文具体内容的你论文具体内容的你论文具体内 容的你论文具体内容的你论文具体内容的你论文具 体内容的你论文具体内容的你论文具体内容的小。 2.论文具体内容的你论文具体内容的你论文具体内 容的你论文具体内容的你论文具体内容的你论文具 体内容的你论文具体内容的你论文具体内容的小。
第一步
第二步
第三步
第四步
第五步
呈现指导语言论文具体内容的小
目录
研究方法一
选题背景
研究方法
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第一步第二步Fra bibliotek第三步第四步
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论文具体内容的你论 文具体内容的你论文 具体内容的小
1
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论文具体内容的你论 文具体内容的你论文 具体内容的小
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4
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结果与分析
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结果与分析
论文具体内容的你论文具体内容的你论文具体内容的你论文具体内容的你论文具体内容的你论文具体内容的你论文 具体内容的你论文具体内容的小。
研究内容
①人家在研究什么、研究到什么程度？②找出你想研究而别人还没有 做的问题。③他人已做过，你认为做得不够（或有缺陷），提出完善 的想法或措施。
模拟电子技术课件汇总全书电子教案完整版课件最新
项目实训
❖ 任务一 常用电子仪器的使用 ❖ 任务二 常用电子元器件的识别（一） ❖ 任务三 限幅电路的仿真分析
链接一 半导体的基本知识
一、半导体基本知识
❖ 半导体器件是用半导体材料制成的电子器件。 常用的半导体器件有二极管、三极管、场效 应晶体管等。半导体器件是构成各种电子电 路最基本的元件。
iC iB
（3）饱和区
❖ 三极管的发射结处于正偏，集电结正偏或反 偏电压很小。该三极管工作在饱和区，有：
❖
iC iB
❖ UCE电压基本不变，称此时UCE为饱和电压， 用UCES表示。UCES很小，通常计算中，小功 率硅管的UCES取值为0. 3 V。
【例1-1】测得三极管的直流电位如图1-18(a)、(b)、 (c)所示，试判断它们的工作状态。
D/V
30 40
iD/ A
反向击穿特性
iD/mA
正向特性
20
反向特性
15
①
10
60
VBR
5 40 20 0
0.2 0.4 0.6
②
10
20
Vth
D/V
30
③
பைடு நூலகம்
40
iD/ A
硅二极管2CP10的V-I 特性
锗二极管2AP15的V-I 特性
二极管的参数
（1）最大整流电流IOM：指管子长期运行时，允 许通过的最大正向平均电流。
按用途分为放大管和开关管； ❖ 按功率大小分为小功率、中功率管、大功率
管等
二、半导体三极管放大原理
❖ 1. 产生放大作用的条件 ❖ 内部条件: ❖ 三极管具有放大作用所需具备的内
部条件:发射区掺杂浓度高；基区薄 且掺杂浓度低；集电结面积大。 ❖ 外部条件: ❖ 发射结正偏，集电结反偏。
模电课件
导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电 子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原 子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导 电。 半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原 子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。
面接触型：结面积 大，结电容大，故结 允许的电流大，最高 工作频率低。
平面型：结面积可小、 可大，小的工作频率 高，大的结允许的电 流大。
华成英 hchya@
二、二极管的伏安特性及电流方程
二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。
i f (u)
u
i IS (eUT 1) (常温下UT 26mV)
漂移运动
因电场作用所产 生的运动称为漂移 运动。
参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态 平衡，就形成了PN结。
华成英 hchya@
PN 结的单向导电性
PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加
剧，由于外电源的作用，形 成扩散电流，PN结处于导通 状态。
P必N要结吗加？反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运
§１．１ 半导体基础知识 §１．２ 半导体二极管 §１．３ 晶体三极管
华成英 hchya@
§1 半导体基础知识
一、本征半导体 二、杂质半导体 三、ＰＮ结的形成及其单向导电性 四、ＰＮ结的电容效应
华成英 hchya@
一、本征半导体
1、什么是半导体？什么是本征半导体？
华成英 hchya@
五、如何学习这门课程
1. 掌握基本概念、基本电路和基本分析方法
面接触型：结面积 大，结电容大，故结 允许的电流大，最高 工作频率低。
平面型：结面积可小、 可大，小的工作频率 高，大的结允许的电 流大。
华成英 hchya@
二、二极管的伏安特性及电流方程
二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。
i f (u)
u
i IS (eUT 1) (常温下UT 26mV)
漂移运动
因电场作用所产 生的运动称为漂移 运动。
参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态 平衡，就形成了PN结。
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PN 结的单向导电性
PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加
剧，由于外电源的作用，形 成扩散电流，PN结处于导通 状态。
P必N要结吗加？反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运
§１．１ 半导体基础知识 §１．２ 半导体二极管 §１．３ 晶体三极管
华成英 hchya@
§1 半导体基础知识
一、本征半导体 二、杂质半导体 三、ＰＮ结的形成及其单向导电性 四、ＰＮ结的电容效应
华成英 hchya@
一、本征半导体
1、什么是半导体？什么是本征半导体？
华成英 hchya@
五、如何学习这门课程
1. 掌握基本概念、基本电路和基本分析方法
模拟电子技术基础 东北大学信息科学与工程学院Northeastern University
半导体的导电能力具有独特的性质。
①温度升高时，纯净的半导体的导电能力显著 增加；
②在纯净半导体材料中加入微量的“杂质”元 素，它的电导率就会成千上万倍地增长；
③纯净的半导体受到光照时，导电能力明显提 高。
半导体为什么具有以上的导电性质？
⑵半导体的晶体结构
原子的组成：
带正电的原子核 若干个围绕原子核运动的带负电的电子 且整个原子呈电中性。
纯净的、结构完整的单晶半导体，称为 本征半导体。
物质导电能力的大小取决于其中能参与导 电的粒子—载流子的多少。
⑴ 本征半导体
本 征 半 导 体 在 绝 对 零 度 （ T=0K 相 当 于 T=－273℃）时，相当于绝缘体。
在室温条件下，本征半导体便具有一定 的导电能力。
⑴ 本征半导体
半导体中的载流子 自由电子 空穴（Hole） 空穴和自由电子同时参加导电，是半导 体的重要特点
⑶ PN结的反向击穿
I（mA）
加大PN结的反向电压 到某一值时，反向电
流突然剧增，这种现
象称为PN结击穿，发
生击穿所需的电压称
UBR
为击穿电压，如图所
0
U（V） 示。
反向击穿的特点：反
向电压增加很小，反
向电流却急剧增加。
图4-6 PN结反向击穿
① 雪崩击穿
由倍增效应引起的击穿。当PN结外加的反 向电压增加到一定数值时，空间电荷数目 较多，自建电场很强，使流过PN结的少子 漂移速度加快，可获得足够大的动能，它 们与PN结中的中性原子碰撞时，能把价电 子从共价建中碰撞出来，产生新的电子空 穴对。
多子的积累引起的。是指PN结两侧积累 的非平衡载流子数量随外加电压改变所产生 的电容效应。
⑷ PN结的电容效应
①温度升高时，纯净的半导体的导电能力显著 增加；
②在纯净半导体材料中加入微量的“杂质”元 素，它的电导率就会成千上万倍地增长；
③纯净的半导体受到光照时，导电能力明显提 高。
半导体为什么具有以上的导电性质？
⑵半导体的晶体结构
原子的组成：
带正电的原子核 若干个围绕原子核运动的带负电的电子 且整个原子呈电中性。
纯净的、结构完整的单晶半导体，称为 本征半导体。
物质导电能力的大小取决于其中能参与导 电的粒子—载流子的多少。
⑴ 本征半导体
本 征 半 导 体 在 绝 对 零 度 （ T=0K 相 当 于 T=－273℃）时，相当于绝缘体。
在室温条件下，本征半导体便具有一定 的导电能力。
⑴ 本征半导体
半导体中的载流子 自由电子 空穴（Hole） 空穴和自由电子同时参加导电，是半导 体的重要特点
⑶ PN结的反向击穿
I（mA）
加大PN结的反向电压 到某一值时，反向电
流突然剧增，这种现
象称为PN结击穿，发
生击穿所需的电压称
UBR
为击穿电压，如图所
0
U（V） 示。
反向击穿的特点：反
向电压增加很小，反
向电流却急剧增加。
图4-6 PN结反向击穿
① 雪崩击穿
由倍增效应引起的击穿。当PN结外加的反 向电压增加到一定数值时，空间电荷数目 较多，自建电场很强，使流过PN结的少子 漂移速度加快，可获得足够大的动能，它 们与PN结中的中性原子碰撞时，能把价电 子从共价建中碰撞出来，产生新的电子空 穴对。
多子的积累引起的。是指PN结两侧积累 的非平衡载流子数量随外加电压改变所产生 的电容效应。
⑷ PN结的电容效应
模拟电路基础教程PPT完整全套教学课件全
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透彻掌握器 件特性
1
重视对电路 构成原理的
学习
2
理论与实践 的关系
3
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目前国内使用较多的电路设计仿真软件有PSPICE、Proteus和Multisim 等。就模拟电路仿真来说,Multisim 以其界面友好、功能强大、易于学习 的优点而受到高校电类专业师生和工程技术人员的青睐。Multisim13.0版 本已上市,但目前使用比较稳定、用户数较多的还是10.0版本。对于使用 者来说,只要有一台计算机和Multisim 软件,就相当于拥有了一间设备齐全 的电路实验室,可以调用元器件,搭建电路,利用虚拟仪器进行测量,对电路 进行仿真测试,可以实时修改各类电路参数,实时仿真,从而帮助使用者了解 各种电路变化对电路性能的影响,对电路的测量直观、智能,是进行电路分 析和设计的有效辅助工具。使用者在学习和解题的过程中,可以通过 Multisim 对电路中某个节点的电压波形、某条支路的电流波形、电路结构 变化产生的影响等方方面面问题快速仿真而得到答案。
模拟电路基础教程PPT课件
1.1.4 一般电子系统的构成 1.电子系统的分类
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模拟电子 系统
数字电子 系统
模拟电路基础教程PPT课件
2.电子系统的构成
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模拟电路基础教程PPT课件
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1.1.5 模拟电子技术的发展
在式(1-1-1)中,K 为常数,使u(t)和T(t)之间形成如图1-1-1所示的相 似形关系。如果K 不能保持为常数,则称模拟信号发生了失真。失真问 题是模拟电路中始终需要引起注意和克服的重要问题。
第10章(208)
求R2=R1。
第 10 章 实用外围电路设计
图10.5 积分器
第 10 章 实用外围电路设计
4.
当运算放大器的输入网络为电容，反馈网络为电阻时，
便构成了微分器，如图10.6所示。微分器的输出电压uo和输
入电压的关系为：
uo=-RC dui dt
(10.5)
第 10 章 实用外围电路设计
图10.6 微分器
在某些控制系统中，负载要求电流源驱动，而实际的信 号又可能是电压源。
将电压信号转换成电流信号，不论负载如何变化，电流 源电流只取决于输入电压信号，而与负载无关。另外，信号 在远距离传输过程中，由于电流信号不易受干扰，因此也需 要将电压信号转换为电流信号来传输。图10.27给出了一个 V/I转换电路，图中负载为“接地”负载。
uo=|ui|
第 10 章 实用外围电路设计
图10.24 绝对值电路
第 10 章 实用外围电路设计
10.1.4
这里所说的保护措施是针对在使用集成运放时，由于 电源极性接反、输入/输出电压过大、输出短路等原因造成运 放损坏的问题而采取的一种保护方法。
为防止电源极性接反，可在正、负电源回路中顺接二极 管。若电源接反，则二极管因反偏而截止，等于电源断路， 起到了保护运放的作用，如图10.25
第 10 章 实用外围电路设计
图10.3 同相放大器
第 10 章 实用外围电路设计
图10.4 电压跟随器
第 10 章 实用外围电路设计
3.
当运算放大器的反馈网络为电容，输入阻抗网络为电阻
时便构成了积分器，如图10.5所示。积分器的输出电压Uo为
Uo=-
1 R1C Ui dt
(保持平衡，电路要
大连东软信息学院电子电路题目汇总
电子电路复习题汇总一、判断题1.有了参考方向的概念之后，电阻两端的电压和电流不再满足欧姆定律。
错！~2.电感的感抗表示电感对交流电流的阻碍能力。
对！~3.三相交流电是指三相频率相等，幅值相等，想为彼此相差120°的交流电源。
对！~4.稳压管的稳定电压Ui是在规定的稳压管反向工作电流Iimin~Iimax下，所对应的反向工作电压。
对！~5.本征半导体是纯净的、结构完整的具有晶体结构的半导体。
对！~6.当PN结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流，PN结处于导通状态。
对！~7.整流电路可将正弦电压变成脉动的直流电压。
对！~8.PN结内电场的方向是从P区指向N区。
错！~9.要想保证晶体管在整个交流信号的周期内都工作在放大区且放大电路的输出波形不失真，必须设置合适的静态工作点。
对！~10.电容的容抗表示电容阻碍交流电流通过的能力的大小。
错！~11.我们将最大值、角频率和初相角称为正弦量的三要素。
对！~12.功率放大电路在整个信号周期内NPN晶体管和PNP晶体管交替导通是互补工作方式。
对！~13.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，就可将其改变为P型半导体。
对！~14.PN结动态平衡后，空间电荷区中没有载流子。
错！~15.直流稳压电源中整流电路的目的是将交流变为脉动的直流。
16.PN结内电场的方向是从N区指向P区。
对！~17.功率放大电路的转换效率是电路的输出功率与电源提供的直流功率之比。
对！~18.若元件的u,i取关联参考方向，计算该元件的功率大于零，表示该元件实际吸收功率。
对！~19.实际电压源可以用理想电压源与电阻的串联表示。
对！~20.电感具有通直阻交的作用。
对！~21.对称三相正弦交流电源的电压瞬时值之和为0.对！~22.在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，就可将其改变为N型半导体。
对！~23.三极管是通过基极电流来控制集电极电流的。
对！~24.由于N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
大学电路课件-模拟电路基础PPT(含课件)
大学电路课件-模拟电路 基础PPT（含课件）
这个课件提供了关于模拟电路基础的全面介绍。从半导体材料到功率放大器， 涵盖了大量的概念和实际应用。让我们一起探索电路的神秘世界吧！
模拟电路基础介绍
什么是模拟电路？
学习电子学领域中模拟电路的定义和基本原理。
模拟信号与数字信号
了解模拟信号和数字信号之间的区别和应用。
RC滤波器和RL滤波器
1 RC滤波器
了解RC滤波器的设计和频 率响应特性。
2 RL滤波器
研究RL滤波器的特性和频 率选择性。
3 滤波器的应用
探索滤波器在模拟电路中 的应用场景和设计方法。
有源滤波器
1
有源滤波器原理
详细研究有源滤波器的工作原理和频率响应。
2
有源滤波器类型
了解各种有源滤波器的类型和设计原则。
1 理想放大器特性
了解理想放大器的特性和理论模型。
3 放大器的放大增益
详细研究放大器的增益计算和频率响应。
2 实际放大器非理想性
探讨实际放大器的非理想特性，如失真和噪 声。
4 放大器分类
介绍常见的放大器类型，如C类放大器和AB类 放大器。
负反馈与运算放大器
1
负反馈的概念
了解负反馈对放大器性能的影响和优点。
2
运算放大器基础
探索运算放大器的结构和基本运算原理。
3
运算放大器应用
研究运算放大器在各种电路中的应用，如滤波器和比较器。
双极性晶体管和场效应晶体管
双极性晶体管
介绍双极性晶体管的结构、 特性和工作原理。
场效应晶体管
解释场效应晶体管的不同类 型和应用场景。
模拟电路中的晶体管
探索晶体管在模拟电路中的 作用和使用。
这个课件提供了关于模拟电路基础的全面介绍。从半导体材料到功率放大器， 涵盖了大量的概念和实际应用。让我们一起探索电路的神秘世界吧！
模拟电路基础介绍
什么是模拟电路？
学习电子学领域中模拟电路的定义和基本原理。
模拟信号与数字信号
了解模拟信号和数字信号之间的区别和应用。
RC滤波器和RL滤波器
1 RC滤波器
了解RC滤波器的设计和频 率响应特性。
2 RL滤波器
研究RL滤波器的特性和频 率选择性。
3 滤波器的应用
探索滤波器在模拟电路中 的应用场景和设计方法。
有源滤波器
1
有源滤波器原理
详细研究有源滤波器的工作原理和频率响应。
2
有源滤波器类型
了解各种有源滤波器的类型和设计原则。
1 理想放大器特性
了解理想放大器的特性和理论模型。
3 放大器的放大增益
详细研究放大器的增益计算和频率响应。
2 实际放大器非理想性
探讨实际放大器的非理想特性，如失真和噪 声。
4 放大器分类
介绍常见的放大器类型，如C类放大器和AB类 放大器。
负反馈与运算放大器
1
负反馈的概念
了解负反馈对放大器性能的影响和优点。
2
运算放大器基础
探索运算放大器的结构和基本运算原理。
3
运算放大器应用
研究运算放大器在各种电路中的应用，如滤波器和比较器。
双极性晶体管和场效应晶体管
双极性晶体管
介绍双极性晶体管的结构、 特性和工作原理。
场效应晶体管
解释场效应晶体管的不同类 型和应用场景。
模拟电路中的晶体管
探索晶体管在模拟电路中的 作用和使用。
东软数字电路第一章数字逻辑电路基础知识
• 解：可先转换成十六进 制数，再直接写出二进 制数。
16 123456 余 0
16 7716 余 4
16 482 余 2
16
30 余 14即(E)H
16
1余 1
16
0
结果：
(123456)D=(1E240)H =(1 1110 0010 0100 0000)B
2．小数的转换 • 采用“乘基取整”法。将待转换数的基数反复乘
（2）数字电路中，器件常工作在开关状态，即饱和 或截止状态。
（3）数字电路研究的对象是电路输入与输出的逻辑 关系，即逻辑功能。
（4）数字电路的基本单元电路是逻辑门和触发器。
1.1 数字电路的特点
（5）数字电路的分析工具是逻辑代数，表达电路的 功能主要用功能表、真值表、逻辑表达式、卡诺图和 波形图。
东软数字电路第一章数字逻辑 电路基础知识
课程的性质及任务
1. 本课程是一门数字电路方面的入门技术基础 课，是研究各种数字电路基本单元、数字电 路分析方法及逻辑设计的一门应用性很强学 科。
2. 学生通过本课程的学习，掌握一些有关数字 电路的基本理论、分析方法和基本技能，培 养学生分析问题、解决有关电子电路问题的 能力，为今后进一步学习打下一定的基础。
• 注意：当二进制数转换为十六进制数时，以小数
点为界，整数部分自右向左每四位一份，不足前 面补0；小数部分从左向右每四位一份，不足后面 补0。
三. 十进制数→二进制数、十六进制数 1．整数的转换
• 整数转换一般采用“除基取余”法。用基数除整数，
得商再被基数除，直至商为0；每除一次取余数，
依次从低排向高。由余数排列的数就是转换的结果。
Interchange美国标准信息交换码) 是用7位二进制数码表示
16 123456 余 0
16 7716 余 4
16 482 余 2
16
30 余 14即(E)H
16
1余 1
16
0
结果：
(123456)D=(1E240)H =(1 1110 0010 0100 0000)B
2．小数的转换 • 采用“乘基取整”法。将待转换数的基数反复乘
（2）数字电路中，器件常工作在开关状态，即饱和 或截止状态。
（3）数字电路研究的对象是电路输入与输出的逻辑 关系，即逻辑功能。
（4）数字电路的基本单元电路是逻辑门和触发器。
1.1 数字电路的特点
（5）数字电路的分析工具是逻辑代数，表达电路的 功能主要用功能表、真值表、逻辑表达式、卡诺图和 波形图。
东软数字电路第一章数字逻辑 电路基础知识
课程的性质及任务
1. 本课程是一门数字电路方面的入门技术基础 课，是研究各种数字电路基本单元、数字电 路分析方法及逻辑设计的一门应用性很强学 科。
2. 学生通过本课程的学习，掌握一些有关数字 电路的基本理论、分析方法和基本技能，培 养学生分析问题、解决有关电子电路问题的 能力，为今后进一步学习打下一定的基础。
• 注意：当二进制数转换为十六进制数时，以小数
点为界，整数部分自右向左每四位一份，不足前 面补0；小数部分从左向右每四位一份，不足后面 补0。
三. 十进制数→二进制数、十六进制数 1．整数的转换
• 整数转换一般采用“除基取余”法。用基数除整数，
得商再被基数除，直至商为0；每除一次取余数，
依次从低排向高。由余数排列的数就是转换的结果。
Interchange美国标准信息交换码) 是用7位二进制数码表示
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uo RL
t
二、电容滤波电路的特点
(1) 输出电压 Uo与放电时间常数 RLC 有关。
RLC 愈大 电容放电愈慢 Uo(平均值)愈大 T τ R C ( 3 5 ) 一般取 d (T:电源电压的周期) L 2 近似估算:Uo=1.2U2。
(2) 流过二极管瞬时电流很大。
RLC 越大 Uo越高 负载电流的平均值越大 ; 整流管导电时间越短 iD的 I 1 Uo 峰值电流越大,故一般选管时，取 I DF ( 2 ~ 3) L ( 2 ~ 3) 2 2 RL
U Im ax U z IL min I ZM R
I DZ I R I L
U Im ax U Z Rmin I ZM I L min
稳压管的最 大电流
例题1 已知UI=15V，负载电流为10—20mA，稳压管的 稳定电压UZ=6V，最小稳定电流IZmin=5mA，最大稳定 电流IZmax=40mA，求解R的取值范围。
最 小 稳 定 电 流
最大稳 定电流
一、电路组成
IL
UI UR UO
I R I DZ I L
UO U Z
三、 电路参数的选择
已知UO，IL的变化范围,UI 的波动范围。 1. UI 的选择 UI =（2~3）UO 2. 稳压管的选择
UZ=UO IZM – IZ > ILmax - ILmin
求负载电流的变化范围
I L max U Z / RL min 5 / 250 0.02A
I L min U Z / RL max 5 / 350 0.0143 A
Rmax
U Im in U Z I Z min I L max
Rmin
U Im ax U Z I Z max I L min
u2
D4
D3 D1 C D2 + –
S uo RL
b
桥式整流电容滤波电路
a
u1 u1
u2
D4
D3 D1 C D2 + –
S uo RL
b
1. RL未接入时(忽略整流电路内阻) u2
设t1时刻接 通电源 整流电路为 电容充电
t1 uo 充电结束
没有电容 t 时的输出 波形
t
a
u1 u1
u2
D4
D3 D1 C D2 + –
t
uo
uD4,uD2
t
§10.2 整流电路的主要参数
1. 整流输出电压平均值（Uo） 全波整流时，负载电压 Uo的平均值为:
1 Uo 2
2
u d (t )
o 0
2 2U 2
0.9U 2
负载上的(平均)电流:
0.9U 2 IL RL
§10.3 滤波电路
交流 电压
整流
滤波电路: 将脉动直流电压u3转变为平滑的直流电压u4。 稳压电路: 清除电网波动及负载变化的影响,保持输出 电压uo的稳定。
§10.2 整流电路
整流电路的任务：把交流电压转变为直流脉动的电压。 常见的小功率整流电路，有单相半波、全波、桥式 和倍压整流等。
§10.2.1 单相半波整流电路的工作原理
第十章 直流稳压电源
§10.1 §10.2 §10.3 §10.4 直流稳压电源的组成和作用 整流电路 滤波电路 稳压管稳压电路
§10.1 直流稳压电源的组成和作用
u1
u2
整 流 u3 电 路
滤 波 u4 电 路
稳 压 电 路
uo
电源变压器: 将交流电网电压u1变为合适的交流电压u2。
整流电路: 将交流电压u2变为脉动的直流电压u3。
IZM ≥ ILmax+IZ
3. 限流电阻R的选择
I Z I DZ I ZM
I DZ min I Z
U Im in U z IL max I z R
Rmax U Im in U Z I Z I L max
稳压管的最 小电流
U I U Z IR R
I DZ max I Z max
T
A
u2负半周时 电流通路
D4 D1
u1
u2
RL D2
D3
B
u0
+
桥式整流电路
uo u2
桥式整流电路输出波形及二极管上电压波形 A D u2 B
u2
uD3,uD1
t
4
D3
D1
RL uo
u2>0 时
u2<0 时
D
2
D1,D3导通 D2,D4导通 D2,D4截止 D1,D3截止 电流通路: 电流通路: A D1 B D2 RLD3B RLD4A 输出是脉动的直流电压
(3) 二极管上承受的最高电压： U RM (4) 输出电压平均值（Uo）：
1 Uo uo d (t ) 2 0
2U2
2U 2
0.45U 2
§10.2 单相桥式整流电路（全波）的 工作原理 u2正半周时
T
+
A
电流通路
u1
u2
D4 D1
RL uo D2
D3
B
桥式整流电路
uo u 2
S uo RL
b
2. RL接入时 (忽略整流电路内阻) u2 电容通过R 放电，当
L
整流电路电压小于电 容电压时，二极管截 止，整流电路不给电 容充电，uo会逐渐下 降。
t
uo t
a u1 u1 u2 D4 D3 b 3. RL接入时 (考虑整流电路内阻) u2 电容充电时，电容 电压滞后于u2。 uo t D1 C D2 + – S
T u1 a
D
iL
＋
u2 >0 时，二极管导通 RL uo 忽略二极管正向压降： u o =u 2
u2
b T u1
a
－
D iL=0 RL uo
－
u2
＋
u2<0时，二极管截 止,输出电流为0。 uo=0
b
(1) 输出电压波形：
uo
t
T
a u2 b
D
u1
(2) 二极管上的平均电流：
RL
ID = IL
Rmax
U Im in U Z I Z min I L max
Rmax
U Im in U Z I Z I L max
Rmin
U Im ax U Z I Z max I L min
例题2 已知UI=12V，电网电压允许波动范围为±10% ，稳压管的稳定电压UZ=5V，最小稳定电流IZmin=5mA ，最大稳定电流IZmax=30mA，负载电阻为250—350欧 姆，求解R的取值范围。
结论：电容滤波电路适用于输出电压较高，负载电 流较小且负载变动不大的场合。
10.4 稳压管稳压电路
稳压二极管的伏安特性及主要参数 稳压工作区： IZ ≤ IDZ ≤ IZM 额定功耗 稳定电压
PZM I ZM U Z
Δ IZ
稳压条件： 1、稳压管必须工作在反向击 穿状态（稳压工作区）。
？
2、稳压管必须和串连的限流 ΔUZ 电阻一起使用才能完成稳压。
脉动 直流电压
滤波
直流 电压
滤波电路的结构特点: 电容与负载 RL 并联，或 电感与负载RL串联。 原理：利用储能元件电容两端的电压(或通过电感 中的电流)不能突变的特性, 滤掉整流电路输 出电压中的交流成份，保留其直流成份，达 到平滑输出电压波形的目的。
§10.3.1 电容滤波电路
一、滤波原理
a u1 u1