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电子陶瓷结构基础

电子陶瓷结构基础
hcp与fcc旳配位数均为12,空间占用率(密堆度)为 74.05%。
§1-2 球旳密堆积原理及配位数
hcp:一种球周围有6个八面体空隙及8个四面体空隙, 但只有1个八面体空隙和2个四面体空隙属于一种球体。
四面体空隙
八面体空隙
§ 1-2 球旳密堆积原理及配位数
fcp:一种球周围4个八面体空隙,8个四面体空隙。
确切旳说,d为离子(或原子)旳作用范围旳大小。
第6章 Internet应用基础
§ 1-1原子间旳结合力
怎样经过核间距计算正、负离子半径: 假设正、负离子不等径圆球刚好相切 :d=r++r根据光学法所得旳F-和O2-旳半径分别为133pm和 132pm,推算其他离子半径:(哥希米德半径)
例如: • NaF:d=231pm,Na+半径=231-133=98pm • NaCl:d=279pm,Cl-半径=279-98=181pm
确切旳说,d为离子(或原子)旳作用范围旳大小 。实际晶体中正负离子并不是相互接触旳,故测得旳 离子半径又称为有效离子半径。
同一化合物体系中最佳引用同一作者旳半径。
第6章 Internet应用基础
§ 1-1原子间旳结合力
按照元素周期表旳顺序,我们来考察离子半径旳变化 规律,结论如下:
原子序数相近时,负离子半径不小于正离子半径。 具有相同电子排布旳离子,如Na+、Mg2+、Al3+, 离子价数愈高,离子半径愈小。 同种原子形成不同价态旳离子时,高价离子半径 不不小于低价离子半径。 La系、Ac系外,具有相同价数旳同族(主族、付 族分别考虑)离子,原子序数越大,半径越大。
r0 )]2
[2 3
3r0 ]2
r 6 1 0.225 r0 2

电子陶瓷工艺学讲稿(2020年春)

电子陶瓷工艺学讲稿(2020年春)

2020/6/22
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Cerampiocts:tEe陶artyh瓷ean:wnd陶arep器/oPro、ctte炻elra器yi,Snt/o、/nec瓷wera器raem,Piocrscelain
一、陶瓷的定义及其类别 China
1、陶瓷的定义
陶瓷:经过高温热处理工艺的无机非金属材料。普陶/特陶
特种陶瓷Jo:ur采na用l o高f t度he精Ch选in的es原e C料er,am具ic有S能oc精iet确y 控制的化学 组成,按照便于进th行e C结h构ine设se计C及era控m制ic制So造cie的ty方法进行制造、加 工的,具有优异特性的陶日瓷本。窯业協会誌
▲(粘土泥浆)常用解胶剂:NaOH,纯碱、水玻璃、三聚磷酸钠、腐 植酸钠等。
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胶团结构示意图
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改善坯料性能的添加剂
2、结合剂(包括塑化剂):用来提高可塑泥团的塑性, 增强生坯的强度。
(1)粘合剂:有机物及其溶液。如聚乙烯醇(PVA) 、聚 醋酸乙酯、石蜡、羧甲基纤维素、聚乙二醇、糊精等。
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§1-3 电子瓷瓷料的制备
一、固相法
1、高温固相反应法(PZT\PLZT\PT等)
▲优点:工艺简单,成本低
▲缺点:合成原料纯度低,颗粒粗,活性差
2、分解法
▲优点:合成原料纯度高、颗粒较细、活性较好,工艺简单,成本低
▲缺点:需选择合适的原料
3、燃烧法(自曼延法)——与高温固相反应法类似
AOg=A/Vρ=6/(dρ) (m2/kg 或m2/g)
AOV= AOgρ
等效粒径d=6/ AOV= 6/ρAOg
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《电子陶瓷制备》PPT课件

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通常指的是无引线或引线很短的适于表面组 装 的 片 式 微 小 型 电 子 元 件 、 器 件 ( Surface Mounting Device,简称SMD)。
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36
什么是SMT?
Surface mount 与传统工艺相比SMT的特点:
Throughhole 高密度 高可靠 低成本 小型化 生产的自动化
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(2) 原料粒度
指粉粒直径大小,作为陶瓷的粉料,其粒度通常 在0.1~50微米之间。一般而言,粉料的粒度越 细,则其工艺性能越佳。
当采用挤制、扎膜、流延等方法成型时,只有当 粉料达到一定细度,才能使浆料达到必要的流动 性、可塑性,才能保证制出的坯体具有足够的光 洁度、均匀性和好的机械强度。
粒度越细,烧结温度越低
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粉料颗粒尺寸:
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(3)混合与粉碎方式:
物料的混合与粉碎是影响产品质量的 重要工序,作为混合粉碎的机械有: 球磨机、砂磨机、强混机、气流磨、 粉碎机等几种,目前使用最多的是球 磨机和砂磨机。
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(4) 成型
定义:将固体颗粒加工成为具有特定形状 制品的生产过程。
一块集成电路的稳定性和使用寿命,在很 大程度上取决于它的基片或管壳的性能;
一个自动控制系统的调节范围、精度和灵 敏度等主要指标,都取决于传感器的性能,而 制造传感器的主要材料是功能陶瓷;
一台大型计算机的运算速度主要取决于磁
性记忆元件。
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5
3.2 电子陶瓷制造中的工艺控制
产品性能的优劣取决于二方面的影响: 内因,主要指原料的纯度(含杂量)、组成、形貌(颗粒
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2014电子陶瓷第三章第一讲

2014电子陶瓷第三章第一讲

固态相变:固态物质在温度、压力、电场、磁 场改变时,从一种组织结构转变成另一种组织 结构。
固态相变中的变化:晶体结构, 化学成分 有序程度
固态相变类型:扩散型,无扩散型 固态相变驱动力:新相与母相的自由能差
3.1 Gibbs相律
Gibbs 相律( phase rule )是热力学平衡状态 下系统中自由度与组元和相数间关系的规律。 在任何热力学平衡系统中,体系的自由度 f 、 独立组元数N 和相数目P之间有关系:
根据相图可以判断材料的平衡组织 组织是指在显微镜下观察,具有独特形态的组成 部分。
组织由相组成,有单相组织和两相组织,无论单 相或两相组织,由于相的形状、分布不同,在显 微镜下特征不同,因而显示不同的组织。
实际应用中的二元或者三元相图是很复杂的, 不过它们都是由一些最基本的类型复合叠加起 来的。 必须熟练地掌握相图的基本类型,以便具有分析 复杂相图的能力。
当一个新相形成时,是以微小液滴或微小晶粒 出现.
因颗粒很小,其饱和蒸汽压和溶解度远远高于 平衡状态的蒸汽压和溶解度,在相平衡温度下, 这些微粒还未达到饱和就被重新蒸发和溶解。
1)亚稳区具有不平衡状态的特征,是物相在理 论上不能稳定存在,而实际上却能存在的区域; 2) 在亚稳区内,系统不能自发产生新相,要产
相平衡问题 有几相—服从相律 哪几相、组成如何—用相律分析相图 相图(phase diagram) 表达多相体系的状态如何随温度、压力、组成 等强度性质变化而变化的图形。
材料的相组成取决于成分和温度。
相图就是用来表示材料相的状态和温度、成分 之间关系的综合图形。 相图所表示的相的状态是平衡状态,因而是在 一定温度、成分条件下热力学最稳定、自由焓 最低的状态。
对于一级相变,两相平衡时有:

《电子陶瓷》PPT课件

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2
P- and N- type S.M
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3
Bands for Doped Semiconductors
The application of band theory to n-type and p-type semiconductors shows that extra levels have been added by the impurities. In n-type material there are electron energy levels near the top of the band gap so that they can be easily excited into the conduction band. In p-type material, extra holes in the band gap allow excitation of valence band electrons, leaving mobile holes in the valence band.
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Depletion Region
When a p-n junction is formed, some of the free electrons in the n-region diffuse across the junction and combine with holes to form negative ions. In so doing they leave behind positive ions at the donor impurity sites. Depletion region is a non-conducting layer

电子陶瓷工艺基础课程(PDF 31页)

电子陶瓷工艺基础课程(PDF 31页)
电子材料常用原料,一般化工原料采用化学组成分级。
工业纯(IR) Industrial Reagent
9Hale Waihona Puke .0%化学纯(CP) Chemical Purity
99.0%
分析纯(AR) Analytical Reagent
99.5%
光谱纯(GR) Spectrum Reagent
99.9%
电子级原料
专用
• 其中成本包括施工时间、施工人员数量、工装 设备投入、质量损失等多个方面。
• 通常工艺定义如下:技术人员利用生产工具对 各种原材料、半成品进行加工和处理,改变它 们的几何形状、外形尺寸、表面状态、内部组 织、物理和化学性能以及相互关系,最后使之 成为预期产品的方法及过程。
什么是工艺流程?
• 工艺流程在英文中是“ Process Flow”。工艺 和工艺流程,一般是指产品制造阶段的流程; 所以也常称为制造工艺流程(Manufacturing Process)。
MLC瓷料

粘合剂
稀释剂


配料


流延、印刷


印刷电极

叠片
MLC

匀压


切割


烧结


端电极
包封
第一章 电子材料制备原理
1.晶相结构 电子材料的优良特性主要决定于
2.制备工艺
例如:ZnO 压敏半导瓷 主晶相性能方面—六方纤锌矿结构,本征特性为半
导性。 制备工艺方面—ZnO压敏半导瓷对外加电压有一定
• 工艺规程是组成技术文件的主要部分,是工艺装 备、材料定额、工时定额设计与计算的主要依据, 是直接指导操作的生产法规,它对产品成本、劳 动生产率、原材料消耗有直接关系。

电子陶瓷总复习

电子陶瓷总复习

电子陶瓷总复习
Pb(ZrxTi1-x)O3中,存在有高温铁电相和低 温铁电相间的相变,它们均为三方结构。发生 相变时,晶体中的氧八面体发生旋转。在三方 与四方相界上,只要组分有微小改变,均会发 生结构相变. 准同型相变(Morphotropic Phase Transition, MPT):伴随组分变化而引起的相变.此相界称为 准同型相界(Morphotropic Phase Boundary, MPB )
第二章 电子陶瓷的结构
3.2、Ilmenite Structure: A6B6X43 MgTiO3;MnTiO3、ZnGeO3等
3.3、Perovskite Structure: A12B6X63 SrTiO3、LaAlO3、PbTiO3、Ba(Zn, Nb)O3、Pb(Mg,Nb)O3等
3.4、Pyroxene Structure:A6B4X3 如 MgSiO3、LiAl(SiO3)2等
3、电子陶瓷的原子结构的特点 两大类五种结合键。 强键(化学键)—金属键、离子键、共 价键 原子外层电子进行重新分布 弱键(物理键)—范德瓦尔斯键、氢键 原子外层电子没有(或只有很小)变化
电子陶瓷总复习
混合键 实际材料中,特别是陶瓷、半导体等往往是由 离子键和共价键混合形成的键结。
确定AB组成的化合物中共价键的比例p可由下式 决定: p=exp[-(Ea-Eb)2/4)]
不同的极化机制,有不同的TK : 对电子式极化: T 上升, 降低,极化 强度下降, TK为负;
对离子式极化:T上升,离子极化率增 加,TK为正。
电子陶瓷总复习
第五章 电子陶瓷制备工艺原理
1、了解电子陶瓷制备工艺流程
电子陶瓷的制备过程大致可分为备料计 算、粉料加工、成型、排胶、烧结、机械 加工、表面金属化等基本工序。

压电陶瓷基本知识 ppt课件

压电陶瓷基本知识  ppt课件
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压电陶瓷基本知识
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1
压电陶瓷的基本知识
发展历史 压电陶瓷的基本概念 压电陶瓷的主要性能参数 压电陶瓷的制作工艺 压电陶瓷的应用 市场发展前景与方向
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2
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压电陶瓷是什么?
压电陶瓷是一种具有压电效应的多晶体。因生产工 艺和陶瓷相近而得名。
12
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压电陶瓷的基本概念
正压电效应

气体喷嘴


线
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磷压 外 叩
压铜 电 壳 击
电片 振





压电陶瓷点火示意图
13
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压电陶瓷的基本概念
逆压电效应
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节点支承 边缘支承 中心支承
压电蜂鸣器工作示意图
石英晶体和压电陶瓷的比较
石英晶体:一种单晶体,本身具有压电效应,居里点温 度高(高达573℃),稳定性好,精度高(精度可以达到小 数点后六位数),无热释电现象,工艺简单。但压电常数 小,成本高(相同的频点,石英要高4~10倍以上)。
压电陶瓷:一种多晶体,需要极化后才具有压电效应, 压电常数大,成本低。但居里点温度低(120~360℃),精 度低(精度只能满足到小数点后三位),制作工艺较为复杂 ,稳定性不如石英晶体,有热释电现象,会给传感器带来 热干扰。

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7
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压电陶瓷的基本概念
三 铁电晶体中存在着自发极 个 化方向不同的小区域,那 重 些自发极化方向相同的区 要 域称为电畴(黑色粗线为 概 畴壁)。 念
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相变也是充满意外发现的领域,
如超导(1911年)、超流都是科学 史上与相变有关的重大发现。
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相变、相平衡是热力学在物理化学领域中的重 要应用之一。研究多相体系的平衡与变化在物理、 化学、材料的科研和生产中有重要的意义,例如: 溶解、蒸馏、重结晶、萃取、提纯、晶体生长及金 相分析等方面都要用到相平衡的知识。
系统内没有化学平衡和其他浓度限制条件存在。 因此构成这个相平衡系统的最少的可任意选择 的物种就是水和乙醇。
所以独立组分数C=2
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例(3)、由任意PCl5(g)、PCl3(g)和 Cl2(g) 构成的平衡系统; 构成系统的物质为 PCl5(g)、PCl3(g)和Cl2(g) 并且在此相平衡系统中存在下列化学平衡关系
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c、系统中物种数目S是相对的,而系统中的独立 组分数是一定的。
NaCl溶于水
S R R’ C
NaCl+H2O
2
Na++Cl++H2O
3
Na++Cl-+H++OH-+ 5
H2O
002 012 122
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(5)、自由度:确定平衡系统的状态所需要的独立可 变的强度性质(如温度、压力和组成等)称为自由 度,记为“f ” “独立”的含义:指这些强度性质在一定范围内任意 变化,不会引起系统内部相的数目的变化,即不会 引起新相的产生以及旧相的消失。
所以 R’=1
因此,系统内只要有PCl5,就能构成这个相平衡系统。
所以该系统的独立组分数 C=3-1-1=1
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由上述几例可归纳出系统的独立组分数C满足以 下关系式:
C=S-R-R’
对于同时进行多个化学反应的复杂系统,R=S-e (S>e),其中e为组成所有物种S的元素总数目
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所以 S=3 依然存在上例化学平衡关系式
所以 R=1
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但是, PCl5(g)分解产生的PCl3(g)与Cl2(g)之间,其浓 度相等,即[PCl3]:[Cl2]=1:1。这个比例关系不是化学 平衡常数所能确定的。通常将这种比例关系式的数目 称为其他浓度限制条件数,以R‘表示。
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说明:
a、R必须是独立的化学平衡1 2
O2
(g)
(3)
:
CO(
g
)
1 2
O2
(
g
)
(4) : C(石墨) CO2 (g)
CO( g )
CO2 (g) 2CO( g )
不全都独 立
(3)=(1)-(2);(4)=2(2)-(1)
根据代数原理,变量之间存在一个依赖关系,则 独立变量数目减少一个。所以R=2
化学平衡关系的数目以“R”表示 则R=1
在一定条件下,三种气体的浓度之间必须满足化学平 衡常数所确定的关系,即
Kc [PCl3 ][Cl2 ]/[PCl5 ]
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因此,只要知道任意两种气体的浓度之后,第三种气 体的浓度也就随之确定了。
所以,C=2
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例(4)、由PCl5分解达到平衡的系统 构成系统的物质为 PCl5(g)、PCl3(g)和Cl2(g)
第三章 电子陶瓷的相变与相图
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1
相变是自然界普遍存在的一种突变现象,也是物理化学中充满 难题和机遇的领域之一。
相变现象丰富多彩,如大海里的万顷碧波,初秋早晨湖面上的袅 袅轻烟和高山上的缕缕薄雾,夏天黄昏时万里云空中的朵朵彩云 及冬日雪后琳琅满目的雪花和冰晶便是水的各种相态。由此可见 自然界中相变的千姿百态之一斑。
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相图种数繁多,各式各样,但是它们都必须遵守共同 的热力学规律—相律。
相律是研究多相平衡系统中相数、独立组分数与自由 度之间关系的规律。
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相是在热力学平衡态下,物理化学性质 完全相同的均匀部分。
一种物质的同一物态可包括几种不同的相 如同一物质的晶型转变
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本章主要解决的问题:
相平衡问题 有几相—服从相律 哪几相、组成如何—用相律分析相图
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3
研究相平衡的方法有函数法和图形法。 函数法是根据热力学基本关系式推导出系统的温度、压力与各 相组成的定量关系。
对于理想系统,这种定量关系很容易推导,但是对于非理想情 况,则很难实现。
因此需要寻求其他方法。
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图形法则直接将实验测得的多相平衡系统的温度、压 力及各相组成的关系用图形(相图)表示出来。
相图(phase diagram) 表达多相体系的状态如何 随温度、压力、组成等强度性质变化而变化的图形, 称为相图。
由于相图可直接由实验数据绘出,因此,用相图研究 相平衡及相变化时具有直观、方便、形象的优点。是 研究相平衡的重要工具。
(注:通常情况下,C≠S)
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例:(1)、由水构成的平衡系统; 构成系统的物质仅为水。∴S=1
系统内没有化学平衡和其他浓度限制条件存在。 因此构成这个相平衡系统的最少的可任意选择 的物种就是水。所以独立组分数C=1
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例(2)、由水+乙醇构成的平衡系统; 构成系统的物质为水和乙醇。∴S=2
8
一个多相平衡系统通常是由若干种物质构成。
(3)、物种数:系统中存在的化学物质的种类数称为 物种数,记为“S”
(4)、独立组分:足以确定一个多相平衡系统中 各相组成所需的最少的可任意选择的独立物种称为 独立组分,或简称为组分。系统中所包含的独立组 分的数目则称为独立组分数(或组分数),记为 “C”
7
根据热力学系统内相数的多少,可将其分 成单相系统和多相系统。
单相系(均相系统):只有一个相。 如水和酒精的混合物空气和水汽的混合物 都是单相系。
复(多)相系(非均相系统):包含一个以 上的相。各部分的性质有差别且有一定的 边界可分。一个复相系可分为若干个均匀 部分,每一均匀部分为一个相。
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b、R’是与化学反应有关但平衡常数未能包含的其他 独立浓度限制条件数。也就是说不包含相平衡和化
学平衡已经确定的浓度限制条件,如浓度限制及电
中性限制条件。通常在同一相中使用。 例:
CaCO3(s) = CaO(s)+CO2(g)
体系的纯化学物种S=3, 独立的化学反应总数目R=1, 独立的物质浓度关系的总数目R′= 0。 由式(3-2),体系的组元数为C=3-1-0=2.
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