微机原理课件 第五章 存储器暗灰
合集下载
微机原理课件第五章存储器暗灰
铁电存储器的缺点
耐久性有限、数据保持时间较短等。
磁性随机存取存储器(MRAM)
01
总结词
磁性随机存取存储器是一种基 于磁隧道结的存储器,利用磁 性材料的磁化方向来存储数据 。
02
详细描述
MRAM利用磁隧道结中的磁性 材料在磁场作用下的磁化方向 来存储数据,通过读取磁隧道 结的电阻值来确定存储的数据 。MRAM具有非易失性、高速 读写、低功耗等优点。
紫外线擦除可编程只读存储器(EPROM)
总结词
一种可重复编程的存储器,通过紫源自线擦除 数据。详细描述紫外线擦除可编程只读存储器是一种可重复 编程的只读存储器。用户可以根据需要将数 据写入存储器中,写入后可以通过紫外线照 射来擦除数据,然后重新编程。这种存储器 适用于需要频繁更新数据的场合,如实验设 备、测试仪器等。
低功耗要求
嵌入式系统通常需要长时 间运行,因此存储器需要 具备低功耗特性,以降低 系统能耗。
其他领域的应用
通信领域
存储器用于存储通信协议 、控制信息等,保证通信 系统的稳定性和可靠性。
航空航天领域
存储器用于存储飞行控制 程序、导航数据等关键信 息,保证航空航天器的安 全运行。
物联网领域
存储器用于存储传感器数 据、设备配置信息等,实 现物联网设备的远程监控 和管理。
高可靠性、低功耗、快速读取 速度、可重复编程等。
写入速度较慢、写入周期有限 制等。
铁电存储器(FRAM)
总结词
铁电存储器是一种非易失性随机存取存储器,利用铁电材 料的特殊性质来存储数据。
铁电存储器的优点
高速读写、低功耗、非易失性等。
详细描述
铁电材料具有电滞回线特性,能够通过改变材料内部的极 化状态来存储数据。FRAM的读写速度与RAM相近,但 具有非易失性,能够在断电后保持数据。
耐久性有限、数据保持时间较短等。
磁性随机存取存储器(MRAM)
01
总结词
磁性随机存取存储器是一种基 于磁隧道结的存储器,利用磁 性材料的磁化方向来存储数据 。
02
详细描述
MRAM利用磁隧道结中的磁性 材料在磁场作用下的磁化方向 来存储数据,通过读取磁隧道 结的电阻值来确定存储的数据 。MRAM具有非易失性、高速 读写、低功耗等优点。
紫外线擦除可编程只读存储器(EPROM)
总结词
一种可重复编程的存储器,通过紫源自线擦除 数据。详细描述紫外线擦除可编程只读存储器是一种可重复 编程的只读存储器。用户可以根据需要将数 据写入存储器中,写入后可以通过紫外线照 射来擦除数据,然后重新编程。这种存储器 适用于需要频繁更新数据的场合,如实验设 备、测试仪器等。
低功耗要求
嵌入式系统通常需要长时 间运行,因此存储器需要 具备低功耗特性,以降低 系统能耗。
其他领域的应用
通信领域
存储器用于存储通信协议 、控制信息等,保证通信 系统的稳定性和可靠性。
航空航天领域
存储器用于存储飞行控制 程序、导航数据等关键信 息,保证航空航天器的安 全运行。
物联网领域
存储器用于存储传感器数 据、设备配置信息等,实 现物联网设备的远程监控 和管理。
高可靠性、低功耗、快速读取 速度、可重复编程等。
写入速度较慢、写入周期有限 制等。
铁电存储器(FRAM)
总结词
铁电存储器是一种非易失性随机存取存储器,利用铁电材 料的特殊性质来存储数据。
铁电存储器的优点
高速读写、低功耗、非易失性等。
详细描述
铁电材料具有电滞回线特性,能够通过改变材料内部的极 化状态来存储数据。FRAM的读写速度与RAM相近,但 具有非易失性,能够在断电后保持数据。
微机原理与接口技术课件第五章ppt课件
a.CPU总线的带负载能力 b.存储器与CPU之间的速度匹配 c.存储器组织、地址分配和译码
(2) 8086CPU与典型存储器的连接
a.8086CPU与只读存储器的连接 b.8086CPU与静态RAM(SRAM)的连接
c.8086CPU与动态RAM(DRAM)的连 接
§5.3主存储器扩展技术
1、存储器容量的形成
(1)用2114组成1K×8位RAM(位扩展)
来自译码 A9 ~ A0 地址总线
数 D0 据 总 线 D7
CS
AC9-SA0
/
2114 1K×4
I/O
CS
/ AC9S-A0
2114
1K×4 I/O
用 2114 组成 1K×8 位 RAM
(2)用2114组成2K×8位RAM (位、字节 扩展)
(组1)
/Y3
译码器 /Y2
A15A14
/Y1 /Y0
锁存器
A13A1
2764 2764 2764 2764 6164 6164 6164 6164 /BHE A0
D15D0
驱动器 D7-D0
D15D8
后面内容直接删除就行 资料可以编辑修改使用 资料可以编辑修改使用
资料仅供参考,实际情况实际分析
主要经营:课件设计,文档制作,网络软件设计、 图文设计制作、发布广告等
A10 (组2)
A10
1
A9 ~ A0 地址总线
数 D0 据 总 线 D7
CS
2114 1K×4
I/O
CS
2114 1K×4
I/O
CS
2114 1K×4
I/O
CS
2114 1K×4
I/O
2、存储器的寻址 线选法 、全译码片选法、局部译码片选法
(2) 8086CPU与典型存储器的连接
a.8086CPU与只读存储器的连接 b.8086CPU与静态RAM(SRAM)的连接
c.8086CPU与动态RAM(DRAM)的连 接
§5.3主存储器扩展技术
1、存储器容量的形成
(1)用2114组成1K×8位RAM(位扩展)
来自译码 A9 ~ A0 地址总线
数 D0 据 总 线 D7
CS
AC9-SA0
/
2114 1K×4
I/O
CS
/ AC9S-A0
2114
1K×4 I/O
用 2114 组成 1K×8 位 RAM
(2)用2114组成2K×8位RAM (位、字节 扩展)
(组1)
/Y3
译码器 /Y2
A15A14
/Y1 /Y0
锁存器
A13A1
2764 2764 2764 2764 6164 6164 6164 6164 /BHE A0
D15D0
驱动器 D7-D0
D15D8
后面内容直接删除就行 资料可以编辑修改使用 资料可以编辑修改使用
资料仅供参考,实际情况实际分析
主要经营:课件设计,文档制作,网络软件设计、 图文设计制作、发布广告等
A10 (组2)
A10
1
A9 ~ A0 地址总线
数 D0 据 总 线 D7
CS
2114 1K×4
I/O
CS
2114 1K×4
I/O
CS
2114 1K×4
I/O
CS
2114 1K×4
I/O
2、存储器的寻址 线选法 、全译码片选法、局部译码片选法
微机原理及接口技术第五章存储器精品PPT课件
200mW6,2典12型8存: 取1时6K间×8位D1(14根12 地址线17) D5
为 装2。00n6s2,2双56列:直3插2式K 封×8G位NDD2
(151根3 地址线16 )
14
15
D4 D3
6264或6164引脚图
二. 存储器的地址选择及连接 (续)
1. 线性选择方式(法简称线选法)(续)
一. CPU与半导体存储器连接中的几个要点 二. 存储器的地址选择及连接 小结 三. EPR0M与CPU的连接方法
第一节 概 述
一、存储器的分类 二、存储器的主要性能指标 三、存储系统的层次结构—速度,容量,成本的统一
一、存储器的分类
1. 按用途分
内部存储器(主存储器):
用途:存放当前运行所需信息。 特点:速度快,容量小,价格高。
刷新地址
计数器 地址总线
地址多路器 地址
C P U
刷新定时器
仲裁
RAS
定时 CAS
提D供RAS, CARS,WE信号
A M
读/写
电路
发生器 WR
确定存储器请求和 刷新信号的优先权
数据缓冲器
三、随机存取存储器RAM (续)
4. 动态RAM接口特性
Intel 2164是64K*1的DRAM芯片,内部有4个128*128基本存储
外部存储器(辅助存储器):
用途:存放当前暂不参与运行的文件、数据。 特点:容量大、价格低、速度慢。
一、存储器的分类 (续)
激光光盘存储器
2. 按存储介质分 半导体存储器
磁芯
磁泡
磁存储器
磁鼓
磁带
磁盘
一、存储器的分类 (续)
3.内部存储器 按性质分
微原课件 第5章
3. 对存储容量的要求
微机所需的存储容量与存储器芯片本身的存储容量不是同一 个概念。微机所需的存储容量是由实际应用系统的应用程序和实 时数据的数量决定的,而存储器芯片的存储容量是存储器固有的 参数,不同型号的存储器的存储容量也不同。一般说来,在应用
系统所需存储容量不变的前提下,若所选存储器本身存储容量越
5.2 随机存取存储器(RAM)(P209 )
用来存放数据或指令,是计算机的重要记忆存储部件。其特点 是:在微机系统的工作过程中,可以随机地对其中的各个存储单元 进行读/写操作,读写方便,使用灵活;缺点为断电后RAM内存 储的信息会丢失,RAM是易失性存储器。
RAM的分类: 按器件类型RAM可分为双极型和MOS型两种。 按结构和工作原理可分为静态(SRAM)和动态 (DRAM) 两种(工作原理见后两页)。 双极型RAM:工作速度快,工艺复杂,成本高,集成度低。 适合于高速RAM。 MOS型RAM:制造工艺简单,成本低,功耗小,集成度高, 工作速度比双极型RAM低。适合于大容量的RAM。
(2)只读存储器ROM (Read-Only Memory)
在微机系统的运行过程中,只能对其进行读操作,而不能 进行写操作的一类存储器。ROM通常用来存放固定不变的程序、 汉字字型库、字符及图形符号等。
随着半导体技术的发展,只读存储器也出现了不同的种类, 如可编程的只读存储器PROM(Programmable ROM),可擦除的 可编程的只读存储器EPROM(Erasible Programmable ROM)和 E2PROM(Electric Erasible Programmable ROM)以及掩膜型只 读存储器MROM(Masked ROM)等,近年来发展起来的快擦型 存储器(F1ash Memory)具有E2PROM ( EEPROM )的特点。
微机原理与接口技术PPT第5章 存储器知识课件
DRAM芯片 Intel2164
NC 1 DIN 2 WE 3 RAS 4 A0 5
16 15
Vss (+5V) CAS
•
A(0复~用A7):地址线
14 DOUT 13 A6
• DIN:数据输入 DOUT :输入输出
12 A3
• WE :读写控制
A1 6 11 A4
信号
A2 7 GND 8
10 A5 9 A7
2020/10/1
EPROM芯片 Intel2764
Intel 2764 8K×8
2020/10/1
• A0~A12 :地址线 • O0~7:数据线 • PGM:编程脉冲控制端
,输入,连接编程信号
• OE:输出允许信号,低 电平有效
• CE:片选信号
• VPP:编程时电压输入 • VCC:电源电压,+5伏
• 芯片地址有重叠
2020/10/1
举例(4)
• 要求用4K×8的EPROM芯片2732, 8K×8的RAM芯片6264,译码器 74LS138构成8K字ROM和8K字RAM的 存储器系统。
• 要求:写出解题步骤和画出系统的电路 图。
2020/10/1
解题步骤
• 存储器芯片数目的确定 • 进行片内寻址和片间寻址地址线如何分配? • 用于片间寻址时,地址线如何译码? • 偶地址和奇地址存储体的选择 • 需要的控制信号的类型及如何与存储器系统中的
• RAM芯片Intel6264容量为8K×8位,用2 片SRAM芯片6264,组成16K×8位的存 储器系统。地址选择的方式是将地址总 线低13位(A12~A0)并行的与存储器芯 片的地址线相连,而CS端与高地址线相 连。
• 要求:写出解题步骤和画出系统的电路 图。
《微机的存储器》PPT课件
精选ppt 14
二、动态随机存储器
动态RAM芯片是以MOS管栅极电容是否充有电荷来存储信息 的(一)动态基本存储电路 1.三管动态基本存储电路
精选ppt
15
写入操作时,写选择线上为高电平,T1导通。待写入的 信息由写数据线通过T1加到T2管的栅极上,对栅极电容Cg 充电。若写入1,则Cg上充有电荷;若写入0,则Cg上无 电荷。写操作结束后,T1截止,信息被保存在电容Cg上。
精选ppt 23
二、只读存储器的分类
(一)不可编程掩模式MOS只读存储器
由器件制造厂家根据用户事先编好的机器码程序,把0、1 信息存储在掩模图形中而制成的ROM芯片。这种芯片制成 以后,它的存储矩阵中每个MOS管所存储的信息0或1被 固定下来,不能再改变,而只能读出。
(二)可编程只读存储器 PROM 用户在使用前可以根据自己的 需要编制ROM中的程序。熔 丝式PROM的存储电路相当 于图5.12的元件原理图。
62625858存储器系统的分层结构存储器系统的分层结构cpu寄存器组片内cache片外cache内部存储器dramsram外部存储器软盘硬盘光盘6363dram216464kdram216464k11外部引脚有外部引脚有aa1616条地址线条地址线22条数据线条数据线bb88条地址线条地址线11条数据线条数据线cc1616条地址线条地址线11条数据线条数据线dd88条地址线条地址线22条数据线条数据线某计算机的字长是某计算机的字长是3232位它的存储容量是位它的存储容量是6464kbkb若按字编址若按字编址它的寻址范围是它的寻址范围是aa16k16kbb1616kbkbc32k32kdd64k64k计算一个存储器芯片容量的公式是计算一个存储器芯片容量的公式是aa编址单元数数据线位数编址单元数数据线位数bb编址单元数字节编址单元数字节cc编址单元数字长编址单元数字长dd数据线位数字长数据线位数字长用用6116611622kk8b8b芯片组成一个芯片组成一个6464kbkb的存储器可用来产生的存储器可用来产生片选信号的地址线是片选信号的地址线是aaaa00aa1010bbaa00aa1515ccaa1111aa1515ddaa44aa1919与sramsram相比相比dramdramaa存取速度快容量大存取速度快容量大bb存取速度慢容量小存取速度慢容量小cc存取速度快容量小存取速度快容量小dd存取速度慢容量大存取速度慢容量大646480868086对存储器访问所涉及到的信号有对存储器访问所涉及到的信号有aamiomiobbintaintaccdtrdtrdddenrdwrrdwr为某88位微机地址总线为位微机地址总线为1616位设计一个位设计一个1212kbkb容量的存储器容量的存储器要求要求epromeprom区为区为88kbkb从从00000000hh开始采用开始采用27162716芯片
二、动态随机存储器
动态RAM芯片是以MOS管栅极电容是否充有电荷来存储信息 的(一)动态基本存储电路 1.三管动态基本存储电路
精选ppt
15
写入操作时,写选择线上为高电平,T1导通。待写入的 信息由写数据线通过T1加到T2管的栅极上,对栅极电容Cg 充电。若写入1,则Cg上充有电荷;若写入0,则Cg上无 电荷。写操作结束后,T1截止,信息被保存在电容Cg上。
精选ppt 23
二、只读存储器的分类
(一)不可编程掩模式MOS只读存储器
由器件制造厂家根据用户事先编好的机器码程序,把0、1 信息存储在掩模图形中而制成的ROM芯片。这种芯片制成 以后,它的存储矩阵中每个MOS管所存储的信息0或1被 固定下来,不能再改变,而只能读出。
(二)可编程只读存储器 PROM 用户在使用前可以根据自己的 需要编制ROM中的程序。熔 丝式PROM的存储电路相当 于图5.12的元件原理图。
62625858存储器系统的分层结构存储器系统的分层结构cpu寄存器组片内cache片外cache内部存储器dramsram外部存储器软盘硬盘光盘6363dram216464kdram216464k11外部引脚有外部引脚有aa1616条地址线条地址线22条数据线条数据线bb88条地址线条地址线11条数据线条数据线cc1616条地址线条地址线11条数据线条数据线dd88条地址线条地址线22条数据线条数据线某计算机的字长是某计算机的字长是3232位它的存储容量是位它的存储容量是6464kbkb若按字编址若按字编址它的寻址范围是它的寻址范围是aa16k16kbb1616kbkbc32k32kdd64k64k计算一个存储器芯片容量的公式是计算一个存储器芯片容量的公式是aa编址单元数数据线位数编址单元数数据线位数bb编址单元数字节编址单元数字节cc编址单元数字长编址单元数字长dd数据线位数字长数据线位数字长用用6116611622kk8b8b芯片组成一个芯片组成一个6464kbkb的存储器可用来产生的存储器可用来产生片选信号的地址线是片选信号的地址线是aaaa00aa1010bbaa00aa1515ccaa1111aa1515ddaa44aa1919与sramsram相比相比dramdramaa存取速度快容量大存取速度快容量大bb存取速度慢容量小存取速度慢容量小cc存取速度快容量小存取速度快容量小dd存取速度慢容量大存取速度慢容量大646480868086对存储器访问所涉及到的信号有对存储器访问所涉及到的信号有aamiomiobbintaintaccdtrdtrdddenrdwrrdwr为某88位微机地址总线为位微机地址总线为1616位设计一个位设计一个1212kbkb容量的存储器容量的存储器要求要求epromeprom区为区为88kbkb从从00000000hh开始采用开始采用27162716芯片
微机原理(存储器系统)精品PPT课件
2021/2/20
14
4.片选与读/写控制电路
片选信号用以实现存储器芯片的选择。当 片选信号有效时,才能对其进行读/写操作。 在选择存储单元时,要先进行片选,再在芯 片中选择与地址相应的存储单元。片选信号 一般由地址译码器的输出及一些控制信号来 形成。
4.1 概述
衡量存储器的性能指标主要有三个: 速度
存储器系统的容量越大,表明其能够保存的信息量 越多,相应计算机系统的功能就越强,因此存储容 量是存储器系统的第一性能指标。 速度:存储器的存取速度相对于高速的CPU总要慢12个数量级,这会影响到整个系统的工作效率。 也是衡量存储器系统的重要性能指标。
定的存储单元
③ 片选和读写控控制制电逻路辑
– 选中存储芯片,控制读写操作
OE WE CS
2021/2/20
9
存储器系统由以ห้องสมุดไป่ตู้六部分组成:
1.基本存储单元
一个基本存储单元可以存放一位二进制信息,其内部具 有两个相互对立的状态,并能够在外部对其状态进行识别 和改变。
2.存储体
一个基本存储单元只能保存一位二进制信息,若要存放
7
列译码
单译码 双译码
A3A4A5
2021/2/20
13
• 例如假定地址信号为10位
• 单译码方式:2n=1024根译码输出线。 • 双译码方式:分成两组,每组5位,则行译码后的
输出线为25=32根;列译码输出线也为25=32根; 共64根译码输出线。
• 容量较大的存储器系统,一般都采用双译码方式。
存储器地址译码有单译码与双译码两种方式。
2021/2/20
11
(1) 单译码
单译码方式又称字结构,全部地址码只用一个 电路译码,译码输出的选择线直接选中对应的 存储单元。这一方式需要的选择线数较多,只 适用于容量较小的存储器。
微机原理及接口技术课件第5章 存储器
引脚号
2764
27128
27256
27512
引脚号
2764
27128
27256
27512
1
VPP
VPP
VPP
A15
15
D3
D3
D3
D3
2
A12
A12
A12
A12
16
D4
D4
D4
D4
3
A7
A7
A7
A7
17
D5
D5
D5
D5
4
A6
A6
A6
A6
18
D6
D6
D6
D6
5
A5
A5
A5
A5
19
D7
D7
D7
D7
6
A4
例如:6264静态RAM的容量为8K x 8bit NMC41257的容量为256K x 1bit
某一芯片有多少个存储单元,每个存储单元存储若干位,由于其数值一般 都比较大,存储容量常以字节(Byte)表示。因此常以K表示210,以M表示 220,G表示230。如256KB等于256×210×8bit,32MB等于32×220×8bit。
A4
行 译
存储器阵列
VCC
…
…
码
128x128
GND
A10
WE
I/O1
…
…
…
输入数 据控制
列I/O 列译码
OE
I/O8
CE
…
… …
…
CE
1
WE
0 0
& 0
A0A1A2A3
0
计算机专接本之微机原理5存储器要点课件
随着存储器技术的进步,读写速度也在不断提升。例如,NVMe协议的固态硬盘相比传 统的AHCI协议,具有更高的读写速度。
数据安全与隐私保护问题
数据加密
为了确保数据的安全性,存储器中的数据需 要进行加密处理。常见的加密算法包括AES 、RSA等。
隐私保护
随着数据泄露事件的频发,隐私保护已成为 存储器技术的重要挑战之一。需要采取有效 的技术手段和政策法规来保护用户隐私。
C. 顺序存取存 储器
03
04
D. 只写存储器
填空题
要点一
填空题1
请填写正确的存储器类型名称:__________存储器。
要点二
填空题2
在计算机中,数据是以__________进制进行存储的。
简答题
简答题1
简述存储器在计算机中的作用。
简答题2
简述RAM和ROM的主要区别。
THANKS FOR WATCHING
。
存储器的应用场景
数据存储
用于保存程序、数据和文件等量数据 存储和处理。
缓存
作为CPU和主存的缓冲区,提高系统性能。
虚拟内存
扩展物理内存的容量,实现进程间的地址空 间隔离。
02
存储器的工作原理
存储器的技术指标
存储容量
表示存储器能够存储的二进制 信息量,单位为字节(Byte)
存储器的发展历程
01
02
03
04
磁芯存储器
早期计算机使用的存储器,以 磁芯为存储介质。
半导体存储器
20世纪60年代出现,以半导 体集成电路为存储介质,分为
静态和动态两种。
磁表面存储器
利用磁性材料在硬磁盘表面记 录数据,容量大、价格低。
数据安全与隐私保护问题
数据加密
为了确保数据的安全性,存储器中的数据需 要进行加密处理。常见的加密算法包括AES 、RSA等。
隐私保护
随着数据泄露事件的频发,隐私保护已成为 存储器技术的重要挑战之一。需要采取有效 的技术手段和政策法规来保护用户隐私。
C. 顺序存取存 储器
03
04
D. 只写存储器
填空题
要点一
填空题1
请填写正确的存储器类型名称:__________存储器。
要点二
填空题2
在计算机中,数据是以__________进制进行存储的。
简答题
简答题1
简述存储器在计算机中的作用。
简答题2
简述RAM和ROM的主要区别。
THANKS FOR WATCHING
。
存储器的应用场景
数据存储
用于保存程序、数据和文件等量数据 存储和处理。
缓存
作为CPU和主存的缓冲区,提高系统性能。
虚拟内存
扩展物理内存的容量,实现进程间的地址空 间隔离。
02
存储器的工作原理
存储器的技术指标
存储容量
表示存储器能够存储的二进制 信息量,单位为字节(Byte)
存储器的发展历程
01
02
03
04
磁芯存储器
早期计算机使用的存储器,以 磁芯为存储介质。
半导体存储器
20世纪60年代出现,以半导 体集成电路为存储介质,分为
静态和动态两种。
磁表面存储器
利用磁性材料在硬磁盘表面记 录数据,容量大、价格低。
微机原理第5章-存储器资料
第三节:存储系统的分类和原理
“水银延迟线存储器”最早最早的计算机的内存, 由研制ENIAC的工程师John W. Mauchly二战期间为军 用雷达开发的一种存储装置
第三节:存储系统的分类和原理
第三节:存储系统的分类和原理
3. 1 ROM
第三节:存储系统的分类和原理
3.1.1 掩模式ROM
第三节:存储系统的分类和原理
3.3 非易失RAM
从1972年到现在,半导体存储器在RAM中占有绝对统治的地位, 它与CPU同步发展,半节距从250nm缩小到90nm,单片容量从1KB提 升到32MB,存储密度提高了几千万倍
近十年来对非易失性存储器的研究工作取得了长足的进步,其 中最突出的成就是闪存的应用。在一些对速度要求不是特别高的系 统中,内存和外存已经合而为一,统一使用闪存了。不过,因为闪 存只是在擦除数据时放电速度很快,而在写入数据时需要一个较长 的充电时间,想提升其存取速度是很困难的,因此在主流的电脑中 闪存还只能充当外存的角色。
1) RAM也称读写存储器,对该存储器内部的任何一个存储单元,既可 以读出(取),也可以写入(存);
2)存取用的时间与存储单元所在的物理地址无关; 3)主要用作主存,也可作为高速缓存使用; 通常说的内存容量均指
RAM容量。 4)一般RAM芯片掉电时信息将丢失,目前有内带电池芯片,掉电后信息
不丢失的RAM,称为非易失性RAM(NVRAM)。 5)微机中大量使用MOS型(按制造工艺分成MOS型和双极型)RAM芯片。 6)按集成电路内部结构不同,RAM又可以分为静态RAM和动态RAM。
1 A16
0 0
A15
0 A14
0 A13
0 A12
& 74LS30 采用门电路译码
相关主题
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
地址总线, 的方式排列成矩阵。 性译码和复合译码两种方式, 片组成。优点是芯片封装时引线较少, 结构或位结构的方式排列成矩阵。 地址总线,高位地址经译码后产生片选信号 由X和Y方向同时选中的单元为所访问的存 性译码和复合译码两种方式,一般采用复合 一个芯片中同时读出,但芯片封装时引线较 和 方向同时选中的单元为所访问的存 片组成。优点是芯片封装时引线较少,例如 一个芯片中同时读出, 结构或位结构的方式排列成矩阵 1……32 储单元。若采用线性译码器,10根地址线输 选中芯片,低位地址送到存储器,由地址译 译码。 1K存储器芯片由 的位结构芯片排列成 输出 储单元。1024×1的位结构芯片排列成 访问 选中芯片,低位地址送到存储器根地址线输 译码。如若采用线性译码器, 访问它要 存储器芯片由1024×1组成,访问它要10 例如1K的存储芯片由 电路8组成 的存储芯片由128× 组成 × 组成, 多。例如 的存储芯片由 I/O电路, , 存储器芯片由 × 组成× 组成, 驱动 32×32矩阵,A0~,有1024根输出线来选择 入到地址译码器后, 但使用芯片为8块 码器选中所需要的片内存储单元, 矩阵, 入到地址译码器后 送到X译码器 码器选中所需要的片内存储单元 根地址线和1根数据线,但使用芯片为 块 它要7根地址线和 根数据线。 ,最后在读 × 根地址线和8根数据线译码器( 矩阵 根数据线 根数据线, 译码器 根输出线来选择 根地址线和 控制 A4送到 Y译码器 最后在读/ 它要 根地址线和 根数据线译码器(行译 。 。 输入 存储单元,结构复杂化了。 31 32 写信号控制下将存储单元内容读出或写入。 A, 送到Y译码器 译码器( 封装引线减少,成品合格率就会提高)。 存储单元,结构复杂化了。 …列译码)。 码), A5~电路 成品合格率就会提高。 写信号控制下将存储单元内容读出或写入 封装引线减少9送到 译码器(列译码。 。 1 2
静态RAM(Static RAM) (1)SRAM静态 ) 静态 ( ) Q 动态RAM(Dynamic RAM) (2)DRAM动态 ) 动态 ( ) 静态RAM速度非常快,只要电源存在内 速度非常快, 静态 速度非常快 DRAM的内容在但它的基本存储电路为 的内容在10-3或10-6秒之后自动消 的内容在但它的基本存储电路为6 容就不会自动消失。 容就不会自动消失。 C 失,因此必须周期性的在内容消失之前进行 管组成1位 个MOS管组成 位,因此集成度相对来说较 管组成 刷新。 刷新功耗也较大。一般,高速缓冲存储器 功耗也较大。一般, 低,。由于它的基本存储电路由一个晶体管 及一个电容组成, 及一个电容组成,因此它的集成度高, Cache用它组成。 因此它的集成度高,成本 用它组成。 用它组成 刷新 放大器 较低,另外功耗也小, 较低,另外功耗也小,但它需要一个额外的 列选 刷新电路。 运行速度较慢, 刷新电路。DRAM运行速度较慢, SRAM比 运行速度较慢 比 择信号 DRAM要快 ~5倍,一般,PC机的标准存储 要快2~ 倍 一般, 机的标准存储 要快 数据输入输出 器都采用DRAM。 器都采用 。
单管动态RAM基本存储单元 基本存储单元 单管动态
行选择信号
2. ROM只读存储器(Read Only Memory) 只读存储器( 只读存储器 ) 可编程ROM(Programmable (1)PROM可编程 ) 可编程 ( ROM存储器是将程序和数据固化在芯片 存储器是将程序和数据固化在芯片 ROM) ) 数据只能读出,不能写入,电源关掉, 中,数据只能读出,不能写入,电源关掉, 可擦除、 (2)EPROM可擦除、可编程 ) 可擦除 可编程ROM 数据也不会丢失, 数据也不会丢失, ROM中通常存储操作系 中通常存储操作系 将设计的程序固化进行后, Erasable PROM) 内容不可更改。 将设计的程序固化进行后,ROM内容不可更改。 内容不可更改 ( ) 统的程序( 统的程序(BIOS)或用户固化的程序。 )或用户固化的程序。 电可擦除可编程ROM (3)EEPROM电可擦除可编程 ) 电可擦除可编程 可编程固化程序, 可编程固化程序,且在程序固化后可通 ROM按集成电路内部结构的不同,可 按集成电路内部结构的不同, 按集成电路内部结构的不同 ( ) 过紫外光照擦除, 以便重新固化新数据。 过紫外光照擦除, 以便重新固化新数据。 分为下面三种: Electrically Erasable PROM) 分为下面三种: 可编程固化程序, 可编程固化程序,并可利用电压来擦除 芯片内容,以重新编程新数据。 芯片内容,以重新编程新数据。
A0 A1 A2 A3 A4
地 址 反 相 器
X 驱 译 ┋ 动 ┋ 码 31 器 31 器 32 32
1 2
1 2
32×32=1024 × 存储单元 输出 1……32 I/O电路 电路 Y译码器 译码器 1 2 … 31 32 输出 驱动
输入
控制 电路
地址反相器 读/写 CS 写 A5 A6 A7 A8A9 图5-2 存储器芯片内部结构框图
第五章 存储器
主要内容有: 主要内容有: 1. 存储器分类(了解) 存储器分类(了解) 2. 随机存取存储器RAM(了解) (了解) 随机存取存储器 3. 只读存储器(了解) 只读存储器(了解) 4. CPU与存储器的连接(重点) 与存储器的连接(重点) 与存储器的连接 5. 存储器空间的分配和使用(了解) 存储器空间的分配和使用(了解)
5-2 随机存取存储器 随机存取存储器RAM 随机存取存储器RAM可以随时在任意 随机存取存储器 一、静态随机存取存储器SRAM 静态随机存取存储器 可以随时在任意 位置上存取信息, 位置上存取信息,根据存储器芯片内部基本 1.静态 静态RAM的构成 静态 的构成 静态RAM存储一位信息的单元电路可以 静态 存储一位信息的单元电路可以 单元电路的结构, 分为静态RAM和动 单元电路的结构,RAM分为静态 分为静态 和动 用双极型器件构成,也可以用MOS器件构成。 器件构成。 用双极型器件构成,也可以用 器件构成 态RAM。 。 静态RAM的单元电路通常是由 个MOS管子 的单元电路通常是由6个 静态 的单元电路通常是由 管子 组成的双稳态触发器电路, 组成的双稳态触发器电路,可以用来存储信 状态能一直保持, 息0或1,只要不掉电,0或1状态能一直保持, 或 ,只要不掉电, 或 状态能一直保持 新的数据。 除非重新通过写操作写入 新的数据。同样对 存储器单元信息的读出过程也是非破坏性的, 存储器单元信息的读出过程也是非破坏性的, 读出操作后,所保存的信息不变。 读出操作后,所保存的信息不变。
使用静态RAM的优点是访问速度快,访 的优点是访问速度快, 使用静态 的优点是访问速度快 问周期达20~ 工作稳定, 问周期达 ~40ns。静态 。静态RAM工作稳定,不 工作稳定 需要进行刷新,外部电路简单, 需要进行刷新,外部电路简单,但基本存储 单元所包含的管子数目较多,且功耗也较大, 单元所包含的管子数目较多,且功耗也较大, 它适合在小容量存储器中使用。 它适合在小容量存储器中使用。 静态RAM通常由地址译码器、存储矩阵、 通常由地址译码器、存储矩阵、 静态 通常由地址译码器 控制逻辑和三态数据缓冲器组成, 控制逻辑和三态数据缓冲器组成,存储器芯 片内部结构框图如图5-2所示 所示。 片内部结构框图如图 所示。
第五章 存储器
5-1 存储器分类 一、存储器是计算机的主要组成部分之一, 按用途分类 存储器是计算机的主要组成部分之一, 按存储器用途分类, 际使用中,由于内存芯片价格较贵, 在实按存储器用途分类,可以分成内部存储 际使用中,由于内存芯片价格较贵,这 是用来存储程序和数据的部件, 是用来存储程序和数据的部件,存储器表征 器和外部存储器。 功能, 器和外部存储器。’功能,存储器的容量越 样许多程序和数据要存放在磁盘外存中, 样许多程序和数据要存放在磁盘外存中,使 了计算机的‘记忆’ 了计算机的‘记忆 1.内部存储器 时再调到内存。 用内部存储器 。正是由于内存的快速存取 时再调到内存 计算机的性能也就越好。 大,计算机的性能也就越好。 和容量较小的特点,它用来存放系统软件, 和容量较小的特点,它用来存放系统软件, 内部存储器也称为内存 是主存储器, , 内存, 内存的容量大小受到地址总线位数的限制, 内部存储器也称为内存,是主存储器,用来 内存的容量大小受到地址总线位数的限制 如系统引导程序、监控程序或者操作系统中 如系统引导程序根地址总线,可以寻址内存 、 系统, 根地址总线, 存放当前正在使用的或经常使用的程序和数 对8086系统,20根地址总线 系统 的ROM BIOS,以及当前要运行的应用软件。 , 可以直接对它进行访问。 空间为1M字节。若是 字节。若是80386系统 系统, 据,CPU可以直接对它进行访问,地址总线 空间为 可以直接对它进行访问。内存的存 字节 以及当前要运行的应用软件。 系统 取速度较快,一般是用半导体存储器件构成。 根 可以寻址 字节。 取速度较快,一般是用半导体存储器件构成。 为32根,可以寻址4000M字节。 字节
二、按存储器性质分类 内存按存储器性质分类通常分为随机存 取存储器( 取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)。 )和只读存储器( )。 1. RAM随机存取存储器(Random Access 随机存取存储器( 随机存取存储器 Memory) ) CPU能根据 能根据RAM的地址将数据随机地写 能根据 的地址将数据随机地写 入或读出。电源切断后,所存数据全部丢失。 入或读出。电源切断后,所存数据全部丢失。 通常我们所说的计算机内存容量有多少字节, 通常我们所说的计算机内存容量有多少字节, 均是指RAM存储器的容量。按照集成电路 存储器的容量。 均是指 存储器的容量 内部结构的不同, 又分为两种: 内部结构的不同,RAM又分为两种: 又分为两种
1 A0 1)存储矩阵 1 ( )地 2 X 2 A1 址 驱 × (2)地址译码器 动 ┋ 32×32=1024 )反 译 ┋ A2 位结构是1个芯片内的基本单元作不同 按字结构方式排列时, 出一个字节的 一个基本存储单元存放一位二进制信息, 位结构是 个芯片内的基本单元作不同 , 按字结构方式排列时,读/出一个字节的 一个基本存储单元存放一位二进制信息 码 31 器 31 A3 存储单元 相 (3)控制逻辑与三态数据缓冲器 ) A4CPU读/写一个存储单元时,先将地址送到 如图5-2所示 32 译码器各输出 根线, 地址译码器完成存储单元的选择,通常有线 写一个存储单元时, 字的同一位,片内按矩阵排列,,位信息从 如图 器 所示,X和Y译码器各输出 根线, 地址译码器完成存储单元的选择 位由 块芯 8位制作在一块芯片上32 若选中则位由8块芯 一块存储器芯片中的基本存储单元电路按字 位制作在一块芯片上, 读 所示, 和 译码器各输出32根线 写一个存储单元时 字的同一位器 片内按矩阵排列,8位由 输出 一块存储器芯片中的基本存储单元电路按字 位制作在一块芯片上,若选中则8位信息从 ,