桂林电子科技大学2012年《819基础光学》考研专业课真题试卷
桂林电子科技大学817电子技术综合A12-18考研真题
8、写出图所示电路的输出电压值，设二极管导通电压 UD＝0.7V，UO＝
V。
Rb 1M
+ V CC (+12V) Rc 5.1k
VT
（第 8 题图）
（第 9 题图）
9、已知电路中的晶体的β＝100，UBE 0.7V ，该三极管处于什么工作状态
。
（放大、饱和、截止）？ 10、差分放大电路如图所示。设电路元件参数变化所引起静态工作点改变不会使放大管出现截止或饱和。
桂林电子科技大学 2012 年硕士研究生入学考试试卷
考试科目代码：817
考试科目名称：电子技术综合（A）
请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。
（各题标题字号为黑体 5 号字，题干字号为标准宋体 5 号字。）
一、 填空题（每空 2 分，共 40 分）
1、(131)10＝(
2、-127 的补码是
C．乘方运算
D．同相输入求和
共4页
第2页
请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。
三、 综合题（90 分）
1、作图题：下降沿触发的边沿 JK 触发器的输入波形如下图所示， RD 为异步置零端，请画出输出 Q
的波形，设触发器初始状态为 0。（10 分）
2、设计题：设计一个监视交通信号灯工作状态的逻辑电路。每组信号灯有红、黄、绿三盏灯组成， 在任何时刻，若有且仅有一盏信号灯亮，则为正常工作状态；否则，为故障状态。当有故障发生时， 电路给出故障信号，以提醒维护人员前去修理。（15 分） 3、分析图示时序电路，要求：（20 分） （1）写出电路的驱动方程、状态方程和输出方程； （2）画出电路的状态转换图； （3）说明电路能否自启动。
。
A．增大
桂林电子科技大学819法学综合考研真题和答案
桂林电子科技大学819法学综合考研真题和答案2021年桂林电子科技大学法学院《819法学综合》考研全套目录•全国名校法学综合（含民法学、刑法学等）考研真题汇编说明：本科目考研真题不对外公布（暂时难以获得），通过分析参考教材知识点，精选了有类似考点的其他院校相关考研真题，以供参考。
2．教材教辅•王利明、杨立新《民法学》（第5版）笔记和考研真题详解•王利明、杨立新《民法学》（第5版）配套题库【考研真题精选＋章节题库】•马工程《刑法学》配套题库【考研真题精选＋课后习题】说明：以上为本科目参考教材配套的辅导资料。
•试看部分内容民法总则第一章民法概述1.1 复习笔记【知识框架】【通关提要】本章对民法进行了总体概述，主要介绍了民法的概念、性质、调整对象、民法与其他法律部门的关系、民法的渊源以及民法的适用。
学习本章，需要重点掌握民法的性质、民法的调整对象、民法的渊源以及民法适用的基本原则。
本章主要考查概念题、简答题和论述题，复习时需把握具体内容，重点记忆。
【考点难点归纳】考点一：民法的概念（见表1-1）★★表1-1 民法的概念考点二：民法的性质（见表1-2）★★★表1-2 民法的性质考点三：民法的调整对象（见表1-3）★★★表1-3 民法的调整对象考点四：民法与其他法律部门★★1民法和商法（见表1-4）表1-4 民法和商法考研真题精选一、概念题1民法[浙江工商2015年研；中南财大2005年研]答：民法是调整平等主体的自然人、法人、非法人之间的财产关系和人身关系的法律规范的总称。
民法调整的社会关系广泛，涉及每个人、每个家庭、每个企业和其他多种社会组织，社会生活的各个方面几乎都与民法相关联。
民法既是行为规范，又是裁判规范。
在社会生活中，民法是人们的行为规则；如果不遵守这种规则而发生诉讼时，民法是法院裁判民事案件的准绳。
2宣告失踪[复旦大学2020年研；首都经贸2002年研]答：宣告失踪是指自然人离开自己的住所，下落不明达到法定期限，经利害关系人申请，由人民法院宣告其为失踪人的法律制度。
桂林电子科技大学2012年考研真题805信号分析与模拟电路
(D)
1 0.2 z 1 0.5z 2 1 0.3z 1 0.4 z H z 1 0.2 z 1 0.5z
1 1 1 1 1 1
2 1 0.3z 1 0.4 z 1
5．在双线性变换中，S 平面的左半平面的极点映射到 Z 平面 (A)单位圆内 (B) 单位圆外 (C)单位圆上 (D) 虚轴上
+V SS Rs R g1 C1 uo ui R g2 ui Rg Rs Cs C2 C1 Rd
） 。
VDD C2 R g2 C1 C2 Rg R g1 Rs uo +VDD
uo
ui
(a)
(b )
(c)
A．(a) (b)
B．(b)
C．(a) (c)
D．(c)
比较大，应选____。 4. 电压放大倍数 A u
滤波性能的描述，正确的是： （A）系统具有低通特性 （C）系统具有高通特性 二、 （本题 14 分）设信号 f t 度为 的门函数） 。 （1） 求 f t 的指数型傅立叶级数并画其双边幅度谱。 （2） 现欲保留 f t 中的一次和二次谐波分量而将其它频率分量滤掉，应将 f t 通过什么样的滤 波器？画出该滤波器的频率响应。 （3） 请你利用理想低通、高通滤波器和基本运算单元设计一个系统实现（2）的要求。详细说明你 的方案并画出系统的框图。 三、 （本题 12 分）设一因果连续系统的状态方程和输出方程分别为：
D、反相加法电路
A.
0
B.
1
C. 105
D.
∞
二、填空题(共 5 道，每道 2 分，共 10 分） 1. 设在线性放大范围内改变图示实验电路中元件参数，当 RW 增大时，则差模输出电阻 Rod＿＿，共 模输入电阻 Ric＿＿（增大，减小，不变或基本不变）。
桂林电子科技大学908电子技术综合专业课考研真题(2012-2018年)
注意:答案必须全部写在考点提供的答题纸上,写在试题上无效;答案要标注题号,答题纸要填写姓名和考号,并标注页码与总页数;交卷时,将答题纸与试题一起装入原试卷袋,用我校提供的密封条密封并签名。
桂林电子科技大学2015年研究生统一入学考试试题科目代码:908 科目名称:电子技术综合(B)
请注意:答案必须写在答题纸上(写在试题上无效)。
桂林电子科技大学
2016年硕士研究生统一入学考试试题
科目代码: 908 科目名称: 电子技术综合(B)以梦为马
桂林电子科技大学
2018年硕士研究生统一入学考试试题
逐次逼近型A/D转换器的4位D/A转换器输出波形V O与输入电压V
共 3 页第 2 页
共 3 页第 3 页
桂林电子科技大学2013年研究生统一入学考试试题科目代码:908科目名称:电子技术综合(B)请注意:答案必须写在答题纸上(写在试题上无效)。
桂林电子科技大学2014年研究生统一入学考试试题科目代码:908 科目名称:电子技术综合(B)请注意:答案必须写在答题纸上(写在试题上无效)。
桂林电子科技大学2012年硕士研究生入学考试试卷考试科目代码:908 考试科目名称:电子技术综合(B)
不负韶华
图2 运算放大器电路图
分别说明A1和A2各构成哪种基本电路;
求出u o1与u o的幅值并定性画出u o1与u o的波形。
计算题(25分)
共 3 页分)
2012年广西大学研究生入学考试电子技术基础复试试卷
2012年广西大学研究生入学考试电子技术基础复试试卷1双极性晶体管的放大的实质是什么？放大电路有哪些参数，分别是如何定义，如何改善这些参数。
双极型晶体管是一种电流控制器件。
把电流放大了。
开环放大倍数A VO：无反馈时集成运放的放大倍数。
闭环放大倍数A VF：有反馈时集成运放的放大倍数称为闭环放大倍数。
其数值根据具体电路的反馈情况来计算。
输入失调电压VIO：输入电压为零时，为了使放大器输出电压为零，在输入端外加的补偿电压。
一般为毫伏级。
它表征电路输入部分不对称的程度，VIO越小，运放性能越好。
输入失调电流IIO：输入电压为零时，为了使放大器输出电压为零，在输入端外加的补偿电流。
其值为两个输入端静态基极电流之差。
输入偏置电流IIB：输入电压为零时，两个输入端静态基极电流的平均值。
一般为微安数量级，IIB越小越好。
开环电压放大倍数AuO：电路开环情况下，输出电压与输入差模电压之比。
A VO越大，集成运放运算精度越高。
一般中增益运放的AVO可达105倍。
开环输入阻抗ri：指电路开环情况下，差模输入电压与输入电流之比。
ri越大，运放性能越好。
一般在几百千欧至几兆欧。
开环输出阻抗ro：电路开环情况下，输出电压与输出电流之比。
ro越小，运放性能越好。
一般在几百欧左右。
共模抑制比KCMR：电路开环情况下，差模放大倍数A VD与共模放大倍数A VC之比。
KCMR 越大，运放性能越好。
一般在80dB以上。
输出电压峰-峰值VOPP：放大器在空载情况下，最大不失真电压的峰-峰值。
静态功耗PD：电路输入端短路、输出端开路时所消耗的功率。
开环频宽BW：开环电压放大倍数随信号频率升高而下降3dB所对应的频宽。
2什么是负反馈，有哪几种组态，负反馈的作用是什么，怎么通过负反馈改善放大电路的性能。
牺牲放大倍数的条件下，1.稳定静态工作点:受环境如温度变化的影响小。
2.增大输入电阻：减轻前级的负载。
3.减小输出电阻：可以带更多的负载。
桂林电子科技大学硕士研究生入学考试复试试卷考试电子技术B卷
桂林电子科技大学硕士研究生入学考试复试试卷考试科目代码：202 考试科目名称：电子技术请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。
1、图（1）所示为一限幅电路，输入电压U i=10sin w t（V），试画出输出电压的波形和传分）输特性曲线。
设VD1、VD2的性能均理想。
（10分）图（1）图（2）2、已知图（2）所示的电路中，晶体管β=100，r be=1.4kΩ. 求：(1)现已测得静态管压降U CEQ=6V，估算R b; ; (2)(2)若测得U i和U o的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻R L分）为多少？（15分）3、试求出图（3）所示的电路输出电压和输入电压的运算关系式，并分析说明电路的反分）馈类型。
（10分）图（3）图（4）4、交流电网经变压所得的交流电压u2=√2*20sinωt,要经过如图（4）所示的电路向负载R L=10kΩ的电器供电。
试分析电路的工作原理，根据电路计算出整流二极管的最大正向分）电流I FM和最高反向工作电压U DRM这两大极限参数选择正确的二极管。
（15分）共3 页第1 页请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。
5、试分析图（5）给出的逻辑电路，列出真值表和输出P 、Q 逻辑表达式，说明该电路实现了什么功能功能。
（10分）分）&>=1&=100=1AB CPQ&&==11=1>11图 (5) 6、说明图（6）示电路的功能。
要求：（1）写出每个触发器的驱动方程、状态方程；（2）列出状态转换表；画出状态图；根据给定CP 信号的波形画出各触发器输出端Q 1、Q 2、Q 3的波形。
（设各触发器的初始状态均为“0”）（15分）分）图（6）7、格雷码又称循环码，只有4位，见下表1，从0000开始，最右边的一位按状态0110顺序循环，右边第二位按00111100循环，右边第三位按0000111111110000顺序循环，可见，自右向左，每一位的状态循环中的0、1数目增加一倍。
重庆理工大学2016年《819光学基础》考研专业课真题试卷
重庆理工大学硕士研究生试题专用纸
1 重庆理工大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题 学院名称： 光电信息学院 学科、专业名称： 0810Z1光电信息获取与处理 或 085202光学工程（专业学位）
考试科目（代码）：819光学基础（《物理学》光学部分）A 卷（试题共3页） 注意：1.所有试题的答案均写在专用的答题纸上，写在试题纸上一律无效。
2.试题附在考卷内交回。
一、单项选择题（每题4分，共20分）
1. 在双缝干涉实验中，为使屏上的干涉条纹间距变大，可以采取的办法是（ ）
(A) 使屏靠近双缝．
(B) 使两缝的间距变小．
(C) 把两个缝的宽度稍微调窄．
(D) 改用波长较小的单色光源．
2. 对某一定波长的垂直入射光，衍射光栅的屏幕上只能出现零级和一级主极大，欲使屏幕上出现更高级次的主极大，应该 （ ）
(A) 换一个光栅常数较小的光栅．
(B) 换一个光栅常数较大的光栅．
(C) 将光栅向靠近屏幕的方向移动．
(D) 将光栅向远离屏幕的方向移动．
3. 如下图所示，折射率为n 2，厚度为e 的透明截止薄膜的上方和下方的透明介质的折射率分别为n 1和n 3，且n 1<n 2， n 2>n 3，若波长为λ的单色平行光垂直入射到该薄膜上，则从薄膜上下两表面反射的光束的光程差是：（ ）
(A) 2n 2e (B) 2n 2e -λ/2 (C) 2n 2e -λ (D) 2n 2e -λ/(2n 2)
4. 波长为λ=550 nm 的单色光垂直入射于光栅常数d=1×10-4cm 的光栅上。
e n 1
n 2
n 3。
桂林电子科技大学817电子技术综合2012-2018年考研专业课真题试卷
）。
A. 500 k ；
B. 50 k ；
C.50 ；
D. 5
5、有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路 A 和 B，对同一个具有内阻的信号源
电压进行放大。在负载开路的条件下，测得 A 放大器的输出电压小，这说明 A 的（ ）
A．输入电阻大 B．输入电阻小 C．输出电阻大 D．输出电阻小
20
+20dB/十倍频
9V
T1
8
T2
9V
－20dB/十倍频 －40dB/十倍频
0 第3页共5页
100 101 102 103 104 105 106
图7
ƒ/HZ
第二部分 数字电子技术（满分 75 分）
四、选择题（每题 2 分，共 20 分）
1.十进制数 143.6875 对应的二进制数为（ ）
3、工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是：
A．开环或正反馈状态
B．深度负反馈状态 C．放大状态 D．线性工作状态
4、某负反馈放大电路，其开环增益 Aiu 9.9mS ，反馈系数 Fui 10k ，开环输入电阻
Ri 5.0K ，可推算出其闭环输入电阻 Rif =（
弦波电压时，输出 uO 如图所示，可确定输出波
形产生的失真为（
）。
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
D、频率失真
uO
0
t
图2 1
2、某传感器产生的电压信号（几乎不能提供电流），进过放大后希望输出电压信号成正比，这时
放大电路应选（ ）
A．电流串联负反馈 B．电压并联负反馈 C．电流并联负反馈 D．电压串联负反馈
第1页共5页
光学工程考研复试真题
光学工程考研复试真题光学工程考研复试真题2012一、填空题1、光具有波粒二象性，光在传播过程中主要表现为（），当光与物质之间发生能量交换时就突出地显示出光的（）。
1.波动性、粒子性2、发光二极管是将（）能转变为（）能的器件。
电、光3、分辨率是用来表示能够分辨图像中明暗细节的能力。
分辨率常用两种方式来描述（）和（）。
极限分辨率、调制传递函数4、光电耦合器是由（）器件与（）器件组成的电－光－电器件。
这种器件在信息传输过程中是用（）作为媒介把输入边和输出边的电信号耦合在一起的。
发光、光敏、光5.与CCD的工作频率上限有关的主要是12 ，与频率下限有关的主要是13 。
12从一个电极转移到另一个电极所需的时间， 13少数载流子的平均寿命。
6.光通量幅度测量中的单通道测量的方法中有14 、15 等几种方法。
6. 14指零法、15直读法、。
7.光外差探测的特点是16、17、18、19、20。
7. 16探测能力强、17探测灵敏度高、18信噪比高、19有空间滤波能力、20有光谱滤波能力。
二、名词解释1、光电探测器的响应度（或灵敏度）：光电探测器的输出电压V o或输出电流I o与入射光功率P之比。
2、居里温度：铁电体的极化强度与温度有关，温度升高，极化强度减低。
升高到一定温度，自发极化就突然消失，这个温度称为居里温度（或居里点）3、转移效率：CCD电荷转移过程中,残留于原势阱中的电量与原电量之比。
4、导带：价带以上能量最低的允许带称为导带。
5、禁带：晶体中允许被电子占据的能带称为允许带，允许带之间的范围是不允许电子占据的，此范围称为禁带。
6、光生伏特效应简称为光伏效应，指光照使不均匀半导体或半导体与金属组合的不同部位之间产生电位差的现象。
7、光谱响应度：光电探测器对的输出电压或输出电流与输入光谱光功率之比。
8、外光电效应：光敏物质吸收光子以后，电子从基态被激发到高能态而脱离原子核的束缚在外电场作用下电场作用下形成光电子流，被激发的电子能逸出光敏物质的表面而在外参与导电的现象。
2018年广西桂林电子科技大学物理光学考研真题A卷
2021年广西桂林电子科技大学物理光学考研真题A卷一．填空题〔每空3分，共30分〕1.像方焦距为物距是〔1〕时对应的像距。
2.某人需佩戴屈光度为-6D的眼镜方能矫正其视力，那么此人是〔2〕〔选填近视眼、远视眼〕，不佩戴眼镜时最远能看清眼前〔3〕米的物体。
3.两束光的相干条件为〔4〕、振动方向不垂直、恒定的相位差。
4.一束光波从光疏介质向光密介质接近正入射或掠入射时，其反射光相对于入射光的振动相位发生了 的突变，此现象称为〔5〕。
5. 牛顿环中的干预是〔6〕的，菲涅耳双面镜干预是〔7〕的。
〔选填定域、非定域〕6. 弗朗禾费衍射实验装置中通常需要满足__〔8〕__这两个距离的无穷大。
7. 闪耀光栅的构造旨在把〔9〕和〔10〕的方向别离。
二．单项选择题〔每题5分，共30分〕1.关于理想光学系统的物像关系，以下说法错误的选项是：〔〕A．位于物方H平面上的物，一定得到等高同向的像；B.物方焦点和像方焦点是共轭的；C．以从左往右为正方向的光路中，虚物一定在光组右边；D. 假设物高y为正，中间像高'1y为负，最终像高'2y又为负，那么最终像相对于物为倒立像。
2. 关于干预与衍射，以下说法正确的选项是：〔〕A.干预现象是光矢量的叠加造成的，衍射现象那么是光强叠加造成的；B.衍射现象直接决定了光学系统的极限分辨率；C.双缝干预与衍射都需要相应的缝宽为无限小；D.双缝干预实验中假设将双缝改为双孔，那么干预图样变为同心圆环。
3. 关于衍射理论的开展，以下说法错误的选项是：〔〕A.惠更斯原理很好的解释了衍射图样的亮暗分布；B.菲涅尔提出了无穷多个次波源相干叠加的理论；C.基尔霍夫引入了格林定理和边界条件，使准确求解被观察点的光场分布成为可能；D．夫琅禾费衍射比菲涅尔衍射要求更严苛。
4. 关于牛顿环干预装置中，以下说法正确的选项是：〔〕A.是等倾干预，干预条纹为同心圆环；B.反射光方向观察，中心为亮圆斑；C.以底座及其上的平凸透镜之间夹着的空气层作为干预的实际分振幅装置；D.以底座的平板玻璃作为干预的实际分振幅装置。
【经典】广西桂林电子科技大学材料科学基础考研真题(A卷)
2013年广西桂林电子科技大学材料科学基础考研真题(A卷)一、名词解释（任选6题作答，每题5分，共30分）1、晶面间距；2、肖特基缺陷；3、刃型位错；4、非均匀形核；5、柯肯达尔效应；6、莱氏体；7、桥氧；8、烧结二、简答题（任选4题作答，每题10分，共40分）1、证明理想密排六方结构晶体的轴比c/a为1.633。
2、什么是细晶强化？简述细晶强化的机理。
3、什么是置换固溶体？影响置换固溶体溶解度的因素有哪些？形成无限固溶体的必要条件是什么？4、简述F-R（弗兰克-瑞德）位错增殖机制，并予以图示。
5、NaCl溶入CaCl2中形成空位型固溶体，请写出其缺陷反应式。
6、试描述固相烧结过程中三个阶段的特点？三、分析题（任选2题作答，每题15分，共30分）1、在同一晶胞中画出立方晶系中的晶面以及晶向。
2、分析位错反应能否发生？（要求写出判断依据）。
3、根据Al2O3-SiO2系统相图（下图）说明，为了保持较高的耐火度，在生产硅砖时应注意什么？4、在Al2O3陶瓷烧结中，通常加入TiO2可有效地降低烧结温度，并促进烧结。
请说明原因？（提示：从形成缺陷的角度考虑）四、计算题（任选1题作答，20分）1、某晶体生长机制为二维形核模型时，如果在固液界面形成的晶核为圆柱形（如下图所示），每个晶核的高度h=0.35 nm，求临界晶核的直径d。
已知该晶体的熔点T m＝1231 K，熔化热为 750 000 KJ/m3，单位面积表面能为5.5×10-2 J/m2，凝固时过冷度ΔT＝0.01T m。
（要求写出详细的计算过程）。
2、 CaO加到ZrO2中，在1600℃该固溶体为立方萤石结构。
经 XRD测定，当溶入0.15molCaO 时, 晶胞参数a=0.513nm, 实验测定的密度值D＝5.477g/cm3。
请通过计算说明是形成了置换固溶体还是间隙固溶体？（已知Zr、Ca和O的原子量分别为91.22、40.08和16）五、综合题（任选1题作答，30分）1、根据下图所示的Ag-Cu二元合金相图。